【課題】絶縁基板上に形成される不揮発性メモリ素子において、外部の光が電荷保持部に当ることにより、保持した電荷が、活性化し逃げることを防止することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上に不揮発性メモリ素子を備え、前記不揮発性メモリ素子が、電荷保持膜と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にソースとドレインとを備える半導体層を備え、前記電荷保持膜が、少なくともその一部の上側と下側とに設けられた、上側遮光体及び下側遮光体の間に位置していることを特徴とする半導体記憶装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】受光素子での受光効率を向上させて、出力信号のＳ／Ｎ比が高い画像取り込みが可能な液晶表示素子、およびこれを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】前面基板２と背面基板３に挟持された液晶層４を有し、背面基板３上に設けられた下地層４１の上に設けられた受光素子７と、受光素子７上に設けられた絶縁層６の上に設けられた画素電極２７とを備え、前面基板２側から平面視したときに、受光素子７の受光領域５２の周囲の少なくとも一部に、前面基板２を透過して入射する外光１３を受光領域５２に向けて反射する反射膜３４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の製造方法の簡略化等を課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタの作製工程において、第１の導電膜と、絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と第２の導電膜をこの順に積層した積層体を形成し、第１のエッチングにより第１の導電膜を露出させ、第２のエッチングにより第１の導電膜のパターンを形成する。また、薄膜トランジスタの形成後、薄膜トランジスタなどに起因する凹凸を緩和するようにカラーフィルタ層を形成することで、画素電極層の被形成面の段差を低減する。または、薄膜トランジスタなどに起因する凹凸を利用して、選択的にカラーフィルタ層を形成する （もっと読む）

【課題】湾曲時の２枚の基板の位置ズレに起因する表示ムラの発生を抑制する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の矩形の画素構造を有するアレイ基板１００と、カラーフィルタ２７及びブラックマトリクス２６を有する対向基板１０１と、両基板１００，１０１間に挟持された液晶層１０２とから構成され、湾曲した表示面を有する液晶表示装置において、湾曲方向に沿って複数の第一信号線１４、第一信号線１４に直交する複数の第二信号線１２，１３が配置されており、カラムスペーサ２３は、ＴＦＴ素子を含む第二信号線１２を覆って形成し、かつ第一信号線１４と第二信号線１２が交差する部位には形成しない。 （もっと読む）

【課題】多様な回路を搭載可能で、表示速度に優れ、かつ製造コストが安価な透過型ＬＣＯＳ用の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、単結晶半導体基板１０１を用い、この半導体基板の裏面の、駆動電極１２０と素子分離領域１０２とが平面的に重なる部分に凹部１３０を有する。この凹部により、単結晶基板でありながら透光性を備えた半導体装置を構成することができる。また、素子を構成する半導体基板の膜厚に制限がないため、載置できる回路にも制約がなく、光変調物質の駆動電圧も高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】光漏れを抑制し、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層３０を保持した構成であり、各画素ＰＸに透過部ＰＴと反射部ＰＲとを備えた半透過型の液晶表示装置であって、アレイ基板１０は、各画素ＰＸに配置されたスイッチ素子１２と、少なくとも反射部ＰＲに配置された絶縁層と、画素ＰＸの透過部ＰＴに配置された透過電極１３Ｔ及び透過電極１３Ｔに電気的に接続されるとともに反射部ＲＲにおいて絶縁層上に配置された反射電極１３Ｒを有し、反射電極１３Ｒにより絶縁層に形成されたコンタクトホール４０を介してスイッチ素子１２と電気的に接続された画素電極１３と、コンタクトホール４０の反射電極１３Ｒをカバーするとともに反射電極１３Ｒより反射率の低い材料によって形成されたカバー部材４１と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】横方向あるいは斜め方向から入射する光を充分に遮光可能な電気光学装置を得る。
【解決手段】基板１０と、基板上に形成された所定の幅を有する第１の遮光膜７３と、第１の遮光膜７３上に形成された第１の層間絶縁膜４１と、第１の層間絶縁膜４１上に形成されたトランジスタ３０と、トランジスタ３０上に形成された第２の層間絶縁膜４２と、第２の層間絶縁膜４２上に形成された第２の遮光膜７０と、を少なくとも備える電気光学装置であって、トランジスタ３０の半導体層１は、基板１０側から第１の遮光膜７３に覆われるように設けられると共に、基板１０とは反対側から第２の遮光膜７０に覆われるように設けられており、第２の遮光膜７０は、第１の遮光膜７３より幅広に形成されており、第１の層間絶縁膜４１の膜厚が最も薄い部分は、平面視で第１の遮光膜７３の端部と第２の遮光膜７０の端部との間に存在することを特徴とする電気光学装置。 （もっと読む）

【課題】高速動作と高開口率とを両立可能な電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、ｍ本の走査線と、ｎ本のデータ線と、走査線とデータ線との各交点に対応して設けられた複数のトランジスタ(100)と、各々が何れかのトランジスタと接続された複数の電気光学素子と、ｍ本の共通電位線(42)と、を備える。各トランジスタは、島状の半導体膜(16)と各トランジスタに個別に設けられたゲート電極膜(24)とを有する。各走査線は、複数のトランジスタのうち、第１方向に沿って並んだｎ個のトランジスタの各々のゲート電極膜と電気的に接続され、かつ絶縁膜(28)を挟んで当該ゲート電極膜の上層側に重畳して配置されたゲート補助配線膜(26)を含む。共通電位線(42)は、ゲート補助配線膜と重畳し、当該ゲート補助配線膜よりも上層側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、ダミー画素部を用いて、装置の表示特性をモニタリングする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上における複数の画素が配列されてなる画素領域（１０ａ）に設けられており、画素への画像信号の供給を制御するトランジスタ（３０）を含む画素部と、基板上におけるダミー画素領域（２００）に設けられており、トランジスタを模擬するダミートランジスタを含むダミー画素部（Ｐｄ）と、ダミー画素領域を覆うように設けられており、少なくとも部分的にダミー画素部に光が入射するように、少なくとも１つの開口（２１０）が形成されている遮光部（５３、５００）と、ダミー画素部における、開口を介して入射される光に応じて変化する所定パラメータを検出する検出手段（４５０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶化の際に特性が損なわれないシリコン膜からなるシリコンアイランドを半導体膜として有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置Ｄは、絶縁基板１１と、絶縁基板１１上に設けられた絶縁膜１３と、絶縁膜１３上に設けられたポリシリコン膜からなるシリコンアイランド１４と、を備える。半導体装置Ｄは、絶縁基板１１と絶縁膜１３との間に、平面視で、シリコンアイランド１４を内包するように設けられたパターン膜１２をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学装置において、簡易な構成で、トランジスタにおける効果的な遮光を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、データ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、第１の接合領域（１ｂ）、第２の接合領域（１ｃ）、及び容量下部電極（１ｆ）を有する半導体層（１ａ）と、容量絶縁膜（７５）と、チャネル領域及び容量下部電極を除くと共に第１及び第２の接合領域を含む部分を覆うように設けられた部分絶縁膜（２０２）と、容量絶縁膜を介して、容量下部電極と蓄積容量を構築する容量上部電極（７２）と、チャネル領域にゲート絶縁膜（２）を介して対向するゲート電極（３ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、信頼性を向上させると共に、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、データ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）若しくはその延在部、並びに画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）若しくはその延在部を有する半導体層（１ａ）と、半導体層上に形成された開口を有するストッパ膜（２００）と、層間絶縁膜（２０２、４１、４２）とを備える。データ線は、第１コンタクトホール（８１）を介して第１接続領域に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】共通電位を好適に調整する。
【解決手段】電気光学装置（１００）は、画素部（７０）と、ダミー画素部（７０ｄ）と、ダミー画素部に対して正極性書込及び負極性書込を行う書込手段（１０１、１０４）と、正極性書込が行われたダミー画素電極（９ｄ）に蓄積された電荷の放電に要する時間である正極性放電時間、及び負極性書込が行われたダミー画素電極に蓄積された電荷の放電に要する時間である負極性放電時間の夫々を検出する検出手段（１３４、１３５）と、正極性放電時間と負極性放電時間とが等しくなるように、共通電位を補正する補正手段（１３７）とを備える。 （もっと読む）

【課題】開口度が大きくて明るく、しかも、面押し特性の良好なＦＦＳモードの液晶表示
パネルを提供すること。
【解決手段】本発明は、液晶層を挟持して対向配置された一対の基板を有し、前記一対の
基板の一方には複数の画素領域が形成され、前記各画素領域には、複数のスリット状開口
群２０を有する上電極２１と、前記上電極２１と絶縁層を介して前記基板側に形成された
下電極１８と、前記液晶層側に形成された配向膜を備えた液晶表示パネル１０Ａにおいて
、前記複数のスリット状開口群２０は、それぞれ複数の異なる方向に傾斜した複数スリッ
トが連結された連結部２３を有し、前記下電極１８には、前記連結部２３と平面視で重畳
するように、開口部２２が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダブルＬＤＤ構造を改善し、リーク電流のばらつきの少ない薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１には、第１平面１１と、これより高い第２平面１２と、第１平面１１と第２平面１２を接続する段差１３とが形成されている。半導体薄膜２は、第１平面１１に沿った第１領域から、段差１３に沿った中間領域を経て、第２平面１２に沿った第２領域まで連続している。第１領域には、チャネル領域ＣＨとこれに連続する第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１とが形成され、第２領域には、ソースＳ又はドレインＤとなる導電性領域が形成され、中間領域には第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１と導電性領域とを接続する第２の低濃度不純物領域ＬＤＤ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 第二電極基板に形成された対向電極と接続回路基板を銀ペーストで接続する液晶表示装置の液晶表示素子部を小型化してもシュート不良が発生しないようにする。
【解決手段】 複数の画素電極を有する第一電極基板と該第一電極基板に相対する対向電極を有する第二電極基板間に液晶を封入して液晶表示素子を形成するとともに、前記液晶表示素子は第二電極基板の一辺に第一電極基板端面より外側に張り出した庇部を設け、該庇部に設けた端子電極と、接続回路基板の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する液晶表示装置において、前記第一電極基板の少なくとも、前記第二電極基板の対向電極に接続された端子電極と前記接続回路基板の配線パッドとを接続する導電性接着剤塗布付近には導電パターン部を形成しない液晶表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】複雑な構造を用いなくても、光反射層の隙間から入射した光が画素スイッチング素子に到達することを確実に防止可能な反射型電気光学装置、この反射型電気光学装置を備えた投射型表示装置、および反射型電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】反射型電気光学装置１００において、素子基板１０では、隣接する画素電極９ａの間に隙間領域９ｓが存在するので、層間絶縁膜８の表面には隙間領域９ｓに沿って溝状凹部８ｅを形成し、溝状凹部８ｅの内部に、層間絶縁膜８より屈折率の高い高屈折率材料４ｅが充填する。このため、溝状凹部８ｅでは、高屈折率材料４ｅと層間絶縁膜８との界面では凸レンズと同様な屈折が発生する。 （もっと読む）

【課題】 ドットマトリクス型液晶表示素子で曲線の滑らかなキャラクター表示を行う。
【解決手段】
液晶表示素子は、対向する一対の基板と、一対の基板の一方に設けられ、表示面内に敷き詰められた多数のアクティブ素子を含む画素と、一対の基板の他方に設けられたコモン電極と、一対の基板間に挟持された液晶層とを有する液晶表示素子であって、画素とコモン電極とが一対の基板の対向面側に形成され、コモン電極は、表示パターンの輪郭の少なくとも一部を表すキャラクターパターンと、該キャラクターパターンと電気的に絶縁された反転パターンとを含み、画素の設けられた表示面がキャラクターパターンを内包する。 （もっと読む）

【課題】画像品質、位置検出精度の向上を実現する。
【解決手段】液晶パネル２００の一方の面の側から、その表示領域ＰＡへ照明光を出射するバックライト３００の動作を、外光センサ素子３２ｂによって得られた受光データに基づいて制御する。ここでは、表示領域ＰＡに配置された外光センサ素子３２ｂによって得られた受光データに基づいて、バックライト３００の動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域を複数に分割することなく、発熱による特性の劣化を防止することができる薄膜トランジスタ、半導体装置及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】基板１上に金属層３が形成され、金属層３上に絶縁層４を介して半導体層５が形成され、金属層３の半導体層４に対向する領域の少なくとも一部に凸部３ａにより凹凸が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）