【課題】共通電極及びカラーフィルタを有する一方の基板の背面にバックライトを設け、画素電極及びＴＦＴを有する他方の基板の側から画像を視認する構成において、配線されたバスラインによる外光の反射光の影響を低減する表示装置を提供する。
【解決手段】視認側のガラス基板２とバスライン４ａを設けた絶縁膜４との間に形成したバッファ膜３に、バスライン４ａと同形状にパターニングされた、バスライン４ａよりも光反射率が低い層（低反射層）３ａを、バスライン４ａを覆うように設けている。ガラス基板２を介して入射された外光（Ａ）は、低反射層３ａにて遮断されてバスライン４ａに到達しない。外光は、低反射層３ａにて反射する（Ｂ）が、その反射光量は少ない。 （もっと読む）

【課題】素子基板側から入射した光を共通電極で反射して素子基板から出射する方式を採用した場合でも、画素トランジスターの能動層に強い光が入射することのない液晶装置、および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００においては、画素電極９ａおよび素子基板１０は透光性を備え、共通電極２１は光反射性を備えている。このため、素子基板１０側から入射した光を共通電極２１で反射して素子基板１０から出射することができる。素子基板１０側から入射した光のうち、画素トランジスター３０の能動層に向かう光は遮光層７ａで遮られるので、画素トランジスター３０の能動層に強い光が入射することはない。 （もっと読む）

【課題】表面がＭｏで形成された金属配線の表面を被覆する絶縁膜として従来の保護絶縁
膜よりも極めて薄い絶縁膜を使用しながらも、トップゲート型ＴＦＴの耐湿性を確保し、
更に、層間樹脂膜の浮きや剥がれを抑制することができる液晶表示パネル及びその製造方
法を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示パネル１は信号線１６の表面がＭｏで形成されており、信
号線１６の表面は厚さが０．００５μｍ以上、０．０２μｍ以下の窒化ケイ素からなる絶
縁膜１９で被覆され、更に絶縁膜１９の表面は層間樹脂膜２０で被覆されている。画素電
極２１とＴＦＴのドレイン電極Ｄは層間樹脂膜２０に設けられたコンタクトホール２２を
経て電気的に接続されており、この第２開口部１９ａは画素電極形成前のフッ酸溶液によ
る洗浄工程により洗浄と同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】遮光層上に設けられ、光センサ等の用途に適した半導体素子と、高速駆動が可能な高性能の半導体素子とが同一の基板上に搭載されており、従来よりも部品点数が削減され、薄型化や軽量化が可能であるとともに、遮光層の有無による結晶性への影響が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板１上に形成されたＴＦＴ２１とＴＦＤ２２とを備えている。ＴＦＤ２２と絶縁基板１との間には、遮光層２が選択的に形成されている。ＴＦＴ２１およびＴＦＤ２２における各半導体層５・６は、ラテラル成長結晶からなり、ＴＦＤ２２の半導体層６の表面には、ＴＦＴ２１の表面粗さよりも大きな凹凸が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素開口率を高めると同時に蓄積容量の増大を図り且つ斜めの入射光や戻り光に対する遮光性能を高めることにより、クロストークやゴーストを低減しコントラスト比を向上して、高品位の画像表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチング制御するＴＦＴ（３０）と、このＴＦＴに接続された走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）とを備える。平面的に見てデータ線に重なる領域に、蓄積容量（７０）が構築される。蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第１容量電極（１３）と、画素電極及びＴＦＴ間を中継接続するバリア層（３４）と同一膜からなる第２容量電極（３３）とが、誘電体膜（４２）を介して対向配置されてなる。 （もっと読む）

【課題】本発明の構成を有さない場合に比べ、耐光性に優れた表示媒体、書込装置、及び表示装置を提供する。
【解決手段】表示媒体１２においては、第２の光吸収層３４が、第２の電極２２の光導電層２０とは反対側に設けられている。すなわち、第２の光吸収層３４は、表示媒体１２の光導電層２０より書込光の照射方向上流側に設けられている。この第２の光吸収層３４は、書込光を透過し、且つ３００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の全波長領域について吸光度１以上の遮光性能を示す。このため、蛍光灯の光のように、書込に利用されない波長の光が非表示面側から光導電層２０へ到ることが抑制され、光導電層２０の外光による光劣化が抑制される。従って、耐光性に優れた表示媒体１２が提供される。 （もっと読む）

【課題】端子間の短絡を防ぎ、信頼性の高い接続を実現する配線基板の接続方法を提供する。
【解決手段】基板の面上に複数並ぶ接続端子１０２を有する素子基板１０と、基板の面上に複数並ぶ配線端子２０２を有するＦＰＣ基板２００とを互いに対向させ、接続端子１０２と配線端子２０２とをＡＣＦ２１０を介して接続する配線基板の接続方法であって、素子基板１０は、導電性を有する基板本体を形成材料とすると共に、接続端子１０２の周縁に基板本体が露出する端部１０ｅを有し、ＡＣＦ２１０は、絶縁性の硬化性樹脂と該硬化性樹脂中に分散する導電性粒子とを有し、素子基板１０とＦＰＣ基板２００とが平面的に重なる領域であって、ＡＣＦ２１０と端部１０ｅとの間に、導電性を有さない接着剤２２０を配置し、素子基板１０とＦＰＣ基板２００とを加熱圧着する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、輝度ムラを低減するためのコンデンサを効率的なレイアウトで形成することにより、表示画像の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素領域（１０ａ）において、画素毎に配列された画素電極（９ａ）と、画素電極の下層側に第１誘電体膜（７２）を介して対向配置されており、画素電極に対して保持容量を付加するための容量電極（７１）と、周辺領域（１０ｂ）において、容量電極と同一膜で形成され、画素電極に画像信号を供給するための一の信号線を構成する第１導電層（５００）と、第１導電層の上層側に第２誘電体膜（７００）を介して対向配置され、画素電極と同一膜から形成された第２導電層（６００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関する。該ＴＦＴ −ＬＣＤアレイ基板には、基板に形成された複数のゲートライン、複数のデータライン、及び複数の共通電極ラインが含められる。前記複数のゲートラインと前記複数のデータラインは互いに交差されて複数の画素領域を画成すると共に、それぞれの画素領域に画素電極と薄膜トランジスタを形成し、上下に隣接した二つの画素領域は一つの共通電極ラインを共有する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子としてのトップゲート式ＴＦＴと、前記ＴＦＴを遮光するため
の遮光膜とが設けられた液晶表示パネルにおいて、遮光膜の材料としてＭｏを採用し、遮
光膜の被覆絶縁層にドライエッチング処理を施してＭｏの表面を露出させる場合にも、オ
ーバーエッチングによる遮光膜の消失を防げるようにした液晶表示パネルを提供すること
。
【解決手段】本発明の液晶表示パネル１は、遮光膜１１がＭｏからなり、かつ、遮光膜１
１と上層金属配線との電気的接続が、バッファ絶縁膜１２とゲート絶縁膜１４を貫通する
第１コンタクトホール２７を経て遮光膜１１と電気的に接続されていると共に層間絶縁膜
１６に被覆された第１導電部材２５と、層間絶縁膜１６を貫通する第２コンタクトホール
２８を経て層間絶縁膜１６の表面の金属配線と電気的に接続された第２導電部材２６と、
を経て行われている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、寄生トランジスタの発生に基づくトランジスタの特性劣化を改善する。
【解決手段】半導体装置は、基板（１０）上に、所定種類のイオンが注入されることにより、第１の濃度で不純物領域が形成された本体部（４１０ｃ１）、及び本体部の縁部のうち所定の方向に延びる部分に沿って設けられ、第１の濃度より第２の濃度で不純物領域が形成されたエッジ部（４１０ｃ２）を有する第１チャネル領域（４１０ｃ）を含み、所定の方向に沿って長手状に形成された第１半導体層（４１０）、並びに第１チャネル領域に対向配置された第１ゲート電極（４３０）を有する第１トランジスタ（４００）と、第１チャネル領域と同じ導電型を有し、第１の濃度より高い第３の濃度で不純物領域が形成された第２チャネル領域（１ａ´）を含む第２半導体層（１ａ）、並びに第２チャネル領域に対向配置された第２ゲート電極（３ａ）を有する第２トランジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ、バッファ回路など駆動回路を同一基板上に組込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素部の開口率を向上させると共に最適なＴＦＴの構成を提供する。
【解決手段】バッファ回路にはゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを設けたｎチャネル型ＴＦＴを形成し、画素部のｎチャネル型ＴＦＴにはゲート電極とオーバーラップしないＬＤＤを設けた構造とする。画素部に設ける保持容量は、遮光膜と遮光膜上に形成される誘電体膜と画素電極で形成し、特に遮光膜にＡｌを用い、誘電体膜を陽極酸化法で形成し、酸化Ａｌ膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高い開口率を実現しつつ、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生の低減を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、走査線（１１）及びデータ線（６）と、非開口領域に配置された半導体層（３０ａ）及び走査線に接続されたゲート電極（３０ｂ）を含むトランジスタ（３０）と、半導体層より上層側に配置された第１導電層（９）とを備える。ドレイン領域（３０ａ５）及び第１導電層は、交差領域内で、少なくとも部分的に互いに重なる部分にて、絶縁膜に開孔されたコンタクトホール（３３）を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】配線や電極等による段差に起因する配向処理むらを抑制し、配向不良の発生を低減でき、充電時間を短くできるＴＦＴ基板の提供。
【解決手段】基材２と、基材上に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層４と、オーバーコート層６と、ソース線と、画素電極８と、基材２上に形成されゲート線に接続されたゲート電極１３、ＴＦＴ用ゲート絶縁層１４、ＴＦＴ用ゲート絶縁層上に形成された半導体層１５、ＴＦＴ用ゲート絶縁層および半導体層の上に上記オーバーコート層と連続して形成されたＴＦＴ用オーバーコート層１６、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、ソース線に接続され、半導体層にソース電極用コンタクトホールｈ１を介して接続されたソース電極１７、および、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、画素電極に接続され、半導体層に透明電極用コンタクトホールｈ２を介して接続された透明電極１８を有するＴＦＴ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画像表示領域における開口率を十分に確保しつつ、ドメイン領域の発生を効果的に抑制する。
【解決手段】電気光学装置は、一対の基板（１０、２０）と、該一対の基板間に挟持された電気光学物質（５０）と、一方の基板上に画素毎に配置され、基板面内における第１の方向に沿って形成された第１縁部、並びに基板面内において第２の方向に沿って形成され、第１縁部の両端に対応して配置された第２縁部及び第３縁部を有する画素電極（９）とを備える。第１の方向及び第２の方向は、第１縁部が第２縁部及び第３縁部に比べて基板に沿った横電界によりドメイン領域が発生し易い方向であるように規定されている。第２縁部及び第３縁部のうち少なくとも一方は、画素電極のうち第１縁部に近い一の領域（１）における第２縁部及び第３縁部間の距離（ａ１）が、一の領域を除く他の領域（２）におけるの（ａ２）に比べて小さくなるように形成された切欠部（３）を有する。 （もっと読む）

【課題】表示品位を向上した液晶パネルを提供する。
【解決手段】走査線22の走査方向の表示エリア17での最終行に隣接してダミー走査線22bを配置する。ダミー走査線22bと信号線24との交差位置にて表示エリア17外にダミー薄膜トランジスタ25bを配置する。ダミー薄膜トランジスタ25bに接続して表示エリア17外にダミー画素電極26bを配置する。垂直走査方向Ｖの表示エリア17での最終行の画素電極26aとダミー画素電極26bとの間でカップリング容量を形成し、最終行の画素電極26aとその１行前の画素電極26aとの電位変動量の差を抑制して、表示品位を向上できる。 （もっと読む）

【課題】セルギャップのばらつきを抑制することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アレイ基板ＡＲに配置され隣接する第１画素電極ＥＰ１及び第２画素電極ＥＰ２と、対向基板ＣＴに配置され第１画素電極及び第２画素電極に対向するとともに第１画素電極と交差する第１切欠部ＳＬ１及び第２画素電極と交差する第２切欠部ＳＬ２が形成された対向電極ＥＴと、アレイ基板において第１画素電極と第２画素電極との間に配置され対向電極の第１切欠部と第２切欠部との間の電極部ＥＤに対向し対向基板を支持する柱状スペーサＳＰと、アレイ基板の第１画素電極及び第２画素電極と対向基板の対向電極との間に保持された負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層ＬＱと、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】封入孔から液晶を注入するさい、液晶と同時に異物が液晶表示パネル内に進入することを防止する。
【解決手段】封入孔に、開口部の高さを小さくする調整壁４０を設けて大きな異物が液晶表示パネル内に進入することを防止する。調整壁４０は、例えば、表示領域の有機パッシベーション膜１０８と同じ材料によって同じプロセスによって形成する。したがって、調整壁４０の形成のためにプロセスが追加となることは無い。特定の大きさよりも大きい異物の進入を押さえることによって表示領域における輝点を防止することが出来る。特に液晶表示パネルをタッチパネルとして使用する場合に、指等で液晶表示パネルの押したとき、ＴＦＴ基板１００の画素電極と対向基板２００の対向電極が異物によってショートすることを防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】表示部に穴をあけた液晶表示装置において、各配線の寄生容量の均一化を図る。
【解決手段】穴１０近辺の遮光層１１下において、終端された走査線４および補助容量線５の幅を表示領域２における走査線４および補助容量線５の幅よりも広くする。これにより、遮光層１１下において各配線により形成される容量が表示領域２において各配線により形成される容量よりも大きくなるので、各配線の寄生容量の均一化を図ることができ、表示ムラの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】画素電極と共通電極とが形成されたアレイ基板と、カラーフィルター層が設けら
れたカラーフィルター基板とを有する液晶表示装置において、効果的にコモン配線を配置
することでより、良質な表示画質が得られる液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】複数色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の着色層の中から選択された特定色（Ｒ）のサブ画素
Ｒ（赤）のみに、コモン配線２６を信号線１９と同一層において前記信号線１９と平行に
設け、単位画素を構成するサブ画素Ｒ（赤）、サブ画素Ｇ（緑）、サブ画素Ｂ（青）にそ
れぞれ対応する下電極２１を電気的に導通させ、コモン配線２６と下電極２１とを電気的
に接続するためのコンタクトホール２７を特定色のサブ画素Ｒ（赤）のみに設ける。 （もっと読む）