【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板１０１と第２基板１０２とを固定するシール部材４０と、シール部材４０に囲まれた領域において第１基板１０１と第２基板１０２との間に挟持された液晶層３０と、を備え、第１基板１０１は、マトリクス状に配置された複数の画素電極ＰＥと、複数の画素電極ＰＥが配列する行に沿って延びる複数の走査線ＧＬと、複数の画素電極ＰＥが配列する列に沿って延びる複数の信号線ＳＬと、複数の画素電極ＰＥを囲む額縁領域１２に配置され、複数の走査線ＧＬおよび複数の信号線ＳＬを駆動する駆動部と、を備え、駆動部は、シール部材４０が配置された位置よりも第１基板１０１の内側に配置された第１配線６１を備え、第１基板１０１は、第１配線６１の上層に配置され、直流電圧が供給されるシールド層５０と、を備え、第２基板１０２は、額縁領域１２と対向するように配置された遮光層ＢＭを備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】ブルー相を示す液晶材料を利用した表示装置において、消費電力の低い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを含む画素が設けられた画素部を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に配置された液晶層とを有し、前記液晶層は、ブルー相を示す液晶材料を有し、前記トランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が電極に電気的に接続され、前記トランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、例えば各画素における光透過率を高め、明るく高品位な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、素子基板（１０）と、素子基板に設けられた画素電極（９）と、素子基板の少なくとも一部に形成された半導体素子（３０）と、前記素子基板の少なくとも一部に形成された溝（２１０ｖ）からなる光反射部（２１０）とを備え、半導体素子は、素子基板上で平面的に見て、光反射部と互いに重なるように配置されると共に、少なくとも溝の開口部を覆うように設けられた平坦化膜（２１１）上に配置される。 （もっと読む）

【課題】１画素毎にパターニングした反射層を素子基板に設けなくても反射方式でカラー
画像表示を行なうことができる液晶装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００においては、画素電極９ａおよび素子基板１０は透光性を備
え、対向基板２０は反射面２０ａを備えている。このため、素子基板１０側から入射した
光を対向基板２０で反射して素子基板１０から出射することができる。素子基板１０にお
いて画素トランジスター３０と画素電極９ａとの間にカラー表示用の着色層１１を備えて
いる。素子基板１０側から入射した光のうち、画素トランジスター３０の能動層に向かう
光は遮光層７ａで遮られる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 絶縁表面上に形成されたゲート電極と、前記絶縁表面上に形成された第１の配線と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、第１の配線上に形成された第２の配線と、を有し、前記第１の配線は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、表面に前記ゲート電極よりも低抵抗な材料を有し、前記第２の配線を介して前記半導体層と電気的に接続し、前記第１の配線の低抵抗化を図る。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに配置されたフォトセンサにおいて、対象物からの反射光を正確に検出し、画像取り込みの精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】フォトセンサが配置された表示パネルでは、対象物の画像を取り込む際、光源から対象物に光が照射され、反射された光がフォトセンサに入射される。その際、フォトセンサの感度に対して入射光が強すぎる場合には光源の輝度を小さくし、逆にフォトセンサの感度に対して入射光が弱すぎる場合には光源の輝度を大きくする。 （もっと読む）

【課題】 表示装置の色温度の使用判別を容易にする。
【解決手段】 第１の色のカラーフィルタを有する第１画素と、第２の色のカラーフィルタを有する第２画素と、第３の色のカラーフィルタを有する第３画素を有し、前記各画素は前記カラーフィルタと対向する画素電極を有し、前記各画素電極は複数のスリットを有する表示装置であって、
前記第１画素の画素電極の外形面積は、前記第２画素の画素電極の外形面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】フレーム反転駆動時にキックバック電圧の差によるフリッカーの発生を抑える。
【解決手段】同一層に形成されて相互間に電界を形成する第１画素電極と第２画素電極とを含む画素構造を有する液晶表示装置において、第１画素電極が２つ以上の部分に区分され、画素電極を形成する導電層と異なる導電層で形成された連結橋を通じて第２画素電極の形状に影響を与えない状態で２つ以上の部分が電気的に接続され、同時に、第１画素電極は隣接した第１データ配線の下部および第２データ配線の上部と容量結合され、第２画素電極は第１データ配線の上部および第２データ配線の下部と容量結合することにより、第１画素電極とデータ配線との間に発生する寄生容量と、第２画素電極とデータ配線との間に発生する寄生容量とを実質的に同一にすると共に、透過率の減少を最少化する構成を開示する。 （もっと読む）

【課題】光電流による表示不良を防ぎつつ、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板２１０の上に配置された第１遮光層２２０Ａと、第１遮光層と間隔をおいて配置された第２遮光層２２０Ｂと、第１絶縁層２３０の上に配置されるとともに第１絶縁層を介して第１遮光層と対向する第１チャネル領域２４２Ｃ１および第１絶縁層の上に配置されるとともに第２遮光層と対向する第２チャネル領域２４２Ｃ２を有する半導体層２４２と、第２絶縁層の上に配置されるとともに第２絶縁層２４３を介して第１チャネル領域と対向する第１ゲート電極２４４Ａと、第２絶縁層の上に配置されるとともに第２チャネル領域と対向する第２ゲート電極２４４Ｂと、を備えた第１基板２００と、第２基板３００と、第１基板と第２基板との間に保持された液晶層４００と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、作製プロセスの簡略化のため使用するマスク枚数が減らされてきた。この様な従来のプロセスでは、ゲート信号線が液晶部（配向膜を含む）に直接接触するような構造をとることになり、ゲート信号電圧の影響による液晶部の劣化が問題となっていた。そこで、ゲート信号電圧の液晶部への影響を抑えることを課題とする。
【解決手段】ゲート信号線を絶縁膜で覆い、液晶部に直接触れないようにした。
その画素部の構成を図１に示す。上記絶縁膜を有する表示装置は、ゲート信号線とその上の絶縁膜を同時にパターニング形成することで、用いるマスクの枚数を増やすことなく作製することができる。
また、対向基板上にＢＭ層を作製する代わりにゲート信号線周辺をＢＭで覆い、このＢＭを上記絶縁層として用いることもできる。この際も使用マスクの枚数の増加はない。 （もっと読む）

【課題】任意に視角制御が可能であると共に優れた光学特性を有する液晶装置およびこの液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００は、互いにＦＦＳ方式の電極構成を有する略矩形状の表示用画素Ｐｃと視角制御用画素Ｐｂとを備え、視角制御用画素Ｐｂは異なる色の表示用画素Ｐｃ（Ｒ），Ｐｃ（Ｇ），Ｐｃ（Ｂ）に亘って隣接して設けられ、視角制御用画素Ｐｂの短手方向に亘って互いに間隔を置いて配置された複数の帯状電極部１８ａを有する第２電極としての画素電極１８と、平面視で画素電極１８に対向するように配置された第１電極としての共通電極１７との間に電界を生じさせ液晶層における液晶分子の配向方向を制御することにより、視角制御用画素Ｐｂの正面方向に対する斜め方向の輝度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】柱状スペーサの下地領域を平坦化させると共に、透過率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
画素領域を有する第１基板と、カラーフィルタ及び遮光膜を有する第２基板とを備えた液晶表示装置であって、カラーフィルタを重ねて形成した第１遮光膜と、黒色層より成る第２遮光膜との交差領域内に、隣接するカラーフィルタの端部が重畳しない領域が形成され、該重畳しない領域内で前記隣接するカラーフィルタの境界部を跨ぐように、スペーサが形成される液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】短絡が発生せず光の漏れ現象が効率的に防止され、画質を向上する。
【解決手段】絶縁第１基板と、走査信号を伝達するゲート線と、画像信号を伝達するデータ線と、第１基板と対向している第２基板と、第１基板と第２基板との間に注入されている液晶物質と、ゲート線とデータ線とによって区分される画素と、各画素を区画するブラックマトリックスと、画素ごとに別途に形成されている画素電極とを含み、画素電極と前段のゲート線との間で維持容量を形成する液晶表示装置において、第１画素行の各画素の開口率は他の画素行の各画素の開口率と異なるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置と光センサとを備えた電気光学装置において、回路規模の増大や開
口率の低下を招くことなく、外光および表示すべき映像が暗くても、画面と指示物との接
触や近接を検出可能とする。
【解決手段】電気光学装置５００は、液晶素子ＬＣとこれを照らすバックライト２とを有
し、バックライト２から発して液晶素子ＬＣを透過した光を画面から出射させて画面に画
像を表示する液晶表示装置と、液晶表示装置の画面から入射した光を受光し、受光した光
の強度を検出するセンシング単位回路ＵＢとを備え、センシング単位回路ＵＢに検出され
た強度に基づいて、指示物で指示された位置を検出する。さらに、電気光学装置５００は
、表示単位回路ＵＡに、水平有効走査期間では映像データに応じた階調を、水平帰線期間
では最高輝度の階調を表示させる。 （もっと読む）

【課題】光センサ機能をフラットパネルディスプレイ面内に配置する。
【解決手段】隣接する液晶セル部６００としては、第１の基板１と第２の基板２との間に光散乱型液晶分子３０が挟持され、第１の基板１の内面と第２の基板２の内面に、対向電極２６、２７が形成された一般的な液晶セル構造が形成されている。第２の基板側の対向電極２７は、ＴＦＴ１００のソース電極６とオーミック接触されている。また、第２の基板２の外側から第１の基板１側に向けてバックライト３００が照射されるようになっている。このように、ＴＦＴ１００は、光センサ部５００のセンサ機能と、液晶セル部６００のスイッチング機能とを兼用させることができる。また、スイッチ機構を設けることで、１セル内に形成された光センサ部５００と液晶セル部６００とを切り替えて利用することも可能である。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置に用いた際に、表示画像におけるフリッカの発生を効果的に抑制することで、高品位な画像表示を図る。
【解決手段】薄膜トランジスタ（３０）は、基板（１０）上に、ソース領域（１ｓ）、チャネル領域（１ｃ）、ドレイン領域（１ｄ）、第１ＬＤＤ領域（１ｓｃ）及び第２ＬＤＤ領域（１ｃｄ）を有する半導体層（１ａ）と、チャネル領域に対向配置されたゲート電極（２ａ）とを備える。第１ＬＤＤ領域及び第２ＬＤＤ領域のうち、一方はドープされた不純物の濃度が半導体層のチャネル長方向に沿って段階的に変化し、他方はドープされた不純物の濃度が前記一方と比べて段階的に変化しない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＴＦＴ素子などによる段差が存在する領域において光漏れを低減することができる液晶表示素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、第１基板、上記第１基板上に形成され、複数のＴＦＴ素子および上記ＴＦＴ素子に接続された画素電極を有するＴＦＴ電極層、上記ＴＦＴ電極層上に形成された反応性液晶用配向膜、および上記反応性液晶用配向膜上に形成され、反応性液晶を固定化してなる固定化液晶層を有するＴＦＴ基板と、第２基板、および上記第２基板上に形成された共通電極とを有する共通電極基板と、上記ＴＦＴ基板の上記固定化液晶層および上記共通電極基板の上記共通電極の間に形成された駆動液晶層とを有することを特徴とする液晶表示素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】主画素を複数の開口に分割した場合、どの開口に欠陥が生じても非発光としての視認性に差が生じないようにすること。
【解決手段】本発明は、主画素内に構成され、各々異なる色を発光する複数の副画素と、副画素内で一方向に沿って並ぶよう配置される少なくとも３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３と、少なくとも３つの開口部Ｓ１〜Ｓ３のうち両端の開口部Ｓ１、Ｓ３における前記一方向に沿った開口長さより両端以外の開口部Ｓ２における前記一方向に沿った開口長さを長くするよう規定する開口規定部とを有する表示装置である。また、この表示装置を本体筐体に備える電子機器でもある。 （もっと読む）

【課題】素子基板側から入射した光を共通電極で反射して素子基板から出射する方式を採用した場合でも、画素トランジスターの能動層に強い光が入射することのない液晶装置、および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００においては、素子基板１０側から入射した光を対向基板２０の光反射性共通電極２１で反射して素子基板１０から出射する。光反射性共通電極２１は、画素トランジスター３０の半導体層１ａに対して平面視で重ならない領域１００ｄのみに形成されている。従って、素子基板１０側から斜めに入射した光のうち、対向基板２０において画素トランジスター３０の能動層（半導体層１ａ）と平面視で重なる領域に向かった光は、光反射性共通電極２１の非形成領域２１ｆを通って対向基板２０を透過し、画素トランジスター３０の能動層に向けて反射しない。 （もっと読む）