【課題】工程が簡易で量産可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板上方の第１の配線と、第１の配線と同じ材料を有する第２の配線と、第１の配線及び第２の配線上方の層間絶縁膜と、層間絶縁膜上方の第３の配線と、画素電極と、画素電極と同じ材料を有する第４の配線と、を有し、第１の配線はマトリクスの第１の方向に延び、第２の配線はマトリクスの第１の方向に延び、第２の方向に第１の突出部と第２の突出部を有し、第１の突出部及び第２の突出部は隣り合う画素の隣り合うふちに配置され、第３の配線はマトリクスの第２の方向に延び、第２の配線の第１の突出部と第２の突出部の間の領域に形成され、第４の配線はマトリクスの第２の方向に延び、第２の配線とコンタクトホールを介して接続されているアクティブマトリクス型液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れ、既存の設備の貼り合せ精度により表示領域の遮光を充分に行うことができる液晶表示素子を提供する。
【解決手段】表示領域１を有する第一電極基板２と、前記第一電極基板２に対向する位置関係にて第一遮光領域３を有する第二電極基板４がシール剤５を介して所定の間隔で貼りあわされている。また、前記第一遮光領域３が覆っていないシール剤５部分に関しては、第三基板６が具備している第二遮光領域７が覆うことにより、前記シール剤５全域を第一遮光領域３及び、第二遮光領域７で遮光を行っている。尚、シール剤５は、紫外線硬化型樹脂である。前記シール剤５の前記表示領域１側の遮光を行っている部分は前記シール剤５幅の１／３以下であり、第二電極基板４を貼付する前に、残りの２／３以上の領域にはＵＶ（紫外線）照射を行えるため、既存の紫外線硬化型樹脂を前記シール剤５に使用することは可能である。 （もっと読む）

【課題】コストアップや大型化を招くことなことなく、焼き付き不良を継続的に防止することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示領域１０８の周囲に設けられた電子見切り領域１０９を、表示領域１０８に隣接する第１の電子見切り領域１０９ａと、第１の電子見切り領域１０９ａよりも外側に配置された第２の電子見切り領域１０９ｂの２つに区画し、第１の電子見切り領域１０９ａには、本来の電子見切り動作として黒表示をさせ、第２の電子見切り領域１０９ｂには、液晶中の不純物イオンを掃き寄せる動作として白もしくは明色表示をさせる。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶にかかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶モジュールに対して１フレーム時間毎に全ての画素の表示データをシリアルに高速転送する場合と高速転送しない場合とに限らず、コントローラＩＣ及びインタフェース回路が表示デバイス基板と一の基板上に形成されるため小型化が可能で、回路面積が小さく、低消費電力で、メモリ部の動作の信頼度が高く、低コストである表示装置と、この表示装置を使用した機器を提供する。
【解決手段】容量を有するデータ保持回路３と、複数の画素電極を有する表示部４とが一の第１支持基板上に形成された表示装置において、表示部４の上方には第１の支持基板１に対向する第２の支持基板２が設けられているが、データ保持回路３が配置された領域の上方には対向基板が存在しない。これにより、データ保持回路３の寄生容量が小さいため、データ保持回路３内の容量を小さくでき、レイアウトに必要な面積を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】遮光層の端部で回折した光が半導体層に照射されＴＦＴ特性の変動を引き起こしているため、この光の照射を防止する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第３の遮光層１０８の端部で回折した光１１７を完全に遮光するため、半導体層１０３をゲート電極１０４と第２の遮光部１０６とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、ＴＦＴ特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】補助容量電極を薄膜トランジスタに重ねる構造とした場合であっても、光リーク電流の発生を抑制することができる液晶表示素子を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ８の上層側に金属からなる補助容量電極１１が前記薄膜トランジスタ８と重なるように配置された液晶表示素子であって、前記薄膜トランジスタ８は、半導体層２１上に該半導体層２１に接するように配置された絶縁性材料からなるエッチング防止層２４と、前記エッチング防止層２４との間に前記半導体層２１が介在するように配置されたゲート電極Ｇと、を有し、前記薄膜トランジスタ８の前記ゲート電極Ｇと重なる領域における前記補助容量電極１１は、前記薄膜トランジスタ８におけるチャネル長方向に沿う方向の長さが、前記ゲート電極Ｇの前記方向の長さよりも短く且つ前記エッチング防止層２４の前記方向の長さよりも長く形成されている。 （もっと読む）

【課題】微小なコンタクトホールを形成し、集積回路を微細化することを目的とする。
【解決手段】スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造効率が良く、かつ、光リーク電流の発生が抑制されたＴＦＴを提供する。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、ゲート電極２が、基板１側から見て、第１の金属遮光膜Ａと絶縁膜Ｂと第１の金属遮光膜Ａよりも形成面積の小さい第２の金属遮光膜Ｃとの積層構造を有し、第１の金属遮光膜Ａと第２の金属遮光膜Ｃのうち一方がゲート回路に電気的に接続され、他方がゲート回路から絶縁された構造を有するものであり、第１の金属遮光膜Ａは、半導体積層膜１０の形成領域を含む領域に形成されており、チャネル層８において、少なくともソース電極１１とドレイン電極１２との間の領域１３は、第１の金属遮光膜Ａと第２の金属遮光膜Ｃのうちゲート回路に電気的に接続された金属遮光膜と近接し、チャネル層８の両端部は、ゲート回路から絶縁された金属遮光膜と近接するよう、第１の金属遮光膜Ａ及び第２の金属遮光膜Ｃが形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】表示領域と周辺領域とにおいて層間絶縁膜の表面を連続した平坦面とすることができる液晶装置および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、層間絶縁膜７２（第１層間絶縁膜）の表面では、周辺領域１０ｂにおける開口密度が表示領域１０ａにおける開口密度に比して低い第１スルーホール（表示領域側第１スルーホール７２ａおよび周辺領域側第１スルーホール７２ｂ）が開口している。層間絶縁膜７３（第２層間絶縁膜）の表面では、周辺領域１０ｂにおける開口密度が表示領域１０ａにおける開口密度に比して高い第２スルーホール（表示領域側第２スルーホール７３ａおよび周辺領域側第２スルーホール７３ｂ）が開口している。このため、層間絶縁膜７２表面に段差７２ｘが形成されるが、かかる段差７２ｘは、層間絶縁膜７３の表面を研磨する際の研磨速度の差によって相殺される。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、ＴＦＴで発生する光リーク電流を低減させ
る。
【解決手段】電気光学装置は、表示領域（１０ａ）に設けられた複数の画素電極（９ａ）
と、画素電極に画像信号を供給するデータ線（６ａ）と、画素電極に電気的に接続された
画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、データ線に電気的に接続されたデータ線側ソー
スドレイン領域（１ｄ）、並びに画素電極側ソースドレイン領域及びデータ線側ソースド
レイン領域間に位置するチャネル領域（１ａ’）を有する半導体層（１ａ）と、半導体層
のチャネル領域にゲート絶縁膜（２ａ，２ｂ）を介して対向配置されたゲート電極（３ｂ
）とを備える。半導体層は、チャネル領域の膜厚が、画素電極側ソースドレイン領域及び
データ線側ソースドレイン領域の膜厚より薄くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】横電界モードの液晶表示装置であって、表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板の上方に配置された画素電極及び対向電極と、を備えた第１基板と、第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板の前記第１基板と向かい合う側において前記第２絶縁基板の基板端部よりも内側で額縁状に形成された額縁部を有する第１遮光層と、前記第２絶縁基板の前記第１基板と向かい合う側に配置され前記第１遮光層から離間し前記第２絶縁基板の基板端部まで延在した第２遮光層と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記第１遮光層と前記第２遮光層との間を遮光する第３遮光層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示画素当たりの開口率の低下を抑制することが可能なように光センサが組み込まれた表示装置を提供すること。
【解決手段】表示パネル１０内に２次元配列された複数の表示画素のうちの列方向に隣接する２個の表示画素からなる表示画素対を挟むようにしてゲートライン１１１を配置するとともに、表示画素対の間にセンサゲートライン１２１を配置する。薄膜トランジスタ光センサＴ０、Ｔ１を各表示画素対に対して行方向に隣接するように配置する。 （もっと読む）

【課題】波状ノイズの発生を抑制することの出来る、高画質を具現する横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、４マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、半導体層の下部に光を遮断する第１遮断パターンを構成して、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第２遮断パターンを構成する。 （もっと読む）

【課題】液晶による光の散乱光を利用して表示を行う液晶表示装置において、使用者の目に優しい紙面に近い表示が実現できることを課題の一とする。より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）又は高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ）を液晶層に用いて、液晶による光の散乱光を利用して白表示（明表示）を行う。画素電極層が形成される画素領域に凹凸の構造体を設け、凸表面には可視光の光を反射する画素電極層（反射層）を設け、凹部には黒色層を設ける。白表示は液晶による光の散乱光を利用して行い、黒表示は、電界により透光性となった液晶層を介して凹部に設けられた黒色層による行う。 （もっと読む）

【課題】マスクシートの使用枚数を削減することで製造工程の効率化を図る。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板の製造方法は、チャネル保護膜を形成するチャネル保護膜形成工程と、入力端子の一部を露出させる端子露出工程とで共通のマスクシートを用いる。マスクシートは、チャネル保護膜の設置位置に重ねられる位置に形成された保護膜用遮光部と、入力端子の設置位置に重ねられる位置に形成された端子用遮光部とを有し、前記遮光部以外の領域は透光性を有している。チャネル保護膜形成工程では、透明基板の下面側及びマスクシートの上面側からそれぞれ光を照射して保護膜用遮光部及びゲート電極に重ねられた部分と端子用遮光部及び入力端子に重ねられた部分とのポジ型フォトレジストを現像し残存させる。端子露出工程では、マスクシートの上面側から光を照射して保護膜用遮光部及び端子用遮光部に重ねられた部分以外のネガ型フォトレジストを現像し残存させる。 （もっと読む）

【課題】シンプルな構成で高画質を実現できる液晶表示装置を得る。
【解決手段】基体上に共通電極、絶縁膜、および複数の画素電極１４を順に形成してなる第１の基板と、第１の基板の画素電極１４が形成された面と対向して離間配置された第２の基板と、第１および第２の基板の間に配置された液晶層と、液晶層を透過する光を部分的に遮光する遮光体３９とを備える。画素電極１４は、間隔をおいて並設された複数の帯状部分を有する。遮光体３９は、画素電極１４における最も外側の帯状部分の少なくとも一部に対応する位置に配置される。このようなシンプルな構成により、フレクソエレクトリック効果に起因するフリッカや焼きつきを低減し、高画質を実現できる。 （もっと読む）

【課題】長時間の成膜や研磨を行なわなくても、凹部の上層側を平坦化することのできる液晶装置、該液晶装置の製造方法、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、シリコン酸化膜からなる絶縁膜１６０によって絶縁膜１６０の下層側に形成された凹部５ａを埋めて平坦化するにあたって、まず、成膜工程では、絶縁膜１６０をＣＶＤ法により成膜中に凹部５ａと重なる領域に発生する空洞１６０ｖが絶縁膜１６０によって密閉されるまで絶縁膜１６０を成膜する。次に、研磨工程では、空洞１６０ｖが絶縁膜１６０の表面で露出しない範囲で絶縁膜１６０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 表示窓の端面と外装部材の端面との間のクリアランスが生じたとしても、内部構造物が見えてしまうことがなく、クリアランスから侵入する静電気に対する対策を施す。
【解決手段】 液晶表示パネルと、液晶表示パネルの一辺に形成される接続部に接続されるフレキシブル配線板と、端面が液晶表示パネルの一辺における端面から突出するように、液晶表示パネルの表示面に接着される表示窓と、表示窓を配置する開口部が形成される外装部材と、表示窓の端面と開口部の端面との間にクリアランスが形成されるように、開口部に表示窓を配置するときに、クリアランスの近傍に位置するフレキシブル配線板を覆うように配置される第１の遮光部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域に結晶化率の高い領域を配し、ソースとドレインの間に高抵抗な領域を配し、電界効果移動度が高くオン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの下地層に「結晶核の生成を抑制する不純物」を含ませ、または下地層の表面に「結晶核の生成を抑制する不純物」を存在させ、下地層上に設けられた第１の配線層と、第１の配線層に少なくとも一部が接する不純物半導体層と、少なくとも一部が不純物半導体層を介して第１の配線層と電気的に接続される半導体層と、半導体層上に設けられた第１の絶縁層と、少なくとも半導体層と第１の絶縁層を覆って設けられた第２の絶縁層と、第２の絶縁層上であって、不純物半導体層の少なくとも一部、及び不純物半導体層によって形成されるソース領域とドレイン領域の間に重畳して設けられた第２の配線層と、を有する薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）