【課題】過剰なエッチングによる不良を減少させるための表示基板の製造方法を提供する。
【解決手段】互いに交差する信号ラインによって定義された複数の単位画素Ｐを有する表示領域ＤＡと表示領域ＤＡを取り囲む周辺領域ＰＡを含む基板１１０上にフォトレジスト膜を塗布する段階と、フォトレジスト膜をパターニングして、表示領域ＤＡで信号ラインとオーバーラップされる第１パターン部Ｐ１と、周辺領域ＰＡで信号ラインと重畳されない領域に形成された複数のダミー開口部ＤＯを含む第２パターン部Ｐ２とを形成する段階と、第１パターン部Ｐ１及び第２パターン部Ｐ２が形成された基板１１０上に透明電極層１１７ａ、１１７ｂを形成する段階と、ストリップ溶液で第１パターン部Ｐ１、第２パターン部Ｐ２、及び第１及び第２パターン部上に形成された透明電極層１１７ａ、１１７ｂを除去して、単位画素Ｐに対応する画素電極ＰＥ及びダミー開口部ＤＯに対応するダミー電極ＤＭを形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】画素電極とソース配線、さらには画素電極とＴＦＴとの電気的な干渉を抑制する
構造を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの活性層、ゲイト絶縁膜、及び
ゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前
記活性層に接続されたソース配線及びドレイン電極と、前記ソース配線及び前記ドレイン
電極上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜上に形成された電磁シー
ルド用の導電膜と、前記導電膜上に形成された第３の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁
膜上に形成され、前記ドレイン電極に接続された画素電極とを有し、前記導電膜は前記ソ
ース配線と前記画素電極との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置でパシベーション膜として一般的に使用されている減圧ＣＶＤ法による窒化シリコン膜は、膜厚の１０％程度のばらつきが生じるので、これを反射型液晶パネルに用いると、パシベーション膜の膜厚のばらつきによって反射率が大きく変化したり、液晶の屈折率が変動したりするという不具合がある。
【解決手段】基板（１）上に反射電極（１４）がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、パシベーション膜（１７）として、膜厚が５００〜２０００オングストロームの酸化シリコン膜を使用し、入射光の波長に応じて膜厚を適当な値に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、ベース基板に、第１透明導電薄膜層とソース・ドレイン金属薄膜層を順次形成し、第１回パターニング工程を行って、第１画素電極パターン、ソース電極パターン、ドレイン電極パターン及びデータラインパターンを形成する工程と、有機半導体薄膜層とゲート絶縁薄膜層とを順次形成し、第２回パターニング工程を行って、前記ソース電極パターンとドレイン電極パターン上に位置する有機半導体アイランドパターン及びゲート絶縁アイランドパターンを形成する工程と、一層のパッシベーション層薄膜を形成し、第３回パターニング工程を行って、データラインパッド領域を形成する工程と、第２透明導電薄膜層とゲート金属薄膜層とを順次形成し、第４回パターニング工程を行って、第２画素電極パターン、ゲート電極パターン、及びゲートラインパターンを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸素を含む絶縁層を形成し、酸素を含む絶縁層上に水素を含む絶縁層を形成した後、熱処理を行うことにより、水素を含む絶縁層中の水素を少なくとも酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。
【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第１のゲート電極と、第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の第２のゲート電極とを有し、第１のゲート電極は、第１の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第２のゲート電極は、第２の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第２の絶縁層上に設けられ、第１の領域は、第２のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第２の領域は、画素電極が設けられた領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第１の領域における第２の絶縁層は、第２の領域における第２の絶縁層よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、アンカリング強度の大きい光配向膜を形成し、液晶表示装置のＡＣ残像を抑制する。
【解決手段】光配向処理を施す配向膜材料において、剛直な高分子となるポリイミドと、柔軟な高分子となるポリイミドを混合して用いる。本発明にかかるこの材料は、偏光紫外線照射後におけるオリゴマの回転を生じやすく、配向膜のUV吸収二色比を向上させることが出来る。したがって、配向膜による液晶に対するアンカリング強度が強く、ＡＣ残像を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】層数を減らしたＩＰＳ方式の液晶表示装置において、画素電極パターニング時の現像液によって、映像信号線が断線することを防止する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１０２の上に映像信号線２０および画素電極１０６を形成するＩＴＯが存在している。ＩＴＯにはピンホールが存在している。ＩＴＯのパターニングのためのレジスト２００は、画素電極パターンとともに、映像信号線を覆うように形成する。映像信号線を覆ってレジストが形成されているので、レジスト現像時の現像液によって、映像信号線が侵されて、映像信号線が断線することを防止することが出来る。その後、ＩＴＯをエッチングする。ＩＴＯは、画素電極部分と、映像信号線を、上面および側面を覆った形で存在する。よって、ＩＴＯパターニング時の現像液による映像信号線の断線を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】画素がデルタ配置し、映像信号線が画素のひとつおきに形成され、2本の走査線が組みになって配列している構成の画面において、画面の透過率を向上させる。
【解決手段】ＴＦＴ基板には、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）に対応する画素がデルタ配置され、対向基板には、ＴＦＴ基板の赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）に対応して赤カラーフィルタ２０１、緑カラーフィルタ２０１、青カラーフィルタ２０１が形成され、カラーフィルタ２０１が存在しない部分にはブラックマトリクス２０２が形成され、２個の青カラーフィルタ２０１は前記第１の方向に隣り合って連続して形成され、青カラーフィルタ２０１と青カラーフィルタ２０１の間にはブラックマトリクス２０２が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】コモンコンタクト部と対向基板との電気的な接続を良好にするコンタクト構造を提供する。
【解決手段】第１の導電膜３１８と、第１の導電膜上に設けられた絶縁膜３１９と、絶縁膜に設けられた開口部と、開口部において第１の導電膜と電気的に接続された第２の導電膜３２３と、導電性スペーサ４０１と、が設けられたコモンコンタクト部と、コモンコンタクト部上に対向して設けられた第３の導電膜２５２と、を有し、第２の導電膜と第３の導電膜は、導電性スペーサにより電気的に接続されており、第３の導電膜上には、第４の導電膜５０１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｎとを含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶ディスプレー、及びアレイ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板と、前記ベース基板上に形成された第１層透明共通電極と、前記第１層透明共通電極上に形成されたゲート金属共通電極と、前記ゲート金属共通電極上に形成され、かつビアホールが形成されている絶縁層と、前記絶縁層上に形成された第２層透明共通電極とを備えるアレイ基板において、前記ビアホールの縁部は、一部がゲート金属共通電極に接触され、他の一部が第１層透明共通電極に接触されているので、前記第２層透明共通電極が前記第１層透明共通電極及び前記ゲート金属共通電極に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】表示装置及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表示装置は下部基板、有機膜パターン、第１画素電極、誘電膜、及び第２画素電極を含む。下部基板はスイッチング素子を具備する。有機膜パターンは、前記下部基板上に配置され、画素領域に段差部を含む。第１画素電極は画素領域の有機膜パターン上に配置される。誘電膜は第１画素電極上に配置される。第２画素電極は誘電膜上で第１画素電極と部分的に重畳される。第１画素電極のモルフォロジーによって不均一な垂直電界発生が抑制されて表示装置、特に画素電極と共通電極との間に発生されたフリンジフィールドを使用するＰＬＳモード方式の液晶表示装置の輝度分布を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】垂直配向モード液晶表示装置のコントラスト比を向上させた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】
液晶表示装置を提供する。本発明の一実施形態による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に位置するカラーフィルタと、前記第１基板と対応する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に介される液晶層と、前記第１基板上に付着した第１補償フィルムと、前記第１補償フィルムの外側面に位置する第１偏光板と、前記第２基板上に位置する第２補償フィルムと、前記第２補償フィルムの外側面に位置する第２偏光板とを含み、前記第１補償フィルムは、−１０ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲の面内の位相差値（Ｒｏ）と、−１０ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲の厚さ方向の位相差値（Ｒｔｈ）を含み、前記第２補償フィルムは二軸性フィルムである。 （もっと読む）