【課題】液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置の画素ＴＦＴとしてアモルファスシリコンよりも電界効果移動度が大きい、アモルファスの金属酸化物系半導体或いは有機半導体を用いた場合の過剰充電効果の増大に起因する、フリッカーレベルの増大や画面輝度の均一性低下による表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】フリッカーや焼き付等の視認性が高い中間調表示における突き抜け電圧と、過剰充電効果の指標となる対向電極電位の面内格差との関係式を新たに導出し、これに基いて新たに導出した対向電極電位の面内格差を許容限界値以下に低減するための条件を満たすように設計する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の特性の変化を防ぎつつ、耐圧特性も向上させた薄膜トランジスタを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、薄膜トランジスタを含む。薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極を覆い絶縁物質を含むゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上面に接する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜の上面にあり互いに離間する第１の領域と第２の領域にそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、前記第１の領域と前記第２の領域の間の第３の領域に接し、前記絶縁物質を含むチャネル保護膜と、を含む。平面的にみて前記ゲート電極に重なる前記酸化物半導体膜の上面の領域は第３の領域に含まれかつ小さく、前記酸化物半導体膜のうち前記ゲート電極に重なる部分の一部を除く部分は、前記ゲート電極に重なる部分の前記一部より抵抗が低い。 （もっと読む）

【課題】モアレなどの表示ムラを低減することができ、明るく、高解像度の画像を表示可能とする。
【解決手段】実施形態に係る液晶表示装置１は、発光素子９，１０から出射された光が光制御素子１１を介して液晶パネル２を通過する。光制御素子１１は、複数の三角柱状プリズム１４を、当該三角柱状プリズム１４の長手方向が互いに平行となるように配列した第１の面と、複数の半円柱状レンズ１４を、複数の三角柱状プリズム１４と背中合わせとなり当該半円柱状レンズ１４の長手方向が互いに平行となるように配列した第２の面とを備える一体樹脂シートである。複数の三角柱状プリズム１４の長手方向と複数の半円柱状レンズ１３の長手方向とは、平面視でモアレ抑制角度θを持つ。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体層を酸化物半導体層とする逆スタガ型薄膜トランジスタを含む半導体
装置において、酸化物半導体層上にバッファ層を有する。バッファ層は、半導体層のチャ
ネル形成領域と、ソース電極層及びドレイン電極層とに接する。バッファ層は膜内に抵抗
分布を有し、半導体層のチャネル形成領域上に設けられる領域の電気伝導度は半導体層の
チャネル形成領域の電気伝導度より低く、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域
の電気伝導度は半導体層のチャネル形成領域の電気伝導度より高い。 （もっと読む）

【課題】１画素に複数の副画素を設けることにより視野角特性を向上させた表示装置を提
供することを課題とする。又は、複数の副画素を設けた場合であっても開口率の低下を抑
制する表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の副画素、第２の副画素及び第３の副画素を有する画素と、走査線と、
信号線と、第１の容量配線と、第２の容量配線と、第３の容量配線とを設け、第１の副画
素〜第３の副画素にそれぞれ、第１の容量素子〜第３の容量素子の一方の電極及び第１の
容量配線〜第３の容量配線に電気的に接続する画素電極とを設け、第１の容量配線及び第
２の容量配線の電位を変化させ、第３の容量配線の電位を概略一定に保持する構成とする
。 （もっと読む）

【課題】端子部のコンタクトホールのテーパー形状を高い精度で制御する。
【解決手段】酸化物半導体層７ａ、ソース配線１３ａｓ、ドレイン電極１３ａｄを備えた薄膜トランジスタと、第１接続部３ｃ、第２接続部１３ｃおよび第２接続部上に形成された第３接続部１９ｃを備えた端子部とからなる薄膜トランジスタである。第２接続部は、第１および第２絶縁膜５，９に設けられた第１開口部内で第１接続部と接し、第３接続部１９ｃは、保護膜に設けられた第２開口部内で第２接続部と接する。第１開口部は、第１絶縁膜５および第２絶縁膜９を同時にエッチングすることによって形成、第２開口部は、保護膜１５を前記第１および第２絶縁膜とは別個にエッチングすることによって形成される。第２接続部１３ｃは、第１開口部における第１および第２絶縁膜の端面を覆い、かつ、第２開口部における保護膜１５の端面を覆っていない。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置における表示品位の低下を抑制し、また、消費電力を低減する。
【解決手段】互いに連続したフレーム期間である第１のフレーム期間及び第２のフレーム
期間において、互いに電圧の極性を反転させて液晶素子に電圧を印加することにより画素
の表示を行う液晶表示装置の駆動方法であって、第１のフレーム期間における画像及び第
２のフレーム期間における画像の比較により第１のフレーム期間及び第２のフレーム期間
における画像が静止画像であると判断され、且つ第１のフレーム期間における液晶素子に
印加される電圧の絶対値と、第２の期間における液晶素子に印加される電圧の絶対値と、
が異なる場合に、第１のフレーム期間又は第２のフレーム期間において、液晶素子に印加
される電圧を補正する補正処理を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数でアクティブマトリクス表示素子を形成する。
【解決手段】実施形態にかかるアクティブマトリックス型表示素子の製造方法は、絶縁基板上にゲート電極層、第１の絶縁膜、酸化物半導体層、第２の絶縁膜、酸化物半導体層と電気的に接続したソース・ドレイン電極を順に形成する工程を含む。酸化物半導体層は、ソース・ドレイン電極が形成される領域から画素領域にわたって形成され、第２の絶縁膜を形成する前に、酸化物半導体の画素領域に相当する部分を低抵抗処理して第１の画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複
数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる
酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャ
ネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成する
ことにより、開口率を上げる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層１０４ａ、１０４ｂを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層１０３は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層１０５ａまたはドレイン電極層１０５ｂの材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす、適切な構成を備えた保護回路等を提供する。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層１０３上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第１の導電層を形成する工程と、第１
の導電層を覆うように第１の絶縁層を形成する工程と、第１の導電層と一部が重畳するよ
うに、第１の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるよう
に第２の導電層を形成する工程と、半導体層および第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形
成する工程と、第２の導電層と電気的に接続される第３の導電層を形成する工程と、半導
体層を形成する工程の後、第２の絶縁層を形成する工程の前の第１の熱処理工程と、第２
の絶縁層を形成する工程の後の第２の熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】動作速度を向上させる。
【解決手段】第１のソース及び第１のドレインの一方に画像信号線を介して画像信号が入力され、第１のゲートに第１の走査信号線を介して第１の走査信号が入力される第１のトランジスタ１０１と、２つの電極のうちの一方の電極が第１のトランジスタの第１のソース及び第１のドレインの他方に電気的に接続される容量素子１０２と、第２のソース及び第２のドレインの一方が第１のトランジスタ１０１の第１のソース及び第１のドレインの他方に電気的に接続され、第２のゲートに第２の走査信号線を介して第２の走査信号が入力される第２のトランジスタ１０３と、第１の電極が第２のトランジスタの第２のソース及び第２のドレインの他方に電気的に接続される液晶素子１０４と、を備え、画像信号線としての機能を有する導電層及び第２の走査信号が入力される走査信号線としての機能を有する導電層は、互いに離間し、且つ並置されている。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極層又はドレイン電極層に接する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上に設けられ第１の酸化物半導体層とは異なるエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、を少なくとも含む酸化物半導体積層を用いてトランジスタを構成する。第１の酸化物半導体層と第２の酸化物半導体層とは互いに異なるエネルギーギャップを有すればよく、その積層順は問わない。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板と、該絶縁体基板上に設けられた酸化物半導体膜と、を有し、該酸化物半導体膜にチャネルが形成されるトランジスタを有する半導体装置である。加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板は、絶縁体基板の少なくとも酸化物半導体膜が設けられる側に、酸素イオン注入を行うことで作製することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】被検出物が表示パネルに非接触の場合でも、被検出物の位置及び動きの検出を行うことを可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、フォトセンサ及び酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタが配置された表示パネルを有し、被対象物が表示パネルに接近する際に、被検出物が外光を遮ることで表示パネルに投影される被検出物の影がフォトセンサによって検出される。影の位置又は動きを検出することで、被検出物の位置又は動きが検出され、被検出物が表示パネルに非接触の場合でも検出可能となる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを
目的の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に対して、窒素、または希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）
の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で脱水化、又は脱水素化処理のための加熱処理を行
い、酸素、酸素及び窒素、又は大気（好ましくは露点−４０℃以下、より好ましくは−５
０℃以下）雰囲気下で加酸化処理のための冷却工程を行うことで高純度化及びＩ型化した
酸化物半導体層を形成する。該酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する半導体装
置を作製する。 （もっと読む）