【課題】高精細画面の液晶表示装置において、画素の面積が小さくなっても、透過率が大きく低下することを防止する。
【解決手段】ゲート線１０１とドレイン線１０４で囲まれた領域に画素電極１０６が形成されている。ゲート線１０１の下には、上面と斜面を有する台形状の突起１０が形成されている。ＴＦＴは台形状の突起１０の上に形成され、チャンネル部１０３１は台形状の突起１０の上面と斜面に渡って形成されているので、チャンネル幅は平面に形成した場合よりも大きくすることが出来る。画素電極１０６は、台形状の突起１０の斜面において、ソース電極１０６と接触する。この構成によれば、ＴＦＴも画素電極１０６とソース電極１０５とのコンタクトも台形状の突起１０の部分に形成できるので、画素の透過率を上げることが出来る。 （もっと読む）

【課題】接触感知機能（touch-sensing function）を有するインタラクティブディスプレイパネル（対話型表示パネル）を提供する。
【解決手段】インタラクティブディスプレイパネルが、走査線と、第１データ線と、副画素と、フォトセンサーと、第２データ線とを含む。走査線および第１データ線が交差して副画素領域を定義する。各副画素が副画素領域中に位置するとともに、１つの表示領域を有し、各副画素が走査線の１つ及び第１データ線の１つにそれぞれ電気接続される。フォトセンサーが副画素の表示領域の外側に位置する。走査線および第２データ線が交差し、かつフォトセンサーに電気接続される。 （もっと読む）

【課題】構造及び製造工程を簡素化しながら、開口率を向上させた、ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るディスプレイ装置１０１は、基板１１１、前記基板１１１上に形成された前記第１透明導電膜１３０１及び前記第１透明導電膜１３０１上に形成された第１金属膜１３０２を含む多重膜構造と前記第１透明導電膜１３０１で形成された単一膜構造とを含むゲート配線、前記ゲート配線の一部の領域上に形成された半導体層１５３、そして前記半導体層上に形成された第２透明導電膜１７０１及び前記第２透明導電膜１７０１上に形成された第２金属膜１７０２を含む多重膜構造と前記第２透明導電膜１７０１で形成された単一膜構造とを含むデータ配線を含む。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩ
Ｃの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化
を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第１のスイッチングトランジス
タを介して高電位が供給される配線、及び第２のスイッチングトランジスタを介して低電
位が供給される配線に接続し、第１のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック
信号を入力し、第２のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力
することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給
する。 （もっと読む）

【課題】開口率の低下を抑制できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１は、平面視して、画素電極219と共通電極218とは互いに間隔を空けてＸ方向に沿って配列されており、第１基体21の第１主面21ａ上に第３絶縁膜217を介して画素電極219に対向するように設けられ、Ｘ方向に沿った断面視で、両端が画素電極219の端部と共通電極218の端部との間に位置する第３電極216を有し、画素電極219と共通電極217との間に印加される電位差Ｖ_１は、共通電極217と第３電極216との間に印加される電位差Ｖ_２以上の大きさであり、画素電極219と共通電極217との間の距離Ｄ_１は、共通電極217と第３電極216との間の距離Ｄ_２以下の長さとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置、特にＦＦＳモード液晶表示装置の構造を提供する。
【解決手段】本発明は、コモン電極を２層構造とすること、及びその一方のコモン電極をパネル全面に平板状（べた状）に形成し、これにより電圧供給を電極の４辺から可能とすることにより、電圧供給にともなう抵抗を低減させることを可能とする、ＦＦＳモードＬＣＤを提供する。 （もっと読む）

【課題】補助蓄積コンデンサを有するＣＭＯＳ技術における透過型液晶ディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明は、能動マトリックスの液晶ディスプレイによる画像表示に関する。それはとりわけ、例えば（ＬＣＯＳ、すなわちＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ技術＝シリコン上の液晶技術により、）シリコン基板上に作られる小型ディスプレイに適用可能である。
補助蓄積コンデンサ（Ｃ_ｓｔ）は画素の駆動トランジスタ上に形成され、すなわち駆動トランジスタは液晶と蓄積コンデンサとの間に形成される。蓄積コンデンサは、各々がそれぞれの金属化階層（Ｍ１〜Ｍ５）において相互に入り込んだ構造を有する、複数で並列の部分的コンデンサから形成される。金属化（アルミニウム及び／又は銅）は不透明で、コンデンサは従ってトランジスタを光から保護し、その保護レベルは相互に入り込んだ構造を形成するために使用される金属化階層の数が多いほど良好である。 （もっと読む）

【課題】画素部や信号線駆動回路が形成された基板と、ドライバＩＣとの接続配線数を低減させる。
【解決手段】信号線駆動回路は第１乃至第３のトランジスタを有し、第１乃至第３のトランジスタは第１乃至第３の信号線と電気的に接続している。第１乃至第３の信号線は画素部へ延びている。第１乃至第３のトランジスタは共通して、ドライバＩＣの第１端子と電気的に接続している。このような構成により、接続配線数を１／３に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、階調変化時の応答速度を低下させずに光透過率を向上させた液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】対向配置される対向基板とともに液晶を挟持するアレイ基板上に形成されたドレインバスライン６と、ドレインバスライン６に接続されたＴＦＴ１６と、ＴＦＴ１６に接続され、ドレインバスライン６に平行に連設されたストライプ状電極８及びスペース１０とを備え、ドレインバスライン６近傍のストライプ状電極８の電極幅がそれより内方の内方電極１２の幅より狭く形成された画素電極３とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極と別体に形成された拡張導電部によって、ＴＦＴスイッチング素子の有効チャネル長を短くする。
【解決手段】アレイ基板であって、ベース基板を有し、ベース基板に縦横に交差するデータラインとゲートラインが形成されてマトリックス状に配列する複数の画素ユニットが画成され、各画素ユニットにスイッチング素子が設置される。各スイッチング素子は、ゲート電極、活性層、ソース電極およびドレイン電極と、拡張導電部とを有し、前記ソース電極と前記ドレイン電極の前記活性層に接触する端部は対向してチャネル領域を定義し、前記拡張導電部は、前記ソース電極または前記ドレイン電極に隣接して電気的に接触し、前記拡張導電部の端部は、前記拡張導電部に接触するソース電極またはドレイン電極を超え、前記チャネル領域内に延び、少なくとも前記チャネル領域内で前記活性層に接触する。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を単純化すると同時に、良好な画質を確保できる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。また、本発明の他の目的は、画素の開口率を向上することができる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。
【解決手段】 本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板は、基板上に形成されているゲート線と、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されている第１半導体と、少なくとも一部分の第１半導体上に形成されているデータ線及びドレイン電極と、ゲート絶縁膜上に形成されている蓄積導電体と、データ線、ドレイン電極及び蓄積導電体上に形成されている第１保護膜と、第１保護膜上に形成され、蓄積導電体上に位置した開口部を有する第２保護膜と、第２保護膜上に形成され、ドレイン電極に接続され、開口部で蓄積導電体と重なる画素電極とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。 （もっと読む）

【課題】駆動電源を切った後に液晶の配向が固定されて残る不安定要素を低減し、良好な表示品位を実現し、長期信頼性を高める。
【解決手段】駆動電源を切った後に、第１の電極４８５に残留した電荷によりできる電界を遮蔽するため、第１の電極と重ねて第２の電極４９２を設ける。第２の電極は第１の電極の面積の７０％以上と重ねる。また、第１の電極が保持容量５０５を構成する電極のときには、第２の電極は保持容量の面積の９０％以上と重ねる。 （もっと読む）

【課題】開口率を大きくすることができ、表示性能を向上できる液晶表示装置及びタッチパネルを提供すること。
【解決手段】液晶表示装置及びタッチパネルにおいて、信号線の延伸方向に隣接する複数の画素電極の各間隔のうち第１の画素電極間隔には、当該隣接する各画素電極に接続された各画素用トランジスタと、当該各画素用トランジスタに接続された各走査線と、信号線から延出された信号線延出部と、が配置され、当該信号線延出部は当該各画素用トランジスタに共通接続される。 （もっと読む）

【課題】ドレイン線と画素電極とが同層に形成されるＩＰＳ方式の液晶表示装置の開口率を向上させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】映像信号が入力される複数のドレイン線と、走査信号が入力される複数のゲート線と、前記ドレイン線と同層に形成される画素電極と、前記走査信号に同期して前記映像信号を前記画素電極に供給する薄膜トランジスタと、を有する液晶表示装置であって、前記ゲート線は、走査ライン毎に２つの異なる前記走査タイミングの走査信号を出力する第１及び第２のゲート線からなり、前記第１及び第２のゲート線と前記ドレイン線とに囲まれる領域に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３つの画素が並設されてなるカラー表示用の単位画素が形成され、前記単位画素毎に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の前記３つの画素がマトリクス状に配置される。 （もっと読む）

【課題】
表示装置の高解像度化や小型化、さらには画素の開口率の向上を行った場合でも、半導体層に入射する光を効果的に遮断し、ホトコン電流による表示品質の低下を防止することが可能な表示装置を提供すること。
【解決手段】
前記基板上に、第１絶縁膜と、ゲート電極と、ゲート電極の上層に形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上層に形成された半導体層とが積層され、前記第１絶縁膜は開口部を有し、前記ゲート電極は、前記開口部に倣って形成された窪みを有し、前記半導体層の全部、又は前記半導体層の端部は、平面的に見て前記窪みと重畳していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率が大きくすることが可能なマルチドメイン方式の液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
第１方向に並設される複数のゲート線と、第２方向に並設される複数のドレイン線と、複数のスリットが形成される第１電極と、前記第１電極と重畳して形成される面状の第２電極とを有する第１基板を備え、前記第１電極と前記第２電極との間の電界で液晶を駆動する液晶表示装置であって、前記ドレイン線と前記ゲート線とで囲まれる開口領域は、第１の傾斜角を有するスリットが形成される開口領域と、前記第１の傾斜角と異なる第２の傾斜角を有するスリットが形成される開口領域とからなり、前記第１の傾斜角と前記第２の傾斜角とのスリットが形成される開口領域とが前記第１方向に交互に形成されると共に、前記第１方向に隣接配置される開口領域の内で、前記ゲート線を介して対向配置される一対の前記第１領域と前記第２領域とにより、１つの画素が形成される液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶にかかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】高開口率を確保しながら高解像度を実現することができる液晶ディスプレイ装置等を提供する。
【解決手段】液晶ディスプレイ装置は、第１透明基板（３０１）及びこれと対向する第２透明基板（３０２）と、第２透明基板の上に形成される絶縁層（３０４）と、絶縁層の上にマトリクス状に配設される複数の画素電極（２０）と、画素電極と対向するよう第１透明基板に形成され、所定電位を有する対向電極（２４）と、画素電極と対向電極との間に存在する液晶層（３０３）と、第２透明基板の上側面に形成され、画素電極に電圧を印加する画素回路（３０５，３０６）と、絶縁層（３０４）内で画素電極（２０）と平行する少なくとも１つの平行電極（３０７’）とを有する。 （もっと読む）

【課題】高開口率及び高透過率を実現した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示板は、基板と、基板上に形成され、互いに対向する一対の第１主辺と第１主辺に接続し、互いに対向する一対の第２主辺を有する画素電極を備え、画素電極の第２主辺はのこぎり状の突出部を含む。 （もっと読む）

【課題】複数のドメインを有する単位画素が形成される液晶表示パネル及びこれを製造する光学マスクを提供する。
【解決手段】単位画素を含む液晶表示パネルであって、上記単位画素は、第１の配向膜を有する第１の基板と、上記第１の配向膜から離隔し対向する第２の配向膜を有する第２の基板と、上記第１の配向膜と上記第２の配向膜間に介在する液晶層と、隣接した複数のドメインと、上記隣接した複数のドメイン間を定義するドメイン境界領域と、上記ドメイン境界領域に隣接する正常輝度領域とを有し、上記ドメイン境界領域内の上記第１の配向膜又は上記第２の配向膜のプレチルト角は、上記正常輝度領域内の上記第１の配向膜又は上記第２の配向膜のプレチルト角より大きい。 （もっと読む）