【課題】画素の開口率を低下させることなく、画素電極のコンタクトホールが配置された電気光学装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられた薄膜トランジスター（ＴＦＴ）３０と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａを覆うように設けられた遮光性の第１容量配線としての第２容量電極１６ｂと、第２容量配線７１と画素電極１５との間に、画素電極１５とコンタクトホールＣＮＴ８を介して電気的に接続された中継電極９と、を備え、第１容量配線としての第２容量電極１６ｂは、画素電極１５に対する画素の開口隅部に張り出した張り出し部１６ｂａを有し、コンタクトホールＣＮＴ８は、上記張り出し部１６ｂａと重なるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】第１のトランジスタと、第１の画素電極とを有する第１の画素を有し、第２のトランジスタと、第２の画素電極とを有する第２の画素を有し、走査線として機能することができる配線を有し、第１のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層はゲート絶縁膜を介して、配線と重なり、酸化物半導体層は、配線より幅の広い領域を有する表示装置又は液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制しつつ、広い視野角特性を有しつつ透過率を向上し、表示品位の良好な画像を表示することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 各画素ＰＸに対応して配置された画素電極ＥＰを備えたアレイ基板ＡＲと、このアレイ基板ＡＲに対向配置され複数の画素ＰＸに共通の対向電極ＥＴを備えた対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、画素電極ＥＰは、帯状の第１主電極部ＥＰａを有し、対向電極ＥＴは、第１主電極部ＥＰａとの間に横電界を形成するように第１主電極部ＥＰａと交互に平行に配置された帯状の第２主電極部ＥＴａを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。
【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第１のゲート電極と、第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の第２のゲート電極とを有し、第１のゲート電極は、第１の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第２のゲート電極は、第２の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第２の絶縁層上に設けられ、第１の領域は、第２のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第２の領域は、画素電極が設けられた領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第１の領域における第２の絶縁層は、第２の領域における第２の絶縁層よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】画素がデルタ配置し、映像信号線が画素のひとつおきに形成され、2本の走査線が組みになって配列している構成の画面において、画面の透過率を向上させる。
【解決手段】ＴＦＴ基板には、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）に対応する画素がデルタ配置され、対向基板には、ＴＦＴ基板の赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）に対応して赤カラーフィルタ２０１、緑カラーフィルタ２０１、青カラーフィルタ２０１が形成され、カラーフィルタ２０１が存在しない部分にはブラックマトリクス２０２が形成され、２個の青カラーフィルタ２０１は前記第１の方向に隣り合って連続して形成され、青カラーフィルタ２０１と青カラーフィルタ２０１の間にはブラックマトリクス２０２が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上させることができるアクティブマトリクス基板及びＩＰＳ方式の液晶パネルの提供。
【解決手段】基板上に、互いに略直交するゲート配線１及びデータ配線３と、ゲート配線１に略平行な共通配線２とを備え、ゲート配線１とデータ配線３との交点近傍にＴＦＴ６を備え、ゲート配線１とデータ配線３とで囲まれる画素内に、画素電極４と対向電極５とが交互に配置されてなるアクティブマトリクス基板において、画素電極４にはＴＦＴ６を介して共通配線２の共通電圧が供給され、対向電極５にはデータ配線３のドレイン電圧が供給されるものであり、データ配線３と対向電極５とが同電位となるためデータ配線３を電気的にシールドするための配線を設ける必要がなく、また、データ配線３自体が対向電極５の一部となるため、開口部として利用できる面積を広く確保して開口率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】３層以上の配線を接続する際に、最も効率的にかつ最小面積で接続を行えるコンタクト構造を実現可能な半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板２０１上に３層以上のｎ層の導電層２０２〜２０４が積層して形成され、ｎ層の導電層がコンタクトパターンを介して接続され、コンタクトパターンが形成される一つの主コンタクト領域には、（ｎ−１）個の導電層２０２，２０３を接続する（ｎ−１）個の接続領域２１１，２１２を有し、（ｎ−１）個の導電層のうち基板２０１に対する積層方向（基板２０１の主面に対する法線方向）において第１層より上層の導電層は、その終端部がコンタクトパターンＣＰＴＮの縁の一部に臨むように形成され、（ｎ−１）個の導電層は、第ｎ層の導電層により電気的に接続されている。第ｎ層の導電層は、コンタクトパターンＣＰＴＮであるコンタクト孔を埋めつくよう形成されている。 （もっと読む）

【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】電子キャリア濃度が１０^１５／ｃｍ^３以上、１０^１８／ｃｍ^３未満である、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ―Ｍｇ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ酸化物、Ｉｎ―Ｓｎ酸化物、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ酸化物、Ｚｎ―Ｇａ酸化物、及びＩｎ―Ｇａ酸化物のうちのいずれかである非晶質酸化物を、Ｎ型半導体として用いたＮ型ＴＦＴを含む回路を構成要素としており、前記Ｎ型ＴＦＴは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする集積回路。 （もっと読む）

【課題】フレーム周波数の変化に対応させて、開口率を低減させることなく画素内に所望
の保持容量を確保することを可能とした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体材料を用いた画素トランジスタ及び２つの容量素子を各画素に
有する液晶表示装置において、一方の容量素子は、透光性を有する材料で構成し、画素の
開口率を向上させる。更に透光性を有する容量素子の特性を利用して、画像の表示状態に
依存して変化するフレーム周波数に対応させて容量線の電圧値を調整することで、画素内
の保持容量の大きさを変化させる。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及
びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第１の絶縁膜と
、第１の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁
膜上の画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第１の
開口部を有し、第２の絶縁膜は第２の開口部を有し、第２の開口部は第１の開口部の内側
に設けられ、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介してソース電極及びドレイ
ン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイ
ン電極に接触しない。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、透過率を向上させ、画面の輝度を向上させる。
【解決手段】有機パッシベーション膜１０６の上に平面ベタで対向電極１０７が形成され、その上に、層間絶縁膜１０８を挟んでスリットを有する画素電極１０９が形成され、その上に光配向によって配向制御された配向膜１１０が形成されている。有機パッシベーション膜１０６に形成されたコンタクトホール１１１を介してＴＦＴのソース電極１０４と画素電極１０９が接続している。コンタクトホール１１１内の配向膜１１０に対して光配向を行うことによって、コンタクトホール１１１内も画像形成のための透過領域とすることによって、透過率を向上させ、画面の輝度を向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】画素内での電界分布を均一にすることにより、表示モード効率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
第１の電極と第２の電極が形成される第１基板と、液晶層を介して前記第１基板と対向配置される第２基板と、前記第１の電極と前記第２の電極とを有する画素の領域がマトリクス状に配置され、前記第１の電極と前記第２の電極との間に印加される前記第１基板の面内方向の電界により前記液晶層を駆動する液晶表示装置であって、前記画素の領域毎に前記第１基板の対向側に形成される段差部を有し、前記第１の電極又は／及び前記第２の電極は、前記段差部の側壁面に形成される壁状電極と、前記壁状電極の辺縁部から前記第１基板の主面に沿って形成される平面電極とを有し、前記壁状電極と前記平面電極とが電気的に接続されている液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半透過半反射型アレイ基板及び半透過半反射型液晶ディスプレーを提供する。
【解決手段】前記アレイ基板は複数の画素ユニットを有する。各画素ユニットは、ベース基板に設けられる反射電極及び透過電極と、前記ベース基板に設けられ、光線が前記ベース基板から前記反射電極と前記透過電極との間に透過することを遮断し、前記反射電極と前記透過電極との間であって前記反射電極及び前記透過電極の下方に設けられる不透明なゲートラインと、ゲート電極が前記ゲートラインに電気的に接続される薄膜トランジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル電極とＩＰＳ方式カラーフィルタを同一の透明基板の表裏に形成した場合、画素開口部にレジスト残渣が残らずパネル透過率低下がなく、静電気障害・外部電界影響によるパネルの表示品位低下が軽減されたＩＰＳ方式液晶パネル用のカラーフィルタ基板とそれを備えた液晶表示装置とを提供する。
【解決手段】同一の透明基板の、表面に静電容量型のタッチパネル電極と、裏面にカラーフィルタ層と、が形成されたカラーフィルタ基板において、前記裏面の膜面の一層目に導電膜が形成されており、前記導電膜は樹脂ブラックマトリックスの下側にパターン形成されている。 （もっと読む）

【課題】高開口率な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に第１配線と、第１配線上に第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に半導体膜と、半導体膜上に第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に第２配線と、第１配線と接続するゲート電極と、第２配線及びゲート電極上に第３絶縁膜と、第３絶縁膜上に半導体膜と接続する第３の配線とを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】開口率の低下を抑制することができるアレイ基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、複数の補助容量電極１７と、行方向Ｘに延在し、複数の補助容量電極に隙間を置いて対向配置され、複数の補助容量電極とともに複数の補助容量素子Ｃｓｔを形成する複数の補助容量線Ｃｓと、列方向Ｙに延在し、複数の補助容量線と交差した複数の信号線Ｓと、複数の補助容量電極に電気的に接続された複数の画素電極ＰＥと、を備える。列方向Ｙに隣合う一方の画素電極ＰＥに接続された補助容量電極１７及び他方の画素電極ＰＥに接続された補助容量電極１７は、同一の補助容量線Ｃｓに対向し、信号線Ｓと交差して行方向Ｘに延在している。 （もっと読む）

【課題】タッチセンサ内蔵型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数のゲートラインとデータラインとが交差配列されて画素領域が画定される下部基板と、液晶層を介して前記下部基板と対向配置される上部基板と、前記上部基板における、前記下部基板との対向面で実質的に前記ゲートラインと対応する位置に形成される第１のタッチ信号線２２と、前記上部基板における、前記下部基板との対向面で実質的に前記データラインと対応する位置に形成され、前記第１のタッチ信号線２２と絶縁されて交差形成される第２のタッチ信号線２４と、前記第１のタッチ信号線２２及び前記第２のタッチ信号線２４によって区画される領域に前記画素領域と対応するように形成されるカラーフィルタとを備え、前記第１のタッチ信号線２２および前記第２のタッチ信号線２４は、遮光のための遮光膜であり、かつ、タッチセンシングのための信号線である。 （もっと読む）

【課題】表示画素電極を囲うように周辺に配列されたダミー画素電極近辺において、シミ状の表示むらの発生を抑制する。
【解決手段】基板上に設けられ、画素電極が配列した表示画素部と、前記表示画素部を平面視で囲うように配列され、スイッチング素子を介して一定の電圧が与えられ、かつ隣り合う前記画素電極との間隔が前記画素電極間の間隔よりも大きいダミー画素電極と、を備える。隣り合う前記画素電極との間隔が前記画素電極間の間隔よりも大きいダミー画素電極を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ（背面基板）とカラーフィルタの画素とを位置合わせを、より容易にする。
【解決手段】実質的に透明な第１の基板１と、上記第１の基板１上に設けられた実質的に透明なゲート電極２と、上記ゲート電極と同一層に離間して設けられた実質的に透明なキャパシタ電極３と、上記ゲート電極および上記キャパシタ電極を覆うように設けられた実質的に透明なゲート絶縁膜４と、上記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層５と、上記半導体層と接続した実質的に透明なソース電極６と、上記半導体層に接続すると共に上記ソース電極と離間して形成された実質的に透明なドレイン電極７と、少なくとも上記ドレイン電極上を覆うように形成された着色層１１と、を備える。 （もっと読む）