【課題】ＴＦＴ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板と、横方向のゲートラインと、ネット状のＶｃｏｍ線と、縦方向のデータラインと、を備えるＴＦＴ基板であって、前記ネット状のＶｃｏｍ線の各行におけるＶｃｏｍ線は電気的に接続され、Ｖｃｏｍ線はＶｃｏｍ線ＩＣ接続部を介してＩＣ素子と電気的に接続される。また、データラインの数をＮとする場合、前記Ｖｃｏｍ線ＩＣ接続部の数は０より大きく、且つＮ＋１より小さくなり、隣接する両行Ｖｃｏｍ線との間に少なくとも一組の対応するＶｃｏｍ線縦方向電気接続段がある。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板の開口率を向上させる。
【解決手段】複数のトランジスタ素子を備えたアクティブマトリクス基板１０１Ａであって、可視光を透過させることが可能な基板１０と、基板上に形成され、亜鉛錫酸化物から構成される導電体材料よりなり、可視光を透過させることが可能な配線（Ｌ_Ｇ、Ｌ_Ｄ、Ｌ_Ｐ、Ｌ１、Ｌ２等）であってトランジスタ素子における電極として機能している、配線と、基板の垂直方向からみて配線の少なくとも一部と重なり、配線よりもキャリア濃度が低く、亜鉛錫酸化物から構成される半導体材料よりなり、かつ可視光を透過させることが可能な半導体層４４と、配線および半導体層の少なくとも一部を覆い、可視光を透過させることが可能な絶縁膜（４０、５０）と、を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 画像を表示でき、精細度を低下させること無しに画素の開口率の低下を抑制することができ、かつ入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出することができる電子機器を提供する。
【解決手段】 電子機器は、表示パネルと、表示パネルに設けられたセンサモジュールＭとを備える。センサモジュールＭは、複数のセンサ回路ＳＮと、複数の容量カップリング線ｃｕｐと、複数のプリチャージ線ｐｒｅと、複数のプリチャージ制御線ｐｒｅｇと、複数の出力線ｏｕｔと、複数の出力制御線ｏｕｔｇとを有している。センサ回路ＳＮは、それぞれ隣合う複数の画素ＰＸが設けられた領域内に１つの割合で配置され、行方向Ｘに延在し、入力手段による入力動作に応じて静電容量結合の強弱が生じる検知電極Ｃｆを具備している。 （もっと読む）

【課題】
横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】
画素領域には、相互に離間して配置された複数の線形状を有する第１の透明導電膜ＰＸと、前記第１の透明導電膜と絶縁膜を介して重畳し、平板形状を有する第２の透明導電膜ＣＴを有し、
ドレイン信号線ＤＬと液晶ＬＣとの間に配置され、且つ前記第１の透明導電膜ＰＸと電気的に分離され第３の透明導電膜ＩＴＯ１を有し、
前記第１の透明導電膜ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接続され画素電位を供給され、前記第２の透明導電膜ＣＴは基準となる対向電位を供給されることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】フリンジ電場切換（Fringe Field Switching=FFS）液晶ディスプレイパネルの表示輝度を向上させる画素アレイ基板と画素アレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】画素アレイ基板であり、基板１０２と、多数本の走査線ＳＬと、多数本のデータ線ＤＬと、多数個の能動素子Ｔと、保護層１０４と、共通電極１０６と、誘電層１０８と、多数個の画素電極ＰＥとを含む。基板が表示領域Ｒ１および周辺領域を有する。走査線とデータ線とが互いに交差し、能動素子と走査線とデータ線とが電気接続される。保護層が能動素子を被覆する。共通電極が保護層上に配置され、表示領域中に位置する。誘電層が共通電極を被覆する。多数個の画素電極が誘電層上に位置し、かつ各画素電極と１つの能動素子が電気接続され、各画素電極が多数個のスリットｇを有し、共通電極が前記多数のスリット箇所で各画素電極により遮蔽されないようにする。 （もっと読む）

【課題】画素電極に形成されたスリット及び光配向膜を有する液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】液晶表示パネルの単位画素は、光配向工程技術を用いて形成された複数のドメインを含む。上記複数のドメインは、相互に異なるドメイン配向ベクトルを有し、配向膜上の液晶分子の長軸は、液晶表示パネルの透過軸に平行に配向される。また、上記単位画素は、スリットを含む画素電極を有する。上記スリットは、上記ドメインの配向と所定のスリット角をなし、上記スリット角は、４５°より小さい。したがって、上記単位画素の透過率が増加することにより高品質の映像を保証することができる。 （もっと読む）

【課題】信号線と共通電極との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極を駆動するために必要な電圧も低く抑えることの可能な表示パネルおよびその製造方法と、上記の表示パネルを備えた表示装置および電子機器とを提供する。
【解決手段】ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｂ）と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている。具体的には、部分ソース線３６Ｂは透光性基板２２の表面上に形成されており、画素電極２４は絶縁膜２３の表面上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】表示領域に平坦化膜が形成された配向が均一で良好な構造で、蓄積容量を小面積で大きく確保し、高開口率化できるアクティブマトリクス型液晶表示装置の提供。
【解決手段】ソース電極１０６上の一部に、平坦化膜１０８が存在しない凹部領域１１４がある。凹部領域１１４において、透明導電膜からなる共通電極１１０が、ソース電極１０６を覆って第２蓄積容量１４２を形成している。 （もっと読む）

【課題】画素構造の開口率を増やすことのできる画素アレイおよびそれを有するディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】複数の画素構造を含む画素アレイを提供する。画素構造のうち少なくとも１つは、スキャンラインと、データラインと、能動素子と、画素電極と、読み出しラインと、ＥＭＩ遮蔽層と、検出装置とを有する。スキャンラインおよびデータラインは、基板の上に配置される。能動素子は、スキャンラインおよびデータラインに電気接続される。画素電極は、能動素子に電気接続される。読み出しラインは、データラインの上方または下方に配置される。ＥＭＩ遮蔽層は、データラインを覆い、読み出しラインとデータラインの間に位置する。検出装置は、スキャンラインおよび読み出しラインに電気接続される。 （もっと読む）

【課題】縦クロストークの発生を防止することができ、かつ、開口率を向上させることができる横電界方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 共通電極と画素電極とを同層上に形成し、共通電極及び画素電極の双方を透明材料から形成する。共通電極はデータ線を完全に覆うように形成する。データ線と共通電極との間にある絶縁膜は、複数の層からなり、一方の層は、共通電極の下方においてのみ、形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において開口率を確保しながら維持キャパシタの静電容量を増加させる。
【解決手段】絶縁基板上に形成されるゲート配線と、ゲート配線を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される半導体パターンと、ゲート線と絶縁されて交差するデータ線を含むデータ配線と、ゲート線と絶縁されて交差する維持キャパシタ電極線と、データ配線、維持キャパシタ電極線及び半導体パターンを覆っていてドレーン電極を露出する接触孔を有する保護膜と、保護膜の接触孔を通じてドレーン電極に連結されており維持キャパシタ電極線と重なる画素電極と、複数の維持キャパシタ電極線を１つに連結する共通連結線と、複数の維持キャパシタ電極線を連結する補助連結線とを含み、補助連結線は維持キャパシタ電極線と同一の層に形成される。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと重なる領域に柱状スペーサを配置すると、一対の基板の貼り合わせ時に
圧力がかかり、ＴＦＴに影響を与える恐れ、クラックが発生する恐れなどがある。
【解決手段】ＴＦＴと重なる位置に形成される柱状スペーサの下方に無機材料からなるダ
ミー層を形成する。このダミー層をＴＦＴと重なる位置に配置することによって、一対の
基板の貼り合わせ工程時にＴＦＴにかかる圧力を分散し、緩和する。このダミー層は、工
程数を増やすことなく形成するため、画素電極と同じ材料で形成することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、データ線に電気的に接続された付加容量の破損を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、対向配置され、シール材（５２）で囲まれた領域に電気光学物質（５０）を挟持する第１基板（１０）及び第２基板（２０）と、第１基板上の画素領域（１０ａ）に走査線（１１）とデータ線（６）との交差に対応して設けられた画素電極（９）と、画素電極と、走査線及びデータ線との間に、画素電極に容量絶縁膜（７２）を介して対向するように設けられた蓄積容量電極（７１）と、画素電極と同一層からなる第１容量電極（６１０）と、蓄積容量電極と同一層からなる第２容量電極（６２０）とを有し、データ線と電気的に接続された付加容量（６００）とを備える。付加容量は、画素領域と、シール材で囲まれた領域の外周よりも内側との間の領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】半透過型液晶表示装置において、一画素内において、画素構造を複雑化することなく、且つ開口率低下を抑制しつつ、高画質な画像表示が可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】第１の基板と第２の基板に挟持された液晶層と、第１の基板に対して液晶層が配置された側の反対側に配置された第１の偏光板と、第２の基板に対して液晶層が配置された側の反対側に配置された第２の偏光板と、を有し、その第２の基板は、液晶層側に画素電極を有し、第１の基板は、液晶層側に共通電極を有し、複数の画素からなる液晶表示装置であって、複数の画素の各画素は、第一の副画素と、第二の副画素とを有し、１画素平面内において、第一の副画素の開口部に占める共通電極の割合と、第二の副画素の開口部に占める共通電極の割合とが異なり、第一の副画素の開口部に占める共通電極の割合は０％以上１００％以下である。 （もっと読む）

【課題】表示ムラ、コントラスト等の画像表示品質の面で優れ、さらに高速駆動が可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】第２導電膜４００上に積層され、開口領域に第２のコンタクトホール８６が形成された第２絶縁層４４と、第２のコンタクトホール８６を介して延在部に電気的に接続され、少なくとも前記一方の画素の開口領域に形成された画素電極９ａと、を少なくとも備え、第２のコンタクトホール８６の内部は、画素電極９ａよりも比抵抗が低い透明導電性材料によって充填されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】信号配線数を半分にした構成のＦＦＳ型の液晶表示装置は、低コスト化はできるが、対向基板のブラックマトリクスは、信号配線がない画素の境界領域にも必要であるが、走査配線数が２倍になるので、開口率の低下が起きる問題点があった。
【解決手段】 ＦＦＳ型の液晶表示装置１００を構成する液晶表示パネル９０は、対向基板２０のブラックマトリクスＢＭ領域下で、信号配線５が配置されない隣接する２個の画素３０の境界領域において、共通電極８と共通信号配線８２との接続に、隣接する２個の画素３０で共用されるコンタクトホール１２を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明はアレイ基板及び液晶ディスプレイに関する。
【解決手段】本発明は、アレイ基板と液晶ディスプレイを開示している。このアレイ基板は、サブストレートと、前記サブストレートに形成された、横縦方向に交差して複数の画素ユニットを囲んで形成したデータライン及びゲートラインと、を備え、各画素ユニットは画素電極と薄膜トランジスタースイッチ素子とを備え、前記薄膜トランジスタースイッチ素子は、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、活性層を備え、前記ゲート電極と活性層との間にゲート絶縁層が設けられ、前記ゲート絶縁層は不透明絶縁層を含む。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）