【課題】薄膜トランジスタの光リーク電流を低減させると共に、画素の開口率を向上させることが可能な画像表示装置を提供することである。
【解決手段】
基板上に複数の薄膜トランジスタを有する画像表示装置であって、前記基板上に形成される複数のゲート線と、前記ゲート線と交差する複数のドレイン線とを有し、前記薄膜トランジスタはボトムゲート型であり、チャネル領域は前記基板側からゲート電極／ゲート絶縁膜／半導体層が順次積層された積層構造を有し、前記チャネル領域のチャネル幅方向に形成されると共に、前記ゲート電極の両端側に形成される当該ゲート絶縁膜が除去された一対の除去領域を有し、前記チャネル領域におけるチャネル幅方向の前記ゲート電極の幅をＷ、前記一対の除去領域に挟まれ、前記チャネル幅方向の前記ゲート絶縁膜の幅をＲとした場合、Ｒ≧Ｗを満たす画像表示装置である。 （もっと読む）

【課題】開口率及び透過率を増加させて表示品質を改善できる液晶表示装置が提供される。
【解決手段】液晶表示装置で、第１基板に形成される第１配向膜は第１方向へ配向された第１領域及び第１方向と反対になる第２方向へ配向された第２領域を含み、第１基板と対向する第２基板に形成された第２配向膜は第１方向と異なる第３方向へ配向された第３領域及び第３方向と反対になる第４方向へ配向された第４領域を含む。第１及び第２配向膜の間に配置された液晶分子は第１乃至第４領域によって定義された多数のドメインで相異なる方向へ配向される。画素電極は各ドメインの液晶配向方向に沿って第１乃至第４方向の中で少なくとも一方向へ延長された延長部を配置する。したがって、液晶表示装置の開口率及び透過率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】バックライトからの光を有効利用することによって非自発光表示部の輝度を向上させた液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
液晶層を介して対向配置される一対の透明基板を備え、少なくとも、光を透過し得る透光領域と光を遮光する遮光領域を有する非自発光表示部と、非自発光表示部の裏面側からバックライト光を照射するバックライト部とを備える液晶表示装置であって、前記一対の透明基板の内で前記バックライト部側に配置される透明基板は、当該透明基板の液晶層側に積層され、前記透光領域に対応する開口領域が形成される金属薄膜からなる反射膜を備え、前記開口領域に入射される前記バックライト光を通過させると共に、前記反射膜が形成される領域に入射される前記バックライト光を前記バックライト部側に配置される透明基板に反射させる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】開口率及び静電容量を向上させる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の第１領域に位置する薄膜トランジスタと、第１領域に隣接する第２領域に位置するキャパシタとを備え、薄膜トランジスタは、活性層と、活性層のチャネル領域に対応する位置に、前記活性層と離隔されて位置するゲート電極と、活性層に電気的に接続されるソース及びドレイン電極と、活性層とゲート電極との間に順次形成された第１絶縁層〜第３絶縁層を有するゲート絶縁膜とを備え、第１絶縁層の厚さに対する第２絶縁層の厚さの比は、約０．１〜約１．５であり、第２絶縁層の厚さに対する第３絶縁層の厚さの比は、約２〜約１２である表示装置。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において画素の狭ピッチ化、高精細化と共に高開口率を実現する。
【解決手段】ＴＦＴ（３０）の半導体層（１ａ）は、交差部（Ｃｒ）に重なる開孔部（３
５）内から開孔部（３５）外にまで連続的に形成されると共に、開孔部（３５）の底面に
露出するデータ線（６）の表面部分と電気的に接続される第１のソースドレイン領域（１
ｂ）と、開孔部（３５）の側壁に配置されたチャネル領域（１ａ'）と、開孔部（３５）
外に形成され画素電極（９）と電気的に接続される第２のソースドレイン領域（１ｃ）と
を有し、ＴＦＴ（３０）のゲート電極（３ａ）は、少なくともチャネル領域（１ａ'）に
重なるように開孔部（３５）内に形成され、走査線（１１）と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと重なる領域に柱状スペーサを配置すると、一対の基板の貼り合わせ時に
圧力がかかり、ＴＦＴに影響を与える恐れ、クラックが発生する恐れなどがある。
【解決手段】ＴＦＴと重なる位置に形成される柱状スペーサの下方に無機材料からなるダ
ミー層を形成する。このダミー層をＴＦＴと重なる位置に配置することによって、一対の
基板の貼り合わせ工程時にＴＦＴにかかる圧力を分散し、緩和する。このダミー層は、工
程数を増やすことなく形成するため、画素電極と同じ材料で形成することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】対向基板上にカラーフィルタ層を形成する場合と同様に、複雑な工程によることなくカラーフィルタ層を形成し、アレイ基板上にカラーフィルタ層が設けられた表示装置を得る。
【解決手段】表示装置１０は、各画素毎にスイッチング素子２６が形成されたアレイ基板２０と、アレイ基板２０に対向して配置された対向基板３０と、を有する。アレイ基板２０は、アレイ基板本体２１と、アレイ基板本体２１上に設けられ、各画素に対応する複数の着色層２４、及びこれらの着色層２４の間に位置する遮光層２３からなるカラーフィルタ層２２と、カラーフィルタ層２２の上層に設けられたスイッチング素子層と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】表示画素当たりの開口率の低下を抑制することが可能なように光センサが組み込まれた表示装置を提供すること。
【解決手段】表示パネル１０内に２次元配列された複数の表示画素のうちの列方向に隣接する２個の表示画素からなる表示画素対を挟むようにしてゲートライン１１１を配置するとともに、表示画素対の間にセンサゲートライン１２１を配置する。薄膜トランジスタ光センサＴ０、Ｔ１を各表示画素対に対して行方向に隣接するように配置する。 （もっと読む）

【課題】ａ−ＩＧＺＯ薄膜の熱処理による閾値電圧が大きく負の値にシフトしてしまう問題の解決とデバイス作製プロセスの最高温度をプラスチック基板の軟化点よりも低く抑える。
【解決手段】基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネル層とを含み、該チャネル層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、オゾンを含む酸化性雰囲気による熱処理後のａ−ＩＧＺＯ薄膜の閾値電圧が０±５Ｖ以内、電界効果移動度が５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。該半導体膜を製膜した後、乾燥酸素中にオゾンを１．０容積％以下０．０１容積％以上含有する乾燥酸素ガス雰囲気中で該半導体膜を１００〜２００℃の温度範囲内で１〜１２０分間、熱処理する。 （もっと読む）

【課題】高透過率化が可能であり、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】帯状の第１主電極部と、前記第１主電極部の一端部に接続され前記第１主電極部とは異なる方向に延在した第１副電極部とを有する画素電極を備えた第１基板と、前記第１基板に対向配置され、前記第１主電極部と略平行な帯状に形成され前記第１主電極部との間に横電界を形成するように配置された第２主電極部を有する対向電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】共通電極を備えることなく、単位画素毎に隣接するデータラインからデータ電圧を受けて横電界を形成する電極を形成することにより、ライン・ディレイ現象、開口率の減少、及びスイッチング素子のバラツキによる画質の低下などの問題を改善できるインプレーンスイッチングモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数のゲートライン４０１と前記複数のゲートライン４０１と垂直に交差する複数のデータライン４０２ａ、４０２ｂとにより定義される単位画素４３０と、前記単位画素４３０毎に、前記ゲートライン４０１とデータライン４０２ａ、４０２ｂとの交差領域に形成される１対のスイッチング素子４１０、４２０と、前記１対のスイッチング素子４１０、４２０とそれぞれ連結される電極４０４、４０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 水平電界駆動方式において開口率を高め、電極の数を容易に調節する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ表示板は、ゲート線121と、共通電極134及び共通電極線138を含む共通信号線とを有する。ゲート線121は、基板上部に台形状の画素領域を定義するために画素領域の境界で屈曲している。共通電極134は、ゲート線121と平行に配列されている。共通電極線138は、複数の共通電極134を連結してデータ線171と平行に配列される。ゲート線121と共通信号線とを覆うゲート絶縁膜上部には、データ線171と画素信号線とが形成される。データ線171は、ゲート線と交差して画素領域を定義する。画素信号線は、共通電極と平行に対向して配列されている画素電極174と、複数の画素電極を連結する画素電極線172,178とを含む。データ線171と画素信号線とを覆う保護膜上部には、液晶分子をデータ線に対して垂直に配向するための配向膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素内のマルチドメイン配向を実現し、かつ配向均一性並びに高開口率を実現する。
【解決手段】対向配置され、相互に交差する第１電極2及び第２電極5と、第１電極と第２電極の間に設けられた垂直配向の液晶層と、を含む。第１電極と第２電極が相互に重なる交差領域11は略矩形状に構成される。第１電極は、交差領域において、第１方向に沿った仮想的な基準線mを挟んで線対称に配置された略Ｖ字形状の複数の第１開口部21を有し、第２電極は、交差領域において、上記基準線を挟んで線対称に配置された略Ｖ字形状の複数の第２開口部22を有する。各第１開口部と各第２開口部は、基準線に対して略４５°傾けて配置された部位と基準線に対して略−４５°傾けて配置された部位を有し、第１方向に沿って、平面視において重ならず交互に配置される。 （もっと読む）

【課題】高い開口率となる薄膜トランジスタ装置を提供する。
【解決手段】溶液堆積（deposited）によって形成される下側導電性層と、前記下側導電性層の上に設けられかつそれと導電性相互接続を介して１つ以上の絶縁層を通じて電気的に接続されている上側導電性層とを備える電子装置を製造する方法であって、前記相互接続の作成は、下側導電性層と前記１つ以上の絶縁層とを区別する光溶発技術を使って少なくとも下側導電性層の一部へと下向きに延びる孔を前記少なくとも１つの絶縁層に定義する工程、およびその後前記孔に導電性材料を堆積する工程を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】画素内のマルチドメイン配向を実現し、かつ配向均一性並びに高開口率を実現する。
【解決手段】液晶表示装置は、対向配置され、相互に交差する第１電極2及び第２電極5と、第１電極と第２電極の間に設けられた垂直配向の液晶層と、を含む。第１電極と第２電極が相互に重なる交差領域11は略矩形状に構成される。第１電極は、基準線mに対して４５度又は−４５度傾き、交互に配置された複数の開口部21,22を有し、第２電極は、上記基準線に対して４５度又は−４５度傾き、交互に配置された複数の開口部23,24を有する。各開口部は、第１方向に沿って、平面視において重ならず交互に間欠的に配置される。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】トップエミッション型有機ＥＬ素子を有する表示装置において、陰極の平坦化および陰極の高精細化がなされる表示装置、表示装置の製造方法および電子機器を提供すること。また、合わせて低コストで長期信頼性の高いコンタクトホール構造を有する表示装置、表示装置の製造方法および電子機器を提供すること。
【解決手段】本表示装置は、基板と、前記基板上に形成されるトランジスタと、前記トランジスタ上に形成される層間絶縁膜と、前記トランジスタの一つの電極上に設けられ、かつ、前記層間絶縁膜を貫通する導電ポストと、前記層間絶縁膜上に形成される画素電極と、前記導電ポストの上方に位置する第１の隔壁と、前記第１の隔壁と交差してまたは交差する直線上に位置し前記画素電極の幅値を所定値にする第２の隔壁と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、画素領域（１０ａ）に、データ線（６ａ）と、データ線と交差する走査線（１１）と、画素領域の周囲に位置する周辺領域に、データ線に電気的に接続されたスイッチング素子（７７）と、スイッチング素子に制御信号を供給する制御信号配線（１７０）と、スイッチング素子に画像信号を供給する画像信号配線（１５０）と、制御信号配線と画像信号配線との間に、定電位が供給される定電位配線（２００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ストレージキャパシタの電極の透明導電性物質で形成する場合に、ゲート絶縁膜蒸着工程の時使用されるガスと、前記透明導電性物質が反応して発生されるヘイズの不良を改善するための液晶表示装置アレイ基板、及び製造方法を提供する。
【解決手段】複数の第１領域及び第２領域に区分される基板の前記第１領域上にゲート電極が形成される工程と、前記第２領域の基板上に透明導電性物質で具現されるストレージ下部電極が形成される工程と、前記ゲート電極及びストレージ下部電極を含む基板上にゲート絶縁膜が形成される工程と、を含み、前記ゲート絶縁膜は第１から第３ゲート絶縁層の積層構造で具現されることを特徴とする液晶表示装置のアレイ基板製造方法。 （もっと読む）