【課題】遮光層の端部で回折した光が半導体層に照射されＴＦＴ特性の変動を引き起こしているため、この光の照射を防止する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第３の遮光層１０８の端部で回折した光１１７を完全に遮光するため、半導体層１０３をゲート電極１０４と第２の遮光部１０６とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、ＴＦＴ特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】光漏れを防止することのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置されるゲート配線と、前記ゲート配線と絶縁され交差して前記基板上に配置される第１データ配線、第２データ配線、及び第１電源配線と、前記ゲート配線と前記第１データ配線に接続される第１スイッチング素子と、前記ゲート配線と前記第１電源配線に接続される第２スイッチング素子と、前記ゲート配線と前記第２データ配線に接続されている第３スイッチング素子と、前記ゲート配線と前記第１電源配線に接続されている第４スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３スイッチング素子、及び第４スイッチング素子とそれぞれ接続される第１画素電極、第２画素電極、第３画素電極、及び第４画素電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の視点に画像を表示可能な画像表示装置において、画素開口部に配置された構造物に起因する問題を抑制し、高開口率を実現する。
【解決手段】第１と第２の視点用の画像を表示するサブ画素を含む表示単位が配列された表示素子と、サブ画素Ｐからの光を異なる方向に振り分ける光学手段とを有し、隣接画素対は、データ線Ｄとゲート線Ｇと蓄積容量電極で囲まれた領域を開口部と定義した場合に、１本のデータ線を挟んで配置された２つのサブ画素からなる隣接画素対を基本単位として構成される。隣接画素対４ＰＡＩＲは隣接して配置される。２つのサブ画素がそれぞれ有するスイッチング手段は、２つのサブ画素に挟まれたデータ線Ｄに接続され、異なるゲート線Ｇによって制御される。Ｋ本の蓄積容量線ＣＳは、サブ画素の第１の方向へ幅をＫ＋１等分に分割する仮想線を仮定した場合に、開口部において仮想線のうち少なくとも1本を跨って配置される。 （もっと読む）

【課題】画素がデルタ配列している表示装置において、走査線と映像信号線とが平行配列することによって配線間容量が増加することによる表示むらを解消する。
【解決手段】画素のＡ行とＢ行が交互に縦方向に配列している。走査線はＡ行の画素とＢ行の画素の間を横方向に延在している。Ａ行においては、映像信号線５は画素と画素の間に縦方向に延在している。Ｂ行においては、映像信号線５は画素内を縦方向に縦断している。この配置では、走査線と映像信号線５が平行して延在する部分が存在しないので、走査線と映像信号線５との配線間容量の増大を防止することが出来る。これによって配線間容量に起因する表示むらを防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】横電界方式の液晶表示装置において、画素の開口率を向上させたアレイ基板および液晶表示装置を提供する。
【解決手段】共通電極、画素電極、薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタを覆って設けられた複数色の着色画素、および保護層より構成される横電界方式の液晶表示装置に用いられるアレイ基板において、前記着色画素上に共通電極が配置され、さらに前記共通電極上に絶縁層を介して画素電極を備えたことを特徴とするアレイ基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】 マルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置の開口率を向上するための技術を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、垂直配向処理が施されている第１基板および第２基板と、第１基板と第２基板の間に介在している液晶層と、第２基板に設けられており、画素領域を確定している複数のゲート線およびデータ線と、第１基板に設けられており互いに略平行に伸びている第１調整手段と、第１基板に設けられており互いに略平行に伸びている第２調整手段とを備えている。第１調整手段と第２調整手段は、電圧が印加されたときに液晶分子が配向する方向を画素領域における位置に応じて変化するように調整する。そして、第１調整手段と第２調整手段は交互に配置されており、その間隔が２５マイクロメートル以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透過表示のコントラスト比及び開口率が高く、画素の微細化にも対応できる半透過型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第一基板と、液晶層と、第二基板とをこの順に有する液晶表示装置であって、上記第一基板は、幹部と、上記幹部から分岐した複数の枝部とを備える画素電極を有し、上記液晶表示装置は、枝部とスリットとが交互に配置された領域を含む表示領域を有し、上記表示領域は、上記反射領域及び透過領域を含み、上記反射領域において、上記第一基板は、上記画素電極下に反射膜を有し、上記第二基板は、上記液晶層の側にλ／４位相差層を有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜トランジスタの半導体層を形成する第１マスク工程と、ゲート絶縁膜をはさんで半導体層上にゲート電極を形成し、半導体層のソース及びドレイン領域にイオン不純物をドーピングする第２マスク工程と、第１導電層、第１絶縁層及び第２導電層を順次に形成し、薄膜トランジスタと離隔された領域に第１導電層、第１絶縁層及び第２導電層をパターニングして、キャパシタを形成する第３マスク工程と、第２絶縁層を形成し、第２絶縁層を貫通してソース及びドレイン領域及び第２導電層を露出させるコンタクトホールを形成する第４マスク工程と、コンタクトホールを通じてソース及びドレイン領域及び第２導電層に接続するソース及びドレイン電極を形成する第５マスク工程と、を含む平板表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 電極間の隙間による表示品位低下を改善し、また、配線電極が見えたり、配線電極の一部が半点灯することが無ない液晶表示素子を提供する。
【解決手段】 配線電極４と配線のない独立した隙間電極５を形成し、その上に絶縁膜６を形成し、その上に表示電極７、外側第二表示電極８ａ及び内側表示電極８ｂを形成している。表示電極７及び外側第二表示電極８ａ、内側表示電極８ｂは、絶縁膜６に設けたそれぞれのコンタクトエリアを介して配線電極４または隙間電極５と電気的に接続する。表示電極７は、絶縁膜６を介して隙間電極５の端部と重なるように形成する。また、外側第二表示電極８ａ及び内側第二表示電極８ｂは、絶縁膜６を介して隙間電極５の他の端部と重なるように形成する。 （もっと読む）

【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。
【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極１６７をソース配線１３７と一部重なるように配置し、ＴＦＴはＴＦＴのチャネル形成領域と重なるゲート配線１６６によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 （もっと読む）

【課題】開口率を充分に確保し、しかも補償容量の容量値を大きくすることができる液晶表示素子を提供する。
【解決手段】画素電極１３の所定部分に誘電層を介して重なるように配置され、画素電極１３との間に補償容量Ｃｓを形成する容量電極２６を備え、前記容量電極２６を、画素電極１３と重なる辺の総距離が、画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長い形状に形成した。 （もっと読む）

【課題】構成を複雑にすることなく開口率の高い明るい表示を実現できる液晶装置を提供する。
【解決手段】互いに対向し液晶層７を挟持する第１基板４及び第２基板５と、第１基板４上に設けられたスイッチング素子２１と、第１基板４上に設けられたスイッチング素子２１のドレイン電極端子３５と同じ層に設けられ、該ドレイン電極端子３５と接続された画素電極２２と、スイッチング素子２１及び画素電極２２を覆って第１基板４上に設けられた絶縁膜２３と、絶縁膜２３上に設けられた共通電極２４とを有する液晶装置である。画素電極２２と共通電極２４との間に横斜め電界Ｅが形成され、この横斜め電界Ｅによって液晶分子が基板水平面内で配向制御される。共通電極２４はベタ状態の電極であり、開口率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】表示装置における白バランスを改善する。
【解決手段】複数の画素を含み、複数の画素のうち少なくとも一部は、赤色サブピクセルＲ２１１，２１５、緑色サブピクセルＧ２１３，２１７、青色サブピクセルＢ２１８、及び黄色サブピクセルＹ２１２，２１６を含み、青色サブピクセルＢ２１８の面積は、黄色サブピクセルＹ２１２，２１６の面積より大きいことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】視認性が優れると同時に、液晶分子の応答速度を確保して、輝度が向上される平板表示装置を提供する。
【解決手段】平板表示装置は、基板の上に配置されているゲート線と、ゲート線と平行に伸びている信号線と、ゲート線と交差しているデータ線と、基板の上に配置されている第１副画素電極及び第２副画素電極と、ゲート線に接続されている第１端子、データ線に接続されている第２端子、及び第１副画素電極に接続されている第３端子を有する第１薄膜トランジスタと、ゲート線に接続されている第１端子、データ線に接続されている第２端子、及び第２副画素電極に接続されている第３端子を有する第２薄膜トランジスタと、信号線に接続されている第１端子、第１副画素電極に接続されている第２端子、及び結合電極に接続されている第３端子を有する第３薄膜トランジスタとを含む。 （もっと読む）

【課題】開口率及び静電容量を向上させる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の第１領域に位置する薄膜トランジスタと、第１領域に隣接する第２領域に位置するキャパシタとを備え、薄膜トランジスタは、活性層と、活性層のチャネル領域に対応する位置に、前記活性層と離隔されて位置するゲート電極と、活性層に電気的に接続されるソース及びドレイン電極と、活性層とゲート電極との間に順次形成された第１絶縁層〜第３絶縁層を有するゲート絶縁膜とを備え、第１絶縁層の厚さに対する第２絶縁層の厚さの比は、約０．１〜約１．５であり、第２絶縁層の厚さに対する第３絶縁層の厚さの比は、約２〜約１２である表示装置。 （もっと読む）

【課題】波状ノイズが発生せず高画質を実現する。
【解決手段】基板上部にゲート電極とゲート配線を形成する段階と、第１絶縁膜を形成する段階と、アクティブ層を形成する段階と、オーミックコンタクト物質層を形成する段階と、窒化シリコン膜ＳｉＮ_xでなるバッファ層を形成する段階と、ゲート電極の周辺によって定義される境界部内にアクティブパターンとオーミックコンタクトパターンで構成されるアイランドを形成する段階と、アイランド上部に透明導電物質層及び不透明導電物質層を形成する段階と、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、ソース電極及びドレイン電極の下部のアクティブ層パターンの両端に別々に隣接したオーミックコンタクト層を形成する段階と、基板の上部に第２絶縁膜を形成する段階と、第２絶縁膜とドレイン電極の不透明導電物質層をパターニングして画素電極を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は液晶表示装置に関する。
【解決手段】本発明の一実施例による液晶表示装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板、前記第１基板の上に位置するスイッチング素子、前記スイッチング素子に連結されており、データ電圧の印加を受ける画素電極、前記第２基板の上に形成されている対向電極、そして前記第１基板及び前記第２基板の間に位置し、液晶分子を含む液晶層を含み、前記画素電極は、前記画素電極を複数の副領域に分ける液晶方向制御部を含み、前記画素電極に前記データ電圧が印加される時の前記液晶分子の傾く方向は前記複数の副領域によって互いに異なり、前記液晶方向制御部は、前記第１基板面に対して下の方向に凹むかまたは上の方向に膨らむように形成されている。 （もっと読む）