【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板１０と、画素に配置された透光性の画素電極１５と、素子基板１０と画素電極１５との間に設けられ、誘電体層１６ｂを介して対向配置された一対の透光性電極を有する蓄積容量１６と、蓄積容量１６と画素電極１５との間に設けられた第３層間絶縁膜１４と、を備え、画素を透過する光の分光分布が、少なくとも赤、緑、青の各波長範囲に対応して透過率のピークを有するように、画素電極１５、一対の透光性電極としての第１電極１６ａおよび第２電極１６ｃ、ならびに第３層間絶縁膜１４のそれぞれの膜厚が設定されている。 （もっと読む）

【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、第１基板としての素子基板が、複数の画素電極を有し、第２基板としての対向基板２０が、第１透光性導電層２３ａと、第１透光性導電層２３ａの複数の画素電極と対向する第１領域Ｅ１に配置された第２透光性導電層２３ｃと、第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃとの間に配置された第１絶縁膜２３ｂと、を有し、対向基板２０の第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃの膜厚がそれぞれ設定されている。素子基板と対向基板２０とを接着するシール材４０が設けられる対向基板２０の第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが配置されている。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増大を抑制し且つ微細化を達成した半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に電界で加速されたイオンを照射して、当該酸化物半導体膜の表面の平均面粗さを低減することにより、トランジスタのリーク電流の増大および消費電力の増大を抑制することができる。さらに、加熱処理を行って、酸化物半導体膜が当該酸化物半導体膜表面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成することにより、酸化物半導体膜の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】粘着テープの貼着状態が不良のＴＣＰを基板に仮圧着するのを防止した電子部品の供給装置を提供することにある。
【解決手段】ＴＣＰ４を受けて保持する複数の保持ヘッド１９を有して周方向に間欠的に回転駆動されるインデックス手段１８Ａ，１８Ｂと、保持ヘッドにＴＣＰを供給する打ち抜き装置と、ＴＣＰが供給された保持ヘッドが所定角度回転駆動された位置で、保持ヘッドのＴＣＰの下面に粘着テープ３２を貼着する貼着装置と、ＴＣＰに貼着された粘着テープを撮像する撮像カメラ４７と、撮像カメラによる撮像に基いてＴＣＰに対する粘着テープの貼着状態を判定する制御装置４９と、粘着テープが撮像されたＴＣＰを保持した保持ヘッドがインデックス手段によって所定角度回転駆動された位置で、制御装置によって粘着テープの貼着状態が良好であると判定されたＴＣＰを基板に実装するために保持ヘッドから受ける仮圧着ヘッドを具備する。 （もっと読む）

【課題】２Ｄ映像と３Ｄ映像を選択的に実現することができる映像表示装置を提供する。
【解決手段】映像表示装置は複数のピクセル（ＰＩＸ）を含み２Ｄモードと３Ｄモードで動作する表示パネルと表示パネルからの光を第１及び第２偏光の光で分割するパターンドリターダと、オフレベルで第１直流制御電圧を発生しオフレベルより高く完全オンレベルより低い不完全オンレベルで第２直流制御電圧を発生し、駆動モードによって第１及び第２直流制御電圧を選択的に出力する制御電圧発生部を備え、ピクセルそれぞれはミラータイプで垂直配置された上部及び下部表示部（ＵＤＩＳ、ＬＤＩＳ)を備え、上部表示部は隣合う上部メイン表示部（ＵＭＰ）と上部補助表示部（ＵＳＰ）を含み、下部表示部は隣合う下部メイン表示部（ＬＭＰ）と下部補助表示部（ＬＳＰ）を含み、上部メイン表示部と下部メイン表示部の間には上部補助表示部と下部補助表示部が隣合って配置される。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の結晶化工程において、非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なった、レーザアニールを行って得られた多結晶半導体膜を基に作製された薄膜トランジスタの電気的特性は非常に高いものとなるが、ばらつきが顕著になる場合がある。
【解決手段】非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なって連続的な結晶化領域の中に非晶質領域が点在する第１の多結晶半導体膜１０３ｂを得る。このとき、非晶質領域を所定の範囲に収めておく。そして、結晶化領域より非晶質領域にエネルギーを加えることができる波長域にあるレーザビームを第１の多結晶半導体膜１０３ｂに照射すると、結晶化領域を崩すことなく非晶質領域を結晶化させることができる。以上の結晶化工程を経て得られた第２の多結晶半導体膜を基にＴＦＴを作製すると、その電気的特性は高く、しかもばらつきの少ないものが得られる。 （もっと読む）

【課題】外部へ放出されるノイズ（電磁波）が低減された液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素電極と信号線、走査線、及び信号線や走査線を駆動する駆動手段が形成されたＴＦＴ基板１と、ＴＦＴ基板に対向して設けられると共に共通電極６が形成された共通電極基板５と、画素電極と共通電極の間に形成された液晶層７とを含む液晶表示装置であって、駆動手段から放射される電磁波をシールドする接地電極１５を備え、接地電極は、共通電極と同じ透明電極からなるものであって、ＴＦＴ基板及び共通電極基板と異なるシールド基板１６に形成されている。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル機能を具備した液晶表示体において、液晶表示体の全体の厚み低減および、品質とコストに優れたタッチパネル電極付カラーフィルタを提供することを目的とする。
【解決手段】タッチパネルを具備する液晶表示体用のタッチパネル用配線付カラーフィルタであって、液晶層と対向するガラス基板側にカラーフィルタと液晶駆動用の配線が形成され、該配線がタッチパネル用の第一の配線を兼ねることを特徴とするタッチパネル用配線付カラーフィルタである。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信
頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導
体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第１
の導電膜を形成し、第１の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第２の導電
膜を形成し、第１の導電膜及び第２の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレ
イン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜
と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用いた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。
同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】後の工程で形成される光電変換層を広く形成することができ、センサの受光面積（開口率）を上げることができる、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタを有し、トランジスタの上方に絶縁膜を有し、絶縁膜の上方にフォトダイオードを有する。トランジスタはフォトダイオードと重なる位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】画像信号の入力頻度の向上を図ること。
【解決手段】液晶表示装置の画素部を複数の領域に分割し、該複数の領域毎に画像信号の入力を制御する。そのため、当該液晶表示装置は、同時に複数本の走査線を選択することが可能である。すなわち、当該液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりが高く、表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の表示画素ＰＸを含む表示領域と、マトリクス状に配置された複数の第１電極３０と、第１電極３０上において列方向に延びた複数の第１センサ４１と列方向と略直交する行方向に延びて第１センサと電気的に接続された複数の第２センサ４２と、を備えたアレイ基板１１０と、アレイ基板１１０と対向して配置された対向基板１２０と、アレイ基板１１０と対向基板１２０との間に挟持された液晶層７０と、を備え、第１センサ４１は、第１センサ４１と第２センサ４２とに囲まれた隣接した領域Ａ１、Ａ２を接続する欠落部４０Ａを備えている液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第１の絶
縁膜に酸素原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに
、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半
導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された
酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す
る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。半導体装置に設けられる該薄膜トランジスタは多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いて作製する。 （もっと読む）

【課題】保護回路を設けて表示装置の信頼性を高める。
【解決手段】画素部が有するトランジスタは、チャネル形成領域を有する第１酸化物半導体層を有し、走査線と電気的に接続する第１ゲート電極を有し、信号線と電気的に接続する第１配線層を有し、画素電極と電気的に接続する第２配線層を有し、画素部の外側領域に、保護回路を有し、保護回路が有する非線形素子３０、３１は、走査線１３又は信号線と電気的に接続される第２ゲート電極を有し、第２ゲート電極を被覆するゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層上に第２酸化物半導体層を有し、第２ゲート電極の電位が、非線形素子の第３配線層又は第４配線層へ印加されるように、第２ゲート電極と第３配線層又は第４配線層とは第５配線層によって電気的に接続されている。第５の配線層は、画素電極と同じ材料を有することができる。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】 画像を表示するアクティブエリアに形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記第２基板の外面において前記アクティブエリアに対応して配置され、その表面に導電層を備えた第１線膨張係数の光学素子と、前記第２基板の端部よりも外方に延在した前記第１基板の延在部に形成された電極パッドと、前記光学素子の前記導電層と前記電極パッドとを電気的に接続するとともに、前記第１線膨張係数の絶対値よりも大きな絶対値の第２線膨張係数の接続部材と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】フリッカの発生を抑制しつつ、低消費電力化を実現することの可能な表示装置およびそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】表示装置は、液晶層と、液晶層との対向領域に配置され、液晶層に電圧を印加する複数の画素電極と、液晶層との関係で環境光の入射する側に配置された位相差層および偏光板と、複数の部分電極からなる画素電極を駆動する駆動回路とを有している。駆動回路は、液晶表示パネルが白表示となる定電圧を印加する部分電極を映像信号に応じて選択するとともに、フレームレートを６０Ｈｚ未満にして各画素の発光面積を変調することにより階調表示を行うようになっている。 （もっと読む）

【課題】色再現率が高くて輝度が高い２次元及び３次元映像を具現し、特に３次元映像具現の時にクロストーク欠陥が減少した表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１絶縁基板、複数の画素、第２絶縁基板、カラーフィルター層、及びパターンリターダを備える。第１絶縁基板は、行列形態に配列され、列方向より行方向に長い複数の画素領域を有し、列方向より行方向に長い。画素は、各画素領域に提供され、印加された映像信号に従って２次元又は３次元映像を表示する。ここで、１つの色情報を示す単位画素は列方向に連続する第１〜第４画素に定義され、第４画素にホワイト色画素が対応する。 （もっと読む）

【課題】残像(混色)現象を解消することで表示品質を向上でき、また動画表示の品質を改善する。
【解決手段】画素部内の全ての画素１４内の転送容量Ｃtに全画面の画素データが保持された直後に、リセット電圧制御用配線rstを介して印加されるリセット電圧によりトランジスタＴr3をオンとし、リセット電圧設定用配線rsvを介して供給される黒側電圧を配線容量Ｃpに供給して保持させる。黒側電圧が配線容量Ｃpに保持された期間後で、トランジスタＴr3がオフとされ、かつ、次の画面の画素データが複数の列信号線に供給される前の時間内に、画素選択信号用配線triを介して供給される画素選択信号によりトランジスタＴr2がオンとされて、画素部内の全ての画素14内の転送容量Ｃtに保持されていた全画面の画素データを配線容量Ｃpに一括転送して保持させると共に画素電極ＰＥに印加する。 （もっと読む）