【課題】 化学増幅フォトレジスト組成物及びそれを使用するプロセスを提供する。
【解決手段】 フォトレジスト組成物は、フェノール系ポリマーと、エーテル含有部分及び／又はカルボン酸含有部分を含まない（メタ）アクリレート・ベースのコポリマーとのブレンド、及び、光酸発生剤とを含む。前記コポリマーは、アルキルアクリレート、置換アルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、置換アルキルメタクリレート、及びこれらの混合物からなる群から選択される第１のモノマー、並びにアクリレート、メタアクリレート及びこれらの混合物からなる群から選択され、酸開裂性エステル置換基を有する第２のモノマーを含む。当該フォトレジスト組成物を用いて基板上にフォトレジスト像を形成するプロセスも開示される。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、露光し、ＰＥＢを行い、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程（１）と、第一のレジストパターンが形成された支持体上に、第二の膜形成用材料を塗布して第二の膜を形成し、第一のレジストパターンが形成された位置を含む領域を露光し、ＰＥＢを行い、アルカリ現像する工程（２）と、を有し、第二の膜形成用材料として、第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有し、且つ第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物と同じかそれよりも少ないエネルギー量ではアルカリ現像液に対する溶解性が増大しないものを使用し、工程（２）にて、露光した領域内の第一のレジストパターンのみがアルカリ現像により除去されるように露光量およびＰＥＢ温度を設定するパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】通常露光及び液浸露光によるラインエッジラフネスが改善され、液浸露光時に於ける水追随性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）で表される酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素及び／又はケイ素原子を含有し、下記（ｘ）〜（ｚ）の群から選ばれる基を含有する樹脂、並びに（Ｄ）溶剤、を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。式（Ｉ）中、各記号は所定の基を表す。（ｘ）アルカリ可溶性基、（ｙ）アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、（ｚ）酸の作用により分解する基。
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【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、レジストパターンの面内均一性（ＣＤＵ）及び欠陥性能に優れ、また処理液の使用量を低減できるレジストパターンを形成し得る化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液、及びそれを用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、レジストパターンの面内均一性（ＣＤＵ）及び欠陥性能に優れ、また処理液の使用量を低減できるレジストパターンを形成し得る化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】有機溶剤に可溶な樹脂と有機溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液、及びそれを用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンの側壁にスペーサーを形成する際のパターンの変形やＬＷＲの増大を防ぐことができるパターン形成方法。
【解決手段】フォトレジストパターン４の側壁にスペーサー７を形成して基板１上にパターンを形成するパターン形成方法において、フォトレジスト膜を成膜する工程は、塩基発生剤を含有するフォトレジスト膜材料を用いてフォトレジスト膜を形成し、フォトレジストパターンの側壁にスペーサーを形成する工程は、フォトレジストパターン上にシロキサン結合を有する珪素化合物を含む溶液を塗布した後、ベークによってフォトレジストパターン内に塩基発生剤よりアミン化合物を発生させ、該アミン化合物を触媒としてフォトレジストパターンの外側に珪素化合物の架橋部６を形成し、その後、未架橋の珪素化合物を除去することによりスペーサーを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、その他のフォトファブリケーション工程等に使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する為のパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、アルカリ現像液であるポジ型現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤を含有するネガ型現像液に対する溶解度が減少するレジスト組成物を塗布することで、膜を形成し、前記膜を液浸媒体を介して露光し、ネガ型現像液を用いて現像を行うことを含み、前記組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有し、かつ、アルカリ可溶性基、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する基、及び特定の繰り返し単位、のいずれかを有する樹脂を含有するパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ（ＬＷＲ）、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）及びパターン形状に優れるパターン形成方法、並びにこれに好適なレジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）化学増幅型レジスト組成物による膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法であって、前記レジスト組成物が、
（Ａ）酸の作用により、有機溶剤を含む現像液現像液に対する溶解度が減少する樹脂、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物
を含有するパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】微細加工において、製造効率を向上可能であって、コストダウンを実現する。
【解決手段】不溶化処理（Ｓ３１）の実施においては、レジストパターン形成工程（Ｓ１１）での露光処理において照射した露光光と同じ波長の光を、レジストパターンに照射する再露光処理を実施する。そして、その再露光処理が実施されたレジストパターンについて加熱する加熱処理を実施する。これにより、レジストパターンについて不溶化処理（Ｓ３１）を実施する。 （もっと読む）

【解決手段】高エネルギー線又は熱に感応し、一般式（１）で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤を含む化学増幅型レジスト材料。


（Ｒは芳香環あるいは炭素数５以上の脂環式炭化水素構造を有する一価の炭化水素基。Ｒ’はＨ又はトリフルオロメチル基。Ａ¹はエステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、カーボネート結合のいずれかを示す。ｎは１〜３の整数。）
【効果】本発明の光酸発生剤より生ずる酸は、スルホネートに嵩高い環式構造で酸拡散を抑制しつつ、直鎖状炭化水素基の存在によって適度な機動性も有していることから、適度な酸拡散挙動を示す。また、レジスト材料中の樹脂類との相溶性もよく、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程に問題なく使用でき、解像性能、ＬＷＲ、露光余裕度といった問題も解決できる。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングプロセスを可能にするためのパターン形成方法に好適に用いられるレジスト変性用組成物を提供する。
【解決手段】酸の作用でアルカリ溶解性が増加する繰り返し単位とラクトン構造含有繰り返し単位とを有する高分子化合物を含む第１レジスト膜を、露光、加熱処理、アルカリ現像して得られる第１レジストパターン上にレジスト変性用組成物を塗布し、加熱して変性処理を行い、その上に第２ポジ型レジスト材料を塗布し、第２レジストパターンを形成するパターン形成方法に用いるレジスト変性用組成物であって、下記式（１）又は（２）のカーバメート化合物と溶剤を含有する。
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【課題】ＣＤ均一性及びマスクエラーファクターをさらに向上させることができるレジストパターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】レジストパターンの製造方法であって、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂（Ａ）と酸発生剤（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を、基体上に塗布してレジスト膜を得る工程と、レジスト膜を温度Ｔ_PBでプリベーク（ＰＢ）する工程と、プリベークしたレジスト膜を露光する工程と、露光したレジスト膜を温度Ｔ_PEBでポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）する工程と、ポストエクスポージャーベークしたレジスト膜をアルカリ現像液で現像してレジストパターンを得る工程とを含み、８５℃＜Ｔ_PEB、Ｔ_PEB＜Ｔ_PB、且つＴ_PB＜１００℃であることを特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】ラクトンを密着性基として有する繰り返し単位と酸不安定基を有する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物と、光酸発生剤と、塩基発生剤とを含む第１ポジ型レジスト材料を基板上に塗布し、第１レジスト膜を形成する工程、前記第1レジスト膜を露光後、加熱処理し、現像して第1レジストパターンを形成する工程、第1レジストパターンを加熱して塩基発生剤よりアミン化合物を発生させて酸に対して不活性化し、前記基板上の前記第1レジストパターン上に該パターンを溶解させないアルコール、又はアルコール及びエーテルを溶媒とする第2ポジ型レジスト材料を塗布して、第2レジスト膜を形成する工程、前記第2レジスト膜を露光、PEB後、現像して第2レジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、第1レジストパターンのパターンが未形成部分に第2パターンを形成し、パターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行い、一度のドライエッチングで基板を加工できる。 （もっと読む）

【解決手段】１）酸の作用でアルカリ溶解性が増加する繰り返し単位とラクトン構造含有繰り返し単位とを有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料を、基板上に塗布して第１レジスト膜を形成し、加熱処理後に露光し、加熱処理後にアルカリ現像して第１レジストパターンを形成する工程、
２）第１レジストパターン上にレジスト変性用組成物を塗布し、加熱して変性処理を行う工程、
３）その上に第２ポジ型レジスト材料を塗布し、加熱処理後に露光し、加熱処理後にアルカリ現像して第２レジストパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法に使用されるレジスト変性用組成物で、特定構造のベース樹脂とアルコール系溶剤を含む。
【効果】第１パターンの十分な不活性化、第２パターニング後の保持が可能となり、２回の露光と１回のドライエッチングで基板を加工するダブルパターニングプロセスが可能である。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性及びマスクエラーファクターをさらに向上させることができるレジストパターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】レジストパターンの製造方法であって、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂（Ａ）と酸発生剤（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を、基体上に塗布してレジスト膜を得る工程と、レジスト膜を温度Ｔ_PBでプリベーク（ＰＢ）する工程と、プリベークしたレジスト膜を露光する工程と、露光したレジスト膜を温度Ｔ_PEBでポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）する工程と、ポストエクスポージャーベークしたレジスト膜をアルカリ現像液で現像してレジストパターンを得る工程とを含み、Ｔ_PEB≦８５℃且つ０℃＜Ｔ_PB−Ｔ_PEB＜２５℃であることを特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【課題】発生酸の溶出、ラインエッジラフネス、現像欠陥、スカムの発生が改良され、プロファイルの劣化も少なく、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能な感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）極性変換基を少なくとも１つ有する繰り返し単位（ｃ）を有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ²は酸不安定基を示す。Ｒ³は水素原子又はＣＯ₂ＣＨ₃を示す。）
【効果】微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において高いマスク忠実性を有し、ライン幅ラフネスの極めて小さいパターンを与えることができ、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】低比誘電率であり且つ高弾性率な層間絶縁膜を構成する硬化パターンの形成に好適なネガ型感放射線性組成物等を提供する。
【解決手段】本感放射線性組成物は、式（１）に示す有機ケイ素化合物と、式（２）に示す有機ケイ素化合物と、を含むシラン化合物を加水分解縮合させて得られるポリシロキサン、酸発生剤、溶剤及び酸拡散抑制剤を含有する。


〔Ｒ^１及びＲ^５は水素原子、フッ素原子、アルコキシル基、アルキル基、シアノ基、シアノアルキル基又はアルキルカルボニルオキシ基を示し、Ｒ^２、Ｒ^４及びＲ^７は１価の有機基を示し、Ｒ^３は単結合、アリーレン基、メチレン基又はアルキレン基を示す。〕 （もっと読む）

【課題】高解像度であり、焦点深度（ＤＯＦ）が広く、得られるパターン形状が良好であり、且つ低比誘電率な硬化パターンを形成することができるネガ型感放射線性組成物、並びに、それを用いてなる硬化パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシロキサン（Ａ）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）と、下記一般式（１）で表される構造単位（ｃ１）を含む重合体（Ｃ）と、溶剤（Ｄ）と、を含有するネガ型感放射線性組成物。
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【課題】レジスト用成分の溶解性に優れるとともに、高解像性で、かつ、良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、一般式（ｂ１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含む酸発生剤成分とを、沸点１５０℃以上のアルコール系有機溶剤を含む有機溶剤に溶解してなるレジスト組成物。式（ｂ１）中、Ｒ^７”〜Ｒ^９”はアリール基又はアルキル基を表し、Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち少なくとも１つは、−Ｏ−Ｒ^７０（Ｒ^７０は有機基）で表される基で置換された置換アリール基である。Ｒ^７”〜Ｒ^９”のいずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよい。Ｘは炭素数３〜３０の炭化水素基、Ｑ^１は酸素原子を含む２価の連結基、Ｙ^１は炭素数１〜４のアルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。
［化１］
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