【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくとも、（Ａ）フラーレン骨格を有する物質と電子吸引基含有１，３−ジエン化合物誘導体との反応生成物であるフラーレン誘導体、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】異物付着欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及びこのパターン形成方法に用いられる現像液を提供する。
【解決手段】（ア）化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び、（ウ）露光した膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、前記現像液中のアルコール化合物（Ｘ）の含有率が、現像液の全質量に対し０以上５００ｐｐｍ未満であることを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥の少ないパターンを形成可能とするパターン形成方法、及び、この方法に用いられる有機系処理液を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（ａ）化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成することと、（ｂ）前記膜を露光することと、（ｃ）有機系処理液を用いて前記露光された膜を処理することとを含んでいる。前記処理液は、標準沸点が１７５℃以上である有機溶剤を含有し、前記処理液に占める前記溶剤の含有率は３０質量％未満である。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチング工程の前に、良好にレジスト膜を改質する。
【解決手段】プラズマ処理方法は、被エッチング層上に反射防止膜であるＳｉ−ＡＲＣ１５が形成され、反射防止膜上にパターン化されたＡｒＦレジスト膜１６が形成された積層膜に対して、エッチングガスから生成されたプラズマにより前記レジスト膜をマスクとして前記反射防止膜をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の前に実行され、プラズマ処理装置内にＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＡｒガスとを含む改質用ガスを導入し、該改質用ガスから生成されたプラズマによりＡｒＦレジスト膜１６を改質する改質工程とを含む。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位と酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位の両方を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物、あるいは酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像とアルカリ水溶液による現像の２回の現像を行うパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、有機溶剤とアルカリ水による２回の現像によって１本のラインを２本に分割し、マスクパターンの２倍の解像力を得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で示される酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位ａと、ラクトン環を有する繰り返し単位ｂを含有する（メタ）アクリレートポリマーと、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液として２−ヘプタノンを５０質量％以上含有する溶液による現像を行うパターン形成方法。


（式中、Ｒ2は酸不安定基である。）
【効果】安全にネガティブトーンパターンを形成できるプロセスを構築できる。 （もっと読む）

【課題】ドライ露光、液浸露光やダブルパターンニングプロセスで行われる微細加工に適するレジスト用重合性単量体およびそれら重合体の提供それらを使ったレジスト材料およびパターン形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（６）、一般式（７）または一般式（８）のいずれかで表される繰り返し単位を含む重合性単量体。


（Ｒ^１は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ^２はメチル基、エチル基またはイソプロピル基を表し、Ａは、それが結合している炭素原子と一緒になってカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）または、当該カルボニル基が保護基によって保護されたアセタール構造をとる。） （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位と、ラクトン環を有する繰り返し単位の両方を含有する（メタ）アクリレート共重合体と、酸発生剤と、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、３−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸２−フェニルエチルから選ばれる溶剤１種以上を４０質量％以上含有する溶液による現像を行うパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、安全にネガティブトーンパターンを形成できるプロセスを構築できる。 （もっと読む）

【課題】レイヤ中にフィーチャを形成する方法を提供する。
【解決手段】レイヤ上にフォトレジストレイヤが形成される。フォトレジストレイヤがパターン付けされることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャが形成され、フォトレジストフィーチャは第１微小寸法を有する。フォトレジストフィーチャの側壁上にコンフォーマルレイヤが堆積されることによって、フォトレジストフィーチャの前記微小寸法が低減される。レイヤ内でフィーチャがエッチングされ、レイヤフィーチャは、第１微小寸法より小さい第２微小寸法を有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ないパターンを形成することができるレジスト組成物を製造するレジスト組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂、酸発生剤及び溶剤を混合して得られる混合液をセラミックス製のフィルタで濾過してレジスト組成物を得るレジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＷＲ等のラフネス特性、孤立スペースパターン（トレンチパターン）のＤＯＦ、及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される酸分解性繰り返し単位及び下記一般式（ＩＩ）で表される非酸分解性繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】解像力が高く、ＬＷＲを低減でき、パターン形状に優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、
前記樹脂（Ａ）が、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有し、
前記脱離基がケイ素原子を含有する、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】塗布面状が良好で、屈折率が低く、高温条件下においても屈折率変化が小さいパターン膜（以上、例えば、光学デバイスにおける反射防止膜に適した性能）であって、誘電率が低く、かつ、ヤング率が高いパターン膜（以上、例えば、半導体素子デバイス等における層間絶縁膜に適した性能）を、高解像度で形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、及び、パターン膜を提供する。更に、該感光性組成物を用いて製造される反射防止膜及び絶縁膜、並びに、これらを用いた光学デバイス及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）下記式（１）で表される１種又は２種以上のかご状シルセスキオキサン化合物から構成されるシルセスキオキサン類より得られる重合体と（Ｂ）光重合開始剤とを含有する感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン膜、反射防止膜、絶縁膜、光学デバイス及び電子デバイス。
（ＲＳｉＯ_１．５）_ａ 式（１）
（式（１）中、Ｒは、それぞれ独立に、有機基を表し、Ｒのうちの少なくとも２つは、重合性基を表す。ａは８〜１６の整数を表す。複数のＲは同一であっても異なっていてもよい。）
ただし、前記重合体には前記かご状シルセスキオキサン化合物由来の重合性基が残存している。 （もっと読む）

【課題】解像力が高く、ＬＷＲを低減でき、パターン形状に優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、
前記樹脂（Ａ）が、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有し、
前記脱離基がフッ素原子を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜として最適なレジスト下層膜と無機ハードマスクを組み合わせたパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式(１)で表されるナフタレン誘導体又はそれを含有する高分子化合物をレジスト下層膜材料として用いた下層膜形成方法により、反射防止膜としての最適な特性、エッチング耐性、高耐熱性、耐溶媒性を有し、ベーク中のアウトガスの発生を抑制でき、基板のエッチング中によれのないレジスト下層膜を形成できる。


（環構造Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環。Ｘは単結合又はＣ１〜２０のアルキレン基。ｍは０又は１。ｎは分子量が１０万以下となる自然数。） （もっと読む）

【課題】撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィー用レジスト保護膜材料、更にはこの材料を用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、側鎖にヘキサフルオロヒドロキシプロピル基を有する（メタ）アクリレート単位、側鎖にフッ素含有環状エーテル構造含有基を有する（メタ）アクリレート単位、及び側鎖にスルホン酸基を有するビニルモノマー単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲内である高分子化合物を含むものであることを特徴とするレジスト保護膜材料。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの微細化に有用なレジストパターン形成方法、及びこれに用いるパターン微細化処理剤の提供。
【解決手段】支持体上に、化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程（１）と、該レジストパターンに、パターン微細化処理剤を塗布する工程（２）と、該パターン微細化処理剤が塗布されたレジストパターンにベーク処理を行う工程（３）と、該ベーク処理後のレジストパターンをアルカリ現像する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法であって、前記パターン微細化処理剤は、酸発生剤成分と、前記工程（１）で形成されるレジストパターンを溶解しない有機溶剤とを含有することを特徴とするレジストパターン形成方法、及びパターン微細化処理剤。 （もっと読む）

【課題】 煩雑なエッチング工程等を施すことなく、簡便に多層構造が形成できる、絶縁パターン形成方法及び樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 〔Ｉ〕基板上に有機パターンを形成する工程と、
〔II〕前記有機パターンのパターン間に絶縁材料を埋め込む工程と、
〔III〕前記有機パターンを除去し、前記絶縁材料からなる反転パターンを得る工程と、
〔IV〕得られた反転パターンを硬化させる工程と、
を有することを特徴とする、絶縁パターン形成方法と、ダマシンプロセス用絶縁パターン形成材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】パターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に、第一のポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、第一のレジスト膜を露光し、露光後ベークを行い、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程（１）と、第一のレジストパターンが形成された支持体上に、第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有する第二の膜形成用組成物を塗布して第二の膜を形成し、アルカリ現像することによりレジストパターンを形成する工程（２）とを有し、第一のポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分及び露光により酸を発生する酸発生剤成分）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分が酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する樹脂成分を含有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】水等の液浸露光用液体を介してレジスト膜を露光する液浸露光プロセスに好適に用いられる液浸露光用感放射線性樹脂組成物、硬化パターン形成方法及び硬化パターンを提供する。
【解決手段】本発明の液浸露光用感放射線性樹脂組成物は、式［Ｒ^１_ａＳｉＸ_４−ａ］で表されるシラン化合物、及び式［ＳｉＸ_４］で表されるシラン化合物から選ばれる少なくとも１種を加水分解縮合させて得られる構造を有し、且つＧＰＣによる重量平均分子量が１０００〜２０００００であるケイ素含有重合体と、フッ素含有重合体と、酸発生剤と、溶剤とを含有する〔尚、各式におけるＲ^１はフッ素原子、アルキルカルボニルオキシ基、又は炭素数１〜２０のアルキル基を示し、Ｘは塩素原子、臭素原子又はＯＲ（Ｒ：１価の有機基）を示し、ａは１〜３の整数を示す。〕。 （もっと読む）