【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、光酸発生剤と、有機溶剤と、フッ素原子を有する繰り返し単位を含有し、かつ水酸基を含有しない高分子添加剤とを含み、高分子添加剤の含有量が全高分子化合物の含有量に対して１〜３０質量％であるレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、液浸露光可能な高い後退接触角を示すと共に、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を示し、ラインパターン側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ露光により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制するパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂（Ｐ）及び活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。


上記一般式（Ｉ）中、Ｒ_０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。
【解決手段】（ア）基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。 （もっと読む）

【課題】ＫｒＦ光、電子線及びＥＵＶ光を用い、高解像かつ高エッチング耐性を有し、更に現像残渣欠陥が低減されたネガ型のパターンを形成可能なパターン形成方法、その方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び感活性光線性又は感放射線性膜を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位を含有し、且つ、芳香族基を含有する、酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物、及び、（Ｃ）溶剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、膜を形成する工程、該膜を露光する工程、露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像することによりネガ型パターンを形成する工程を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】浸漬フォトリソグラフィのための新規な組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】（ａ）基体の上にフォトレジスト組成物を適用する工程、（ｂ）適用したフォトレジスト組成物を流体組成物で処理する工程、並びに（ｃ）フォトレジスト層を、フォトレジスト組成物を活性化する放射線に浸漬露光する工程を含む、フォトレジスト組成物の処理方法。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜べりを抑制する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。
（もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び露光ラチチュードに優れ、パターンサイズの現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位（ａ１）を樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２０モル％以上有する樹脂（Ｐ）、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）膜を露光する工程、及び（ウ）露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。
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【課題】ネガ現像において得られる親水性有機化合物で形成されるレジストパターンに適用できるだけでなく、従来のポジ現像で得られる疎水性化合物からなるレジストパターンにも適用できるレジスト下層膜形成用組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分：下記繰り返し単位を有するフェノール性水酸基発生可能な重合体、該重合体の加水分解物、及び前記重合体の加水分解縮合物のうち少なくとも一つ以上、及び


（Ｂ）成分：特定の加水分解性ケイ素化合物を含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物を含むものであることを特徴とするケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高いパターン形成方法を提供する。
【解決手段】単糖類のヒドロキシ基の１つがメタクリルエステルとして結合し、残りのヒドロキシ基が酸不安定基で置換された（メタ）アクリレートの繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の面方向における断面形状に関して整形性が良好な（変形度が低い）コンタクトホールを形成できるパターン形成方法、並びに、これを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（１）基板上に、（Ａ）化学増幅型レジスト組成物によって、レジスト膜を形成する工程、（２）露光して、ラインアンドスペースの潜像を形成する工程、（３）第１の加熱処理を行う工程、（４）第２のラインアンドスペースの潜像を、前記第１のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向と交差するように形成する工程、（５）第２の加熱処理を行う工程、及び、（６）前記第２の加熱処理が行われたレジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像を行う工程を、この順で有するパターン形成方法、並びに、このパターン形成方法を用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】溶媒の冷却や溶解時の加熱を必要とせず、乾燥時間と溶解時間の合計の工程通過時間を短縮できるようにした、リソグラフィー用重合体溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】重合溶媒の存在下に、重合開始剤を使用して、単量体をラジカル重合させて重合反応溶液を得る重合工程と、前記重合反応溶液を重合体に対する貧溶媒と混合し、重合体を析出させて析出物を得る回収工程と、前記析出物を固形分含有量が６５〜９０質量％の範囲内となるように乾燥させて、微乾燥粉末を得る微乾燥工程と、前記微乾燥粉末を、重合体に対する良溶媒に溶解させる溶解工程とを有し、前記溶解工程において、前記微乾燥粉末の温度が０〜４５℃であり、前記良溶媒の温度が０〜４０℃である、リソグラフィー用重合体溶液を製造する。 （もっと読む）

【課題】良好なラインウィズスラフネス（Ｌｉｎｅ Ｗｉｄｔｈ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ：ＬＷＲ）を有し、かつ矩形なプロファイルを有するパターンを形成し得るパターン形成方法、それにより形成される積層レジストパターン、前記パターン形成方法に好適に用いられる有機溶剤現像用の積層膜、前記パターン形成方法に好適に用いられるレジスト組成物、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）基板上に第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて第１の膜を形成する工程、
（イ）前記第１の膜上に、前記樹脂組成物（Ｉ）とは異なる第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いて第２の膜を形成する工程、
（ウ）前記第１の膜と前記第２の膜とを有する積層膜を露光する工程、及び
（エ）前記露光された積層膜における前記第１の膜と前記第２の膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ネガ現像において得られるレジストパターンに適用できるだけでなく、ポジ現像で得られるレジストパターンにも適用できるレジスト下層膜形成用組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）一般式（１）で表される加水分解性ケイ素化合物と一般式（２）で表される加水分解性化合物とを含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、及びＲ^１_ｍ１Ｒ^２_ｍ２Ｒ^３_ｍ３Ｓｉ（ＯＲ）_{（４−ｍ１−ｍ２−ｍ３）}（１）Ｕ（ＯＲ^４）_ｍ４（ＯＲ^５）_ｍ５（２）（Ｂ）一般式（３）で表される加水分解性ケイ素化合物と一般式（４）で表される加水分解性ケイ素化合物とを含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、Ｒ^６_ｍ６Ｒ^７_ｍ７Ｒ^８_ｍ８Ｓｉ（ＯＲ^９）_{（４−ｍ６−ｍ７−ｍ８）}（３）Ｓｉ（ＯＲ^１０）_４（４）を含むケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】 ラフネス性能、露光ラチチュード、耐膜減り性能及びパターン寸法の面内均一性に優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び感活性光線性又は感放射線性膜を提供すること。
【解決方法】 （ア）シクロデキストリン骨格と酸分解性基を有する化合物（Ａ）、及び、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）露光した前記膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング耐性及び露光ラチチュード（ＥＬ）のいずれにも優れるパターン形成方法、該パターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該パターン形成方法により形成されるレジスト膜、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）多環芳香族基を有する繰り返し単位（ａ）及び酸の作用により分解してカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位（ｂ）を有する樹脂（Ａ）、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
（イ）該膜をＡｒＦエキシマレーザーにより露光する工程、及び
（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を有するパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なフォトレジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】分岐状アルキレン基もしくは脂環式基上のヒドロキシ基が酸不安定基で置換された側鎖を有するアクリル系繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】上記パターン形成方法で得られるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】パターン形成装置と塗布現像装置との間における基板の搬送スループットの向上に有利となるパターン形成装置および塗布現像装置を提供する。
【解決手段】このパターン形成装置は、隣設される塗布現像装置との間で基板の受け渡しを実施する。パターン形成装置側の第１制御部は、基板に対してパターン形成処理を開始するに際し、第１搬送ハンド３５の動作を開始させたとき、またはその後、塗布現像装置側の第２制御部に対して、新たな基板の受け渡し動作を予告する第１信号（Ｓ４１−２）を送信して予め第２搬送ハンド５２の動作を開始させ、第２搬送ハンド５２の動作中に、第２搬送ハンド５２の動作を要求する第２信号（Ｓ４１−４）を送信する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト膜のパターン形成工程における膜減りを抑制すると共に、得られるパターンのＬＷＲを低減でき、露光余裕度（ＥＬ）、焦点深度（ＤＯＦ）等を指標としたリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを形成することができるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）フォトレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、（２）上記レジスト膜を露光する工程、及び（３）上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含有するネガ型現像液で現像する工程を含むパターン形成方法であって、上記フォトレジスト組成物が、［Ａ］酸の作用により解離する酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有し、この酸解離性基の解離により上記現像液に対する溶解性が減少する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有し、上記現像液が含窒素化合物を含むことを特徴とするパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用途のために、改良された（すなわち、低減された）ライン幅ラフネスを有するフォトレジストポリマーを提供する。
【解決手段】ポリマーは、酸脱保護性モノマー、塩基可溶性モノマー、ラクトン含有モノマーおよび光酸生成モノマーを含むモノマー；下記式の連鎖移動剤；並びに場合によって開始剤の重合生成物を含む：


式中、Ｚはｙ価のＣ_１−２０有機基であり、ｘは０または１であり、Ｒ^ｄは置換もしくは非置換のＣ_１−２０アルキル、Ｃ_３−２０シクロアルキル、Ｃ_６−２０アリール、またはＣ_７−２０アラルキルである。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位及び／又は酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位とオキシラン環又はオキセタン環を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）