【課題】ＥＵＶ用途のために、改良された（すなわち、低減された）ライン幅ラフネスを有するフォトレジストポリマーを提供する。
【解決手段】ポリマーは、酸脱保護性モノマー、塩基可溶性モノマー、ラクトン含有モノマーおよび光酸生成モノマーを含むモノマー；下記式の連鎖移動剤；並びに場合によって開始剤の重合生成物を含む：


式中、Ｚはｙ価のＣ_１−２０有機基であり、ｘは０または１であり、Ｒ^ｄは置換もしくは非置換のＣ_１−２０アルキル、Ｃ_３−２０シクロアルキル、Ｃ_６−２０アリール、またはＣ_７−２０アラルキルである。 （もっと読む）

【課題】パターン寸法の微細化を達成でき、且つ、パターン均一性を向上できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターン上に被覆形成剤を塗布して被覆膜を形成する工程、前記レジストパターンの軟化点よりも低い温度で熱処理を行い、被覆膜を熱収縮させて前記レジストパターン間の間隔を狭める工程、及び前記被腹膜を除去する工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としての機能を有するとともに、パターン転写性能及びエッチング耐性に優れ、微細化したパターンの転写時においてもパターンが曲がらないレジスト下層膜形成方法及びそれに用いるレジスト下層膜用組成物並びにパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本レジスト下層膜形成方法は、レジスト下層膜用組成物（例えば、フェノール性水酸基を有する化合物、溶剤及び促進剤を含有する組成物等）を被加工基板に塗布する塗布工程と、得られた塗膜を、酸素濃度が１容量％以上、且つ温度が３００℃以上の酸化性雰囲気下において成膜させる成膜工程と、を備えるものである。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基により保護された部分構造を有する繰り返し単位を含有するベース樹脂と光酸発生剤と架橋剤と有機溶剤を共に含み、架橋剤がオキシラン環又はオキセタン環から選ばれる官能基を分子内に２つ以上有する化合物であるレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、有機溶剤現像において解像性が高く、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像を用いて形成されるネガ型レジストパターンの形成方法として最適なパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、ケイ素含有膜形成用組成物を用いて被加工体上にケイ素含有膜を形成する工程(Ｂ)と、該ケイ素含有膜上に化学増幅型レジスト組成物を用いてフォトレジスト膜を形成する工程(Ｃ)と、加熱処理後に高エネルギー線で前記フォトレジスト膜を露光する工程(Ｄ)と、有機溶剤の現像液を用いて前記フォトレジスト膜の未露光部を溶解させることによりネガ型のパターンを得る工程(Ｆ)を含むパターン形成方法において、前記ケイ素含有膜形成用組成物として、前記フォトレジスト膜が露光された時に、該露光部に対応する前記ケイ素含有膜の露光後の純水に対する接触角が３５度以上７０度未満となるものを用いる。 （もっと読む）

【解決手段】ベース樹脂として、特定の開環メタセシス重合体水素添加物［Ａ］と、特定の（メタ）アクリル酸エステル樹脂［Ｂ］とを含有するレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、有機溶剤現像における溶解コントラストが高く、また、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す。このレジスト組成物を用いて有機溶剤現像によるネガ型パターン形成を行うことにより、微細トレンチパターンやホールパターンのマスク寸法忠実性や露光ショット内寸法均一性を向上させると共に、高い耐ドライエッチング性を発揮することが可能となる。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された部分構造を有する繰り返し単位とラクトン構造を有する繰り返し単位とから構成される開環メタセシス重合体水素添加物をベース樹脂として含有するレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤含有現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の開環メタセシス重合体水素添加物を含むレジスト組成物は、有機溶剤現像における溶解コントラストが高く、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す。このレジスト組成物を用いて有機溶剤現像によるネガ型パターン形成を行うことで、微細トレンチパターンやホールパターンの解像性能を向上させると共に、高い耐ドライエッチング性を発揮することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセスにおいて、中間層膜のシリコン（Ｓｉ）の含有率を高くした場合でも、上層のレジストパターンを形成した後の現像欠陥が発生せず、従って、歩留まりを向上できるようにする。
【解決手段】下層膜２の上にシリコンを含有する中間層膜３、４及び上層レジスト膜５を形成する。続いて、露光された上層レジスト膜５を現像して、上層レジスト膜から上層レジストパターン５ａを形成する。上層レジストパターンをマスクとして、中間層膜３、４をエッチングすることにより、中間層膜から中間層パターン３ａ、４ａを形成する。中間層パターンをマスクとして下層膜２をエッチングし、下層膜からエッチングパターン２ａを形成する。中間層膜３、４は、第１のシリコン含有率を有する下層中間層膜３と、該下層中間層膜の上に形成され、第１のシリコン含有率よりも低い第２のシリコン含有率を有する上層中間層膜４を含む。 （もっと読む）

【課題】無機膜上に形成するレジストパターンの形成性及びエッチング選択比に優れ、レジスト膜を薄膜化する場合においても忠実なパターン転写が可能な多層レジストプロセス用無機膜形成組成物、並びにパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］加水分解性基を有する金属錯体（Ｉ）、加水分解性基を有する金属錯体（Ｉ）の加水分解物及び加水分解性基を有する金属錯体（Ｉ）の加水分解縮合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物、並びに［Ｂ］有機溶媒を含有する多層レジストプロセス用無機膜形成組成物であって、［Ａ］化合物が、第３族元素、第４族元素及び第５族元素からなる群より選択される少なくとも１種の金属元素を含有し、かつこの金属元素の含有割合が、［Ａ］化合物に含まれる金属元素及び半金属元素の合計量に対し５０モル％以上であることを特徴とする多層レジストプロセス用無機膜形成組成物である。 （もっと読む）

【課題】優れたエッチング耐性、高い耐熱性等を有するレジスト下層膜を形成する。
【解決手段】一般式（１）で表されるビフェニル誘導体。


（Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環を表す。ｘ、ｚはそれぞれ独立に０又は１を表す。） （もっと読む）

【課題】パターン表面に残留または再付着する異物の除去、パターン倒れ防止、及び、パターンラフネスの改善をすることができるリソグラフィ用リンス液を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、一般式（ａ）：
Ｒｆ^ａ−Ｙ （ａ）
（式中、Ｒｆ^ａは、炭素原子−炭素原子間に酸素原子が挿入された、炭素数４〜５０の直鎖又は分岐の含フッ素アルキル基である。Ｙは、−ＣＯＯＭ、−ＳＯ_３Ｍ、−ＣＯＭ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、又は、−Ｈであり、Ｍは、−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ＮＨ_４又は１価のアルカリ金属である。）で表される化合物（Ａ）、並びに、水溶性有機溶媒及び水からなる群より選択される少なくとも１種の媒体（Ｂ）からなることを特徴とするリソグラフィ用リンス液である。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜の提供。
【解決手段】（ア）下記一般式（Ｉ）で表される酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。
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【課題】所望の形状のレジストパターンを高精度に形成することができるレジストパターンの形成方法、立体構造の製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンの形成方法は、支持部１０上に、多層レジスト２０を形成する工程と、多層レジスト２０に第１の波長の第１の光による露光を施す工程と、多層レジスト２０に第１の波長と異なる第２の波長の第２の光による露光を施す工程と、露光が施された多層レジスト２０に現像処理を施すことによって、レジストパターンを形成する工程とを有し、複数のレジスト層は、第１の光による露光によって第１の現像可溶領域２３が形成される第１のレジスト層２１と、第２の光による露光によって第２の現像可溶領域２４が形成される第２のレジスト層２２とを含み、レジストパターンを形成する工程は、多層レジスト２０から第１及び第２の現像可溶領域２１，２２を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】パターンの微細化、特に、ＳＲＡＭのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、２８ｎｍテクノロジノードにおいては、ＡｒＦによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、最初に、第１のレジスト膜を用いて、隣接ゲート電極間切断領域のエッチングを実行し不要になった第１のレジスト膜を除去した後、第２のレジスト膜を用いて、ライン＆スペースパターンのエッチングを実行するものである。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れ、表面粗さ、および表面欠陥を改良することができる、リソグラフィー用リンス液とそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくともスルホン酸と、アルキレンオキシ基を有する非イオン性界面活性剤と、水とを含むリソグラフィー用リンス液と、それを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】パターンの微細化、特に、ＳＲＡＭのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、２８ｎｍテクノロジノードにおいては、ＡｒＦによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、ハードマスクに対して、２枚のレジスト膜を用いて、ライン＆スペースパターンおよび隣接ゲート電極間切断領域パターンのパターニングを実行し、パターニングされたハードマスクを用いて、ゲート積層膜のエッチングを実行するものである。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー用共重合体の、パターン形成における性能を、パターンを形成せずに評価する方法を提供する。
【解決手段】下記工程（１）〜（３）を含むリソグラフィー用共重合体の評価方法。
（１）リソグラフィー用共重合体と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含むリソグラフィー組成物を用いて、基材上に薄膜を形成する工程。
（２）前記薄膜を露光した後、現像する工程。
（３）現像後、現像処理した薄膜の表面状態を評価する工程。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュード及び耐ドライエッチング性能に優れたネガ型パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位を、樹脂中の全繰り返し単位に対して６５モル％以上有し、かつ下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、ネガ型パターンを形成する工程を含む、ネガ型パターン形成方法。
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【課題】孤立コンタクトホールパターンを形成する際の焦点深度マージン（ＤＯＦ）に優れたレジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びネガ型パターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ−ａ）又は（Ｉ−ｂ）により表される繰り返し単位（ａ）及び（メタ）アクリル酸の三級アルコールとのエステルから誘導される繰り返し単位（ｂ）を含み、アルコール性ヒドロキシル基を備えた繰り返し単位を実質的に含まない樹脂（Ａ）と、特定のトリフェニルスルホニウム塩化合物（Ｂ）とを含有するレジスト組成物。
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【課題】有機溶媒の混合物を含むフォトレジスト現像剤組成物の提供。
【解決手段】特定の組み合わせの有機現像剤のネガティブトーン現像を用いたフォトリソグラフィパターンを形成する方法により、個々の現像剤の良くない特性を回避するかもしくは最小限にしつつ、優れたリソグラフィ性能を提供できる。 （もっと読む）