【課題】良好なパターン形状を得ることが可能で、水等の液浸露光液に溶出し難く、液浸露光液との後退接触角が大きく、現像欠陥を生じ難いレジスト被膜の材料である感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ１）を有する第一の重合体を含む重合体成分と、（Ｂ）溶剤と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。


（一般式（１）中、Ｒ^１は、水素原子等を示す。Ｒ^２及びＲ^３は、相互に独立に、炭素数４〜２０の１価の脂環式炭化水素基等を示す。Ｒｆは、少なくとも１つのフッ素原子を有するともに、ＣＯＯＲ^４で表される基を有する有機基等を示す。） （もっと読む）

【課題】レジストパターン形成における液浸露光プロセスに好適で、かつ有機溶剤による現像にも適している感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】有機溶剤（Ｘ）で現像を行うレジストパターン形成方法に用いられる感放射線性樹脂組成物であって、重合体（Ａ）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）と、溶剤（Ｃ）とを含有し、上記重合体（Ａ）は、側鎖にラクトン構造もしくはカーボネート構造を有する特定のアクリル系繰り返し単位を含むことを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】液浸露光時における疎水性を確保しつつアルカリ現像時における親水性を向上させることができ、未露光部の現像欠陥を抑制し得ることに加えて、現像後のパターン形状に優れるレジスト塗膜を与えることが可能な感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】酸解離性基を有する重合体（Ａ）と、放射線照射により酸を発生する酸発生剤（Ｂ）と、下記一般式（ｘ）で表される官能基及びフッ素原子を有する重合体（Ｃ）と、を含有し、前記重合体（Ｃ）は、前記重合体（Ａ）よりもフッ素原子含有量が高い重合体である感放射線性樹脂組成物。


［一般式（ｘ）中、Ｒ^１はアルカリ解離性基、Ａは酸素原子（但し、芳香環、カルボニル基及びスルホキシル基に直結するものを除く。）、イミノ基、−ＣＯ−Ｏ−＊又は−ＳＯ_２−Ｏ−＊（「＊」はＲ^１に結合する結合手を示す。）を示す。］ （もっと読む）

【課題】良好な焦点深度をはじめとする良好な解像度を提供する新規のフォトレジストシステムの提供。
【解決手段】樹脂、光活性成分、およびフェノール系成分；を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し；並びにイオンを前記基体に適用する；ことを含む、イオン注入された半導体基体を提供する方法 （もっと読む）

【解決手段】（ｉ）下記（Ａ）〜（Ｃ）成分含有の化学増幅ポジ型レジスト材料を基板に塗布しレジスト層を形成する工程、
（Ａ）ヒドロキシスチレン単位、およびｐ-アミロキシスチレン化合物単位、および/又はスチレン化合物単位、および/又はアルキル（メタ）アクリレート単、のの繰り返し単位を有するＭｗ１，０００〜５００，０００の高分子化合物、
（Ｂ）光酸発生剤、
（Ｃ）アゾベンゼン構造含有化合物、
（ｉｉ）加熱処理後、フォトマスクを介して放射線又は電子線で露光する工程、
（ｉｉｉ）加熱処理後、現像する工程、を有し、現像後の断面パターン形状においてパターン側壁が基板面に対し７０°以上８７°未満の角度面を有すレジストパターン形成方法。
【効果】保存安定性が高く、プロセス適応性を有し、パターン側壁角度の制御性能に優れ、高解像度で電解メッキ耐性を与えるレジストパターンを形成し得る。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて、２回目以降のパターニングの影響を受けにくいレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いる樹脂の精製方法を提供すること。
【解決手段】支持体上に、樹脂（Ａ１）と有機溶剤（Ｓ１）とを含有する第一のレジスト材料を用いて第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、樹脂（Ａ２）と、該樹脂（Ａ２）を溶解し且つ前記樹脂（Ａ１）を溶解しない有機溶剤（Ｓ２）とを含有する第二のレジスト材料を用いてレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法であって、前記樹脂（Ａ１）を、該樹脂（Ａ１）を溶解せず且つ前記樹脂（Ａ２）を溶解する有機溶剤（Ｗ）を含有する洗浄液で洗浄することにより精製して前記第一のレジスト材料に配合することを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】現像性が改善され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好なパターンを形成することが可能な感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する樹脂（Ｂ）と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ａ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。


（式中、Ｘは、置換基を有していてもよいアルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｙは、電子求引性基を表す。Ｒｆは、構成炭素上の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を表す。ｎは、０以上の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】 塗布欠陥、塗布膜厚均一性、ＰＥＢＳ性能に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する構造部位（Ｓ１）と、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中への溶解速度が増大する構造部位（Ｓ２）とを備えた繰り返し単位（Ａ）を含む樹脂（Ｐ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であり、前記溶剤として、下記Ｘ群およびＹ群に列挙された溶剤のうち少なくとも１種を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
（Ｘ群）アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、乳酸アルキルエステル類、アルコキシ酢酸アルキル類、アルコキシプロピオン酸アルキル類、ピルビン酸アルキル類、酢酸アルキルエステル；
（Ｙ群）環状ラクトン類、アルキレンカーボネート類。 （もっと読む）

【課題】スキャンスピードが高速（例えば、７００ｍｍ／ｓ）であっても水残りを抑制でき、さらに液浸液と上層膜との界面におけるバブルの発生をも抑制することのできる液浸上層膜を形成できる上層膜形成用組成物の提供。
【解決手段】液浸上層膜形成用組成物は、下記一般式（１−１）で表される繰り返し単位および（１−２）で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる少なくとも一種、炭化水素基を有する繰り返し単位およびフッ素置換炭化水素基を有する繰り返し単位を含有する重合体（Ａ）と溶剤（Ｓ）とを含む。


（一般式（１−１）及び（１−２）中、Ｒ^１は水素原子等を示す。Ｒ^２及びＲ^３は互いに独立に単結合又は炭化水素基を示し、Ｒ^４はフッ素原子置換炭化水素基を示す。） （もっと読む）

【課題】経時安定性、現像欠陥性能、及びラフネス特性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含み且つ酸の作用により有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、溶剤とを含有し、カールフィッシャー法により測定された水分含有率が１．０質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】 パターン形状及び露光ラチチュード（Exposure Latitude）の改善とブリッジ欠陥の低減との両立を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する構造部位（Ｓ１）と、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中への溶解速度が増大する構造部位（Ｓ２）とを備えた繰り返し単位（Ａ）を含んだ樹脂（Ｐ）と、プロトンアクセプター性官能基を有し、且つ、活性光線又は放射線の照射により分解して、プロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物（ＰＤＡ）とを含有している。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、前記第一のレジストパターンを溶解しない有機溶剤を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜を形成し、アルカリ現像することにより、前記第一のレジストパターンを除去してパターンを形成する工程とを有し、前記化学増幅型ポジ型レジスト組成物は、酸発生剤成分（Ｂ）と、酸解離性溶解抑制基を有する基材成分（Ａ）とを含有し、前記パターン反転用組成物は、前記（Ａ）成分中の酸解離性溶解抑制基を解離し得る酸成分（Ｈ）と、酸解離性溶解抑制基を有さない基材成分（Ａ”）とを含有し、前記パターン反転用膜は、アルカリ現像液に対する溶解速度が０．３〜３．５ｎｍ／秒であるパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターンニングに用いられ、水等の液浸露光プロセスにも好適に用いられる感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】所定の工程としてダブルパターニングを行うことを含むレジストパターン形成方法で用いられ、（ａ）ラクトン構造もしくは環状カーボネート構造を有する繰り返し単位を含み、さらに酸不安定基を有する繰り返し単位を含む重合体と、（ｂ）感放射線性酸発生剤と、（ｃ）溶剤と、を含有する感放射線性組成物。 （もっと読む）

【課題】露光ラチチュード（ＥＬ）及びフォーカス余裕度（ＤＯＦ）に優れ、線幅バラツキ（ＬＷＲ）及び残渣欠陥を低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】 （ア）（Ａ）実質的にアルカリ不溶性であるとともに、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、並びに、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。 （もっと読む）

【課題】解像力に優れ、露光ラチチュード（ＥＬ）が広く、また線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さいパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記化学増幅型レジスト組成物が、（Ａ）樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）で表される酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤、及び、（Ｄ）溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法。式（Ｉ）中、Ａは、環状の有機基を表す。その他の各符号は所定の構造を表す。
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【課題】線幅バラツキに優れたパターンを形成できるとともに、露光ラチテュード及び、感度に優れたパターン形成方法及びこれに用いる化学増幅レジスト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物、（Ｃ）架橋剤、及び、（Ｄ）溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物の膜を露光し、有機溶剤を含む現像液を用いて現像するパターン形成方法。


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【課題】 スカム及びウォーターマーク欠陥が少ないパターンの形成を可能とする。
【解決手段】 本発明に係るパターン形成方法は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂（Ａ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）と、フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含んだ樹脂（Ｃ）とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、前記膜を露光することと、前記露光された膜を、濃度が２．３８質量％未満であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像することとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造の特にコンタクトホールパターン形成において、現像欠陥を充分に低減できるとともに、焦点深度（ＤＯＦ）に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）特定構造を有する繰り返し単位を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）２つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位を含有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂感光性組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 露光ラチチュード（ＥＬ）及び現像欠陥性能に優れたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るパターン形成方法は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂（Ａ）と、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（ＬＤ）により表される部分構造を備えた酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、前記膜を露光することと、前記露光された膜を、濃度が２．３８質量％未満であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像することとを含んでいる。
【化１】
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