【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュードに優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位を、樹脂中の全繰り返し単位に対して６５モル％以上有し、かつ下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位を有する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含む、パターン形成方法。
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【課題】リンス液を用いずに、かつ有機現像処理の時間差の影響を受けずに回路パターンの微細線幅の安定化及びスループットの向上を図れるようにした有機現像処理方法及び有機現像処理装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後のウエハＷの表面に現像液を供給して現像を行う現像処理において、ウエハＷの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液を吐出する現像ノズル３０と、ウエハＷの表面全域に現像停止及び乾燥用のＮ２ガスを吐出するガスノズル４０と、を具備する。現像ノズル３０からウエハＷの表面全域に現像液を吐出してウエハＷの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液の液膜を形成した後、ガスノズル４０からウエハＷの表面全域にＮ２ガスを吐出して、現像の停止を行うと共に、現像液を除去してウエハＷの乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】ポジ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて安定に形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜を露光する工程、及び該レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたポジ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、（Ａ）成分として、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位を有する樹脂成分を用い、現像液として極性有機溶剤を含み、実質的にアルカリ成分を含まない現像液を用いる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶリソグラフィーにおいて、リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたＥＵＶ用レジスト組成物、該ＥＵＶ用レジスト組成物の製造方法、および該ＥＵＶ用レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】２４８ｎｍのＫｒＦ光での感度Ｅ０_ＫｒＦが、ＥＵＶ光での感度Ｅ０_ＥＵＶより大きいことを特徴とするＥＵＶ用レジスト組成物。２４８ｎｍのＫｒＦ光での感度Ｅ０_ＫｒＦが、ＥＵＶ光での感度Ｅ０_ＥＵＶより大きくなるように前記レジスト組成物を調製する工程を有することを特徴とするＥＵＶ用レジスト組成物の製造方法。支持体上に、前記ＥＵＶ用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をＥＵＶ露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となる高分子化合物、
（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）パーフルオロアルキルエチレンオキシド付加物からなる非イオン性含フッ素界面活性剤及びパーフルオロポリエーテル基を含有し且つポリオキシアルキレン型ポリエーテル結合を有する非イオン性含フッ素オルガノシロキサン系化合物の中から選ばれる少なくとも１種の非イオン性含フッ素化合物
を含有する波長１５０ｎｍ以上の紫外線を露光光源とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
【効果】本発明によれば、スカムを形成しないレジスト材料であって、塗布均一性に優れ、基板周辺部で膜厚が極端に厚くなる現象であるＥｄｇｅ Ｃｒｏｗｎを抑えることのできる化学増幅型レジスト材料を提供することができる。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、
（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）塩基性成分として窒素を含有する化合物
を含有するポジ型である化学増幅型レジスト組成物のレジスト膜を得る工程と、パターン露光する工程と、現像する工程と、更に現像により得られたパターンの線幅を１０％以上変化させない範囲で加熱によるパターン形状補正を行う工程を含むパターン形成方法において、上記組成物は、酸不安定基で保護された酸性官能基を有する分子量８００以下の軟化促進剤を２．５〜２０質量％で含有する組成物であるレジストパターン形成方法。
【効果】本発明のレジストパターン形成方法では、現像により得られたパターンを熱変形させて、パターンの線幅を１０％以上変化させない範囲でレジストパターン形状の微細な荒れの修正を安定して行える。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ性能を向上するためにフォトレジストパターンを被覆するための組成物、並びに基材上に像を形成するためにこのような被覆用組成物を使用する方法を提供する。
【解決手段】ポジ型化学増幅型レジスト中のフォトレジストパターンを被覆するための水性被覆用組成物であって、前記水性被覆用組成物は、第一級アミン（−ＮＨ２）を含むポリマーを含み、前記水性被覆用組成物は、塩基性でありかつ架橋性化合物を含まず、更に、フォトレジストは、前記アミノ基と反応できるラクトンまたは酸無水物官能基を含むフォトレジストポリマーを含み、更に水性被覆用組成物は、フォトレジストパターンの厚さを増大させるものである。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＮ、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウムおよび他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な接着性を示しうるイオン注入リソグラフィ適用に特に有用な新規フォトレジストの提供。
【解決手段】１）樹脂、２）光活性成分、および３）多ケト成分を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し、並びにイオンを前記基体に適用する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物の少なくともいずれかと、水とを少なくとも含有するレジストパターン改善化材料である。
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【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体１上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する１つ又は複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターン２を形成する工程（１）と、ポジ型レジストパターン２が形成された支持体１上に、前記ポジ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤（Ｓ）を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜６を形成する工程（２）と、パターン反転用膜６を、ポジ型レジストパターン２を溶解する有機溶剤現像液を用いて現像することにより、ポジ型レジストパターン２を除去してレジストパターンを形成する工程（３）と、を含むパターン形成方法であって、工程（３）の現像時において、パターン反転用膜６の前記有機溶剤現像液に対する溶解度は、ポジ型レジストパターン２の前記有機溶剤現像液に対する溶解度よりも小さいことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法により良好なパターンを得ることができるレジストパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】（１）〜（１１）の工程；（１）第１のレジスト膜を得る工程（２）プリベークする工程（３）露光処理する工程（４）ポストエクスポージャーベークする工程（５）現像して第１のレジストパターンを得る工程（６）第１のレジストパターンを光に対して不活性化させる工程、或いは、アルカリ現像液又は第２のレジスト組成物に対して不溶化させる工程（７）第１のレジストパターンの上に、第２のレジスト組成物を、３００〜３０００ｒｐｍの回転数でスピンコートし、乾燥して第２のレジスト膜を得る工程（８）プリベークする工程（９）露光処理する工程（１０）ポストエクスポージャーベークする工程（１１）現像して第２のレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、化学増幅型レジスト組成物により膜厚が２００ｎｍ以上の膜を形成し、該膜を露光、現像するパターン形成方法において、膜の抜け性を向上させ、現像後に発生する基板上での残渣を低減すると共に、残渣欠陥の低減及び解像度にも優れたネガ型パターン形成方法、及び該ネガ型パターン形成方法により形成されるレジストパターンを提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物により膜厚が２００ｎｍ以上の膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液で現像する工程、を含むネガ型パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 ラフネス特性、フォーカス余裕度、ブリッジ欠陥性能、及び、感度の露光後加熱（ＰＥＢ）温度依存性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた第１繰り返し単位を含み且つ酸の作用により有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する第１化合物と、溶剤と、フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含み、塩基性を有するか又は酸の作用により塩基性が増大する第２化合物とを含有している。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィーのための信頼性があり、かつ便利なフォトレジストおよび画像化法を提供する。液浸リソグラフィー処理ならびに非液浸画像化用をはじめとするフォトレジスト上に適用されるオーバーコーティング層組成物を提供する。
【解決手段】基体上のフォトレジスト組成物層、該フォトレジスト層上の、１以上の親水性基を含むコポリマー樹脂を含む有機組成物を含む、コーティングされた基体。 （もっと読む）

【課題】特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物、並びに下記一般式（２）で示される１種以上の化合物及び／又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。


ＯＨＣ−Ｘ−ＣＨＯ（２） （もっと読む）

【課題】ＰＥＢ温度が低温であっても、感度等に優れ、ＬＷＲ、ＤＯＦ等のリソグラフィー性能が高度にバランスし、エッチング耐性をも十分に満足する化学増幅型レジスト用の感放射線性樹脂組成物、そのパターン形成方法、その重合体、及び化合物を提供する。
【解決手段】［Ａ］下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）を有する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。
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【課題】有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、パターンの線幅均一性及び感度の現像時間依存性のいずれにも優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）樹脂中の全繰り返し単位に対して、アルコール性水酸基を有する繰り返し単位を３５モル％以上含有し、かつ酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含み、形成されるパターンがネガ型である、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】炭素数４〜１１の直鎖アルカンジオールと、水とを少なくとも含有するレジストパターン改善化材料である。レジストパターンを形成後に、該レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン改善化材料を塗布する工程を含むレジストパターンの形成方法である。 （もっと読む）

【解決手段】ナフタレン、フルオレン、フルオレノン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、アントラキノン、キサントン、チオキサントン、ベンゾクマリン、フェナレン-1-オン、アセナフテンから選ばれる芳香族基含有繰り返し単位を有し、酸によりアルカリに溶解する高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第1のレジスト膜を形成する工程と第1のレジスト膜上にアルキルアルコールを溶剤とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して第2のレジスト膜を形成する工程と高エネルギー線で露光、ベーク後現像液を用いて前記第1,2のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】第2層のレジスト膜を第1層レジスト膜と組み合わせることにより第2層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したりイオンを打ち込んだりするときの耐性を高くできる。 （もっと読む）

【課題】 ブロックコポリマーの自己組織化を利用し、低コストで周期パターンと非周期パターンを形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 実施形態のパターン形成方法では、被加工膜上でブロックコポリマーを自己組織化させて第１のブロック相および第２のブロック相を含むパターンを形成する。また、第１の条件で露光と現像を行い第１の領域に存在するブロックコポリマー全体を除去し、第１の領域以外の領域に第１のブロック相および第２のブロック相を含むパターンを残存させる。また、第２の条件で露光と現像を行い第２の領域に存在する第１のブロック相を選択的に除去し、第１の領域以外の領域と第２の領域以外の領域との重なり領域に第１のブロック相および第２のブロック相を含むパターンを残存させる。また、重なり領域を除く第２の領域に第２のブロック相のパターンを残存させ、残存したパターンをマスクとして被加工膜をエッチングする。 （もっと読む）