【課題】二重露光によるパターンニングに用いられ、上層膜を別途形成する必要がなく、水等の液浸露光プロセスにも好適に用いられることが可能であり、第一のレジスト層を形成するために好適に用いられる感放射線性組成物を提供すること。
【解決手段】第一の感放射線性組成物を用いて第一のレジストパターンを形成する工程（１）と、第一のレジストパターンを、レジストパターン不溶化樹脂組成物を用いて第二の感放射線性組成物に対して不溶化させる処理をする工程（２）と、第二の感放射線性組成物を用いて第二のレジストパターンを形成する工程（３）と、を含むレジストパターン形成方法の工程（１）で用いられる、（Ａ）酸解離性基を有する繰り返し単位（１）を含む重合体と、（Ｅ）フッ素原子を有する繰り返し単位を含む重合体と、（Ｃ）感放射線性酸発生剤と、（Ｄ）溶剤と、を含有する感放射線性組成物である。 （もっと読む）

【課題】分離パターン、ホールパターンの微細化において、波長限界を超えるパターン形成を可能とする微細分離レジストパターン形成を実現する、下地レジストを溶解しない水溶性のパターン形成材料を提供する。
【解決手段】本パターン形成材料は、カチオン性基を有する水溶性有機化合物を主成分とする組成物と、組成物を溶解する、水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を含有するパターン形成材料であって、水溶性有機化合物中のカチオン性基とレジストパターン中のアニオン性基とが塩形成による不溶化膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、式（I）又は（II）の酸、例えば、相応するスルホニウム塩及びインドニウム塩ならびに相応するスルホニルオキシムを生成する化合物に属し、式（I）又は（II）中、ＸはＣＨ₂又はＣＯであり；ＹはＯ、ＮＲ₄、Ｓ、Ｏ（ＣＯ）、Ｏ（ＣＯ）Ｏ、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ₄ 、ＯＳＯ₂、Ｏ（ＣＳ）又はＯ（ＣＳ）ＮＲ₄ であり；Ｒ₁は、例えばＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₀−ハロアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₁₂−アルケニル、Ｃ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニル、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₃−アルキル、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、中断されているＣ₂〜Ｃ₁₈−アルキル、中断されているＣ_３〜Ｃ₃₀−シクロアルキル、中断されているＣ_３〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、中断されているＣ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールであり、全て非置換であるか又は置換されている；又はＲ₁は、ＮＲ₁₂Ｒ₁₃であり；Ｒ₂とＲ₃は、例えば、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキレン、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキレン、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキレン、Ｃ₁〜Ｃ₁₀−ハロアルキレン、Ｃ₂〜Ｃ₁₂−アルケニレン、Ｃ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニレン、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン又はヘテロアリーレンであり；全て非置換であるか又は置換されている；Ｒ₄は、例えばＣ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₀−ハロアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₁₂−アルケニル、Ｃ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニル、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₃−アルキルであり；Ｒ₁₂とＲ₁₃は、例えばＣ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₀−ハロアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₁₂−アルケニル、Ｃ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニル、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₃−アルキル、Ａｒ、（ＣＯ）Ｒ₁₅、（ＣＯ）ＯＲ₁₅又はＳＯ₂Ｒ₁₅であり；かつＡｒは、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、全て非置換であるか又は置換されている。
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【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、ラインエッジラフネスを低減し、パターン寸法の面内均一性を高め、更にはブリッジマージンに優れたネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）酸の作用により極性が増大し、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｃ）溶剤を含有し、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物から発生する酸のｌｏｇＰ値が、１．５以上１２．０以下であるネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】現像後のＬＷＲが良好で、膜減りを生じ難い感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位と酸解離性基を有する重合体、（Ｂ）感放射線性酸発生剤、及び（Ｃ）フッ素原子を含有する重合体を含む感放射線性樹脂組成物（但し、一般式（１）中、Ｒ^１は水素原子などを示し、Ｒ^２は単結合などを示す。Ｒ^３は３価の有機基を示す）。
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【課題】ダブルパターニング法により良好なパターンを形成することができるレジストパターンの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１のレジストパターン上に第２のレジストパターンを形成するダブルパターニング法によるレジストパターンの製造方法であって、第２のレジスト組成物が、酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、式（Ｉ）で表される光酸発生剤及び式（ＩＩ）で表される光酸発生剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の光酸発生剤とを含有するレジスト組成物であることを特徴とするレジストパターンの製造方法。
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【課題】本発明は、高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、レジスト材料として用いることのできるスルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】式（１）で示されるスルホニウム塩。


（式中、Ｘ、Ｙは重合性官能基を有する基を示す。Ｚはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３３の二価の炭化水素基を示す。Ｒ^１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３６の二価の炭化水素基を示す。Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３０の一価の炭化水素基を示すか、あるいはＲ^２及びＲ^３が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。） （もっと読む）

【課題】高解像度であり、微細空孔を形成でき、弾性率が良好であり、且つ低比誘電率な硬化パターンを形成することができるネガ型感放射線性組成物、並びに、それを用いてなる硬化パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のネガ型感放射線性組成物は、ポリシロキサンと、感放射線性酸発生剤と、下記一般式（ＣＩ）で表される繰り返し単位を有する重合体と、溶剤と、を含有する。


〔一般式（ＣＩ）において、Ｒ^１は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。Ｒ^２は単結合、メチレン基、炭素数２〜５のアルキレン基、アルキレンオキシ基又はアルキレンカルボニルオキシ基を示す。Ｘはラクトン構造又は環状カーボネート構造を有する１価の基を示す。〕 （もっと読む）

【課題】より優れた形状及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基；Ｘ^１は炭素数２〜３６の複素環であり、該複素環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、炭素数１〜２４の炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基又は炭素数２〜４のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該複素環に含まれる−ＣＨ_２−は−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】水性アルカリ性現像剤中で現像が可能な光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物及び、このような組成物の使用方法を提供する。
【解決手段】光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物であって、発色団基、ヒドロキシル及び／またはカルボキシル基、及び酸不安定基を含むポリマー、及び末端ビニルエーテル基を有する架橋剤を含み、更に光酸発生剤を含むかまたは含まない、上記組成物及び、このような組成物の使用方法。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンに対する膨潤作用が小さく、かつ、含まれる成分の析出が抑制されたフォトリソグラフィ用現像液を提供すること。
【解決手段】本発明は、（Ａ）下記一般式（１）で表される塩基性化合物を含むフォトリソグラフィ用現像液である。
（下記一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、互いに結合してヘテロ原子を含んでもよい脂肪環構造を形成し、Ｒ^３及びＲ^４は、分枝を有してもよいアルキル基、又は、互いに結合してヘテロ原子を含んでもよい脂肪環構造を形成する。また、上記一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^４にそれぞれ含まれる炭素原子の数の和は、６〜１３である。）
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【課題】感度及び解像力が高く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、露光ラチチュード（ＥＬ）及びパターン形状に優れたパターンを形成できるパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）２個以上の水酸基を有する繰り返し単位を有する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤、及び（Ｄ）溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。 （もっと読む）

【課題】フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、パターン形状に優れ、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及び化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供することを課題としている。
【解決手段】（ア）化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であり、
前記レジスト組成物が、
（Ａ）樹脂、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｃ）架橋剤
（Ｄ）溶剤、及び、
（Ｇ）フッ素原子及び珪素原子の少なくとも一方を有するとともに、塩基性を有する又は酸の作用により塩基性が増大する化合物
を含有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、パターン形状に優れ、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及び化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供することを課題としている。
【解決手段】（ア）化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であり、
前記レジスト組成物が、
（Ａ）酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｄ）溶剤、及び、
（Ｇ）フッ素原子及び珪素原子の少なくとも一方を有するとともに、塩基性を有する又は酸の作用により塩基性が増大する化合物
を含有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】この樹脂をレジスト組成物に用いることにより、優れたＣＤ均一性を有するパターンを得ることを目的とする。
【解決手段】樹脂、式（１）及び式（２）で表される酸発生剤を含むレジスト組成物。


［式（１）及び（２）中、Ｑ^１〜Ｑ^４はそれぞれ独立にＦ又はＣ_1-6ペルフルオロアルキル基；Ｘ^１及びＸ^２は、単結合又は２価のＣ_1-17飽和炭化水素基；Ｙ^１はアルキル基で置換されていてもよいＣ₃₋₃₆飽和環状炭化水素基；Ｙ^２は、少なくとも１つのＨがヒドロキシ基又はＣ_１−6ヒドロキシアルキル基で置換されているＣ₃₋₃₆飽和環状炭化水素基、Ｃ₃₋₃₆ラクトン／Ｃ₃₋₃₆環状ケトン／Ｃ₃₋₃₆スルトン骨格を有する環状基；Ｐ^１〜Ｐ^３は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいＣ₃₋₃₆芳香族炭化水素基／Ｃ_１−６脂肪族炭化水素基を表し、Ｐ^１〜Ｐ^３のうちの２つが互いに結合して環を形成してもよい。］ （もっと読む）

【課題】低比誘電率の硬化パターンを形成できるネガ型感放射線性組成物、それを用いた硬化パターン形成方法および該硬化パターン形成方法により得られる硬化パターンの提供。
【解決手段】（Ａ）重合体、（Ｂ）感放射線性酸発生剤および（Ｃ）溶剤を含有するネガ型感放射線性組成物であって、前記重合体（Ａ）が、（ａ１）下記一般式（１）で表される加水分解性シラン化合物および（ａ２）下記一般式（２）で表される加水分解性シラン化合物から選ばれる少なくとも一種の加水分解性シラン化合物を加水分解縮合させて得られる重合体であって、重合体（Ａ）に含まれる全ての構成単位の合計を１００モル％とするとき、前記化合物（１）由来の構成単位の含有割合が、８０〜１００モル％であるネガ型感放射線性組成物。


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【課題】レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチングに適したエッチング方法及びエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】優れた透明性を有し、現像欠陥の極めて少ない感放射線レジスト材料の添加剤用樹脂を製造するための単量体を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される含フッ素単量体。
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【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜を露光し、露光後ベークを行い、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程（１）と、前記第一のレジストパターンを、酸性のリソグラフィー用洗浄液を用いて洗浄する工程（２）と、前記の洗浄後の第一のレジストパターンをベークする工程（３）と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜を形成し、アルカリ現像することにより前記第一のレジストパターンを除去してレジストパターンを形成する工程（４）とを有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(ＬＷＲ)、フォーカス余裕度(ＤＯＦ)およびパターン形状に優れる感活性光線または感放射線性樹脂組成物組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 感活性光線または感放射線樹脂組成物を基板上に塗布して膜を形成する工程、マスクを介して該膜を選択的に露光する工程、及び有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法であり、該感活性光線または感放射線樹脂組成物が、(Ａ)酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、(Ｂ)活性光線または放射線の照射によりフッ素原子を含有する酸を発生する光酸発生剤、および(Ｃ)溶剤を含有してなり、光酸発生剤（Ｂ）の含有率が、該組成物の全固形分を基準として８〜２０質量％であるパターン形成方法。 （もっと読む）