【課題】特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種以上の化合物、並びに下記一般式（２）で示される１種以上の化合物及び／又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
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【課題】パターン形成後の他のレジスト組成物からの影響を低減できるポジ型レジスト組成物、並びにレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、及び求核性を有する官能基を２つ以上有する化合物（Ｇ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、アミド結合を有するアクリル酸エステル構成単位(a0-1)、及びα位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸解離性溶解抑制基を含む構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＤＵ（Critical Dimension Uniformity）性能と欠陥性能とを高い水準で両立させることが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（ａ）化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成することと、（ｂ）前記膜を露光することと、（ｃ）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含んでおり、前記現像液は、エステルと炭素数が７以上のケトンとを含有している。 （もっと読む）

【課題】表面極性をリソグラフィ的に変え、自己組織化層によるパターン形成方法の提供。
【解決手段】光酸発生剤を含む感光層の一部分を照射し、発生した酸を隣の下層１２０ａの部分に拡散させる工程。前記下層１２０ａは酸分解可能基、アタッチメント基および官能基を含む酸感受性コポリマーを含む。感光層は下層の表面上に配置されており、拡散させる工程は下層１２０ａおよび感光層を加熱することを含み、下層１２０ａ中の酸感受性コポリマーの酸感受性基は拡散した酸と反応して下層の表面に極性領域を形成し、前記極性領域はパターンの形状を有する。感光層は除去され、下層の表面上に自己組織化層１５０ｂを形成する工程。前記自己組織化層１５０ｂは極性領域に対する親和性を有するブロックと、極性領域に対する親和性が低いブロックとを有するブロックコポリマーを含む。第１もしくは第２のドメインのいずれかを除去し下層の部分を露出させる工程。 （もっと読む）

【課題】表面特性をリソグラフィ的に変え、その上の自己組織化層のパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸分解可能基、アタッチメント基、および官能基を含む酸感受性コポリマーと光酸発生剤とを含む下層２２０ａの部分を照射し、前記酸分解可能基は、下層の照射部分において光酸発生剤から生じた酸と反応して、下層２２０ａの表面に極性領域を形成する。前記極性領域はパターンの形状および寸法を有している。下層２２０ａの表面上に自己組織化層２５０ｂを形成する。前記自己組織化層２５０ｂはブロックコポリマーを含み、前記ブロックコポリマーは、極性領域に対して親和性を有し、極性領域に対して整列する第１のドメインを形成する第１のブロックと、前記第１のドメインの隣に整列する第２のドメインを形成する第２のブロックとを有している。次に第１のドメインもしくは第２のドメインのいずれかを除去して、下にある下層２２０ａの部分を露出させる。 （もっと読む）

【課題】種々のレジストパターンの形成に対応でき、焦点深度、パターン形状、解像性、ＣＤＵ及びパターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）［Ａ］ポリシロキサンを含有するレジスト下層膜形成用組成物を基板上に塗布し、レジスト下層膜を形成する工程、（２）［ａ１］酸の作用により極性が変化して有機溶媒に対する溶解度が減少する重合体を含有する感放射線性樹脂組成物を上記レジスト下層膜上に塗布し、レジスト膜を形成する工程、（３）上記レジスト膜を露光する工程、及び（４）上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含有する現像液を用いて現像する工程を有するレジストパターン形成方法である。上記レジスト下層膜形成用組成物は、［Ｂ］窒素含有化合物をさらに含有することができる。 （もっと読む）

【課題】イマージョンリソグラフィ工程において使用される溶媒に対して安定であり、感度、レジストパターンプロファイル形状に優れるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ１）酸解離性溶解抑制基を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位、（ａ２）ラクトン単位を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位、並びに（ａ４）多環式基を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位を有し、かつ（ａ０）（ａ０−１）ジカルボン酸の無水物含有構成単位及び（ａ０−２）フェノール性水酸基含有構成単位を有さない、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を溶解する有機溶剤（Ｃ）と、含窒素有機化合物（Ｄ）とを含むポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジストパターン形成方法、および該方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、前記（Ａ）として、酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）を用いる。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、感度、現像欠陥低減、パターン形状のいずれにも優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）第三級アルコールとを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥、並びにスカムの発生が改良され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いて形成された感活性光線性または感放射線性膜、および該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、（Ｃ）疎水性樹脂を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、疎水性樹脂（Ｃ）が、下記一般式（１）で表される単量体に由来する繰り返し単位を含むことを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。（式中の各記号は、特許請求の範囲に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、感度、現像欠陥低減、パターン形状のいずれにも優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）レジスト組成物の固形分を基準として３質量％以上の、酸の作用により分解して揮発性が向上する化合物とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー用共重合体の、リソグラフィー用組成物としたときのリソグラフィー特性を、実際にリソグラフィー用組成物を調製しなくても評価できる方法を提供する。
【解決手段】下記工程を含むリソグラフィー用共重合体の評価方法：
（１）リソグラフィー用共重合体を溶媒に溶解させて試験溶液を調製する工程；
（２）前記試験溶液の濁度を測定する工程；
（３）前記試験溶液に貧溶媒を添加する工程；
（４）貧溶媒添加後の試験溶液の濁度を測定する工程；
（５）前記貧溶媒の添加によって、前記試験溶液の濁度が、所定の濁度に変化するまでの貧溶媒添加量を求める工程；
（６）前記工程（５）において求められる貧溶媒添加量により、前記リソグラフィー用共重合体を含む組成物のリソグラフィー特性を評価する工程。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できる有機溶剤系現像液を用いたパターン形成方法及び該方法で用いられるリンス液を提供すること。
【解決方法】（ア）化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、及び（エ）有機溶剤を含み、かつ比重が前記現像液より大きいリンス液を用いてリンスを行う工程を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ前寸法等の解像力、ＤＯＦに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用により分解してアミド基又はチオアミド基を生じる樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜、特には３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜、又は、レジストパターンの側壁に直接珪素酸化膜を形成したり、レジストパターンに珪素酸化膜を形成してポジネガ反転を行う際に用いるレジスト下層膜であり、反射率を低減でき、エッチング耐性が高いレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくともフッ素原子を有するスチレン誘導体単位を、繰り返し単位として含有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】多層レジスト法において、良好なドライエッチングマスクとして使用できるケイ素含有膜を形成でき、特に上層のフォトレジストとのエッチング選択性が良好な熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される１種又は２種以上の加水分解性ケイ素化合物と、下記一般式（２−１）で表される加水分解性ケイ素化合物及び下記一般式（２−２）で表される反応性化合物からなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物とを加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、Ｒ^１_ｍ１Ｓｉ（ＯＲ^２）_{（４−ｍ１）}（１）Ｒ^３_ｍ３Ｓｉ（ＯＲ^４）_{（４−ｍ３）}（２−１）Ｕ（ＯＲ^５）_ｍ５（ＯＲ^６）_ｍ６（Ｏ）_ｍ７／２（２−２）（Ｂ）特定の１種又は２種以上の熱架橋促進剤（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸（Ｄ）有機溶剤を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体２２上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する１つまたは複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターン２０を形成する工程（１）と、前記ポジ型レジストパターン２０が形成された前記支持体２２上に、露光により有機溶剤に対する溶解性が減少するネガ型現像用レジスト組成物を塗布してネガ型現像用レジスト膜２１を形成する工程（２）と、前記ネガ型現像用レジスト膜２１を露光し、前記有機溶剤を含有するネガ型現像液により現像して、前記ポジ型レジストパターン２０を除去するレジストパターンを形成する工程（３）と、を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度の小さいパターンを形成可能とするパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（ａ）化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成することと、（ｂ）前記膜を露光することと、（ｃ）第１有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含んでおり、前記現像液は、粒径が0.3μm以上のパーティクルの密度が30個/ｍＬ以下である。 （もっと読む）

【課題】露光波長に対して強い吸収を持ち、上層のレジスト膜とのインターミキシングを起こさず、さらに上層のレジスト膜がアルカリ現像される際に同時にアルカリ現像されるレジスト下層膜を形成するための組成物の提供。
【解決手段】下記式（１）


（式中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を表し、Ｘは直接結合又はフェニレン基を表し、Ａはナフチル基又はアントラセニル基を表す。）で表される構造単位を有するポリマー、少なくとも２つのビニルエーテル基を有する化合物、光酸発生剤及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくとも、（Ａ）フラーレン骨格を有する物質と電子吸引基含有１，３−ジエン化合物誘導体との反応生成物であるフラーレン誘導体、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）