【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大してネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、１個または２個のフッ素原子を有する酸を発生する光酸発生剤と、（Ｃ）溶剤とを含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの倒れ、ラインエッジラフネス、並びにスカムの発生が改良され、プロファイルの劣化も少なく、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能な感光性レジスト組成物、及び該感光性レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）主鎖にエーテル結合及びフッ素原子を有する樹脂、を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物（Ｐ１）を含むレジスト保護膜材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ^2a及びＲ^2bは水素原子、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ^2aとＲ^2bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成することもできる。Ｒ³は単結合、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基である。Ｒ⁴は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基であり、−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−を含んでもよい。）
【効果】上記レジスト保護膜材料はヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護された構造を含み、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有する。 （もっと読む）

【課題】液浸露光法において用いられる上層膜形成組成物であって、焦点深度を向上させることができ、且つ、良好なパターンを得ることができる上層膜形成組成物および該上層膜形成組成物から得られる上層膜並びに該上層膜を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜の表面上に上層膜を形成するために用いられる上層膜形成組成物であって、該組成物は、前記フォトレジスト膜を現像する現像液に溶解する樹脂成分（Ａ）とアミド基含有化合物（Ｂ）とを含有する上層膜形成組成物である。 （もっと読む）

【課題】ナノエッジラフネスに優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能なレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された、その膜厚が５０ｎｍ以下であるレジスト膜を選択的に露光するとともに、その濃度が１．２質量％以下のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液であるレジストパターン形成用現像液を用いて現像することを含むレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】近年のパターンの更なる微細化要求に対応しうるパターン微細化用被覆剤及びこれを用いた微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成されたレジストパターンを被覆し、微細パターンを形成するために用いられるパターン微細化用被覆剤であって、水溶性ペプチドと、水溶性樹脂と、を含有するパターン微細化用被覆剤。本発明のパターン微細化用被覆剤は水溶性ペプチドを含有するので、パターン微細化用被覆剤による処理の後にディフェクトが発生することなく、従来のパターン微細化用被覆剤に比べて大きな狭小化量により、パターンの狭小化を行うことができる。 （もっと読む）

【解決手段】(Ａ)一般式(１)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、(Ｂ)ラクトン環及び／又は水酸基及び／又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(Ｃ)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(Ｄ)有機溶剤を含有するレジスト材料。


【効果】本発明のレジスト材料は、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂構造の選択により液浸リソグラフィーにおける各種性能の調整が可能で、入手及び取り扱いが容易な原料からの製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】ナノエッジラフネスに優れ、微細なレジストパターンを高精度で安定して形成可能なレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された、その膜厚５０ｎｍ以下であるレジスト膜を選択的に露光し、現像した後、表面張力が６７×１０^−３Ｎ／ｍ以下のリンス液で洗浄することを含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ナノエッジラフネスに優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能なレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された、その膜厚が５０ｎｍ以下であるレジスト膜を選択的に露光するとともに、有機溶剤を含有する水溶液であるレジストパターン形成用現像液を用いて現像することを含むレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】光学特性及びエッチング耐性に優れる新規なフォトレジスト下層膜を形成するための組成物、及びそれから形成されたｎ値が高く、ｋ値が低く透明でかつエッチング耐性が高く、更に昇華性成分が極めて少ない下層膜、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される繰り返し単位を有するポリイミド、および有機溶媒を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。


（式（１）中、Ｒは環状構造、非環状構造、または環状構造と非環状構造を有する炭化水素から誘導される４価の芳香族基または脂肪族基である。Φは炭素数２〜３９の構成単位であり、脂肪族構成単位、脂環族構成単位、芳香族構成単位、オルガノシロキサン構成単位、またはこれらの組み合わせあるいは繰り返しからなる構成単位である。） （もっと読む）

【解決手段】側鎖に、芳香族炭化水素基および三級炭素を含有する鎖状または環状のアルキル基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物を含有するポジ型レジスト材料。
【効果】本発明の材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。また、マスク加工における、ＥＢ描画において、微細パターンの解像性、高感度で高加速電圧ＥＢ露光に相応しく、エッチング耐性に優れたポジ型レジスト材料を提供でき、マスク加工に極めて有用でもある。 （もっと読む）

【課題】高解像性、疎密依存性、露光マージンに優れるレジスト材料を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるスルホニウム塩。


（Ｒ¹はＨ、Ｆ、メチル基又はトリフルオロメチル基。Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴はアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又はアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基、あるいはＲ²、Ｒ³及びＲ⁴が式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。Ａはヘテロ原子を含んでいてもよい環状構造の二価の炭化水素基。ｎは０又は１。） （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能な下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】アルデヒド基及び水酸基の少なくともいずれかを有するピレン骨格を含むノボラック樹脂と有機溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】寸法を選択的かつ適切に制御した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、被加工膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの特定箇所に選択的にエネルギー線を照射して前記レジストパターンの前記特定箇所に酸性成分を発生させる工程と、記酸性成分により架橋反応を生じる架橋材を含む膜を、前記酸性成分が発生したレジストパターン箇所を覆うように、前記被加工膜上に形成する工程と、前記架橋材と前記レジストパターンを反応させて、前記レジストパターンの一部に架橋層を形成する工程と、前記レジストパターンと前記架橋層をマスクに前記被加工膜を加工する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、且つ、レジスト膜との密着性及びレジストパターンの再現性に優れると共に、現像等に用いられる現像液に対して十分な耐性を有し、レジスト除去時の酸素アッシングに対して十分なマスク性（エッチング耐性）を有するシリコン含有膜を形成できる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本組成物は、式（１）の化合物（ａ１）３０〜８０質量部、式（２）の化合物（ａ２）５〜６０質量部、並びに、式（３）の化合物（ａ３）及び式（４）の化合物（ａ４）のうちの少なくとも一方５〜５０質量部〔但し、化合物（ａ１）〜（ａ４）の合計を１００質量部とする。〕に由来するポリシロキサンと、溶媒と、を含有する。
（もっと読む）

【課題】液浸露光フォトレジスト膜において、アルカリ可溶性樹脂と併用するＳｉ原子及び／又はＦ原子を有する化合物の働きを、更に高めたフォトレジスト膜用トップコート組成物、及び該レジスト膜用トップコート組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】成分（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、成分（Ｂ）Ｓｉ原子及び／又はＦ原子を有する化合物、成分（Ｃ）沸点１７５℃未満の溶剤、及び、成分（Ｄ）下記式（１）で表される添加剤を含有することを特徴とするレジスト膜用トップコート組成物、及びパターン形成方法。


（前記式（１）において、Ｒ₁及びＲ₂はそれぞれ独立に炭素数４〜６のアルキル基を表し、Ｘは炭素数１〜４のアルキレン基又は−（Ｃ＝Ｏ）−Ｙ−（Ｃ＝Ｏ）−基を表し、Ｙは炭素数１〜４のアルキレン基を表す。） （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）式（１）の繰り返し単位を有する高分子化合物、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、（Ｃ）高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、（Ｄ）有機溶剤を含有するレジスト材料。


【効果】本発明により、環状アセタール構造を有する新規高分子添加剤を用いたレジスト材料が提供される。この高分子材料は撥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、加水分解性など各種性能の調整が可能である。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基、Ｘは一般式（Ｘ−１）〜（Ｘ−３）で表されるいずれかの構造を表す。（Ｘ−１）の中でＲ^2a、Ｒ^2b、Ｒ^3a、Ｒ^3bは一価の有機基、Ｒ⁴はアルキル基、（Ｘ−２）の中でＲ^5a、Ｒ^5b、Ｒ^6a、Ｒ^6b、Ｒ^7a、Ｒ^7bは一価の有機基、（Ｘ−３）の中でＲ^8a、Ｒ^8b、Ｒ^9a、Ｒ^9bは一価の有機基で、繰り返し単位（１）の−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−結合にＲ^2a〜Ｒ^3b、Ｒ^5a〜Ｒ^7b、Ｒ^8a〜Ｒ^9bのいずれかが連結する。）
【効果】この高分子材料は波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂の構造の選択により撥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、加水分解性など各種性能の調整が可能であり、かつ入手及び取り扱いが容易な原料からの製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】パターン転写性（特に、ＲＩＥでのレジスト曲がり耐性）に優れた下層膜を形成する可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】２つ以上のフェノール性水酸基、及び、アルキルチエニル基を有する芳香族環を繰り返し構造単位として含むノボラック樹脂（Ａ）と、有機溶剤（Ｂ）と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】解像性に優れ、低コストで、塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体の構造上適用可能な選択肢の範囲が広い感光性樹脂組成物及びその様な感光性樹脂組成物に利用可能な塩基発生剤を提供する。
【解決手段】塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体、及び、特定の構造を有し、電磁波の照射と加熱により、塩基を発生する塩基発生剤を含有することを特徴とする、感光性樹脂組成物、並びに特定の構造を有し、電磁波の照射と加熱により、塩基を発生することを特徴とする、塩基発生剤。 （もっと読む）