【課題】反射防止膜としての機能を有するとともに、パターン転写性能、エッチング選択性、及びインターミキシング防止効果が良好なレジスト下層膜を形成可能な下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される繰り返し単位（Ｒ^１は水酸基等、ｎは０〜６の整数、Ｘは炭素数１〜２０の置換可能なアルキレン基等、ｍは１〜８の整数をそれぞれ示す）を必須の構成単位として有し、その他の特定の繰り返し単位を更に有する重合体（Ａ）を含有する下層膜形成用組成物である。
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【解決手段】環状カーボネートを有する繰り返し単位と、酸によってアルカリ現像液に可溶になる繰り返し単位とを有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光する工程と、加熱処理後に現像液を用いて上記レジスト膜を現像してポジ型パターンを形成する工程と、その後に熱あるいは酸と熱によってポジ型パターンを架橋硬化させ、反転用膜形成用組成物に含まれる有機溶媒に不溶でかつアルカリ現像液に可溶の膜に変質させる工程と、反転用膜形成用組成物を用いて反転用膜を形成する工程と、上記ポジ型パターンをアルカリ現像液で溶解除去する工程とを含むポジネガ反転を用いたレジストパターンの形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジネガによる画像反転を行うことでレジストパターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜として用いることのできるシリカ系被膜の形成が比較的容易であり、かつ保存安定性に優れると共に、形成されるシリカ系被膜が耐熱性、クラック耐性、解像性及び透明性に優れる感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
（ａ）成分：下記一般式（１）で表される化合物を含む第１のシラン化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：第１のシラン化合物とは異なる第２のシラン化合物、又はこれを加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、（ｃ）成分：（ａ）及び（ｂ）成分が溶解する溶媒と、（ｄ）成分：ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとを含有し、ｐＨが５．０〜７．０である感光性樹脂組成物。



式（１）中、Ｒ^１は有機基を示し、Ａは２価の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、同一分子内の複数のＸは同一でも異なっていてもよい。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基を持つ繰り返し単位を有し、アルカリ現像液に可溶になる樹脂、光酸発生剤又は光酸発生剤と熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物を塗布し、プリベークしてレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜に高エネルギー線を照射し、露光後加熱し、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応を行わせた後、アルカリ現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、ポジ型パターンを露光もしくは加熱して上記樹脂の酸不安定基を脱離させてアルカリ溶解性を向上させ、かつ該樹脂に架橋を形成させて、反転用膜形成用組成物に使用される有機溶剤に対する耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物を用いて反転用膜を形成する工程、ポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型レジストパターンにダメージを与えることなく、その間隙に反転用膜材料を埋め込むことができ、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥発生度合を樹脂原料段階で評価可能な樹脂の評価方法、および、化学増幅型レジストとして好適に使用できる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記に示す（１）〜（４）の手順による、感放射線性樹脂組成物における現像欠陥の発生度合を評価することを特徴とする評価方法である；
（１）基板上に被評価対象の感放射線性樹脂組成物の膜を形成する手順、
（２）前記膜を露光後焼成する手順、
（３）前記露光後焼成した膜を現像液に溶解し、所定濃度の現像液溶液とする手順、
（４）動的光散乱法により、前記現像液溶液中の流体力学的半径を測定する手順。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液浸フォトリソグラフィーにおいて、フォトレジスト膜を保護すべくフォトレジスト膜の上に保護膜を形成するためのレジスト保護膜材料及びこれらの材料を用いたパターン形成方法に関する。
【解決手段】フォトレジスト膜の上に保護膜を形成するためのレジスト保護膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で表される繰り返し単位ａを含む高分子化合物Ｉと、スルホン酸又はスルホン酸アミン塩を有する繰り返し単位を含む高分子化合物ＩＩを含むことを特徴とするレジスト保護膜材料。
【化４５】
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【課題】フォトレジスト感光速度の望ましくない増加を回避することができる、新規ケイ素樹脂およびフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、一態様において、ケイ素含有有機コーティング組成物、特には、フェニル等の発色団部分がＳｉ原子から隔てられている、反復単位を含む反射防止コーティング組成物に関する。別の態様において、液体（有機溶媒）組成物として配合され、溶媒成分の少なくとも１種類の溶媒がヒドロキシ基を含む、ケイ素含有下地組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】パターン縁部の凸凹を抑制し、所望の形状のレジストパターンが得られるレジストパターン形成方法を提供すること。また、当該レジストパターン形成方法を利用した金属パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上に形成したレジスト層４０に、パターン露光を行う。次に、高解像度用の現像液を用いて、レジスト層４０を現像し、レジスト層４０に開口部（抜きパターン４２）を形成する。次に、露光部及び非露光部のいずれも同じレートで溶解する溶液を用いて、レジスト層４０を処理し、レジスト層４０の開口部（抜きパターン４２）の開口径を広げる。これにより、レジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンを利用して金属パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】液浸フォトリソグラフィーに用いる新規な組成物を提供する。
【解決手段】本発明のフォトレジスト組成物は、好ましくはレジストの樹脂成分に対して実質的に非混和性となることができる２種類以上の別個の物質を含む。特に好ましい本発明のフォトレジストは、液浸リソグラフィー処理中にレジスト層に接触する液浸液中へのレジスト物質の滲出を軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】感光特性に優れ、２５０℃以下での低温硬化が可能であり、硬化後の伸度が高く、１８０℃キュア時での体積収縮及び、１５０℃での均熱重量減少率が小さく、ソフトベーク後のコーティング膜をタックフリーとすることができ、ワニスの粘度変化率が少ない新規な感光性ポリオルガノシロキサン組成物を実現すること。
【解決手段】下記（ａ）〜（ｅ）成分を含む感光性ポリオルガノシロキサン組成物。
（ａ）特定のポリオルガノシロキサン
（ｂ）光重合開始剤
（ｃ）光重合性の不飽和結合基を２つ以上有する、（ａ）成分以外の化合物
（ｄ）シリコーンレジン
（ｅ）５〜６員の窒素原子含有複素環基（芳香族性を持たないものも含む。）から選択される少なくとも１つの基を有する化合物 （もっと読む）

【解決手段】側鎖のヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護されたモノマー（１）又は（２）と酸不安定基を有するモノマー（３）の共重合により得られる高分子化合物（Ａ）を液浸リソグラフィー用フォトレジスト用の添加剤材料として用いる。


【効果】高分子化合物（Ａ）を用いたレジスト材料は液浸リソグラフィーにおける撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少ない良好なリソグラフィー性能を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングによるレジストパターンの形成において、第二のレジスト組成物として用いることができるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ポジ型レジスト組成物からなる第一のレジスト膜から形成された第一のレジストパターンが形成された支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成した後、選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する方法において、特定構造の構成単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とが、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤（Ｓ）に溶解してなる、前記第二のレジスト膜を形成するために用いられるポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】高分子化合物（Ａ）を用いたレジスト材料及びレジスト保護膜材料は液浸リソグラフィーにおける撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少ない良好なリソグラフィー性能を実現する。
【解決手段】側鎖にヘキサフルオロアルコールを有するモノマー（１ａ）と、側鎖のヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護されたモノマー（１ｂ）の共重合により得られる高分子化合物（Ａ）を液浸リソグラフィー用フォトレジスト用の添加剤材料及びレジスト保護膜材料として用いる。
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【課題】ダメージのない、寸法安定性の良好なレジストパターンを形成する方法を提供すること。
【解決手段】貫通穴１１形成基板１０上に化学増幅型ネガレジストを塗布してネガレジスト膜１３を形成する工程と、このレジスト膜を選択的に露光する工程と、この露光されたネガレジスト膜上に化学増幅型ポジレジストを重ね塗布してネガレジスト膜１３とポジレジスト膜１４とからなる積層膜を形成する工程と、このポジレジスト膜を選択的に露光する工程と、その後現像して、ネガレジスト膜の露光部分１３ａとポジレジスト膜の未露光部分１４ａとの積層膜からなるパターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】短波長放射光１９３ｎｍ以下で十分に低い光学密度を有する新しいフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】（ａ）多環式オレフィンモノマーを含むモノマー配合物、非オレフィン系連鎖移動剤および任意の活性剤化合物を合わせて混合物を形成すること；（ｂ）混合物を加熱すること；および（ｃ）Ｎｉおよび／またはＰｄを含有する重合触媒を加えることを含む、多環式オレフィンモノマーの重合方法。非オレフィン系連鎖移動剤には、Ｈ_２、アルキルシラン、アルキルアルコキシシラン、アルキルゲルマン、アルキルアルコキシゲルマン、アルキルスタナン、およびアルキルアルコキシスタナンからなる群より選択される１種以上の化合物が含まれる。活性剤は、ｐＫａが少なくとも５の活性水素を有することを特徴とする。得られる多環式オレフィンポリマーはフォトレジスト組成物に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法等のマルチパターニング法において、１回目のレジストパターン形成用のレジスト組成物によって得られたパターンを、極微細に、かつ精度良く形成するレジスト処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（１）酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶・難溶、酸と作用した後可溶となる樹脂（Ａ）（重量平均分子量：１万〜４万）、光酸発生剤（Ｂ）及び架橋剤（Ｃ）を含む第１のレジスト組成物を基体上に塗布・乾燥して第１のレジスト膜を得、これをプリベークし、露光処理し、ポストエクスポージャーベークし、現像して第１のレジストパターンを得、これをハードベークし、この上に第２のレジスト組成物を塗布し、乾燥して第２のレジスト膜を得、これをプリベークし、露光処理し、ポストエクスポージャーベークし、現像して第２のレジストパターンを得る工程を含むレジスト処理方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造等における微細パターンを形成するためのレジスト積層体のレジスト層や保護層などに好適で、さらには水を液状媒体に用いる液浸リソグラフィーにおいて特に有用な重合性含フッ素単量体および含フッ素重合体ならびにレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】式（１）：


（式中、Ｒ¹は水素原子または酸素原子、窒素原子、硫黄原子もしくはハロゲン原子を含んでいてもよい鎖状もしくは環状の飽和もしくは不飽和の１価の炭素数１〜１５の炭化水素基）で示される重合性含フッ素単量体、その単独または共重合体、これらを用いた液浸リソグラフィー法によるレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】表面に反射防止膜が形成された支持体上に、第一のレジスト組成物としてポジ型レジスト組成物を用いるダブルパターニングプロセスにより良好なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】表面に反射防止膜が形成された支持体１の前記反射防止膜１ｂ上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成し、該第一のレジスト膜を選択的に露光し、現像して第一のレジストパターン３を形成する第一のパターニング工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体表面の疎水化処理を行う疎水化処理工程と、前記疎水化処理工程後の前記支持体上に、第二のレジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜６を形成し、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、現像してレジストパターン７を形成する第二のパターニング工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】低ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）なレジストパターンを形成可能な感光性化合物、該感光性化合物を含む感光性組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造単位。
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【課題】環境に与える影響が小さく、かつ、ホトレジストパターンへのダメージが少なく、良好な矩形形状のホトレジストパターンを形成可能とする保護膜形成用材料、及びこの保護膜形成用材料を用いたホトレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ホトレジスト膜上に積層される保護膜を形成するための保護膜形成用材料として、（ａ）アルカリ可溶性ポリマーと、（ｂ）エーテル結合を有するテルペン系溶剤とを含有するものを使用する。 （もっと読む）