【課題】低ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）なレジストパターンを形成可能な感光性化合物、該感光性化合物を含む感光性組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造単位。
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【課題】レジスト側壁が丸みをおびること及びレジストボトム開口長が変動することを防止しつつ、レジストパターン形状が逆テーパ形状となることを回避する半導体装置の製造方法及びマスクの製造方法の提供。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜に対して選択的に露光光を照射する露光光照射工程と、前記露光光が照射されたレジスト膜を現像して該レジスト膜に開口部を設ける現像工程と、前記レジスト膜上及び前記開口部内に形状制御膜を形成する形状制御膜形成工程と、前記レジスト膜及び前記形状制御膜を加熱するベーキング工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記ベーキング工程の加熱温度において、前記形状制御膜の弾性率が前記レジスト膜の弾性率よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えばＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシマレーザーなどの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等のリアクティブイオンによるエッチングに対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第１の発明は、基板とホトレジスト層との間に下層膜を形成するための下地材であって、オキソシクロアルキル基を２つ以上有する化合物（ａ）と、フェノール類（ｆ）との重縮合反応によって得られる樹脂（Ａ１）を含有することを特徴とする下地材。 （もっと読む）

【課題】低温で、有機材料から形成される膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な多層プロセス用材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ドライエッチング可能な下層有機膜と、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物（Ｗ）を含有する多層プロセス用材料を用いて形成された中間層と、上層レジスト膜とが順に積層されてなる多層積層体を形成し、該多層積層体に、ドライエッチングを含む処理を行ってパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】
ガラス転移温度及び熱重量減少温度といった耐熱性、並びに現像性、感度、及び解像度といった感光性に優れた効果を有するポジ型感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）ポリフェニレンエーテル１００質量部に対して、（Ｂ）酸触媒の存在下、架橋反応を起こすＣＨ_２ＯＲ基（ここで、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基を示す。）を有する架橋剤１０〜４０質量部、（Ｃ）ナフタレン核またはアントラセン核を有する光酸発生剤２〜２０質量部、および（Ｄ）溶媒４００〜２５００質量部を含むことを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】化学的シュリンク法により得られるレジストパターンの形状を良好にする。
【解決手段】基板１０１上にレジスト膜１０２を形成し、形成したレジスト膜１０２に露光光１０３を選択的に照射してパターン露光を行なう。パターン露光を行なったレジスト膜１０２を現像して第１レジストパターン１０２ｂを形成し、続いて、基板１０１の上に第１レジストパターン１０２ｂを含む全面にわたって、レジストの構成材と架橋する架橋剤を含む水溶性膜１０５を形成する。続いて、加熱により水溶性膜１０５及び第１レジストパターン１０２ｂの側面上で接する部分同士を架橋反応させた後、アルカリ性水溶液１０６を用いて水溶性膜１０５の第１レジストパターン１０２ｂとの未反応部分を除去することにより、第１レジストパターン１０２ｂからその側面上に水溶性膜１０５が残存してなる第２レジストパターン１０７を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が向上あるいは低下するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤として一般式（１）の（ａ）、（ｂ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物とを含むレジスト材料。


【効果】レジスト材料を用いて形成したレジスト膜は、水に対する良好なバリアー性能を有するため、レジスト膜の水への溶出を抑制でき、このため溶出物によるパターン形状変化を低減できる。 （もっと読む）

【課題】通常露光（ドライ露光）のみならず液浸露光においても、ＰＥＢ温度依存性が小さく、パターン倒れも少なく、良好なプロファイルを示し、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）疎水樹脂（Ｃ）が重合開始剤とチオール化合物誘導体とを使用して重合することにより得られる疎水性樹脂、および、（Ｄ）溶剤、を含有するレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】酸素による重合阻害作用が抑制された硬化性組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）エチレン性不飽和結合を含有する重合性化合物と、（ｂ）バインダーポリマーと、（ｃ）ラジカル重合開始剤と、を含有する硬化性組成物に、（ｄ）ウレア結合を含む脂環式化合物を含有させる。（ｄ）成分が重合阻害作用することを見いだした。前記（ｄ）ウレア結合を含む脂環式化合物の含有量は、前記（ａ）エチレン性不飽和結合を含有する重合性化合物に対して１〜１００質量％である。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れた好適なポジ型レジスト組成物の提供。
【解決手段】炭素−炭素三重結合を有する非酸解離性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ０）を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するポジ型レジスト組成物。前記構成単位（ａ０）が側鎖に三重結合を含有する（メタ）アクリレートで表される構成単位（ａ０−１）であるポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】通常露光（ドライ露光）のみならず液浸露光においても、現像欠陥が少なく、対膜減り性能を持ち、ラインエッジラフネス性能にも優れ、スカムの発生が抑制された、また、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及び珪素原子のを有さない分子量分散度が１．３以下、かつ重量平均分子量が１.０×１０^４以下である樹脂、および（Ｄ）溶剤を含有するレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】光の照射により塩基を発生させる際に脱炭酸反応を伴うことがなく、膜強度の高い硬化膜が得られるうえ、高温耐性に優れた感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】光の照射により、脱炭酸反応を伴うことなくアミン化合物を発生する一般式（１）で表される光環化型の光塩基発生剤と、塩基反応性樹脂と、を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物によれば、高温耐性に優れ、膜強度の高い硬化膜が得られる。


［一般式（１）中、Ｚはアミノ基を表す。］ （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式（１ａ）又は（１ｃ）のいずれかで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ（ＣＦ₃）ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
Ｒ¹−Ｏ−ＣＯＯＣＨ（ＣＦ₃）ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ｃ）
（Ｒ¹はステロイド骨格を有する炭素数２０〜５０の炭化水素基を示す。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。また、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。 （もっと読む）

【解決手段】酸によってアルカリに可溶になる繰り返し単位を有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料により基板上にレジスト膜を形成し、加熱処理後に露光し、現像して第１のレジストパターンを形成し、この上にヒドロキシ基を有する架橋性の高分子化合物を含む溶液からなるパターン表面コート材を塗布し、架橋して該高分子化合物の架橋膜で覆い、その上に第２のポジ型レジスト材料を塗布し、露光し、現像して第２のレジストパターンを形成するパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、第１のポジレジストパターン間のスペース部分にパターンを形成するダブルパターニング方法であって、パターン表面コート材を塗布し、第１レジストパターンがレジスト溶媒と現像液に溶解するのを防止することによって、第１のパターン間のスペースに第２のパターンを形成することが可能になる。 （もっと読む）

【解決手段】７−オキサノルボルナン環を有する繰り返し単位と、酸によってアルカリ現像液に可溶になる繰り返し単位とを有する高分子化合物、及び酸発生剤を含むポジ型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光する工程と、加熱処理後に現像液を用いて上記レジスト膜を現像する工程と、その後に酸及び／又は熱によってレジスト膜を架橋硬化させる工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、上記方法でレジスト材料を用いてパターン形成することにより、第１のパターンのスペース部分に第２のパターンを形成することによってパターンとパターンのピッチを半分にするダブルパターニングを行い、一度のドライエッチングによって基板を加工することができる。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法、及び該パターン形成方法に好適に用いられる被覆膜形成用材料を提供する。
【解決手段】支持体１上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成し、第一のレジスト膜２を選択的に露光し、現像して複数の第一のレジストパターン３を形成し、第一のレジストパターン３の表面に、それぞれオキサゾリン基を含有するポリマーを含む被覆膜形成用材料を用いて被覆膜４を形成して複数の被覆パターン５を形成し、該被覆パターン５が形成された支持体１上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜６を形成し、第二のレジスト膜６を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターン５と、第二のレジスト膜６に形成された第二のレジストパターン７とからなるパターンを支持体１上に形成する。 （もっと読む）

【課題】第一のレジストパターンを形成した後、第一のレジストパターンの上に第二のレジスト膜を形成し第二のレジストパターンを形成するために、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行って第二のレジスト液に溶解しないように性状を変化させるフリージングプロセスにおいて、第一のレジストパターンが第二のレジスト液に溶解せず、第一のレジストパターンの寸法が変化しない、更には、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのドライエッチング耐性が同じであるという要件を満たすように、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行う為のフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】アミノ基および芳香族環を有する特定の化合物を含有するパターン形成用表面処理剤、及び、当該表面処理剤を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ブロック共重合体を利用した微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】相互隣接した第１領域の間に第２領域が限定されるように、複数の第１領域が存在する基板で複数の第１領域を処理して第１パターンを形成し、第１領域及び第２領域上に第１成分及び第２成分を含むブロック共重合体を、ブロック共重合体の第１成分が第１領域上にアラインされるように配列させ、ブロック共重合体の第１成分及び第２成分のうち一つの成分を選択的に除去して、第１領域とそれに隣接した第２領域とのピッチよりさらに小さいピッチを有する第２パターンを形成する微細パターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】感放射線性樹脂組成物における液中異物発生度合を樹脂原料段階で評価可能な樹脂の評価方法、及び各種放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型レジストとして使用できる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本樹脂の評価方法は、フッ素含有重合体を含む樹脂のレジスト溶剤溶液の動的光散乱を測定し、この溶液の一定濃度領域における拡散係数差（ΔＤ）により、樹脂を感放射線性樹脂組成物材料として用いた場合における液中異物発生度合を評価する。本感放射線性樹脂組成物は、フッ素含有重合体を含む樹脂と、レジスト溶剤と、感放射線性酸発生剤とを含有しており、前記樹脂は、濃度２質量％のレジスト溶剤溶液の動的光散乱測定による拡散係数（Ｄ_ａ）と、濃度８質量％のレジスト溶剤溶液の動的光散乱測定による拡散係数（Ｄ_ｂ）との拡散係数差［ΔＤ（Ｄ_ｂ−Ｄ_ａ）］が、−２．０×１０^−７ｃｍ^２・ｓ^−１以上である。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを形成し得るパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被処理基板１の一主面１ａ上に設けられたレジスト膜４にレジストパターン５を形成する。このレジストパターン５のスペース部５ａ内に残留するレジスト膜４ａに対し、残留レジスト膜４ａを除去するための液体に溶け易くする易溶化処理を施した後、残留レジスト膜４ａに液体を供給する。 （もっと読む）