【課題】液浸露光フォトレジスト膜において、アルカリ可溶性樹脂と併用するＳｉ原子及び／又はＦ原子を有する化合物の働きを、さらに高めたフォトレジスト膜の保護層用トップコート組成物、並びに該レジスト膜の保護層用トップコート組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】成分（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、成分（Ｂ）Ｓｉ原子及び／又はＦ原子を有する化合物、及び成分（Ｃ）下記式（１）で表される溶剤を含有することを特徴とするレジスト膜の保護層用トップコート組成物、並びにパターン形成方法。


（前記式（１）において、Ｒ₁は炭素数２〜３のアルキレン基、Ｒ₂は炭素数３〜４のアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】より微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（１）第一パターン部及び第一スペース部をそれぞれ複数有する第一のレジストパターン群を、所定のポジ型感放射線性樹脂組成物に対して不溶な不溶化レジストパターン群とする工程と、（２）ポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて、第一パターン部の上及び第一スペース部にレジスト層を形成し、形成したレジスト層を、マスクを介して選択的に露光する工程と、（３）現像して、少なくとも一の第一パターン部の上面の一部を露出させた状態で、少なくともその一部が第一パターン部上に重畳的に配置された第二パターン部を形成し、第一パターン部と第二パターン部とが組み合わされた複数の複合パターン部を有する第二のレジストパターン群を形成する工程と、を有するレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】近年の半導体デバイスのさらなる微細化に対応し得るパターン微細化用被覆剤、及びそれを用いた微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたホトレジストパターンを被覆し、微細パターンを形成するために使用されるパターン微細化用被覆剤であって、２糖以上５０糖以下の水溶性多糖類、好ましくはキチンオリゴ糖及び／又はキトサンオリゴ糖を含有する被覆剤を用いる。この被覆剤はパターン狭小化の際の温度依存性が小さく、パターン間隔の粗密依存性も小さい。 （もっと読む）

【課題】膜表面の疎水性が高いレジスト膜を形成でき、液浸露光用として好適なレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）および含フッ素化合物成分（Ｆ）を有機溶剤（Ｓ）に溶解してなる液浸露光用レジスト組成物であって、前記有機溶剤（Ｓ）は、沸点１５０℃以上のアルコール系有機溶剤（Ｓ１）と、沸点１５０℃未満のアルコール系有機溶剤（Ｓ２）とを含有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用金属酸化物含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能な金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜される金属酸化物含有膜を形成するための熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）加水分解性ケイ素化合物と、加水分解性金属化合物とを加水分解縮合することにより得られる金属酸化物含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤とを含むことを特徴とする熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の上にバリア膜を設けないリソグラフィに用いるレジスト材料の解像性を向上してパターン不良を防止できるようにする。
【解決手段】まず、基板１０１の上に、ハロゲン原子（フッ素）を含み且つ酸に安定なモノマーであるパーフルオロエチルアクリレートと、フッ素を含み且つ酸に安定なポリマーであるポリパーフルオロエチルアクリレートと、酸不安定基を含むポリマーと、光酸発生剤とを有するレジスト材料からレジスト膜１０２を形成する。続いて、レジスト膜１０１の上に液体１０３を配した状態で、レジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】孤立スペースパターンやホールパターンを高い解像性で形成できるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体１上に、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成し、該第一のレジスト膜の一部の領域を露光し、露光後ベーク処理を施し、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜４を形成し、該第二のレジスト膜の、前記第一のレジストパターンが形成された位置を含む領域を露光し、露光後ベーク処理を、前記第一のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させ且つ前記第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を減少させるベーク温度にて施し、現像してレジストパターンを形成する工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィーにおいて、高解像性かつ露光余裕度に優れたレジスト材料のベース樹脂用の単量体として有用な重合性アニオンを有するスルホニウム塩、そのスルホニウム塩から得られる高分子化合物、その高分子化合物を含有するレジスト材料及びそのレジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるスルホニウム塩。


（ＡはＣ１〜２０の二価の有機基。ｎは０又は１） （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法において第一のレジストパターンに対して行うフリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの寸法が変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】二つ以上のアジリジニル基を有する化合物、及び該化合物とレジストパターンに対して不活性なポリマーまたはオリゴマーを含有することを特徴とするレジストパターン形成用表面処理剤。 （もっと読む）

【課題】液浸露光による微細パターン形成プロセスにおける現像工程で、良好なレジストパターン形状を与える液浸露光フォトレジスト膜の保護層用塗布組成物、並びにパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】式（１）で示される化合物を５０質量％以上含む溶剤系に、フルオロアルコール基を側鎖に有する水不溶性、かつアルカリ可溶性ビニルポリマーを溶かしてなることを特徴とする液浸露光フォトレジスト膜の保護層用塗布組成物、並びにパターン形成方法。式（１）において、Ｒ₁及びＲ₂は、それぞれ独立に炭素数３〜５のアルキル基である。
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【課題】第一のレジストパターンを不溶化させ、その後の露光処理、並びに現像液及び第二のポジ型感放射線性樹脂組成物に対して十分に安定な不溶化レジストパターンとすることが可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（１）第一のレジストパターンを形成する工程と、（２）第一のレジストパターン上にレジストパターン不溶化樹脂組成物を塗布し、第一のレジストパターンを不溶化レジストパターンとする工程と、（３）不溶化レジストパターン上に第二のレジスト層を形成し、選択的に露光する工程と、（４）第二のレジストパターンを形成する工程と、を含むレジストパターン形成方法の工程（１）で用いられる、特定の繰り返し単位を５〜６５モル％含む酸解離性基を有する樹脂を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】 側壁スペーサー法において、フォトレジストパターン上に珪素酸化膜を形成した際のフォトレジストパターンの変形やＬＷＲの増大を防ぐことができるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、基板上にフォトレジスト膜を成膜し、該フォトレジスト膜を高エネルギー線で露光し、現像液を用いて現像し、フォトレジストパターンを形成した後、該フォトレジストパターンの側壁にスペーサーとして珪素酸化膜を形成する方法により基板上にパターンを形成するパターン形成方法において、少なくとも、前記珪素酸化膜は、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法により、１分子内に少なくとも１つ以上のシラザン結合を有するシランガスを前記フォトレジストパターンに作用させ、酸化させることで得られた珪素酸化膜を用いることを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】不溶化処理された第一のレジストパターンの間にスカムをほとんど生じさせることなく、微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（１）第一のレジストパターンを形成する工程と、（２）第一のレジストパターン上にレジストパターン不溶化樹脂組成物を塗布し、第一のレジストパターンを不溶化レジストパターンとする工程と、（３）不溶化レジストパターン上に第二のレジスト層を形成し、選択的に露光する工程と、（４）第二のレジストパターンを形成する工程と、を含むレジストパターン形成方法の工程（３）で用いられる、特定の光崩壊性塩基を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】カバーフィルムの剥離性が良好であり、かつ、カバーフィルムをカットする際のカッターの汚れが抑制される感光性転写材料を提供する。
【解決手段】仮支持体と、三角錐の圧子で０．５ｍＮの荷重で測定した際の硬度が１．０以上４．５以下である熱可塑性樹脂層と、感光性樹脂層と、カバーフィルムと、をこの順に有する感光性転写材料である。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。ｍは１又は２である。なお、ｍ個の水酸基は三級炭素原子に結合する。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】より微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（１）半導体基板上に、酸発生剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物からなる第一のレジスト層を形成し、前記第一のレジスト層を選択的に露光し、現像して第一のパターンを形成する工程と、（２）隣接する前記第一のパターン同士の間に、酸発生剤を含有するネガ型感放射線性樹脂組成物からなる第二のレジスト層を形成する工程と、（３）第一のパターンおよび第一のパターンに隣接する第二のレジスト層を選択的露光し、第一のパターン側壁に前記第二のレジスト層に由来する側壁層を形成する工程と、（４）前記第一のパターン及び前記第二のレジスト層を除去する工程とを含むパターン形成方法である。 （もっと読む）

【解決手段】置換又は非置換のヒドロキシアルキルナフタレンを有する繰り返し単位と、酸によってアルカリに可溶になる繰り返し単位とを有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光する工程と、加熱処理後に現像液を用いて上記レジスト膜を現像する工程と、その後に熱あるいは酸と熱によってレジスト膜を架橋硬化させる工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、上記高分子化合物と、酸発生剤とを添加したレジスト材料を用いて第１のパターンを形成後、熱あるいは酸と熱による架橋反応によってアルカリ現像液やレジスト溶液に不溶化させ、その上に更にレジスト溶液を塗布し、露光現像することにより、パターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行い、一度のドライエッチングによって基板を加工できる。 （もっと読む）

【課題】超微細パターン形成リソグラフィー工程において、露光時に発生する反射光を吸収できる有機反射防止膜として用いることができる新規な吸光剤等を提供する。
【解決手段】有機反射防止膜形成用吸光剤は、テトラカルボン酸ベンジルのハーフエステル構造を有する化合物または該構造を主鎖に有するオリゴマーまたはポリマーである。 （もっと読む）

【課題】より微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（１）第一のレジストパターン上にレジストパターン不溶化樹脂組成物を塗布し、ベーク又はＵＶキュア後、現像して、第一のレジストパターンを、第一ライン部及び第一スペース部をそれぞれ複数有する不溶化レジストパターンとする工程と、（２）ポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて第一スペース部に形成したレジスト層を、マスクを介して選択的に露光する工程と、（３）現像して、第一スペース部に第二ライン部を形成し、第一ライン部、第二ライン部、及び第一ライン部と第二ライン部との間に形成された、その幅（Ｗ_２）が、第一スペース部の幅（Ｗ_１）の０％を超えて３０％以下である一以上の第二スペース部を有する第二のレジストパターンを形成する工程と、を有するレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンの倒れ、ラインエッジラフネス、並びにスカムの発生が改良され、プロファイルの劣化も少なく、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能なレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂（ｃ）を２以上含有する樹脂、及び（Ｄ）溶剤、を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）