【課題】孤立スペースパターンやホールパターンを高い解像性で形成できるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体１上に、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成し、該第一のレジスト膜の一部の領域を露光し、露光後ベーク処理を施し、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜４を形成し、該第二のレジスト膜の、前記第一のレジストパターンが形成された位置を含む領域を露光し、露光後ベーク処理を、前記第一のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させ且つ前記第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を減少させるベーク温度にて施し、現像してレジストパターンを形成する工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜の一部の領域を露光し、露光後ベーク処理を施し、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、
前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、該第二のレジスト膜の、前記第一のレジストパターンが形成された位置を含む領域を露光し、露光後ベーク処理を、前記第一のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させ且つ前記第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を減少させるベーク温度にて施し、現像してレジストパターンを形成する工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
前記第一のレジストパターンが、ラインパターンおよび／またはドットパターンを含む請求項１に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項３】
前記第二の化学増幅型レジスト組成物が、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有する請求項１または２に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項４】
前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤が、アルコール系溶剤、フッ素系溶剤および水酸基を有さないエーテル系有機溶剤からなる群から選択される少なくとも１種である請求項３に記載のレジストパターン形成方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【公開番号】特開２０１０−８５８２９（Ｐ２０１０−８５８２９Ａ）
【公開日】平成２２年４月１５日（２０１０．４．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２５６２９５（Ｐ２００８−２５６２９５）
【出願日】平成２０年１０月１日（２００８．１０．１）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】