【課題】
本発明は、均一なパターン形成を可能とするろ過性の良好なフォトレジスト組成物を提供することを目的とし、長期的に安定なフォトレジスト用樹脂溶液、つまり長期間保管してもろ過性能が低下しないフォトレジスト用樹脂溶液を提供する事にある。
【解決手段】
本発明は、酸によりアルカリ可溶となるフォトレジスト用樹脂を含む溶液を３０〜９０℃において、３０分以上加熱熟成後、細孔径１μｍ以下のろ材によりろ過することを特徴とするフォトレジスト用樹脂溶液の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が変化するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤としてアミノ基を有する繰り返し単位と少なくとも１個のフッ素原子を有する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物とを含むことを特徴とするレジスト材料。
【効果】本発明は、パターンの矩形性とマスク忠実性の優れるレジスト材料を提供することができる。また、本発明のレジスト材料を用いて形成したフォトレジスト膜は、レジスト膜表面を親水性化することによって、現像後レジスト膜上のブロッブ欠陥の発生を防止できる。また、液浸露光用のレジスト保護膜とのミキシングを防止することによってパターン形状の劣化を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】高集積且つ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、高感度、且つトレンチパターンの解像性に優れ、更には疎密依存性の良好なパターンを形成する為のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有するネガ型現像用レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程及び（ウ）金属不純物の含有量が、１００ｐｐｂ以下の有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像を行う工程を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】第一のレジスト膜上に第一のレジストパターンを形成した後、第一のレジストパターンの上に第二のレジスト膜を形成し第二のレジストパターンを形成するために、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行って第二のレジスト液に溶解しないように性状を変化させるフリージングプロセスにおいて、第一のレジストパターンが第二のレジスト液に溶解せず、第一のレジストパターンの寸法が変化しない、更には、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのドライエッチング耐性が同じであるという要件を満たすように、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行う為のフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】アミノ基および芳香族環を有する特定の化合物を含有するパターン形成用表面処理剤、及び、当該表面処理剤を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性と段差基板上での埋めこみ特性にも優れている、３層レジストプロセス用レジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる３層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物と、有機溶剤を含み、酸発生剤及び架橋剤を含有しないことを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化２６】
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【課題】 フォトリソグラフィ用途のための縮合芳香族構造体及び方法を提供する。
【解決手段】 基板上にパターン化された構造を形成するためのレジスト組成物及び方法を提供する。この組成物は、少なくとも１つの縮合多環部分及び酸不安定性保護基によって保護された少なくとも１つの塩基可溶性官能基を有する分子性ガラスと、感光性酸発生剤とを含む。方法は、感光性酸発生剤と、少なくとも１つの縮合多環部分及び酸不安定性保護基で保護された少なくとも１つの塩基可溶性官能基を有する分子性ガラスとを含む組成物を準備するステップと、この組成物の膜を基板上に形成するステップと、膜をパターン様式で画像形成するステップであって、膜の少なくとも一つの領域が放射又は粒子ビームに露光されて、膜の少なくとも一つの露光領域内に酸触媒が生成する、ステップと、膜をベークするステップと、膜を現像して塩基可溶性露光領域を除去するステップであって、除去後に膜のパターン化された構造が残る、ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】低温焼成を採用した場合でも、膜厚、解像度、パターン形状、耐熱性、透明性、耐熱変色性、耐溶剤性等に優れたマイクロレンズを形成でき、また保存安定性も良好な感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性共重合体、（Ｂ）重合性不飽和化合物、（Ｃ）光ラジカル発生剤、（Ｄ）一分子中にオキセタニル基を２個以上有する化合物（但し、オキセタニル基を有するアルカリ可溶性共重合体を除く）、ならびに（Ｅ）酸発生剤を含有しそして上記（Ａ）アルカリ可溶性共重合体が（Ａ１）（ａ１）酸性官能基を有する重合性不飽和化合物と、（ａ２）Ｎ位−置換マレイミドおよび（ａ３）前記（ａ１）、（ａ２）と異なる他の重合性不飽和化合物の共重合体を含有する感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザを用いて半導体の超微細パターンの形成に有用な有機反射防止膜を製造するのに使用できる新規重合体、吸光剤、およびこれを含む有機反射防止膜組成物、該有機反射防止膜組成物を用いた半導体素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】有機反射防止膜組成物は、化学式１で示される有機反射防止膜用共重合体、吸光剤、熱酸発生剤、および硬化剤を含む。
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【課題】短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層膜による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有することを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３７】
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【課題】インクの残渣が発生しにくい隔壁と、インクの濡れ性に優れたドットを形成しうる含ケイ素重合体を含む感光性組成物の提供。
【解決手段】エチレン性二重結合を有する単量体の２種以上の共重合体であって、ケイ素原子含有基を有する側鎖と、側鎖１つにエチレン性二重結合を２つ以上有する側鎖とを有する含ケイ素重合体（Ａ）と、１分子内に酸性基とエチレン性二重結合とを有する感光性樹脂（Ｂ）と、光重合開始剤（Ｃ）とを含有する組成物であって、組成物の全固形分における含ケイ素重合体（Ａ）の割合が０．１〜２５質量％である感光性組成物。 （もっと読む）

【解決課題】 製造したレジスト組成物より得たレジスト膜の解像性能の安定化を可能とするレジスト組成物の製造方法、及びその製造方法により経時劣化のロット間差の小さなレジスト組成物を提供する。
【解決手段】 結合剤、酸発生剤、窒素含有塩基性物質及び溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物の製造方法であって、前記溶剤として、過酸化物含有量が許容値以下である溶剤を選択する工程と、前記選択された溶剤中でレジスト組成物構成用材料を混合する工程とを含んでなる化学増幅型レジスト組成物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜材料であって、エッチング速度が速く、このためレジスト下層膜として用いると、エッチング中のレジストパターンの膜減りが少なく、パターンの変形も小さく抑えることが出来る。また、架橋密度が高いために熱架橋後に緻密な膜を形成でき、そのために上層レジスト膜とのミキシングを防止でき、現像後のレジストパターンが良好である反射防止膜材料を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体を含むことを特徴とする反射防止膜材料。
【化５３】
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【課題】感度、解像度及びナノエッジラフネスに優れるパターンを形成することができるとともに、高精度な微細パターンを安定して形成可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本パターン形成方法は、基板上にポジ型感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト被膜を形成する工程、前記レジスト被膜に所定のパターンを有するマスクを介して放射線を照射して露光する工程、前記レジスト被膜上に上層膜を形成する工程、及び、現像によりレジストパターンを形成する工程を備えており、前記樹脂組成物は、感放射線性酸発生剤と、酸解離性基を有する繰り返し単位を含む樹脂と、を含有しており、且つ前記酸解離性基を有する繰り返し単位が前記樹脂中に３０〜８０モル％含まれている。 （もっと読む）

【課題】低ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）なレジストパターンを形成可能な感光性化合物、該感光性化合物を含む感光性組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造単位を、分子内に２つ以上含む感光性化合物、感光性化合物を有機溶剤に溶解させてなる感光性組成物及び感光性組成物を用いる。
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【課題】露光波長、特に２４８ｎｍ（ＫｒＦ）および１９３ｎｍ（ＡｒＦ）で十分な透過性を持つ、感放射線性樹脂組成物と上層膜形成組成物を用いたフォトレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用によってアルカリ可溶性となる単量体を６０モル％を超えて含有する樹脂と感放射線性酸発生剤を含有する感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布してフォトレジスト膜を形成し、単量体を含有するアルカリ可溶樹脂を含有する上層膜形成組成物を前記フォトレジスト膜に塗布して上層膜を形成し、前記上層膜とレンズとの間に液浸媒体を配置して、前記液浸媒体と所定のパターンを有するマスクとを介して前記フォトレジスト膜及び前記上層膜に露光光を照射し、次いで現像することによってレジストパターンを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物、特に、二層、あるいは多層レジストに好適な感光性組成物、感光性組成物に好適な樹脂、および該樹脂の製造に好適な化合物、該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解して脱離する基を有する特定のシロキサン単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、および（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする感光性組成物、該樹脂、および該樹脂の製造に好適な化合物、および該組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】主鎖にシロキサン基を有する有機反射防止膜形成用ポリマー及びこれを含む有機反射防止膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】有機反射防止膜形成用ポリマーは、下記化学式で表される。


［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコール基又はエポキシ基であり、Ｒ_１は各々独立して水素原子、ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン、カルボキキシル基、炭素数１〜１０のアルコール基又はエポキシ基を有するエステル基含有基である。］ （もっと読む）

【課題】良好な液浸リソグラフィーに適したレジスト材料、パターン形成方法の提供。
【解決手段】下記の一般式を含み、Ｍｗが１，０００〜５００，０００の高分子。


（Ｒ^1a、Ｒ^1b、Ｒ^1cはＨ、Ｆ、アルキル基又はフッ素化アルキル基。Ｒ^2aはＨ、−Ｒ³−ＣＯ₂Ｒ⁷又は−Ｒ³−ＯＲ⁷。Ｒ^2cはフッ素化アルキル基。Ｒ³はフッ素を含んでもよい２価の有機基。Ｒ⁴はメチレン基又は酸素原子。Ｒ⁵はＨ、メチル基又はトリフルオロメチル基。Ｒ⁶はフッ素化アルキル基。Ｒ⁷はＨ、アルキル基、フッ素化アルキル基、酸不安定基又は密着性基。０≦ａ＜１、０＜ｂ＜１、０≦ｃ＜１、０＜ａ＋ｂ＋ｃ≦１。） （もっと読む）

【課題】 今後必要となる微細なレジストパターンを形成するためのパターン形成方法を実現すること。
【解決手段】 パターン形成方法は、基板上に第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンの表面を親水化処理する工程と、前記基板の表面を疎水化処理する工程と、前記基板および前記第１のレジストパターンの上に、架橋材を含有するレジスト膜を形成する工程と、前記第１のレジストパターンと前記レジスト膜との界面に架橋反応を発生させ、前記第１のレジストパターンと前記レジスト膜との界面に架橋層を形成し、該架橋層と前記第１のレジストパターンとを含む第２のレジストパターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】パターン露光のみで基板表面に化学活性基パターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に、疎水性の光分解性基で保護され、光照射によりアミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基またはスルホ基から選ばれる親水性基を生起する感光性有機材料を付与して感光性有機材料層を形成する工程、前記感光性有機材料層に選択的にパターンの露光を行ない、露光部に前記親水性基を生起させる工程、前記露光後の感光性有機材料層上に親水性セグメントと疎水性セグメントとを有するブロックポリマーを付与し、前記露光により生起した親水性基の有る部分と無い部分に前記ブロックポリマー中の親水性セグメントと疎水性セグメントとを分離する工程、及び分離されたセグメントの一方を除去し、他方のセグメントからなるパターンを形成する工程を有するパターンの形成方法。 （もっと読む）