【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定の構造を有する酸分解性の繰り返し単位を有し、酸の作用によりネガ現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体後工程のリフロー又は及びレジスト剥離工程において使用される新規感光性樹脂組成物、及び該組成物を用いたフラックスや溶剤に対して充分な耐性を持ちかつ側壁形状に角のない硬化レリーフパターンの製造方法の提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）：


で表される構造を含むヒドロキシポリアミド１００質量部、（Ｂ）ジアゾキノン化合物１〜１００質量部、（Ｃ）オキセタニル基を含有する化合物、及び（Ｄ）熱架橋剤を含有し、該（Ｃ）オキセタニル基を含有する化合物と該（Ｄ）熱架橋剤との合計含有量が２０〜５０質量部であり、且つ、該（Ｃ）オキセタニル基を含有する化合物に対する該（Ｄ）熱架橋剤の質量比が０．０６〜０．６７であることを特徴とする感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】液浸露光用として好適なレジスト組成物、および当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】塩基解離性基を含む構成単位（ｆ１）と下記一般式（ｆ２−１）［式中、Ｗは多環式の脂肪族環式基を含む基である。］で表される構成単位（ｆ２）とを有する含フッ素高分子化合物（Ｆ１）と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光によるリソグラフィ工程において、アウトガスの発生を抑制し、かつ製造コストの低減を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１０上に減圧又は真空雰囲気下においてアウトガスを発生する膜１１及び１２を形成する工程と、前記膜上に前記膜が露出しないように、減圧又は真空雰囲気下において前記膜よりも単位面積あたりのアウトガスの発生量が少ないレジスト膜１３を形成する工程と、前記レジスト膜に対してＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光によるパターン光を照射し、前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程と、前記レジスト膜及び前記膜、又は前記膜をマスクとして前記基板を加工する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れた下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされる繰り返し単位を有する化合物及び有機溶媒を含有するレジスト下層膜形成用組成物。但し、下記一般式（１）中、Ｘは所定の基、ｎは０または１である。
（もっと読む）

【課題】良好なパターン形状を得ることが可能で、水等の液浸露光液に溶出し難く、液浸露光液との後退接触角が大きく、現像欠陥を生じ難いレジスト被膜の材料である感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】所定の繰り返し単位を含む第一の重合体（Ａ）と、酸の作用により解離する酸解離性官能基を有し、前記酸解離性官能基が解離してアルカリ可溶性となる第二の重合体（Ｂ）と、感放射線性酸発生剤（Ｃ）と、を含有する感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】良好なパターン形状を得ることが可能で、焦点深度に優れ、水等の液浸露光液に溶出し難く、液浸露光液との後退接触角が大きく、現像欠陥を生じ難いレジスト被膜の材料である感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】所定の繰り返し単位を含む第一の重合体（Ａ）と、酸の作用により解離する酸解離性官能基を有し、前記酸解離性官能基が解離してアルカリ可溶性となる第二の重合体（Ｂ）と、感放射線性酸発生剤（Ｃ）と、を含有する感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤への溶解性と、支持体への塗布性のいずれも優れたポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、（Ａ）成分は、特定の４種の構成単位を有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、（Ｓ）成分は、アルコール系有機溶剤（Ｓ１）６０〜９９質量％と、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びシクロヘキサノンからなる群から選択される少なくとも一種の有機溶剤（Ｓ２）１〜４０質量％とを含有する。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤への溶解性に優れ、良好なリソグラフィー特性を示す高分子化合物、当該高分子化合物を用いたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）及び酸発生剤成分（Ｂ）を有機溶剤（Ｓ）に溶解してなり、基材成分（Ａ）が、スルホニル基を含む環式基を側鎖に含有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ０）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）と、特定構造を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ５）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】簡便に被覆パターンを形成できる被覆パターン形成方法、および該被覆パターン形成方法に用いられる材料、ならびに前記被覆パターン形成方法を利用したパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体１上に、表面が被覆膜４で被覆されたパターンを形成する被覆パターン形成方法であって、支持体１上に、露光及び／又は熱により酸を発生し得る酸発生剤を含有するレジスト組成物を用いてレジストパターン２を形成する工程と、レジストパターン２が形成された支持体１上に、酸の作用により架橋反応を生じ得るシリコン含有ポリマーと、該シリコン含有ポリマーを溶解する有機溶剤とを含有するレジスト被覆膜形成用材料を塗布して塗膜３を形成する工程と、レジストパターン２に対して露光及び／又はベークを行い、レジストパターン２にて酸を発生させる工程と、塗膜３に対して現像処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基含有繰り返し単位を有する樹脂、光酸発生剤又は光酸発生剤と熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布、溶剤除去するレジスト膜形成工程、クロムレスのシフターが配列された位相シフトマスクを用い高エネルギー線で露光後加熱し、酸不安定基に脱離反応させた後、現像しポジ型パターンを得る工程、露光又は加熱し、酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、架橋形成により有機溶剤耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物による反転用膜形成工程、ポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明のパターン形成方法によれば、解像性やプロセスマージンが拡大し、スループットが高く、ドライ現像のためのエッチング装置が不要で、ダブルダイポールリソグラフィーと同等の解像力が得られる。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の露光工程後かつ現像工程前に用いられ、レジスト膜の疎水性を低下させることが可能なレジスト表面改質液、及びそのレジスト表面改質液を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンを形成する際には、まず、基板上に形成されたレジスト膜を選択的に露光し、次いで、露光後のレジスト膜に酸性アニオン性界面活性剤と水とを含有するレジスト表面改質液を接触させることにより、レジスト膜の疎水性を低下させる。その後、レジスト表面改質液に接触させたレジスト膜を現像する。 （もっと読む）

二重フォトレジストパターンを形成するための方法が開示される。
（もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基含有繰り返し単位を有する樹脂、光酸発生剤又は光酸発生剤と熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布し、溶剤除去するレジスト膜形成工程、格子状のシフターが配列された位相シフトマスクを用い高エネルギー線で露光後加熱し、酸不安定基に脱離反応させた後、現像しポジ型パターンを得る工程、露光又は加熱し、酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、架橋形成により有機溶剤耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物による反転用膜形成工程、ポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明のパターン形成方法によれば、解像性やプロセスマージンが拡大し、スループットが高く、ドライ現像のためのエッチング装置が不要で、ダブルダイポールリソグラフィーと同等の解像力が得られる。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、Ｓｉ含有量が多く且つレジスト材料の染み込み量が少ないシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないボトム形状に優れるレジストパターンを安定して形成することができる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、（Ａ）シラノール基を有するポリシロキサンと、（Ｂ）２つ以上のオキセタニル基を有するオキセタニル基含有化合物と、（Ｃ）有機溶媒と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を使用したレジストパターニング工程におけるパターニング性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハ１０上に第１の反射防止膜１１を形成する工程と、第１の反射防止膜１１上に第２の反射防止膜１２を形成する工程と、第２の反射防止膜１２上にレジスト膜１３を形成する工程と、レジスト膜１３を選択的に露光する工程と、この露光後にレジスト膜１３及び反射防止膜１１、１２を現像する工程と、この現像により得られたレジスト膜１３のパターンをマスクに半導体ウェーハ１０に対する処理を行う工程とを備え、第１の反射防止膜１１の感光剤濃度は第２の反射防止膜１２の感光剤濃度よりも高い。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に酸不安定基を有する繰り返し単位を有し、酸不安定基の脱離によりアルカリ性現像液に可溶になる樹脂、光酸発生剤又は熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物でレジスト膜を形成する工程、該膜に高エネルギー線の繰り返し密集パターンを露光し、未露光部を露光、加熱し、発生酸を樹脂の酸不安定基に作用させ、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応させた後、現像してポジ型パターンを得る工程、ポジ型パターンを露光又は加熱して、樹脂の酸不安定基を脱離させ、架橋を形成させてポジ型パターンに有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜形成工程、上記架橋形成ポジ型パターンを溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたレジストパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型パターン上に反転用膜を成膜し、パターンにダメージを与えずにポジ型パターンの間隙に反転用膜形成用材料を埋め込められ、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行える。 （もっと読む）

【課題】微細な反転パターンを、少ない工程数で、良好な形状で形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程（ｉ）と、前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布して前記レジストパターンの高さと同じかそれよりも薄い膜厚のパターン反転用被膜を形成する工程（ｉｉ）と、前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程（ｉｉｉ）と、を備え、前記反転パターン形成用材料は、シリコン含有量が１５質量％超のシロキサンポリマーを含有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、Ｓｉ含有量が多く且つレジスト材料の染み込み量が少ないシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないレジストパターンを安定して形成することができる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、（Ａ）テトラアルコキシシラン由来の構造単位（ａ１）、及びヘキサアルコキシジシラン由来の構造単位（ａ２）を含有しており、前記構造単位（ａ１）の含有割合を１００モル％とした場合に、前記構造単位（ａ２）の含有割合が１０〜３０モル％であるポリシロキサンと、（Ｂ）有機溶媒と、を含有するものである。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料の溶解性が良好であり、優れたリソグラフィー特性を示し、良好な形状のレジストパターンを形成できるアルコール系有機溶剤を用いたポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とが、有機溶剤（Ｓ）に溶解してなり、前記有機溶剤（Ｓ）がアルコール系有機溶剤であり、前記樹脂成分（Ａ）が、側鎖に、ＯＨ基を有する炭素数４〜６の環状エーテルを有する構成単位（ａ０−１）、側鎖に、ＯＨ基を有するアルキレン基または脂肪族環式基を有する構成単位（ａ０−２）、および酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）