【課題】ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤、レジスト組成物およびそれらを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】一分子中に二個以上の求核性官能基を有する化合物、またはその塩と溶剤を含有することを特徴とするレジストパターン形成用表面処理剤。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの倒れ、露光量変化に対する性能安定性（露光ラチチュード）が改良され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能なレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【手段】活性光線又は放射線の照射により、フッ素原子及びエステル結合を有する特定のスルホン酸を発生する化合物、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いた液浸露光によるパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅とＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれおよびそれを用いたパターン形成方法を提供すること
【解決手段】求核性官能基を有するポリマーおよび/またはオリゴマーと溶剤を含有することを特徴とするレジストパターン表面処理剤。 （もっと読む）

【課題】液浸露光用として好適なレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、下記一般式（ｃ−１）で表される含フッ素化合物（Ｃ）とを含有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物（式中、Ｒ^１は有機基であって、重合性基を含んでいてもよく；Ｘは酸解離性部位を有する二価の有機基であり；Ｒ^２はフッ素原子を有する有機基である。）；かかる液浸露光用レジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を浸漬露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
［化１］
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【課題】露光工程においてレジスト膜から発生するアウトガスの量を低減して、レジスト膜の適正なパターニングを実現可能なレジスト処理装置を提供する。
【解決手段】開示するレジスト処理装置１０は、基板Ｗに形成されたレジスト膜に対して処理を行うレジスト処理装置１０であって、内部を真空に維持することができる処理容器１２と、処理容器１２内に設けられ、レジスト膜が形成された基板Ｗが載置される載置台１４と、化学的に不活性な第１のガスおよび第２のガスを含む混合ガスを所定の流量にて載置台１２に向けて噴出するガス供給部１６と、ガス供給部１６から所定の流量で噴出される混合ガスが処理容器内で分子線になり得る真空度に処理容器１２を排気することが可能な排気部１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】支持体上に、ポジ型の第一の化学増幅型レジスト組成物を用いて１回目のパターニングを行い、第一のレジストパターンを形成した後、その上にさらに第二の化学増幅型レジスト組成物を用いて２回目のパターニングを行うダブルパターニングプロセスにおいて、第一のレジストパターンを損なうことなく２回目のパターニングを実施でき、微細なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第一のパターニング工程で第一のレジストパターンが形成された支持体上に、第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、露光後ベーク処理を施し、現像してレジストパターンを形成する第二のパターニング工程における露光後ベーク処理を、前記第一のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させないベーク温度で行う。 （もっと読む）

【課題】反射防止能に優れたレジスト下層膜を形成することができる多層レジストプロセス用下層膜形成組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）ノボラック樹脂と、（Ｂ）有機溶剤と、を含有し、（Ａ）ノボラック樹脂が、（ａ１）分子中にフェノール性水酸基を２つ以上有する化合物を１〜９９質量％、（ａ２）ナフトールを１〜１０質量％、（ａ３）フェノール性水酸基を有する化合物（但し、前記（ａ１）化合物及び前記（ａ２）ナフトールを除く）を０〜９８質量％（但し、（ａ１）＋（ａ２）＋（ａ３）＝１００質量％とする）、及び（ａ４）アルデヒド、を縮合して得られる樹脂である多層レジストプロセス用下層膜形成組成物。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶで露光を行う際のレジスト膜からのアウトガスを抑制する。
【解決手段】ＥＵＶの露光によりパターニングされるレジスト材料が、ベース樹脂と、光酸発生剤と、フッ素多環式化合物とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物に使用される有機溶剤に対する耐性を必要限度で与え、かつアルカリ性エッチング液への溶解性を確保することによって、最終的にネガ像を得る工程をアルカリ性エッチング液によるウエットエッチングで行うポジネガ反転によるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ポジ型レジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を露光および現像してポジ型パターンを得る工程と、該得られたポジ型レジストパターンに架橋を形成する工程と、反転用膜を形成する工程と、アルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去することでポジ型パターンをネガ型パターンに反転する工程とを含むポジネガ反転を用いたレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】寸法ばらつき及び欠陥を可及的に低減したレジストパターンを高いスループットで形成する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を形成し、
減圧処理を施した後に、減圧状態の下で前記レジスト膜に露光処理を施し、
常温換算の相対湿度が所定の範囲に保たれたガスを、減圧環境下に導入することにより、減圧状態を解放しながら前記レジスト膜を加湿する、減圧解放処理を行い、
前記減圧解放処理の後、前記レジスト膜を加熱するベーク処理を行い、
前記レジスト膜を現像する。 （もっと読む）

【解決手段】一般式(１ａ)、(１ｂ)、(２ａ)及び(２ｂ)で表される繰り返し単位から構成される高分子化合物(ＰＡ)を含むレジスト材料。


【効果】高分子化合物(ＰＡ)を用いたレジスト材料は液浸リソグラフィーにおける撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少ない良好なリソグラフィー性能を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、透明性、低誘電率特性、耐溶剤性に優れ、ＴＦＴ基板用層間絶縁膜として好適である新規なポリオルガノシロキサン化合物、これを含む感光性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】式（１）のポリオルガノシロキサンに含まれるケイ素原子結合水酸基の一部の水素原子が式（２）の酸不安定基で置換及び／又は式（３）の架橋基で架橋され、Ｍｗが３００〜２００，０００のポリオルガノシロキサン化合物。式（１）Ｒ^１_ａＳｉ（ＯＲ^２）_ｂ（ＯＨ）_ｃＯ_{（４−ａ−ｂ−ｃ）／２}。


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【課題】微細なパターンを簡便かつ効率的に形成可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に所定のパターンを形成するパターン形成方法であって、（１）上記所定のパターンの一部のパターンが形成された第一のレジストパターンを得る工程と、（２）第一のレジストパターンとこの第一のレジストパターンを被覆した第一の被覆層とを備える第一のエッチング用マスク層を形成する工程と、（３）基板をエッチング処理する工程と、（４）上記所定のパターンの残部のうち少なくとも一部のパターンが形成された第二のレジストパターンを得る工程と、（５）第二のレジストパターンとこの第二のレジストパターンを被覆した第二の被覆層とを備える第二のエッチング用マスク層を形成する工程と、（６）更にエッチング処理する工程と、を有し、（４）〜（６）工程を順に１回以上繰り返すことによって所定のパターンを得るパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】（１）〜（３）の単位を含有する高分子。


（Ｒ¹はＨ、Ｆ、ＣＨ₃又はＣＦ₃、ＲｆはＨ、Ｆ、ＣＦ₃又はＣ₂Ｆ₅、Ａは二価の有機基。Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は酸素を含有してもよい有機基、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴が相互に結合して式中の硫黄原子と環を形成しうる。Ｎは０〜２の整数を示す。Ｒ⁸はＨ又はアルキル基、Ｂは単結合または二価の有機基。ａは０〜３、ｂは１〜３、Ｘは酸不安定基。）
【効果】感放射線レジスト材料のベース樹脂として有用。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、ネガ型現像によるパターニングに於いて、パターン倒れ性能が良好で、かつトレンチパターン解像性の良好なネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定構造の酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用によりネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、及び（Ｃ）溶剤を含有するネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】スペーサー形成時に発生する揮発成分量が極めて少なく、さらにスリットダイ塗布法による高速塗布にも対応できる感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】上記感放射線性樹脂組成物は、［Ａ］カルボキシル基およびカルボン酸無水物基よりなる群から選択される少なくとも１種の基、ならびにペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）に代表される特定の多価チオール化合物に由来する基を有し、且つゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）とポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）の比（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０〜２．８である重合体、［Ｂ］重合性不飽和化合物ならびに［Ｃ］感放射線性重合開始剤を含有する。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥が低減されたネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定構造の酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用によりネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、及び（Ｃ）溶剤を含有するネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ビアもしくはトレンチへの埋め込みに好適であり、所望のパターンに基づいた形成が容易であり、エッチング耐性に優れるレジスト下層膜を与えるレジスト下層膜形成用組成物及びこの組成物を用いたデュアルダマシン構造の形成方法を提供する。
【解決手段】本レジスト下層膜形成用組成物は、（Ａ）アリール基を有する重合体、（Ｂ）アセチレン基を有する界面活性剤、及び、（Ｃ）溶剤を含有する。更に、（Ｄ）酸発生剤、（Ｅ）架橋剤等を含有することができる。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示されるスルホニウム塩を含有する高分子化合物。


【効果】上記繰り返し単位を含有する高分子化合物を感放射線レジスト材料のベース樹脂として用いた場合、高い解像性能を発揮し、パターンのＬＥＲが小さく仕上がる。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィプロセスに適用する非自己現像型及び現像型のノルボルネン系ポリマー、ポリマーの製造方法、ポリマーを使用する組成物、及び組成物を使用する液浸リソグラフィプロセスを提供する。
【解決手段】液浸リソグラフィプロセスに有用な非自己現像型及び現像型のノルボルネン系ポリマー、このようなポリマーの製造方法、このようなポリマーを使用する組成物、及びこのような組成物を使用する液浸リソグラフィプロセスを提供する。より詳細には、液浸リソグラフィプロセスにおける現像層及びこのような現像層を被覆するためのトップコート層を形成するのに有用なノルボルネン系ポリマー及びそのプロセス。 （もっと読む）