【課題】レジストパターンの寸法精度を向上し、さらにはレジスト塗布から描画までのレジスト基板の放置時間に依存するレジストパターンの寸法変動を低減し、今後さらに進展し続けるフォトプロセスパターンの微細化に対応できるレジストパターンの寸法精度が得られるレジスト基板、その保存方法、及び、当該レジスト基板を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】膜厚５００ｎｍ以下で、かつ残留溶剤量が０．５〜２０ｐｐｍの感光性組成物からなるレジスト層が基板上に設けられていることを特徴とするレジスト基板である。 （もっと読む）

【課題】 ポリマー、光酸発生剤、および溶解改変剤を含むフォトレジスト組成物、フォトレジスト組成物を用いる像形成方法、および溶解改変剤を提供する。
【解決手段】 溶解改変剤は、水性アルカリ性現像液に不溶性であり、化学放射線に露光された光酸発生剤により酸が発生され、それにより溶解改変剤が好適な温度で現像液に可溶性になり、ポリマーが現像液に溶解されるまで、現像液へのポリマーの溶解を阻害する。ＤＭＡは、酸不安定エトキシエチル、テトラヒドロフラニル、およびアンゲリカラクトニル基で保護されたグリコシド、コーレート、シトレート、およびアダマンタンジカルボキシレートである。 （もっと読む）

【課題】 感度、解像度にすぐれるポジ型感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有するヒドロキシポリアミド１００質量部とニトロソ基含有化合物０．０１〜３０質量部と光酸発生剤１〜５０質量部を含むポジ型感光性樹脂組成物。
【化１】
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【課題】幅広い波長領域において高い透明性と不感性とが得られ、かつ、ＰＥＤ効果抑制に優れるレジスト保護膜を得るためのレジスト保護膜用組成物の提供。
【解決手段】Ｃ−Ｈ結合を有し、かつ、酸性官能基および塩基性官能基のいずれも有していない含フッ素樹脂（Ａ）、および、Ｃ−Ｈ結合を有するフッ素系溶媒（Ｂ）を含むレジスト保護膜用組成物。特に含フッ素樹脂（Ａ）が、含フッ素アクリル系単量体（Ａ１^０）または含フッ素アクリル系単量体（Ａ１^１）を重合してなる繰り返し単位、含フッ素ジエン系単量体（Ａ２）を環化重合してなる繰り返し単位、および、含フッ素ジエン系単量体（Ａ３）とビニルエーテル系単量体（Ａ４）とを２分子環化重合してなる繰り返し単位からなる群から選ばれる１種以上の繰り返し単位を有することが好ましい。 （もっと読む）

リソグラフィー工程に有用な反射防止性を有するハードマスク組成物、該ハードマスク組成物を用いる方法及び該方法により製造される半導体デバイスが提供される。本発明の反射防止性を有するハードマスク組成物は、(a) 本発明に記載の単量体単位のうち１つ以上を含む第１重合体と、アリール基を含む第２重合体とを含む重合体混合物と、(b) 架橋成分と、(c) 酸触媒とを含むことを特徴とする。
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化学増幅形レジスト層をパターン形成する方法において、レジスト層は、基板上に形成され、第１の溶解度を有する第１の状態のレジスト分子を有している。上記レジスト層の所定の領域は、第１の放射線に曝露され、上記レジスト層における上記曝露された所定の領域に触媒種を生成する。上記レジスト層は第２の放射線に曝露され、上記レジスト層における上記所定の領域のレジスト分子は、上記第１の状態から、第２の溶解度を有する第２の状態へ変換し、レジスト分子の変換は上記触媒種により触媒され、レジスト分子を触媒によって変換するための活性化エネルギーは、レジスト分子の第２の放射線吸収により低下する。上記レジスト層は所定の現像液により現像される。
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【課題】半導体工程における微細パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 フォトレジストコーティング用組成物を用いた微細パターン形成方法において、水溶性重合体と水性溶媒を含むフォトレジストコーティング用組成物を既に形成されたフォトレジストパターン上にコーティングさせることにより、フォトレジストコンタクトホールや余白の大きさを効果的に低減する。 （もっと読む）

【課題】基板上のレジストパターンにイオン注入処理を行う際のレジストの変質層の生成を抑制し、基板に損傷を与えることなくレジストを除去する。
【解決手段】基板１上にレジストパターン３を形成する第１の工程の後に、不活性ガスおよび窒素雰囲気下で加熱しながら基板１を紫外線照射するか、もしくは基板１を加熱しながらアルカリ溶液に浸漬する第２の工程を実施し、その後イオン注入の処理を行う第３の工程を実施し、最後にレジストパターン３を除去する第４の工程を実施する。レジストの除去能力低下は、レジスト樹脂が注入イオンである例えばリンと架橋することにより硬化した変質層が形成されるためである。本発明では、前処理として紫外線照射またはアルカリ溶液浸漬を行うことにより、変質層の形成を抑制し、レジスト除去を容易にする。 （もっと読む）

【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の
少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高くかつ前記レジスト膜よりも屈折率が
低い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度
を向上させる液浸露光プロセスにおいて、液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液体
の変質を同時に防止し、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする
。
【解決手段】パーフルオロアルキルポリエーテルとして環式パーフルオロアルキルポリエ
ーテルを含有する組成物を用いて、使用するレジスト膜の表面に、露光光に透明で、レジ
スト膜を浸漬させる液体に対して実質的に相溶性を持たず、かつレジスト膜との間でミキ
シングを生じない特性を有する保護膜を形成する。 （もっと読む）

本発明の実施態様は、一般に、液浸リソグラフィプロセスに有用な非自己現像型及び現像型のノルボルネン系ポリマー、このようなポリマーの製造方法、このようなポリマーを使用する組成物、及びこのような組成物を使用する液浸リソグラフィプロセスに関する。より詳細には、本発明の実施態様は、液浸リソグラフィプロセスにおける現像層及びこのような現像層を被覆するためのトップコート層を形成するのに有用なノルボルネン系ポリマー及びそのプロセスに関する。
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【課題】 エッジラフネスを低減した高解像度のポジ型パターンが得られる感放射線組成物、およびそれを用いた電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ベンゼン環を５個以上、水酸基を５個以上有し、かつ１個のベンゼン環に有する水酸基が２個以下である多核フェノール化合物を酸分解性基を介して少なくとも２個以上結合した構造を有する化合物もしくは樹脂を感放射線組成物の主成分とし、前記多核フェノール化合物の純度がゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定した主成分に該当するピーク面積の割合で９０％以上であるポジ型感放射組成物をレジストに用いることにより、エッジラフネスを低減した高解像度のポジ型パターンを得る。 （もっと読む）

本発明は、ａ） 酸不安定性基で保護された少なくとも一種の酸性構造要素を含みかつ水性アルカリ性溶液中に不溶性の、ポリマー主鎖から伸びるスルホン側基を含む新規ポリマー、及びｂ） 露光時に酸を生成することができる化合物を含む、３００ｎｍ〜１００ｎｍの範囲の波長に感度を示す新規の化学増幅型フォトレジストに関する。また本発明は、該新規ポジ型フォトレジスト組成物に像を形成する方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】 高密度及び高解像度を有するプリント配線板を得るために、製造時にささくれ部あるいは樹脂片の発生を十分に抑制する感光性フィルムを提供する。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明の感光性フィルムは、支持層１０と感光層３０との間にクッション層２０を備えてなる感光性フィルム１００であって、クッション層２０が、モノマー単位の異なる２種以上のポリマーを含有し、かつ１０００％以下の破断伸びを示し、ポリマーのうち、少なくとも１組のポリマーのメルトフローレートの差が２００ｇ／１０分以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光量が比較的少なくても、パターン精度に優れた硬化物が得られる放射線硬化性組成物、その保存方法、硬化膜形成方法及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の放射線硬化性組成物は、（ａ）成分：シロキサン樹脂と、（ｂ）成分：光酸発生剤又は光塩基発生剤と、（ｃ）成分：（ａ）成分を溶解可能な溶媒と、（ｄ）成分：アルカリ金属類、並びに（ｄ−１）窒素含有化合物と（ｄ−２）アニオン性基含有化合物及びハロゲン原子から選ばれる少なくとも一種とから形成される塩、からなる群より選ばれる１種以上の硬化促進触媒とを含有してなるものである。 （もっと読む）

多層画像形成系においてリソグラフプロセス中に生じた間違い、例えば不正確な膜厚、好ましくないコーティング品質、および不正確な特徴寸法の解決方法を提供する。製造効率を最適化するには、下部層(アンダーコートすなわち下層)を除去、再コートおよび通常、硬化することなしに上部層(画像形成層)を除去できることが望ましい。基板スタックから画像形成層を除去するための再処理方法は、このような方法である。スタックは、基板、基板に隣接する下層および下層に隣接するケイ素を含んでいる画像形成層からなる。方法は、(ａ) 基板スタックを画像形成層除去溶媒と接触させ；(ｂ) 画像形成層除去溶媒を用いて画像形成層を除去し、それによって基板／下層スタックを形成し、その際、画像形成層除去溶媒は、グリコールエーテル、ケトン、エステル、ラクテート、ジメチルスルホキシド(ＤＭＳＯ)、ジメチルホルムアミド(ＤＭＦ)、テトラヒドロフラン(ＴＨＦ)、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、テトラヒドロピラン、エチルテトラヒドロピラン−４−アセテート、メチルテトラヒドロピラン−４−メタノール、テトラヒドロピラン−４−オン、ｎ−ブチルアセテート、ｎ−アミルアセテートおよびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選ばれ；そして(ｃ) 画像形成層を除去した後、画像形成層除去溶媒を基板／下層スタックから除去する：工程からなる。
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永久フォトレジスト組成物であって、（Ａ）式Ｉによる１種又は複数のビスフェノールＡ−ノボラックエポキシ樹脂（ただし、式Ｉ中の各基Ｒはグリシジル又は水素から個別に選択され、式Ｉ中のｋは０〜約３０の範囲にある実数である）と、（Ｂ）式ＢＩＩａ及びＢＩＩｂにより表される群から選択される１種又は複数のエポキシ樹脂（式中、式ＢＩＩａにおける各Ｒ_１、Ｒ_２、及びＲ_３は、水素、又は炭素原子１〜４個を有するアルキル基からなる群より独立に選択され、式ＢＩＩａ中のｐの値は１〜３０の範囲にある実数であり；式ＢＩＩｂ中のｎ及びｍの値は独立に１〜３０の範囲にある実数であり、式ＢＩＩｂ中の各Ｒ４、及びＲ５は、水素、炭素原子１〜４個を有するアルキル基、又はトリフルオロメチルからなる群より独立に選択される）と、（Ｃ）１種又は複数のカチオン性光開始剤（光酸発生剤又はＰＡＧとしても知られる）と、（Ｄ）１種又は複数の溶媒とを含む組成物。 （もっと読む）