【課題】パターン露光のみで基板表面に化学活性基パターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に、疎水性の光分解性基で保護され、光照射によりアミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基またはスルホ基から選ばれる親水性基を生起する感光性有機材料を付与して感光性有機材料層を形成する工程、前記感光性有機材料層に選択的にパターンの露光を行ない、露光部に前記親水性基を生起させる工程、前記露光後の感光性有機材料層上に親水性セグメントと疎水性セグメントとを有するブロックポリマーを付与し、前記露光により生起した親水性基の有る部分と無い部分に前記ブロックポリマー中の親水性セグメントと疎水性セグメントとを分離する工程、及び分離されたセグメントの一方を除去し、他方のセグメントからなるパターンを形成する工程を有するパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィー処理用の良好な方法、及び良好な液浸リソグラフィー処理を得るための適切な材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィー処理方法が記載されている。該方法は、所定のレジスト特性を有するレジスト材料２５０を取得し、リソグラフィー処理されたデバイスにレジスト層４を設けるため上記レジスト材料を使用し、及び、得るべき所定パターンによって上記レジスト層を照明することを備える。これにより得られたレジスト材料２５０は、上記リソグラフィー処理されたデバイスのウオータマーク欠陥を低減するように、調整された光酸発生剤成分２５４の濃度、及び／又は調整されたクェンチャー成分２５６の濃度、及び／又は調整された酸移動性を備える。本発明は、また、対応のレジスト材料２５０、レジスト材料群、そのような材料の使用、及びリソグラフィー処理の組立方法に関する。 （もっと読む）

【課題】環境上問題なく使用することができ、品質管理が容易であり、レジスト膜上に形成された特殊洗浄剤を必要とするフッ素置換ポリマーからなる被膜を効率よく除去し、さらには、洗浄剤自体をリサイクル可能とすることによって、極めて低コストでレジストパターンを形成することを可能とするリソグラフィー用洗浄剤を提供する。
【解決手段】水素原子の一部ないし全部がフッ素原子により置換されたフルオロアルキルアミンを含有するリソグラフィー用洗浄剤、及びこれを用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】環境上問題なく使用することができ、品質管理が容易であり、レジスト膜上に形成された特殊洗浄剤を必要とするフッ素置換ポリマーからなる被膜を効率良く除去し、溶解速度の最適化が可能なリソグラフィー用洗浄剤、及びリソグラフィー用洗浄剤を用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）フッ素系溶剤、及び（Ｂ）前記（Ａ）成分より沸点が低いハイドロフルオロエーテルを含有するリソグラフィー用洗浄剤、及びこれを用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光に対して優れた反射防止効果を有し、またエッチング選択比が十分に高く、上層のフォトレジスト膜に形成するレジストパターン形状をほぼ垂直形状にできるフォトレジスト下層膜材料。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物と、式（２）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物とを添加してなるフォトレジスト下層膜材料。
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【課題】高解像性のレジストパターンを形成できる新規なレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明は、支持体１上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成する工程と、前記第一のレジスト膜２を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターン３を形成する工程と、前記第一のレジストパターン３が形成された前記支持体１上に、アルコール系有機溶剤を含む有機溶剤（Ｓ”）を含有するネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜６を形成する工程と、前記第二のレジスト膜６を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して前記第一のレジストパターン３よりも密なレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３５】
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【課題】バリア膜上に残存する液浸露光用の液体がバリア膜を介してレジスト膜に浸透することを防止して、良好な形状を有する微細パターンを得られるようにする。
【解決手段】パターン形成方法は、基板１０１の上にレジスト膜１０２を形成し、形成したレジスト膜１０２の上にバリア膜１０３を形成する。続いて、バリア膜１０３の上に液体１０４を配した状態で、バリア膜１０３を介してレジスト膜１０２に露光光１０５を選択的に照射することによりパターン露光を行なう。続いて、パターン露光が行なわれたバリア膜１０３を水置換剤１０７にさらし、その後、パターン露光が行なわれたレジスト膜１０２に対して現像を行なって、バリア膜１０３を除去すると共にレジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ−１）酸触媒を用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られる反応混合物から上記酸触媒を除去して得られるケイ素含有化合物、
（Ａ−２）塩基性触媒を用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られる反応混合物から上記塩基性触媒を除去して得られるケイ素含有化合物、
（Ｂ）式（１）又は（２）の化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ （１）
（ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓ、ＸはＯＨ又は有機酸基、ａは１以上、ｂは０又は１以上、ａ＋ｂは水酸基又は有機酸基の個数である。）
ＭＡ （２）
（Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、Ａは非求核性対向イオン。）
（Ｃ）炭素数が１〜３０の有機酸、
（Ｄ）有機溶剤、
を含む熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。
【効果】本発明の組成物を用いて形成されたケイ素含有中間膜を用いることで、その上に形成したフォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能である。 （もっと読む）

【課題】分光特性及び顔料の分散性に優れ、着色パターンとしたときのパターンの矩形性、並びに下層及び上層との密着性に優れ、かつ、樹脂の総使用量が少なく、顔料の濃度が高い顔料含有硬化性組成物、並びに、これを用いたカラーフィルタおよび画像記録材料を提供する
【解決手段】側鎖に重合性基を有するモノマーユニット及び側鎖に酸性基または塩基性基を有するモノマーユニットを有する共重合体と、顔料とを含み、全固形分中の顔料濃度が５０質量％以上１００質量％未満であることを特徴とする顔料含有硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】耐熱性を有するレリーフ構造体を製造可能であり、高い耐熱性とともに、破断伸びが大きい膜を形成できるポリアミド樹脂、該樹脂を用いた感光性樹脂組成物及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】芳香環と芳香環を二重結合を含有する基で連結した繰り返し単位を有するポリアミド樹脂、該樹脂を含有する感光性樹脂組成物、及び該組成物を用いた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 湿式現像可能な反射防止膜組成物及びその使用方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板表面とポジ型フォトレジスト組成物の間に塗布する反射防止膜組成物を開示する。反射防止膜組成物は、水性アルカリ性現像液中で現像可能である。この反射防止膜組成物は、ラクトン、マレイミド、及びＮ−アルキルマレイミドから成る群から選択される１つ又は複数の部分を含む少なくとも１つのモノマー単位と、１つ又は複数の吸光性部分を含む少なくとも１つのモノマー単位とを含むポリマーを含む。このポリマーは酸に不安定な基を含まない。本発明はまた、フォトリソグラフィにおいて本発明の反射防止膜組成物を用いて、レリーフ像を形成し転写する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】感度、解像度等に優れる感放射線性樹脂組成物、感放射線性樹脂膜及び転写フィルム並びにこれらを用いたメッキ造形物の製造方法。
【解決手段】本感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）一般式（１），（２）の構造単位を含む酸解離性基含有樹脂、（Ｂ）一般式（３）の構造単位を含む樹脂、及び（Ｃ）光酸発生剤を含有する。
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少なくとも一つのスルホニル基を含み、このスルホニル基に対してα位及び／またはβ位及び／またはγ位にある少なくとも一つの炭素原子がヒドロキシル基を有し、この際、このヒドロキシル基は保護されているかまたは保護されていない塩基可溶性ポリマーが開示される。 （もっと読む）

【課題】界面活性剤の濃度を低くしても低表面張力を維持することができ、効果的にパターン倒れやディフェクトを抑制することができ、パターン幅の不均一（ＬＷＲ）・パターン側壁の微小な凹凸（ＬＥＲ）を改善することができ、さらにレジストパターンの寸法変動を生じることのない新規なリソグラフィー用洗浄剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）含窒素カチオン性界面活性剤及び含窒素両性界面活性剤の中から選ばれる少なくとも１種、及び（Ｂ）アニオン性界面活性剤を含有する水性溶液からなるリソグラフィー用洗浄剤とする。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用又は３層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、ヒドロキシ基を有するビニルナフタレンとヒドロキシ基を有さない特定のオレフィン類の繰り返し単位とを共重合してなる重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング後に行うアッシングの速度が速く、このため、アッシング中にレジスト下層膜の直下の基板が変質するのを防ぐことのできるレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、水素を１０質量％以上、炭素を７０質量％以上含むモノマーに由来する繰り返し単位（Ａ）とヒドロキシ基又はエポキシ環を有する繰り返し単位（Ｂ）とを有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

本発明は、水性アルカリ現像剤中に不溶性であるが、現像の前に可溶性になるポリマーと、放射線で露光した際に強酸を生成する光酸発生剤とを含み、更にこの際、前記ポリマーが露光波長に透過性である、フォトレジスト用アンダーコート用組成物に関する。本発明は、該アンダーコート用組成物に像を形成する方法にも関する。 （もっと読む）

式（Ｉ）（式中、記号及び指数はそれぞれ以下のように定義される：Ａは、Ａ’、Ｒ、又はＯ−Ｒであり；ここで、Ｒは、１〜８個の炭素原子を有する、直鎖、分岐鎖、又は環式で、飽和又は不飽和の脂肪族基であり；Ａ’は、同一か又は異なり、式（Ｉａ）であり；Ｂは、結合、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ_２−Ｏ−（Ｏ）Ｃ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−、又は−ＮＨ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−であり；Ｒ^１は、Ｈ又はＯＨであり；ｍは、１、２、３、４、又は５であり；Ｙは、式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）であり；ｎは、≧３の正の有理数であり；Ｅは、同一か又は異なり、−ＣＨ−ＣＨＲ^２−、−ＣＨＲ^２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨＲ^２−ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−、又は−Ｏ−（ＣＨ_２）−であり；Ｒ^２は、Ｈ又はＣＨ_３であり；ｒは、１又は４である）の化合物は、フォトレジストのための感光性成分として好適である。

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【課題】高い解像性と良好なパターン形状を与え、電子線や遠紫外線を用いた微細加工に有用であり、ポジ型及びネガ型のＫｒＦレジスト、ＡｒＦレジスト、Ｆ₂レジスト、ＥＵＶレジスト、ＥＢレジスト、Ｘ線レジストにおいて高い配合効果を与え、超ＬＳＩ製造用の微細パターン形成材料として好適である。また、通常の露光法の他、液浸露光にも好適であるレジスト材料の提供。
【解決手段】フッ素化アルキル基を有するアミン化合物の１種又は２種以上を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。 （もっと読む）