説明

Fターム[2H096KA15]の内容

感光性樹脂・フォトレジストの処理 (33,738) | 多層レジスト法 (807) | 処理方法 (257) | 現像 (41) | 上層レジストの (21)

Fターム[2H096KA15]に分類される特許

1 - 20 / 21


【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と、半導体装置と、露光装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜2の上に下層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に露光光を照射することにより酸を発生させる。ベーク処理を施すことによって下層レジスト膜3bが形成される。現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜3bを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料を塗布し、同様の露光処理と現像処理を施すことにより、架橋した中間層レジスト膜4bを残して、未架橋の中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜、特には3層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜、又は、レジストパターンの側壁に直接珪素酸化膜を形成したり、レジストパターンに珪素酸化膜を形成してポジネガ反転を行う際に用いるレジスト下層膜であり、反射率を低減でき、エッチング耐性が高いレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくともフッ素原子を有するスチレン誘導体単位を、繰り返し単位として含有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 (もっと読む)


【課題】分光特性に優れた青色画素、感度、解像性、色純度、透過率に優れたカラーフィルタ、及びカラー表示装置を提供する。
【解決手段】複数色の組からなる着色膜のうちの少なくとも一色の組の着色膜が、色材に染料を含有し感光性を付与しないアルカリ現像性着色組成物の塗布膜を硬化してなる着色層(5a)と、該着色層の上にアルカリ現像性感光性組成物の塗布膜を硬化してなる感光層(5b)とからなる。色材の染料が青色染料である。青色染料がトリアリールメタン骨格を有する青色染料である。アルカリ現像性樹脂の酸価が、50〜150mg/KOHの範囲である。溶剤がケトン類である。 (もっと読む)


【課題】吐出エネルギー発生素子とインク流路および吐出口との位置関係を高精度かつ再現性良く制御でき、印字特性の良好なインクジェットヘッドを安定して製造できる方法を提供する。
【解決手段】液体を吐出する吐出口2と連通する流路17を形成するための流路形成部材を基板1上に有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、基板1上に感光性樹脂からなる層を設け、その層上の流路17に対応した部位にマスク層を設け、感光性樹脂からなる層に対して露光を行い流路17の形状を有するパターンとし、このパターンを被覆するように流路形成部材となる層を設け、流路形成部材となる層の一部に吐出口2を形成し、そのパターンを除去して流路17を形成することを含む液体吐出ヘッドの製造方法。 (もっと読む)


本発明は、デバイス上に反転トーン像を形成するための方法であって、a)基材上に吸光性下層を形成し; b)下層の上にポジ型フォトレジストの被膜を形成し; c)フォトレジストパターンを形成し; d)この第一のフォトレジストパターンを硬化化合物で処理し、それによって硬化したフォトレジストパターンを形成し; e)硬化したフォトレジストパターンの上に、ケイ素コーティング組成物からケイ素被膜を形成し; f)ケイ素被膜をドライエッチングし、ケイ素被膜がフォトレジストパターンと概ね同じ厚さとなるまで、ケイ素被膜を除去し、及びg)ドライエッチングを行ってフォトレジスト及び下層を除去し、それによってフォトレジストパターンが元々在った位置の下にトレンチを形成することを含む、前記方法に関する。更に本発明は、上記方法の製造物及び上記方法を用いて製造される微細電子デバイスにも関する。 (もっと読む)


【課題】パターン縁部の凸凹を抑制し、所望の形状のレジストパターンが得られるレジストパターン形成方法を提供すること。また、当該レジストパターン形成方法を利用した金属パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板10上に形成したレジスト層40に、パターン露光を行う。次に、高解像度用の現像液を用いて、レジスト層40を現像し、レジスト層40に開口部(抜きパターン42)を形成する。次に、露光部及び非露光部のいずれも同じレートで溶解する溶液を用いて、レジスト層40を処理し、レジスト層40の開口部(抜きパターン42)の開口径を広げる。これにより、レジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンを利用して金属パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】フォトレジスト感光速度の望ましくない増加を回避することができる、新規ケイ素樹脂およびフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、一態様において、ケイ素含有有機コーティング組成物、特には、フェニル等の発色団部分がSi原子から隔てられている、反復単位を含む反射防止コーティング組成物に関する。別の態様において、液体(有機溶媒)組成物として配合され、溶媒成分の少なくとも1種類の溶媒がヒドロキシ基を含む、ケイ素含有下地組成物を提供する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置製造において、リソグラフィ寸法より小さい加工寸法を得る。
【解決手段】多層レジストの加工方法は、基板1上に、下層4、中間層5及び上層レジスト6を順次形成する工程(a)と、リソグラフィ技術により、上層レジスト6をパターニングして第1の寸法を有する上層開口16を設ける工程(b)と、上層レジスト6をマスクとして中間層5をドライエッチングすることにより、上層開口16の下方に、第2の寸法を有する中間層開口15を形成する工程(c)と、中間層5をマスクとして下層4をドライエッチングすることにより、中間層開口15の下方に、第3の寸法を有する下層開口14を形成する工程(d)とを備える。工程(c)において、第2の寸法が上部よりも下部において小さくなる形状に中間層開口15を形成することにより、工程(d)において、第3の寸法を第1の寸法よりも小さくする。 (もっと読む)


【課題】バリヤ層とマスク層(マスク形成層)とが良好に密着した印刷版用原版およびこれを用いて形成された印刷版を提供する。
【解決手段】本発明の印刷版用原版は、感光層と、該感光層の上に設けられたバリヤ層と、該バリヤ層の上に設けられ、赤外線レーザーを照射することにより除去可能なマスク形成層と、を有し、該バリヤ層および該マスク形成層に含まれるバインダーのうちの、それぞれ50質量%以上が互いに同種のバインダーであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】多層レジストプロセスにおけるレジストパターンの解像性を向上させる。
【解決手段】基板101の上に、架橋性基を有するシクロオレフィンを重合してなるポリマーと熱により酸を発生する熱酸発生剤とを含むパターン形成用材料からなる下層膜102を形成して加熱する。次に、下層膜102の上にシリコンを含む中層膜103を形成し、その上にレジストからなる上層膜104を形成する。続いて、上層膜104に対して、露光光106をにより露光を行ない、露光が行なわれた上層膜104を現像することにより、上層膜104から第1パターン104aを形成する。その後、第1パターン104aをマスクとして中層膜103をエッチングすることにより、中層膜103から第2パターン103aを形成し、さらに、第1パターン104aと第2パターン103aをマスクとして下層膜102から、形状に優れた第3パターン102aを形成する。 (もっと読む)


【課題】短波長の露光において、最適なn値、k値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有2層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層による3層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化35】
(もっと読む)


【解決手段】(A−1)酸触媒を用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られる反応混合物から上記酸触媒を除去して得られるケイ素含有化合物、
(A−2)塩基性触媒を用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られる反応混合物から上記塩基性触媒を除去して得られるケイ素含有化合物、
(B)式(1)又は(2)の化合物、
abX (1)
(LはLi,Na,K,Rb又はCs、XはOH又は有機酸基、aは1以上、bは0又は1以上、a+bは水酸基又は有機酸基の個数である。)
MA (2)
(Mはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、Aは非求核性対向イオン。)
(C)炭素数が1〜30の有機酸、
(D)有機溶剤、
を含む熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。
【効果】本発明の組成物を用いて形成されたケイ素含有中間膜を用いることで、その上に形成したフォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能である。 (もっと読む)


【課題】フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能である熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】(A)無機酸及びスルホン酸誘導体から選ばれる化合物を酸触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物の反応混合物から上記酸触媒を実質的に除去する工程を経て得ることのできるケイ素含有化合物、(B)式(1)又は(2)の化合物、 LabX (1)(式中、LはLi,Na,K,Rb又はCs、XはOH、又は有機酸基であり、aは1以上、bは0又は1以上で、a+bは水酸基又は有機酸基の価数である。) MA (2)(式中、Mはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、Aは非求核性対向イオン。)(C)炭素数が1〜30の有機酸、(D)有機溶剤、を含む熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】フォトリソグラフィ用コーティング組成物及び方法の提供
【解決手段】第一の態様においては、(a)基体上に硬化性組成物を適用する工程、(b)硬化性組成物上にハードマスク組成物を適用する工程、(c)ハードマスク組成物上にフォトレジスト組成物層を適用する工程を含む方法であって、アッシングを含まないプロセスにおいて一以上の組成物を除去する工程、を含む方法が提供される。第二の態様においては、(a)基体上に有機組成物を適用する工程、(b)有機組成物上にフォトレジスト組成物層を適用する工程であって、その有機組成物が、熱処理および/または放射線処理の際にアルカリ溶解性基を生じさせる材料を含む工程を含む方法が提供される。関連する組成物も提供される。 (もっと読む)


【課題】ポジ型レジストを用いて形成工程が容易となるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】レジスト層26の上面側26aよりもレジスト層26の下面側26bの方が開口部が広くなるように、レジスト層26の下面側26bをエッチング液(現像液と同じ)33によってウェットエッチングするので、レジスト層26の逆テーパ形状を容易に形成することができる。これにより、レジスト層がポジ型レジストからなる場合であっても、微細なパターンを容易に形成することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】パターン形成方法に関し、パターン疎密に依るエッチング形状の差を解消することが可能であり、また、エッチングシフト量の変動などに対して即応性に優れ、且つ、低コストのパターン形成方法を提供しようとする。
【解決手段】パターン密度が異なる回路パターンの形成を必要とする被エッチング膜2のエッチングに於いて、パターン密度にかかわらずエッチング後に所望の寸法をもつ被エッチング膜2を形成する為、所望のエッチングシフト量が得られるレジスト膜厚をそれぞれのパターン密度に応じて決定し、前記パターン密度に対応して膜厚を変化させたレジスト膜4をマスクとしてエッチングを行う。 (もっと読む)


【課題】フォトレジスト膜に対してエッチング選択比が高く、かつ無機性の緻密な膜を形成することにより上層のフォトレジスト膜が良好なパターンを形成でき、またウエットストリップが可能であり、さらに、保存安定性が高く、下層膜のエッチング時に優れたドライエッチング耐性を示して多層レジスト膜のレジスト中間層膜として好適な反射防止膜材料、及び、この反射防止膜をレジスト中間層膜として有する基板を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト中間層膜として用いる反射防止膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物をキレート化剤と反応させて得られる高分子化合物と、有機溶剤と、酸発生剤とを含有することを特徴とする反射防止膜材料。
(もっと読む)


【課題】
エッチャントとして特定のガスを使用して、その添加量を厳密に制御することなく、膜の加工両端部を基板から離間するにつれて両端部間の距離が短くなるようなテーパー形状とし、当該テーパーの角度を所望の角度とすることが可能な膜のパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】
本発明に係る一の態様の膜のパターン形成方法は、基板上に膜4、5を形成し、膜4、5の上層に、第1マスキング層10とその上層の第2マスキング層11とを、当該第2マスキング層11が第1マスキング層10端から突出する庇部を有するようにパターン形成し、膜4、5の上層に第1マスキング層10及び第2マスキング層11のパターンが形成されている状態において、膜4、5をエッチングしてパターニングする。
(もっと読む)


【課題】 上側レジスト層と下側レジスト層との界面でインターミキシングが起きず、従って良好な形状を有するレジストパターン、このレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法は、下側レジストパターンを、ポジ型レジスト材料、NQDノボラックレジスト材料、一体型NQDノボラックレジスト材料、疎水性一体型NQDノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成する。 (もっと読む)


高温に耐えるレリーフ画像を形成するのに使用するための、非−NMP溶媒中の接着促進剤を伴う安定な非感光性ポリイミド前駆体組成物およびこの画像を作成する方法。この非感光性ポリイミド前駆体組成物は、a)ガンマ−ブチロラクトン(GBL)中に可溶な1つまたはそれ以上のポリアミド酸および水性のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ただしポリアミド酸は、ポリイミド前駆体組成物が併用されるべき感光性組成物中に使用される溶媒に対しても耐性があるものとする;b)ガンマ−ブチロラクトンを含む溶媒;およびc)式I〜VI(式中、R1はH、C1〜C10の線状、環状または分枝状のアルキル、フェニルもしくはハロフェニルまたはアルキル置換フェニルであり、R2はC1〜C10の線状、環状もしくは分枝状のアルキル、フェニル、ハロフェニルもしくはアルキル置換フェニルまたは以下のVII、VIIIまたはIX(式中、R3はC1〜C4の線状もしくは分枝状のアルキル基またはC1〜C4の線状もしくは分枝状のアルコキシ基であり、R4、R5およびR6は独立にC1〜C4の線状もしくは分枝状のアルキル基であり、mは1から大体4の整数であり、またnは1から大体5の整数である)の部分構造の1つである)によって表される構造から選択される1つまたはそれ以上の接着促進剤を含有する。
を含む。
【化1】

(もっと読む)


1 - 20 / 21