【課題】高さが異なるパターンが組み合わされてなる高低パターン層を、フォトリソグラフィー法により同一の材料を用いて、かつ同時に製造することができる高低パターン層形成体の製造方法を提供する。
【解決手段】光硬化型樹脂組成物を上記基板上に塗布し、感光層を形成する感光層形成工程と、光の透過を遮る遮光層と、上記高低パターン層のパターンに沿って形成された開口部とを有し、２００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内の波長を４０％以上吸収するフィルターが、上記開口部の一部に配置されているマスクを用い、上記マスクを介して、上記感光層を露光する露光工程と、上記露光された感光層を現像することにより、上記マスクの開口部のうちフィルターが配置されている領域に該当する感光層が低部となる高低パターン層を形成する高低パターン層形成工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮光部材を選択的に用いて露光用光を遮光して、最小非露光幅の領域を遮光できるとともに、マスクのパターン領域全域を効率的に遮光することができるスキャン露光装置及びスキャン露光方法を提供する。
【解決手段】各遮光部１４が、搬送方向における幅ｗ１が該方向における最小非露光幅ｗＮＲ以下の第１遮光部材６０，６０と、搬送方向における幅ｗ２が第１遮光部材６０のものより大きい第２遮光部材６１と、搬送方向における幅ｗ３が第２の遮光部材６１の幅ｗ３より大きい第３遮光部材６２の４枚の遮光部材を有する。そして、基板ＷがマスクＭの下方で搬送される状態において、複数の遮光部材６０，６０，６１，６２によってマスクＭのパターンＰの領域全体を遮光し、第１遮光部材６０を基板Ｗの搬送と同期して移動させ、最小非露光幅ｗＮＲの非露光領域ＮＲを形成しながら基板Ｗを露光する。 （もっと読む）

【課題】急峻なプロファイルを持つレジストパターンを得ることができる多階調フォトマスク及びパターン転写方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板１１上に設けられた、露光光を一部透過させる半透光膜を各々パターン加工することにより、透光部及び半透光部を持つ転写パターンを備えた多階調フォトマスクであって、前記半透光部は、前記透明基板に対して相対的に低い位相シフト量を持つ第１半透光膜１２と、前記第１半透光膜１２に対して相対的に高い位相シフト量を持つ第２半透光膜１３と、から構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光源の消耗を抑制し露光光の照度を適切に設定することができる照明装置を提供する。
【解決手段】感光基板Ｐに対して露光光を照射する照明装置ＩＬにおいて、少なくとも１つの口径が異なる複数の入射口１２ａ〜１２ｃを有し、該複数の入射口１２ａ〜１２ｃから受光した前記露光光を前記感光基板Ｐに対して共通の射出口１４ａ〜１４ｇから射出させるライトガイド１３と、前記複数の入射口１２ａ〜１２ｃのうち少なくとも１つの入射口に対して選択的に前記露光光を入射させる光源部とを備える。 （もっと読む）

【課題】反射膜厚変動が生じても信号特性の劣化の少ない光ディスクの実現。
【解決手段】原盤形成基板上に、記録レーザ波長の１７％未満の厚さの蓄熱層を形成し、さらに無機レジスト層を形成して露光前のディスク原盤を生成する。次にディスク原盤の無機レジスト層に対して、記録レーザ光照射によりピット及びスペースから成る記録信号パターンの露光を行い、露光後に現像処理を行ってピット及びスペースによるピット列形状が形成されたディスク原盤を生成する。そしてピット列形状が形成されたディスク原盤を用いて、ピット列形状が転写されたスタンパを製造する。そしてスタンパのピット列形状が転写され、かつピット列形状に対して銀もしくは銀合金による反射膜が形成された記録層を含む所定の層構造を有する光ディスクを製造する。この光ディスク（図２（ｂ））は、長ピットの深さが侵入光波長（λ／ｎ）の２０％以下とされ、また最短ピットとの深さの差は、侵入光波長の１／３０以下とされている。 （もっと読む）

【課題】
本発明における目的は、水冷タイプの紫外線ランプとフィードバック制御を組み合わせた装置であっても、冷却水の汚れによってランプ寿命がばらつかない紫外線照射装置及びこれの制御方法を提供することである。
【解決手段】
第１の発明に係る紫外線照射装置は、一対の電極を対向配置した紫外線ランプと、該紫外線ランプの外方に設けた光センサと、該一対の電極に電力を入力するランプ電源と、該光センサに受光された光量値に基づいてランプ電源を制御する制御部と、を備えた紫外線照射装置において、冷却水の流路を構成するジャケットを紫外線ランプと光センサとの間に設け、該流路に比抵抗計又は導電率計を設け、該制御部は該比抵抗計又は導電率計に計測された比抵抗値に基づいて制御を行なうことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブラックマトリックスと絵素部外縁との重なり部分における盛り上がりを可及的に小さく抑えて、カラーフィルタの表面平坦性を高めると共に、カラーフィルタの精度を向上させることができる露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光パターン４が、少なくとも１ライン上に、所定のピッチで配設された、同一形状の複数の透光孔４_１から構成される領域と、前記ラインと平行な少なくとも１ライン上に、前記所定のピッチで配設された、前記透光孔の形状と相似関係にある形状の複数の透光部４_２及び４_３から構成される夫々の領域と、を有する露光用マスクに、露光光を間欠照射し、上記透光部４_１から４_３を露光パターンとしてカラーフィルタ基板Ｗ上に転写することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 周囲温度が変化しても露光精度を維持することができる露光装置を提供する。
【解決手段】 投影結像レンズ３０をホルダ５０に保持させると共に、投影結像レンズ５０を基板６の移動方向と直角の方向に複数個並べた露光装置において、サポートを線膨張係数が極めて小さい第１のサポート６０Ａと線膨張係数がβの第２のサポート６０Ｂとで構成し、ホルダ５０を第１のサポート６０Ａに保持させると共に基板６の移動方向と直角の方向配置し、基板６の移動方向に配置した第２のサポート６０Ｂで第１のサポート６０Ａを支持させると共に第２のサポート６０Ｂを装置本体に固定するようにしておき、ホルダ５０の線膨張係数をα、投影結像レンズ３０の瞳Ａ０の第１のサポート６０Ａからの距離をｃ、第２のサポート６０Ｂの装置本体固定位置から第１のサポート６０Ａ支持位置までの長さをｎとするとき、α、β、ｃ、ｎが式ｃα≒ｎβを満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】時間的に連続した描画処理で基板全面に亘って十分なエネルギービームの可変照射処理ができる技術を提供する。
【解決手段】基板９０上の各領域に対応する照射データを照射位置（画素）ごとの照射強度値の最大値を求める論理和演算処理によって合成した合成データ８２４に基づいて、基板９０の露光処理を行う。合成データ８２４によれば、レジスト層ＲＧが比較的厚い周縁領域９０２を、レジスト層ＲＧが比較的薄いパターン領域９０１よりも十分に大きな照射強度で光ビームの照射が行われる（照射強度値がＦＦ（ＨＥＸ）＞５５（ＨＥＸ））。これにより、時間的に連続した描画処理でレジストを変性させるのに十分な露光処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＤを光源とするレーザ直接描画装置であっても、安価な必要光量が２０〜１００ｍＪ／ｃｍ^２のＤＦＲを描画することができる描画方法および描画装置を提供する。
【解決手段】列方向と行方向に整列させたレーザビームを主走査方向へ偏向させながら被描画体を副走査方向へ移動させ、ラスタデータに基づき変調されたレーザビームをシリンドリカルレンズを用いて副走査方向に集光させて被描画体に所望のパターンを描画するレーザ直接描画装置において、行方向のレーザビームの光軸の数を正の整数であるｑとｓの積であるｐにすると共に、描画箇所の光量を設定する設定手段と、シリンドリカルレンズを行列面内で回転させる回転手段と、を設け、設定手段に設定された光量に応じてシリンドリカルレンズの位置を定め、行方向にｓ行ずつずらしながらレーザビームを被描画体へ照射することにより、描画箇所の光量が１重露光の場合のｑ倍であるｑ重露光する。 （もっと読む）

【課題】透明基板上に遮光部、透光部、及び光透過率の異なる半透光部からなる多階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１４上に遮光膜１５を有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う。第１レジストパターンを除去後、基板全面に第１半透光膜１６を形成し、その上に形成した第２レジストパターンをマスクとして少なくとも第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う。第２レジストパターンを除去後、基板全面に第２半透光膜１７を形成し、その上に形成した第３レジストパターンをマスクとして少なくとも第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク媒体に形成する微細パターンの描画が高速、高精度に、かつ近接効果補正が簡易に行え、基板全体で一定のドーズ量で描画可能とする。
【解決手段】レジスト11が塗布された基板10上に、電子ビームEBを基板10の半径方向または半径方向と直交する方向に微小往復振動させるとともに、その振動方向と直交する方向に偏向してエレメントの形状を塗りつぶすように走査して、微細パターン12のエレメント13の形状を描画する際に、エレメント配置の疎密程度に応じ、密配置部のエレメント描画では、前記偏向速度を疎配置部の同一エレメント描画での偏向速度より速く設定してドーズ量を調整し、近接効果補正を行う。 （もっと読む）

【課題】 高精度且つ短時間で行うことができるレーザー加工機の穴位置補正方法を提供することである。
【解決手段】 本発明によるレーザーダイオード出力調整方法においては、前記レーザーダイオード毎に、供給電流を横軸に出力を縦軸にして両者の関係を測定し、閾値電流より大きい電流域における両者の関係を第１の一次式として近似して、その傾きおよびＸ切片を記憶し、前記第１の一次式により、前記レーザーダイオードが設定出力を出力するために必要な電流値を推定して推定電流値として記憶し、前記推定電流値を入力したときのレーザーダイオード出力を測定し、測定されたレーザーダイオード出力が前記設定出力から外れている場合は供給電流を調整して当該レーザーダイオード出力を前記設定出力に合わせることを全ての前記レーザーダイオードに対して行うことにより全てのレーザーダイオード出力を等しくする。
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【課題】電子線描画中におけるポストエクスポージャーディレイから生じる寸法の面内ばらつきを簡便に抑制できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】電子線描画を行う領域であるパターン領域を描画領域に分割する工程と、分割された描画領域に描画順序を指定する工程と、描画順序に従って描画領域を描画する工程と、描画順序とは逆順に描画領域を描画する工程と、を備えることを特徴とするパターン形成方法を提供する。更に、描画順序に従って描画領域を描画する工程と、描画順序とは逆順に描画領域を描画する工程と、を繰り返してもよい。 （もっと読む）

【課題】局所的（部分的）な反りなどの変形が発生した場合であっても、図形精度を良好にする。
【解決手段】所定距離間隔で検出された各部位（部位Ｐ_Ｋ−１〜部位Ｐ_Ｋ）の高さ及び画像データに基づいて、検出された隣接する部位間（部位Ｐ_Ｋ−１〜部位Ｐ_Ｋの区間：Ｋ＝２、３、・・・、Ｎ）の感光層１６ａの各々を露光する単位面積Ｄ_Ｋ（Ｋ＝１、２、・・・、Ｎ−１）当りの露光量の各々が、感光層１６´ａの高さが一定である基準となる基板１６´の各基準部位間（基準部位Ｐ´_Ｋ−１〜部位Ｐ´_Ｋの区間：Ｋ＝２、３、・・・、Ｎ）における単位面積Ｄ_Ｋ当りの基準露光量の各々と一致する露光量で、感光層１６ａを露光する。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク媒体に形成する微細パターンの描画が高速、高精度に、かつ近接効果補正が簡易に行え、基板全体で一定のドーズ量で描画可能とする。
【解決手段】レジスト11が塗布された基板10上に電子ビームEBを走査して、微細パターン12のエレメント13の形状を描画する際に、描画データに基づき、基板10の所定回転位置でオン信号により電子ビームを照射し、その回転に追従して回転方向に描画し、オフ信号で描画を停止するオン・オフ制御で１周分を描画した後、ビーム照射位置を半径方向に移動させてオン・オフ制御による描画を繰り返すもので、エレメント配置の疎密程度に応じ、密配置部のエレメント描画では、オン・オフ制御のオン時間を、疎配置部の同一エレメント描画でのオン時間より短く設定してドーズ量を調整し、近接効果補正を行う。 （もっと読む）

【課題】
高精度に露光量を制御し、露光量に起因したレチクルパターンの解像不良を低減し、半導体製造工程における歩留りを向上する走査型露光装置を提供する。
【解決手段】
光源からの光を原版を介して基板に照射する走査型露光装置であって、前記基板を搭載して移動する基板ステージと、前記基板ステージ上に搭載され、前記光源からの光を検出するセンサと、前記基板の露光をする前に検出した前記センサの出力にもとづいて、前記光源からの光が前記基板に到達するまでの遅延に関する補正値を算出する演算部と、前記基板の露光をする際に、前記補正値にもとづいて前記光源の出力を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィープロセスウィンドーの信頼性の評価をすることが可能なリソグラフィープロセスウィンドー解析方法およびその解析プログラムを提供すること。
【解決手段】ウェハ上においてＦＥＭサンプリング空間１２のサンプル点に従って露光量とフォーカス位置とを変化させて露光処理を実施し、それぞれ形成されたパターンの寸法の実測値が許容範囲内となるような露光量およびフォーカス位置についての許容境界を求め、さらにこの許容境界を外挿して曲線２０，２１を作成し、この許容境界内に外挿されたプロセスウィンドー１５を作成する。次に、露光量−フォーカス空間内の任意の点（プロセス条件）の解析信頼性Ｍを定義し、この解析信頼性Ｍを用いてプロセスウィンドー１５内の点についてＭ^α（αは−１程度の値）を平均化してプロセスウィンドー１５の信頼性Ｒを算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明はブランキングコイルの制御方法及び装置に関し、ブランキングオフ時間を短かくしてトータルのブランキングオン／オフ時間を短かくすることができるブランキングコイルの制御方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】荷電粒子線により描画媒体にパターン描画を行なう荷電粒子線描画装置に用いられるブランキングコイルの制御装置であって、ブランキング用に設けられた一対のコイルＬ１，Ｌ２と、これらコイルに電流を流す一対の駆動回路１０，１１と、これら駆動回路の入力部に設けられたＤ／Ａ変換器１，２と、これらＤ／Ａ変換器にデジタル値をセットする制御ＣＰＵ４と、前記一対のコイルＬ１，Ｌ２に流す電流の差電流を取り出す差動増幅回路と、該差動増幅回路の出力をデジタル値に変換し、その出力を前記制御ＣＰＵ４に与えるＡ／Ｄ変換器３と、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上のレジスト寸法精度を高めることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光源からの光をフォトマスク上の所定の領域で透過または反射させて基板上のフォトレジストに照射してパターンを形成し、半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、フォトマスクの面内の各位置における、入射光強度に対するフォトマスクで透過または反射する出射光強度の割合である出射光比率に基づいて、フォトマスクからの出射光強度が均一となる入射光強度のフォトマスク上での分布である露光量補正情報を算出する工程と、基板上の露光領域に対応するフォトマスクの照射領域への照射量が、対応する位置での露光量補正情報となるように入射光強度を補正しながら、露光領域を露光する工程と、を含む。 （もっと読む）