【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板処理の歩留まりを向上させる。
【解決手段】露光装置で露光処理を行う前に、露光装置における基板のフォーカスの状態を検査する検査ユニット１００であって、ウェハＷを、露光装置で露光処理される際と同じ条件で裏面から吸着保持するウェハ保持台１４１と、ウェハ保持台１４１に吸着保持されたウェハＷにおける厚み方向の高さを測定する高さ測定機構１５０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光リソグラフィ用マスクの位相欠陥を簡便に救済する技術を提供する。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用マスクの製造に用いるマスクブランクの位相欠陥検査工程で位相欠陥が検出された場合、前記位相欠陥が凹欠陥か凸欠陥かを判定し、前記位相欠陥の凹凸に応じて、前記ＥＵＶリソグラフィ用マスクの前記位相欠陥を含む部位を局所的にデフォーカスさせて露光を行うことにより、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの位相欠陥を修正することなく、半導体ウエハへの回路パターンの異常転写を抑制する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の空間強度分布に時間変動がある場合でも安定なフォーカス状態を維持する光ディスク原盤露光装置を提供する。
【解決手段】ビーム形状の変化を読み取り、ビームの変動に合わせて４分割光ディテクタ１１３ｃの位置を補正することを特徴とし、ビーム形状の変化による４分割フォトディテクタ１１３ｃに入射するビームの光強度の空間強度分布の変動をキャンセルすることで、フォーカス状態の変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】移動体を精度良く駆動する。
【解決手段】 ウエハステージＷＳＴの位置情報は、ウエハＸ干渉計１８Ｘ_１，１８Ｘ_２、ウエハＹ干渉計１８Ｙ等と、該干渉計に比べて計測値の短期安定性が優れるエンコーダ５０Ａ，５０Ｂ等とを用いて計測される。エンコーダ５０Ａ，５０Ｂ等は、計測値の短期安定性が良好であるので、ウエハステージＷＳＴの２位置情報が精度良く計測される。ウエハステージＷＳＴは、エンコーダ５０Ａ，５０Ｂ等の計測範囲内では、それらの計測結果に基づいて精度良く駆動される。 （もっと読む）

【課題】 露光装置における投影光学系を介してマスク面とプレート面の位置検出をするにあたり、前記投影光学系における非点隔差の影響をできる限り受けない位置で位置検出マークを検出し、精度良くマスク面とプレート面の位置検出をする方法を提供する。
【解決手段】 露光装置（１００）は、物体面（１１）上に形成されたパターンを像（２１）面上に結像させる投影光学系（３０）と、露光波長と異なる波長を有し物体面と像面の相対的な位置ずれ量を前記投影光学系を介して検出する位置検出装置（５０）を備えている。位置検出を投影光学系（３０）で生ずる非点隔差の影響が少ない位置で実施することで、位置検出の精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィ用のＥＵＶ投影露光装置などの投影露光装置に電磁放射を光ファイバで案内する装置で、ファイバの射出端における強度プロファイル分布を均一にする装置を提供する。
【解決手段】投影露光装置１１に電磁放射１５を案内する光ファイバ１”の一部分に機械的操作を加えるアクチュエータ１４が設けられ、その結果として、前記ファイバ１”の射出端に出現する電磁放射の強度プロファイルが時間的に平均化され均一化される。 （もっと読む）

【課題】マスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置を迅速に精度良く検出して、マスクと基板との位置合わせを短時間で高精度に行う。
【解決手段】マスク２と基板１とのギャップ合わせを行う間、第１の画像取得装置５１の焦点位置をギャップ合わせ後のマスク２の下面の高さへ移動し、第２の画像取得装置５２の焦点位置をギャップ合わせ後の基板１の表面の高さへ移動する。第１の画像取得装置５１によりマスク２のアライメントマーク２ａの画像を取得して、マスク２のアライメントマーク２ａの位置を検出し、第２の画像取得装置５２により基板１の下地パターンのアライメントマーク１ａの画像を取得して、基板１の下地パターンのアライメントマーク１ａの位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】フィルムを連続露光する際のアライメントマークの形成が容易であり、フィルムの蛇行を精度良く補正して、安定的に露光できるフィルム露光装置及びフィルム露光方法を提供する。
【解決手段】フィルム基材２０の幅方向の両側のフィルム基材送給用領域の少なくとも一方に側部露光材料膜を形成し、アライメントマーク形成部１４により、露光光を照射してアライメントマーク２ａを形成し、このアライメントマーク２ａを使用して、フィルム蛇行を検出してマスク１２の位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】センサにより計測されたアライメントのズレ量を、各装置を制御するためのレシピを用いて補正することにより、アライメント処理時間を短縮し、露光ラインを止めずにアライメント補正することを可能として、スループットを向上させることができる露光システム及びその制御方法を提供する。
【解決手段】制御装置２１は、前回のプリアライメント時に検出された基板ステージ１６と基板Ｗとのズレ量Ｅ１、Ｅ２に基づいて算出した補正値をプリアライメント制御レシピＲ１に書き込むと共に、露光装置１３における前回の基板ＷとマスクＭとのアライメント調整時に検出された基板ＷとマスクＭとのズレ量ｅ１、ｅ２に基づいて算出した補正値を露光制御レシピＲ２に書き込む。そして、次回のプリアライメント及び露光の際、プリアライメント制御レシピＲ１及び露光制御レシピＲ２に基づいてプリアライメント装置１２及び露光装置１３を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の下地パターンの上に不透明な膜が塗布されている場合に、基板の下地パターンのアライメントマークの画像を鮮明に取得して、基板の下地パターンのアライメントマークの位置を精度良く検出する。
【解決手段】複数の第２の画像取得装置（下方カメラユニット５２）を、チャック１０に支持された基板１の下方に配置して、基板１の下地パターンに設けられた複数のアライメントマーク１ａの画像を基板１の下方から取得し、第２の画像取得装置が出力した基板１の下地パターンのアライメントマーク１ａの画像信号を処理して、基板１の下地パターンのアライメントマーク１ａの位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】画像取得装置の焦点をマスクのアライメントマーク及び基板の下地パターンのアライメントマークに精度良く合わせて、マスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置を精度良く検出する。
【解決手段】画像処理装置５０は、各画像取得装置により取得されたアライメントマークの画像と予め用意したアライメントマークの画像とを比較して画像認識を行い、各画像取得装置により取得されたアライメントマークの画像の画像認識率、シャープネス値、及びコントラスト値を検出する。主制御装置７０は、予め、焦点位置移動機構により各画像取得装置の焦点位置を移動しながら、画像処理装置５０により検出された画像認識率、シャープネス値、及びコントラスト値の変化に基づいて、マスクのアライメントマークの位置又は基板の下地パターンのアライメントマークの位置を検出する際の各画像取得装置の焦点位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】大型の無地の基板にパターンを精度良く且つ低コストで露光する。
【解決手段】基板を一定方向に移動しながら、前記基板上のパターン形成領域にフォトマスクを介して予め定められたパターンを順次露光する露光方法であって、前記基板上に前記パターンを露光する一方、基板移動方向と交差方向の前記パターン形成領域外にレーザ光を照射し、前記基板面に一定形状の傷を付けてアライメントマークを形成する段階と、前記基板移動方向後方位置で予め定められた基準位置に対する前記アライメントマークの基板移動方向と交差方向への位置ずれを検出する段階と、前記位置ずれを補正するように前記基板及び前記フォトマスクを相対移動する段階と、前記パターンの後続位置に次のパターンを露光する段階と、を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】量産ウェーハの露光に必要なアライメントストラテジーの数にかかわらず、スキャナ当たり単一のスキャナ安定性モジュールを運用できるシステムを提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置のスキャン機能を制御する方法が開示される。第１のアライメントストラテジーが使用される。モニタウェーハが露光され、スキャン機能に関するベースライン制御パラメータが決定される。ベースライン制御パラメータは、モニタウェーハから周期的に取り出される。ベースライン制御パラメータからパラメータドリフトが決定される。この決定に基づいて修正措置が講じられる。第１のアライメントストラテジーとは異なる第２のアライメントストラテジーが用いられていたならば使用されていたはずの修正に実質的に近くなるように、修正措置が変更される。 （もっと読む）

１本以上の露光ビームをターゲット上に集束させるための投影レンズシステム(１３２)と、ターゲット（９）を支える可動テーブル(１３４)と、投影レンズシステムの最後の集束要素(１０４)とターゲット（９）の表面との間の距離に関連する測定を行なう静電容量感知システム(３００)と、静電容量感知システムからの信号に少なくとも部分的に基づいて、ターゲット（９）の位置を調整するために、可動テーブル（１３４）の動きを制御する制御ユニット（４００）と、を具備する、リソグラフィマシンのための統合されたセンサシステム。静電容量感知システム(３００)は、複数の静電容量センサ(３０)を具備しており、各静電容量センサ(３０)は、薄膜構造を備えている。静電容量センサと投影レンズシステムの最後の集束要素は、共通のベース（１１２）に直接にマウントされ、静電容量センサは、投影レンズシステムの最後の集束要素の縁部のすぐ近くに配置される。 （もっと読む）

【課題】各主走査において光ビームの合焦位置を基板の主面上に精度よく合わせる。
【解決手段】パターン描画装置は、基板９の主面との間の検出距離を取得する距離検出部５およびヘッドからの光ビームのフォーカス調整を行うフォーカス機構４７１を備える。往路または復路である各主走査において主走査方向に伸びる線状領域にパターンを描画する際に、次の主走査にて描画が行われる線状領域に対して複数の検出距離が取得され、直前の主走査にて取得された複数の検出距離を用いて複数回のフォーカス調整が行われる。制御部６の制御により、主走査方向に関して、往路および復路のそれぞれにて複数の検出距離が取得される検出位置と、複数回のフォーカス調整が完了する際の照射領域の複数の位置とが一致するとともに、往路および復路における複数の検出距離の検出位置が近似する。これにより、各主走査において光ビームの合焦位置が主面上に精度よく合わせられる。 （もっと読む）

【課題】パターン描画中に焦点調整の良否を行うことができるパターン描画装置およびパターン描画方法を提供する。
【解決手段】基板表面における複数の表面位置の各々についてピエゾアクチュエータ５５５が移動指令値に応じて伸張する。これによって対物レンズ５４１が目標位置に移動して露光用光ビーム３の焦点が基板２の表面に一致し、当該光ビーム３によるパターン描画が実行される。このとき、ピエゾアクチュエータ５５５の伸張量（対物レンズの移動量）が位置検出センサ５７により検出され、当該伸張量が移動指令値と対比される。そして、移動指令値とピエゾアクチュエータ５５５の移動量（伸張量）との移動誤差を算出するとともに、この移動誤差が所定のしきい値を超えているときにオートフォーカス異常が発生したと判定される。 （もっと読む）

【課題】浸漬式リソグラフィ装置の露光パラメータを補正するための方法、装置及び／又はコンピュータ・プログラム製品を提供する。
【解決手段】浸漬式リソグラフィ装置の投影系ＰＬと基板テーブルとの間の液体を介して投影される測定ビーム２２、２４を使用して露光パラメータを測定し、測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす物理特性の変化に基づきオフセットを求めて、測定された露光パラメータを少なくとも部分的に補正する。また、浸漬式リソグラフィ装置の投影系と基板テーブルとの間の液体に接続された光学素子の高さを測定する。 （もっと読む）

【課題】高精度なフォーカス制御を実現する。
【解決手段】第１基板が載置されたステージを所定方向に走査し、該所定方向に沿って設けられた第１及び第２投影光学ユニットを介して第１基板のパターンを第２基板に露光する。ステージに第３基板を載置してステージを所定方向に走査する第１ステップと、第３基板上に所定方向に沿って配置された複数のマークを第１投影光学ユニットを介して検出し、複数のマークに対応する第１投影光学ユニットの第１フォーカス位置情報を計測する第２ステップと、複数のマークを第２投影光学ユニットを介して検出し、複数のマークに対応する第２投影光学ユニットの第２フォーカス位置情報を計測する第３ステップと、第１及び第２フォーカス位置情報に基づいて、前記パターンに対応する第１及び第２投影光学ユニットの各フォーカス位置と第２基板との相対位置を調整する第４ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数のマスクを使用して近接露光する際に、隣り合う被露光領域での繋ぎムラの発生を防止することができる近接スキャン露光装置及び近接スキャン露光方法を提供する。
【解決手段】近接スキャン露光装置１は、搬送される基板Ｗに対して複数のマスクＭを介して露光用光ＥＬを照射して、基板Ｗに各マスクＭのパターンを露光し、搬送方向と直交する方向に並ぶ複数の被露光領域を形成する。該露光装置１は、直交方向で隣り合う被露光領域を露光する各マスクと基板との各ギャップの少なくとも一方をリアルタイムに変化させるギャップ変更手段を備える。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、基板レベルでの測定を行うことのできるリソグラフィ装置の提供。
【解決手段】シングル・ステージ又は複数ステージのリソグラフィ装置において、例えば基板テーブル交換、及び／又は基板のロード及びアンロードの間、テーブルが液体供給システムに対して閉じ込め用の面を形成する。一実施例では、テーブルは、例えば基板テーブル交換、及び／又は基板のロード及びアンロードの間に投影ビームの測定を行うセンサを有している。 （もっと読む）