基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板処理の歩留まりを向上させる。
【解決手段】露光装置で露光処理を行う前に、露光装置における基板のフォーカスの状態を検査する検査ユニット１００であって、ウェハＷを、露光装置で露光処理される際と同じ条件で裏面から吸着保持するウェハ保持台１４１と、ウェハ保持台１４１に吸着保持されたウェハＷにおける厚み方向の高さを測定する高さ測定機構１５０と、を有している。
【解決手段】露光装置で露光処理を行う前に、露光装置における基板のフォーカスの状態を検査する検査ユニット１００であって、ウェハＷを、露光装置で露光処理される際と同じ条件で裏面から吸着保持するウェハ保持台１４１と、ウェハ保持台１４１に吸着保持されたウェハＷにおける厚み方向の高さを測定する高さ測定機構１５０と、を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理を行う基板処理システム、基板処理システムにおける基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、ウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などの一連の処理が順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。これらの一連の処理は、ウェハを処理する各種処理ユニットやウェハを搬送する搬送ユニットなどを搭載した基板処理システムである塗布現像処理システムで行われている。
【０００３】
例えば図１２に示すように塗布現像処理システム２００は、従来、外部からカセットＣを搬入出するためのカセットステーション２０１と、レジスト塗布処理、現像処理及び熱処理等の各種処理を行う複数の処理ユニットが正面と背面に設けられた処理ステーション２０２と、塗布現像処理システム２００の外部に隣接して設けられた露光装置Ａと処理ステーション２０２との間でウェハの受け渡しを行うインターフェイスステーション２０３を一体に備えている。
【０００４】
また、例えば裏面にパーティクルなどが付着した状態のウェハが露光装置に持ち込まれると、例えば図１３に示すように、露光装置Ａのステージ２０４に吸着保持された際に、ウェハＷとステージ２０４との間に挟みこまれたパーティクルＰにより当該ウェハＷが撓んでしまう。そうすると、露光パターンに影響を及ぼす（デフォーカス）という問題が生じ、製品不良を招いてしまう。
【０００５】
そのため、インターフェイスステーション２０３には、裏面が汚れた状態でウェハＷが露光装置Ａへ持ち込まれることを防ぐために、露光装置Ａに搬入される前のウェハの裏面を洗浄する洗浄ユニット２１０や、洗浄後のウェハを検査する検査ユニット２１１、検査の結果露光装置Ａへの搬送が禁止されたウェハを一時的に収容するリジェクトウェハカセット２１２、各ユニット２１０、２１１とリジェクトウェハカセット２１２との間でウェハを搬送する、リジェクトウェハカセット２１２と多段に設けられた受け渡しユニット２１３や、ウェハ搬送装置２１４などが設けられている（特許文献１）。
【０００６】
そして、塗布現像処理システム２００においてウェハ処理が行われる際には、先ず１ロットの複数枚のウェハが収容されたカセットＣがカセットステーション２０１に搬入される。次いで、カセットＣ内のウェハが処理ステーション２０２に順次搬入され、所定の処理レシピに基づいて処理される。その後、各ウェハはインターフェイスステーション２０３での裏面洗浄及び検査を経て、当該検査において異常有りと判定されたウェハはリジェクトウェハカセット２１２を経てカセットステーション２０１に回収され、異常無しと判定されたウェハは露光装置Ａに搬送される。そして、露光装置Ａでは、ステージ２０４上にウェハＷが吸着保持され、その状態でウェハが露光処理される。露光処理を終えたウェハは、インターフェイスステーション２０３を介して処理ステーション２０２に戻され、処理ステーション２０２で現像処理等が施される。その後、ウェハは処理ステーション２０２からカセットステーション２０１のカセットＣに戻される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１３５５８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述のように、ウェハＷ裏面の洗浄と検査をした後に露光装置Ａで露光した場合であっても、デフォーカスが生じることがあった。
【０００９】
このデフォーカスについて本発明者らが調査した結果、ウェハＷの裏面の清浄度とデフォーカスとは、相関関係が完全ではないことがわかった。具体的には、例えばウェハＷ裏面に付着したパーティクルが多い場合であっても、当該パーティクルのヤング率が低く、露光装置Ａのステージ２０４に吸着保持された際に潰れてしまうような場合がある。そして、このような場合は、パーティクルが大きかったり多かったりしてもデフォーカスが生じにくいことがわかった。反対に、パーティクルが少なかったり、小さかったりした場合でも、ヤング率が高いと、ステージ２０４でウェハＷを吸着保持した際にウェハＷが撓んでしまう場合がある。このような場合は、パーティクルが小さかったり少なかったりしてもデフォーカスが生じやすいことがわかった。
【００１０】
したがって現状は、ウェハＷ裏面の洗浄と検査を経て露光処理を行っても、露光後のウェハを実際に検査しないと、フォーカス異常の有無を知ることができない。そうすると、この場合、デフォーカスが発生したウェハが無駄になると共に、塗布現像処理システムの歩留まりが低下してしまう。そのため、ウェハに露光処理を行う前に、デフォーカスを引き起こすリスクのあるウェハを選別する方法の開発が望まれている。
【００１１】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、露光処理を行う前に、デフォーカスを引き起こすリスクのあるウェハを選別し、これにより露光処理における歩留まりを向上させることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の目的を達成するため、本発明は、露光装置で露光処理を行う前に、露光装置における基板のフォーカスの状態を検査する基板検査装置であって、基板を、前記露光装置で露光処理される際と同じ条件で裏面から吸着保持する基板保持台と、前記基板保持台に吸着保持された基板における厚み方向の高さを測定する高さ測定機構と、を有することを特徴としている。
【００１３】
本発明者らは、デフォーカスを引き起こすリスクの有無を、上述のようにウェハＷ裏面のパーティクルの大小や多寡で判断するのではなく、露光装置での露光処理の際にウェハの厚み方向に生じる撓みに基づいて判断すれば、より正確にデフォーカスのリスクについて評価できる点に着目した。本発明はこの着想に基づくものであり、本発明においては、基板の裏面を基板保持台に吸着保持することで、露光装置のステージに吸着保持された状態を再現し、その状態で高さ測定機構により、基板の厚み方向における高さを測定する。換言すれば、従来のように、基板の裏面に付着したパーティクル等の異物の状態を検査するのではなく、露光処理の際に当該パーティクル等がウェハＷの厚み方向の高さにどの程度影響を与えるかを、直接検査している。これにより、露光処理の際に、基板の厚み方向の高さがどの程度焦点からずれるかを求めることができる。これにより、露光処理を行う前に、デフォーカスを引き起こすリスクのあるウェハを高い精度で選別することが可能となる。その結果、デフォーカスを引き起こすリスクのない基板のみを露光装置に搬送することが可能となり、これにより露光処理の歩留まりを向上させることができる。
【００１４】
前記高さ測定機構は、前記基板保持台に吸着保持された基板の表面側から当該基板の厚み方向の高さを測定してもよい。
【００１５】
前記高さ測定機構はレーザ変位計であってもよい。
【００１６】
前記高さ測定機構はレーザ変位計であり、前記基板保持台は、前記レーザ変位計から照射されるレーザが透過可能であり、前記レーザ変位計は、前記基板保持台を挟んで前記基板保持台に吸着保持される基板に対向して設けられ、且つ前記基板保持台に吸着保持された基板の裏側から当該基板の厚み方向の高さを測定してもよい。
【００１７】
前記高さ測定機構を基板の直径方向に移動させる移動機構と、前記基板保持台を、当該基板保持台の中心を軸として回転させる回転機構と、前記高さ測定機構を基板の直径方向に移動させ、且つ前記基板保持台を回転させながら、基板の全面において厚み方向の高さを測定するように前記移動機構と前記回転機構を制御する制御部と、を有していてもよい。
【００１８】
別な観点による本発明は、前記の基板検査装置を備えた基板処理システムであって、前記露光装置に搬入する前の基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットを有していることを特徴としている。
【００１９】
前記洗浄ユニットは、前記基板検査ユニットでの基板の検査により、前記露光装置で正常に露光できないと判定された基板の裏面を洗浄してもよい。
【００２０】
また、前記洗浄ユニットは、前記基板検査ユニットで基板を検査する前に、当該基板の裏面を洗浄してもよい。
【００２１】
また、別な観点による本発明は、前記高さの測定は、基板を吸着保持する基板保持台を挟んで、当該基板保持台に吸着保持される基板に対向して設けられたレーザ変位計により行い、前記基板保持台は、前記レーザ変位計から照射されるレーザが透過可能であり、前記基板保持台に吸着保持された基板の厚み方向における高さの測定は、当該基板の裏側からレーザを照射して行うことを特徴としている。
【００２２】
前記基板保持台に吸着保持された基板の表面側から当該基板の厚み方向の高さを測定してもよい。
【００２３】
前記高さの測定は、レーザ変位計により行ってもよい。
【００２４】
前記高さの測定は、前記基板保持台を挟んで前記基板保持台に吸着保持される基板に対向して設けられたレーザ変位計により行い、前記基板保持台は、前記レーザ変位計から照射されるレーザが透過可能であり、前記基板保持台に吸着保持された基板の厚み方向における高さの測定は、当該基板の裏側からレーザを照射して行ってもよい。
【００２５】
前記高さ測定機構を基板の直径方向に移動させ、且つ前記基板保持台を回転させながら、基板の全面において厚み方向の高さを測定してもよい。
【００２６】
さらに別な観点による本発明によれば、前記基板検査方法を基板検査装置によって実行させるために、当該基板検査装置を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２７】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、光処理を行う前に、デフォーカスを引き起こすリスクのあるウェハを選別し、これにより露光処理における歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの正面側の内部構成の概略を示す説明図である。
【図３】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの背面側の内部構成の概略を示す説明図である。
【図４】本実施の形態にかかるインターフェイスステーションの構成の概略を示す説明図である。
【図５】本実施の形態にかかる検査ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図６】本実施の形態にかかる検査ユニットの構成の概略を示す平面図である。
【図７】高さ測定機構により測定された箇所の軌跡を示す平面図である。
【図８】高さ測定機構の測定結果を表すヒストグラムである。
【図９】ウェハ面内における厚み方向の高さを表す画像の内容を示す説明図である。
【図１０】洗浄ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１１】洗浄ユニット内でウェハが水平方向に移動される様子を示す説明図である。
【図１２】従来の塗布現像処理システムの構成の概略を示す説明図である。
【図１３】露光装置のステージ上で露光する様子を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板検査装置を備えた、基板処理システムとしての塗布現像処理システム１の内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々塗布現像処理システム１の内部構成の概略を正面側及び背面側から示す説明図である。
【００３１】
塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば外部との間で、複数枚のウェハＷが収容されたカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、フォトリソグラフィー処理の中でウェハＷに所定の処理を施す処理ユニットを複数備えた処理ステーション３と、露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。また、塗布現像処理システム１は、各種処理ユニットなどの制御を行う制御装置６を有している。
【００３２】
カセットステーション２は、例えばカセット搬入出部１０とウェハ搬送部１１により構成されている。カセット搬入出部１０は、例えば塗布現像処理システム１のＹ方向負方向（図１の左方向）側の端部に設けられている。カセット搬入出部１０には、カセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２上には、カセット載置板１３が例えば４つ設けられている。カセット載置板１３は、水平方向のＸ方向（図１の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板１３には、塗布現像処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
【００３３】
ウェハ搬送部１１には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２０上を移動自在なウェハ搬送装置２１が設けられている。ウェハ搬送装置２１は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各載置板１３上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００３４】
カセットステーション２に隣接する処理ステーション３には、各種ユニットを備えた複数、例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
【００３５】
例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成ユニット３０、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット３１、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成ユニット３２、ウェハＷを現像処理する現像処理ユニット３３が、下から順に４段に重ねられている。
【００３６】
これら第１のブロックＧ１の各処理ユニット３０〜３３は、処理時にウェハＷを収容するカップＦを水平方向に複数有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。
【００３７】
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理ユニット４０や、ウェハＷを疎水化処理する疎水化処理装置としてのアドヒージョンユニット４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光ユニット４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理ユニット４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、熱処理ユニット４０、アドヒージョンユニット４１及び周辺露光ユニット４２の数や配置は、任意に選択できる。
【００３８】
例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡しユニット５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に多段に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡しユニット６０、６１、６２が下から順に多段に設けられている。
【００３９】
図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばウェハ搬送装置７０が複数、例えば３台配置されている。各ウェハ搬送装置７０はそれぞれ同じ構造である。
【００４０】
ウェハ搬送装置７０は、例えばＹ方向、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定のユニットにウェハＷを搬送できる。各ウェハ搬送装置７０、７０、７０は、例えば図３に示すように上下に配置され、例えば各ブロックＧ１〜Ｇ４の同程度の高さの所定のユニットにウェハＷを搬送できる。
【００４１】
また、図３に示すように、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。
【００４２】
シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５２と第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６２との間でウェハＷを搬送できる。
【００４３】
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側に隣接する領域には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡しユニットに当該ウェハＷを搬送できる。
【００４４】
第４のブロックＧ４の例えばＸ方向正方向側には、ウェハ搬送装置８５が設けられている。ウェハ搬送装置８５は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。ウェハ搬送装置８５は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、インターフェイスステーション５にウェハＷを搬送できる。
【００４５】
図４は、カセットステーション２側から見た、インターフェイスステーション５の内部構成の概略を示す説明図である。図４に示すように、インターフェイスステーション５には、種ユニットを備えた２つのブロックＧ５、Ｇ６が設けられている。第５のブロックＧ５は、例えばインターフェイスステーション５の正面側（図１のＸ方向負方向側）に設けられている。第６のブロックＧ６は、第５のブロックＧ５のＸ方向正方向側に設けられている。
【００４６】
例えば第５のブロックＧ５には、図４に示すように、露光装置４に搬入する前のウェハＷを検査する、基板検査装置としての検査ユニット１００が、例えば上下方向に２台配置されている。検査ユニット１００の具体的な構成については後述する。
【００４７】
また、第５のブロックＧ５の検査ユニット１００の下方には、検査ユニット１００での検査の結果、露光装置４での露光に適さない、即ちデフォーカスを引き起こすリスクがあると判定されたウェハＷの裏面を、露光装置４に搬入する前に洗浄する洗浄ユニット１０１が、例えば上下方向に３台配置されている。
【００４８】
第６のブロックＧ６には、ウェハ搬送装置８５を介して処理ステーション３との間でウェハＷの受け渡しを行う受け渡しユニット１１０と、検査ユニット１００で検査した後のウェハＷを一時的に収容する、バッファユニット１１１と、検査後のウェハＷを露光装置４に搬入する前に所定の温度に調整する温度調整機構としての温度調整ユニット１１２が上下方向に多段に重ねて設けられている。より具体的には、第６のブロックＧ６の上部には、受け渡しユニット１１０とバッファユニット１１１が上からこの順で交互に３段ずつ重ねて配置されている。第６のブロックＧ６の下部には、受け渡しユニット１１０と温度調整ユニット１１２が上からこの順で交互に２段ずつ重ねて配置されている。温度調整ユニット１１２は、ペルチェ素子などの温度調整部材を備えた温度調整板を有し、当該温度調整板に載置されたウェハＷを所定の温度、例えば常温に温度調整できる。
【００４９】
第５のブロックＧ５と第6のブロックＧ６との間であって、第5のブロックＧ５に隣接した領域には、基板搬送機構としてのウェハ搬送機構１２０が設けられている。ウェハ搬送機構１２０は、例えば第1の搬送アーム１２１、第2の搬送アーム１２２、第3の搬送アーム１２３を有している。各アーム１２１、１２２、１２３は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。これにより各搬送アーム１２１、１２２、１２３は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、各ブロックＧ５、Ｇ６の各ユニットの間でウェハＷを搬送できる。なお、インターフェイスステーション５における各ユニットの配置や数は任意に選択できる。
【００５０】
また、ウェハ搬送機構１２０によるウェハＷの搬送は、図１に示した制御装置６の基板搬送制御部としてのウェハ搬送制御部１２５により制御される。ウェハ搬送制御部１２５は、第１の搬送アーム１２１により、検査ユニット１００と受け渡しユニット１１０との間でウェハＷを搬送するようにウェハ搬送機構１２０を制御する。また、ウェハ搬送制御部１２５は、第２の搬送アーム１２２により、洗浄ユニット１０１で洗浄した後のウェハＷを再度検査ユニット１００に搬送し、第３の搬送アーム１２３により、検査ユニット１０１で検査した後のウェハＷをバッファユニット１１１に搬送するように制御する。
【００５１】
図４における、第６のブロックＧ６に隣接したＸ方向正方向側の領域には、ウェハ搬送機構１３０が設けられている。ウェハ搬送機構１３０は、例えば第３の搬送アーム１３１と、第４の搬送アーム１３２を備えている。各搬送アーム１３１、１３２は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。搬送アーム１３１は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第６のブロックＧ６上部の受け渡しユニット１１０とバッファカセット１１１との間でウェハＷを搬送する。また、搬送アーム１３２は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第６のブロックＧ６下部の各ユニット１１０、１１２の間及び各ユニット１１０、１１２と露光装置４との間でウェハＷを搬送できる。ウェハ搬送機構１３０によるウェハＷの搬送制御、及び塗布現像処理システム１内の他のウェハ搬送装置の動作の制御も、ウェハ搬送制御部１２５により行われる。
【００５２】
次に検査ユニット１００の構成について説明する。図５は検査ユニット１００の構成の概略を示す縦断面図、図６は検査ユニット１００の構成の概略を示す平面図である。
【００５３】
検査ユニット１００は、図５及び図６に示すように筐体１４０を有している。筐体１４０には、第１の搬送アーム１２１との間でウェハＷの受け渡しを行うための開口部１４０ａが形成されている。筐体１４０の内部には、例えば円盤形状に形成され、ウェハＷを裏面から吸着保持する、基板保持台としてのウェハ保持台１４１が設けられている。ウェハ保持台１４１の上面には、例えば図６に示すように、上下左右方向に所定のパターンで溝１４２が複数形成されている。各溝１４２には、図５に示すように、吸引管１４３が接続されている。吸引管１４３は、例えば真空ポンプなどの排気装置１４４に接続されている。したがって、ウェハ保持台１４１にウェハＷを載置した状態で、排気装置１４４により溝１４２の内部を排気することで、ウェハ保持台１４１によりウェハＷを吸着保持することができる。
【００５４】
また、図５に示すように、ウェハ保持台１４１には、当該ウェハ保持台１４１を厚み方向に貫通する、円環状の環状溝１４５が形成されている。この環状溝１４５の内部には、ウェハＷを下方から支持して昇降させる昇降ピン１４６が設けられている。昇降ピン１４６は、図示しない昇降機構により昇降自在に構成されている。そして、ウェハＷを支持した状態で昇降ピン１４６を上昇させることにより、当該昇降ピン１４６と第１の搬送アーム１２１との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。
【００５５】
ここで、ウェハ保持台１４１上面の平坦度やウェハ保持台１４１に設けられた溝１４２のパターンは、露光装置４でウェハＷを露光する際にウェハが吸着保持されるステージと同じになっている。したがって、ウェハ保持台１４１によりウェハＷを吸着保持する際に、露光装置４のステージでウェハＷを吸着保持する場合と同じ排気量で排気装置１４４により各溝１４２の内部を排気することで、露光装置４で露光処理される際と同じ条件でウェハＷを裏面から吸着保持できる。換言すれば、露光装置４で露光処理する際のウェハＷの状態を、検査ユニット１００内で再現することができる。
【００５６】
ウェハ保持台１４１の下面は、回転基台１４７により支持されている。回転基台１４７の内部には、図示しない回転機構が内蔵されている。これにより、回転基台１４７が支持するウェハ保持台１４１を、水平方向に回転させることができる。なお、ウェハ保持台１４１には、上述の環状溝１４５が形成されているので、ウェハ保持台１４１を回転させた際に、当該ウェハ保持台１４１と昇降ピン１４６が干渉することを防止できる。
【００５７】
図５に示すように、ウェハ保持台１４１の上方には、ウェハ保持台１４１に吸着保持されたウェハＷの、厚み方向の高さを測定する高さ測定機構１５０が設けられている。高さ測定機構１５０は、例えばレーザ変位計であり、被測定物に対して測定用のレーザ光を照射する照射部１５１と、被測定物から反射したレーザ光を検出する受光部１５２を有している。高さ測定機構１５０は制御装置６に接続されており、受光部１５２での検出結果は制御装置６に入力される。なお、高さ測定機構１５０としては、レーザ変位計に限定されるものではなく、ウェハＷの、厚み方向の高さを測定できるものであれば、任意に選択が可能である。
【００５８】
高さ測定機構１５０は、保持部材１５３により保持されている。保持部材１５３は、例えば図６に示すように、Ｙ方向に沿って延伸するレール１５４に、当該レール上を自在に移動できる駆動機構１５５を介して接続されている。また、保持部材１５３は、Ｙ方向の位置をウェハＷの中心位置に合わせた場合に、当該保持部材１５３により保持される高さ測定機構１５０が、ウェハＷの中心部上方に位置するように長さが調整されている。したがって、高さ測定機構１５０は、ウェハＷの直径方向に沿って、ウェハＷの端部からウェハＷの中心部上方まで移動できる。また、保持部材１５３は駆動機構１５５によって昇降自在であり、高さ測定機構１５０の高さ方向の位置を調整できる。
【００５９】
次に、検査ユニット１００におけるウェハＷの検査方法について説明する。
【００６０】
ウェハＷの検査にあたっては、先ずウェハＷを保持した第１の搬送アーム１２１が開口部１４０ａから進入し、次いで昇降ピン１４６が上昇してウェハＷが昇降ピン１４６に受け渡される。
【００６１】
次いで、ウェハＷを支持した状態で昇降ピン１４６が下降し、ウェハ保持台１４１の上面にウェハＷが載置される。
【００６２】
その後、排気装置１４４により溝１４２を排気して、ウェハ保持台１４１によりウェハＷを吸着保持する。この際、排気装置１４４による溝１４２の排気量は、露光装置４のステージでウェハＷを吸着保持する際の排気量と同じである。これにより、ウェハＷは、露光装置４で露光処理される際と同じ条件でウェハ保持台１４１により裏面を吸着保持される。
【００６３】
続いて、駆動機構１５５により、高さ測定機構１５０をウェハＷの端部上方まで移動させる。次いで、高さ測定機構１５０の照射部１５１からウェハＷの表面に対してレーザ光を照射し、ウェハＷの厚み方向の高さの測定を開始する。それと共に、回転基台１４７によりウェハ保持台１４１を回転させ、同時に、高さ測定機構１５０をウェハＷの中心部上方に向けて移動させる。そして、高さ測定機構１５０による測定を、当該高さ測定機構１５０がウェハＷの中心部上方に到達するまで継続する。これにより、ウェハＷの表面に照射されるレーザ光の軌跡Ｒは、例えば図７に示すように、ウェハＷの中心部を中心とした螺旋状となり、ウェハＷの全面について、当該ウェハＷの厚み方向の高さが検出される。
【００６４】
受光部１５２により検出された情報は、制御装置６に入力される。制御装置６では入力された情報に基づいて、例えば図８に示すように、横軸を時間、縦軸をウェハＷの厚み方向の高さとして表したヒストグラムを作成する。
【００６５】
そして、即ちウェハＷの裏面に付着したパーティクルによりウェハＷに撓みが生じ、当該ヒストグラムにおいてウェハＷにおける厚み方向の高さが所定の値Ｋを越えている箇所がある場合、制御装置６は当該ウェハＷがデフォーカスを引き起こすリスクがあると判定し、厚み方向の高さが所定の値Ｋを越えていなければ、露光装置４による露光が可能と判定する。
【００６６】
なお、高さ測定機構１５０の受光部１５２により検出された情報に基づいてデフォーカスのリスクを判定する方法は、本実施の形態の内容に限定されない。例えば、制御装置６により、受光部１５２で検出された情報に基づいてウェハＷ面内における厚み方向の高さを表す画像を作成し、この画像からウェハＷにおける厚み方向の高さが所定の値Ｋを超えている箇所Ｍの位置を特定し、次いで、図９に示すように、ウェハＷをダイシングする際のスクライブラインＬをこの画像に重ね合わせ、ダイシングにより切り出したチップのうちデフォーカスの影響を受けるものの数を予測し、当該影響を受けるチップの数に基づいてデフォーカスのリスクを判定してもよい。
【００６７】
次に、洗浄ユニット１０１の構成について説明する。図１０は洗浄ユニット１０１の構成の概略を示す縦断面図である。
【００６８】
洗浄ユニット１０１は、上面が開口した筐体１６０を有している。筐体の内部には、第２の搬送アーム１２２を介して搬送されたウェハＷを吸着保持する吸着パッド１６１と、この吸着パッド１６１から受け取ったウェハＷを水平に吸着保持するスピンチャック１６２と、ウェハＷの裏面を洗浄するブラシ１６３を有している。吸着パッド１６１は、例えば平面視においてスピンチャック１６２を挟んで平行に２本延伸して設けられており、ウェハＷを水平に保持することができる。吸着パッド１６１は、図示しない支持部材によりその両端部を保持されており、支持部材は駆動機構（図示せず）により水平方向及び上下方向に移動自在に構成されている。
【００６９】
吸着パッド１６１の上方には、上部カップ１６４が設けられている。上部カップ１６４の上面には、ウェハＷの直径より大きな径の開口部１６４ａが形成されており、この開口部１６４ａを介して第２の搬送アーム１２２と吸着パッド１６１との間でウェハＷの受け渡しが行われる。
【００７０】
スピンチャック１６２はシャフト１６５を介して駆動機構１６６に接続されており、スピンチャック１６２は、この駆動機構１６６により回転及び昇降自在に構成されている。
【００７１】
スピンチャック１６２の周囲には昇降機構（図示せず）により昇降自在な昇降ピン１６７が設けられている。
【００７２】
ブラシ１６３は、例えば多数のプラスチック繊維を円柱状に束ねて構成されている。ブラシ１６３は支持体１７０により支持されている。支持体１７０は、駆動機構１７１に接続されている。駆動機構１７１は例えば筐体１６０に接続され、筐体１６０に沿って水平方向に移動できる。したがって、駆動機構１７１を筐体１６０に沿って移動させることで、支持体１７０を介してブラシ１６３を移動させることができる。ブラシ１６３は、支持体１７０に内蔵された駆動機構（図示せず）により回転自在に構成されている。したがって、ブラシ１６３の上面をウェハＷの裏面に押し付けた状態で回転させて当該ブラシ１６３とウェハＷとを摺動させることにより、ウェハＷの裏面に付着したパーティクルを除去することができる。
【００７３】
また、支持体１７０の先端にはブラシで除去されたパーティクルを洗い流す洗浄液を供給する洗浄液ノズル（図示せず）と、洗浄後にウェハＷの裏面に付着している洗浄液を乾燥させるための、例えば窒素等の気体を供給するパージノズル（図示せず）が設けられている。
【００７４】
筐体１６０の底部には、洗浄液を排出するドレン管１７２と、洗浄ユニット１０１内に下方向の気流を形成し、且つ当該気流を排気する排気管１７３が設けられている。
【００７５】
洗浄ユニット１０１におけるウェハＷの洗浄にあたっては、先ず第２の搬送アーム１２２によりウェハＷが上部カップ１６４の上方に搬送され、次いで、昇降ピン１６７が上昇して、ウェハＷが昇降ピン１６７に受け渡される。その後、昇降ピン１６７が下降して、ウェハＷが吸着パッド１６１に受け渡されて保持される。
【００７６】
次いで、吸着パッド１６１でウェハＷを吸着保持した状態で、例えばブラシ１６３をウェハＷ裏面の中央部に対応する領域に移動させ、その後、吸着パッド１６１を下降させ、ウェハＷの裏面にブラシ１６３の上面を押し当てる。
【００７７】
次いで、洗浄液ノズルから洗浄液を供給すると共にブラシ１６３を回転させて、ウェハＷ裏面の中央部を洗浄する。この際、ブラシ１６３と吸着パッド１６１をそれぞれ往復動させることで、ウェハＷ裏面の中央部が万遍なく洗浄される。
【００７８】
ウェハＷ裏面の中央部の洗浄が終わると、ウェハＷを吸着パッド１６１からスピンチャック１６２に受け渡し、次いで、ウェハＷの裏面にブラシ１６３を押し当てた状態でウェハＷを回転させる。それと共に、ブラシ１６３を往復動させ、ウェハＷ裏面の周縁部を洗浄する。これにより、ウェハＷの裏面全体のパーティクルが除去される。
【００７９】
ウェハＷ裏面の洗浄が完了すると、ブラシ１６３の回転や洗浄液の供給を停止し、スピンチャック１６２を高速で回転させることで、ウェハＷ裏面に付着している洗浄液が振り切り乾燥される。この際、パージノズルによるパージも並行して行われる。
【００８０】
そして、乾燥が終了すると、洗浄ユニット１０１に搬送された際とは逆の順序でウェハＷが第２の搬送アーム１２２に受け渡される。
【００８１】
制御装置６は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成されている。この制御装置６には、例えば塗布現像処理システム１の各種処理ユニットでのウェハ処理の内容や各ウェハＷの搬送ルートを定めた処理レシピが、プログラムとして例えばメモリに記憶されている。このプログラムを実行することによって、塗布現像処理システム１の各種処理ユニットの制御や上述したウェハ搬送制御部１２５によるウェハ搬送機構１２０、１３０及び各ウェハ搬送装置の動作を制御し、塗布現像処理システム１におけるウェハＷの各種処理や搬送制御を行う。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータで読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御装置６にインストールされたものであってもよい。
【００８２】
以上のように構成された塗布現像処理システム１では、例えば次のようなウェハ処理が行われる。図１１は、かかるウェハ処理の主な工程の例を示すフロー図である。
【００８３】
ウェハＷの処理にあたっては、先ず、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣがカセット搬入出部１０の所定のカセット載置板１３に載置される。その後、ウェハ搬送装置２１によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション３の第３のブロックＧ３の例えば受け渡しユニット５３に搬送される。
【００８４】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理ユニット４０に搬送され、温度調節される（図１１の工程Ｓ１）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成ユニット３０に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される（図１１の工程Ｓ２）。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理ユニット４０に搬送され、加熱処理が行われる。その後第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５３に戻される。
【００８５】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって同じ第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５４に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２のアドヒージョンユニット４１に搬送され、アドヒージョン処理される（図１１の工程Ｓ３）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってレジスト塗布ユニット３１に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。（図１１の工程Ｓ４）。
【００８６】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送されて、プリベーク処理される（図１１の工程Ｓ５）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５５に搬送される。
【００８７】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって上部反射防止膜形成ユニット３２に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される（図１１の工程Ｓ６）。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハＷは、周辺露光ユニット４２に搬送され、周辺露光処理される（図１１の工程Ｓ７）。
【００８８】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５６に搬送される。
【００８９】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって受け渡しユニット５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６２に搬送される。
【００９０】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置８５によって第７のブロックＧ７の受け渡しユニット１１０に搬送される。次にウェハＷは、第１の搬送アーム１２１により検査ユニット１００に搬送されて検査される（図１１の工程Ｓ８）。
【００９１】
次にウェハＷは第３の搬送アーム１２３によりバッファユニット１１１に搬送され、検査ユニット１００でのウェハＷの検査結果が判明するまで一時的にバッファユニット１１１に収容される。
【００９２】
検査ユニット１００での検査結果が判明すると、ウェハ搬送制御部１２５は所定のルールに基づきウェハ搬送機構１２０を制御してウェハＷの搬送を行う。具体的には、検査ユニット１００での検査の結果、ウェハＷの状態が良好であり、露光装置４でのデフォーカスを引き起こすリスクがないと判定されれば、ウェハＷを第３の搬送アーム１２３により温度調整ユニット１１２に搬送する。次いで、例えば第５の搬送アーム１３２により当該ウェハＷを露光装置４に搬送する。また、検査の結果、ウェハＷの状態が、露光装置４でのデフォーカスを引き起こすリスクがあると判定されれば、当該ウェハＷを第２の搬送アーム１２２により洗浄ユニット１０１に搬送して洗浄する（図１１の工程Ｓ９）。そして、洗浄ユニット１０１で洗浄されたウェハＷは、第２の搬送アーム１２２により再度検査ユニット１００に搬送される。その後、検査ユニット１００で露光可能と判定されると、ウェハＷは第３の搬送アーム１２３により温度調整ユニット１１２に搬送され、次いで第５の搬送アーム１３２により露光装置４に搬送されて露光処理される（図１３の工程Ｓ１０）。
【００９３】
なお、例えば、ウェハＷを検査ユニット１００での検査した結果、露光装置４でのデフォーカスを引き起こすリスクがあると判定された場合、例えば当該ウェハＷの以後の処理を中止して処理ステーション３に搬送し、カセット載置板１３のカセットＣに回収するようにしてもよい。また、洗浄ユニット１０１での洗浄した後、検査ユニット１００での再検査の結果、依然としてデフォーカスのリスクが解消していないと判定された場合も、当該ウェハＷをカセットＣに回収するようにしてもよい。いずれの場合においても、検査ユニット１００でウェハＷを検査した後に、当該ウェハＷをどのように処理するかは本実施の形態に限定されるものではなく、任意に選択が可能である。
【００９４】
露光処理されたウェハＷは第４の搬送アーム１２４により第６のブロックＧ６の受け渡しユニット１１０に搬送される。その後、ウェハＷはウェハ搬送装置８５によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６０に搬送される。次いで、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送され、露光後ベーク処理される（図１１の工程Ｓ１１）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理ユニット３３に搬送され、現像処理される（図１１の工程Ｓ１２）。現像終了後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送され、ポストベーク処理される（図１１の工程Ｓ１３）。
【００９５】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５０に搬送され、その後カセットステーション２のウェハ搬送装置２１によって所定のカセット載置板１３のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００９６】
以上の実施の形態によれば、ウェハＷの裏面をウェハ保持台１４１に吸着保持することで、露光装置４のステージに吸着保持された状態を再現し、その状態で高さ測定機構１５０により、ウェハＷの厚み方向における高さを測定する。換言すれば、従来のように、ウェハＷの裏面に付着したパーティクル等の異物の状態を検査するのではなく、露光処理の際に当該パーティクル等がウェハＷの厚み方向の高さにどの程度影響を与えるかを、直接検査している。これにより、露光処理の際に、ウェハＷの厚み方向の高さがどの程度焦点からずれるかを、ウェハＷの裏面に付着したパーティクル等の状態に影響されることなく、露光装置４に搬送する前に予め知ることができる。したがって本発明によれば、露光処理を行う前に、デフォーカスを引き起こすリスクのあるウェハを高い精度で選別することが可能となる。その結果、デフォーカスを引き起こすリスクのないウェハＷのみを露光装置４に搬送することが可能となり、これにより露光処理の歩留まりを向上させることができる。
【００９７】
以上の実施の形態によれば、塗布現像処理システム１には、検査ユニット１００での検査の結果、露光装置４での露光に適さないと判断されたウェハＷの裏面を洗浄する洗浄ユニット１０１が設けられている。この場合、露光に適さないと判断された全てのウェハＷについて以後の処理を中止してカセットＣに回収する場合と比較して、カセットＣに回収するウェハＷの数を低減できる。その結果、塗布現像処理システム１によるウェハＷ処理の歩留まりを向上させることができる。
【００９８】
なお、以上の実施の形態においては、ウェハ保持台１４１によりウェハＷの裏面を保持した状態で、当該ウェハＷの表面側から厚み方向の高さを測定したが、ウェハ保持台１４１を、高さ測定機構１５０のレーザ光を透過する例えば石英などにより形成すると共に、高さ測定機構１５０をウェハ保持台１４１の下方に配置し、ウェハ保持台１４１に吸着保持されたウェハＷの裏面から高さ測定機構１５０により当該ウェハの厚み方向の高さを測定してもよい。かかる場合においても、露光装置４のステージに吸着保持された状態を再現し、その状態で高さ測定機構１５０により、ウェハ保持台１４１に吸着保持されたウェハＷにおける厚み方向の高さを求めるので、デフォーカスを引き起こすリスクのあるウェハを高い精度で選別することが可能である。
【００９９】
以上の実施の形態においては、ウェハＷを回転させた状態で高さ測定機構１５０をウェハＷの直径方向に移動させることで、ウェハＷの表面を螺旋状に測定したが、ウェハＷの全面にわたって厚み方向の高さを測定できれば、ウェハＷや高さ測定機構１５０をどのように動かすかは本実施の形態に限定されるものでなく、任意に選択できる。例えば、ウェハＷは回転させず、高さ測定機構１５０のみをウェハＷの上方で螺旋状に移動させてもよい。
【０１００】
なお、以上の実施の形態では、検査ユニット１００でウェハＷの検査を行った後、必要に応じて当該ウェハＷを洗浄ユニット１０１で洗浄したが、例えば全てのウェハＷを先ず洗浄ユニット１０１で洗浄し、その後検査ユニット１００でウェハＷの検査を行ってもよい。
【０１０１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板に対して処理を行う際に有用である。
【符号の説明】
【０１０３】
１ 塗布現像処理システム
２ カセットステーション
３ 処理ステーション
４ 露光装置
５ インターフェイスステーション
６ 制御装置
１０ カセット搬入出部
１１ ウェハ搬送部
１２ カセット載置台
１３ カセット載置板
２０ 搬送路
２１ ウェハ搬送装置
３０ 下部反射防止膜形成ユニット
３１ レジスト塗布ユニット
３２ 上部反射防止膜形成ユニット
３３ 現像処理ユニット
４０ 熱処理ユニット
４１ アドヒージョンユニット
４２ 周辺露光ユニット
５０〜５６ 受け渡しユニット
６０〜６２ 受け渡しユニット
７０ ウェハ搬送装置
８５ ウェハ搬送装置
９０ ウェハ搬送装置
１００ 検査ユニット
１０１ 洗浄ユニット
１０２ 脱水ユニット
１１０ 受け渡しユニット
１１１ バッファユニット
１１２ 温度調整ユニット
１２０ ウェハ搬送機構
１２１ 第１の搬送アーム
１２２ 第２の搬送アーム
１２３ 第３の搬送アーム
１２５ ウェハ搬送制御部
１３０ ウェハ搬送機構
１３１ 第４の搬送アーム
１３２ 第５の搬送アーム
１４０ 筐体
１４１ ウェハ保持台
１４２ 溝
１４３ 吸引管
１４４ 排気装置
１４５ 環状溝
１４６ 昇降ピン
１４７ 回転基台
１５０ 高さ測定機構
１５１ 照射部
１５２ 受光部
１５３ 保持部材
１５４ レール
１６０ 筐体
１６１ 吸着パッド
１６２ スピンチャック
１６３ ブラシ
１６４ 上部カップ
１６５ シャフト
１６６ 駆動機構
１６７ 昇降ピン
１７０ 支持体
１７１ 駆動機構
１７２ ドレン管
１７３ 排気管
Ｃ カセット
Ｄ ウェハ搬送領域
Ｆ カップ
Ｗ ウェハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理を行う基板処理システム、基板処理システムにおける基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、ウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などの一連の処理が順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。これらの一連の処理は、ウェハを処理する各種処理ユニットやウェハを搬送する搬送ユニットなどを搭載した基板処理システムである塗布現像処理システムで行われている。
【０００３】
例えば図１２に示すように塗布現像処理システム２００は、従来、外部からカセットＣを搬入出するためのカセットステーション２０１と、レジスト塗布処理、現像処理及び熱処理等の各種処理を行う複数の処理ユニットが正面と背面に設けられた処理ステーション２０２と、塗布現像処理システム２００の外部に隣接して設けられた露光装置Ａと処理ステーション２０２との間でウェハの受け渡しを行うインターフェイスステーション２０３を一体に備えている。
【０００４】
また、例えば裏面にパーティクルなどが付着した状態のウェハが露光装置に持ち込まれると、例えば図１３に示すように、露光装置Ａのステージ２０４に吸着保持された際に、ウェハＷとステージ２０４との間に挟みこまれたパーティクルＰにより当該ウェハＷが撓んでしまう。そうすると、露光パターンに影響を及ぼす（デフォーカス）という問題が生じ、製品不良を招いてしまう。
【０００５】
そのため、インターフェイスステーション２０３には、裏面が汚れた状態でウェハＷが露光装置Ａへ持ち込まれることを防ぐために、露光装置Ａに搬入される前のウェハの裏面を洗浄する洗浄ユニット２１０や、洗浄後のウェハを検査する検査ユニット２１１、検査の結果露光装置Ａへの搬送が禁止されたウェハを一時的に収容するリジェクトウェハカセット２１２、各ユニット２１０、２１１とリジェクトウェハカセット２１２との間でウェハを搬送する、リジェクトウェハカセット２１２と多段に設けられた受け渡しユニット２１３や、ウェハ搬送装置２１４などが設けられている（特許文献１）。
【０００６】
そして、塗布現像処理システム２００においてウェハ処理が行われる際には、先ず１ロットの複数枚のウェハが収容されたカセットＣがカセットステーション２０１に搬入される。次いで、カセットＣ内のウェハが処理ステーション２０２に順次搬入され、所定の処理レシピに基づいて処理される。その後、各ウェハはインターフェイスステーション２０３での裏面洗浄及び検査を経て、当該検査において異常有りと判定されたウェハはリジェクトウェハカセット２１２を経てカセットステーション２０１に回収され、異常無しと判定されたウェハは露光装置Ａに搬送される。そして、露光装置Ａでは、ステージ２０４上にウェハＷが吸着保持され、その状態でウェハが露光処理される。露光処理を終えたウェハは、インターフェイスステーション２０３を介して処理ステーション２０２に戻され、処理ステーション２０２で現像処理等が施される。その後、ウェハは処理ステーション２０２からカセットステーション２０１のカセットＣに戻される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１３５５８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述のように、ウェハＷ裏面の洗浄と検査をした後に露光装置Ａで露光した場合であっても、デフォーカスが生じることがあった。
【０００９】
このデフォーカスについて本発明者らが調査した結果、ウェハＷの裏面の清浄度とデフォーカスとは、相関関係が完全ではないことがわかった。具体的には、例えばウェハＷ裏面に付着したパーティクルが多い場合であっても、当該パーティクルのヤング率が低く、露光装置Ａのステージ２０４に吸着保持された際に潰れてしまうような場合がある。そして、このような場合は、パーティクルが大きかったり多かったりしてもデフォーカスが生じにくいことがわかった。反対に、パーティクルが少なかったり、小さかったりした場合でも、ヤング率が高いと、ステージ２０４でウェハＷを吸着保持した際にウェハＷが撓んでしまう場合がある。このような場合は、パーティクルが小さかったり少なかったりしてもデフォーカスが生じやすいことがわかった。
【００１０】
したがって現状は、ウェハＷ裏面の洗浄と検査を経て露光処理を行っても、露光後のウェハを実際に検査しないと、フォーカス異常の有無を知ることができない。そうすると、この場合、デフォーカスが発生したウェハが無駄になると共に、塗布現像処理システムの歩留まりが低下してしまう。そのため、ウェハに露光処理を行う前に、デフォーカスを引き起こすリスクのあるウェハを選別する方法の開発が望まれている。
【００１１】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、露光処理を行う前に、デフォーカスを引き起こすリスクのあるウェハを選別し、これにより露光処理における歩留まりを向上させることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の目的を達成するため、本発明は、露光装置で露光処理を行う前に、露光装置における基板のフォーカスの状態を検査する基板検査装置であって、基板を、前記露光装置で露光処理される際と同じ条件で裏面から吸着保持する基板保持台と、前記基板保持台に吸着保持された基板における厚み方向の高さを測定する高さ測定機構と、を有することを特徴としている。
【００１３】
本発明者らは、デフォーカスを引き起こすリスクの有無を、上述のようにウェハＷ裏面のパーティクルの大小や多寡で判断するのではなく、露光装置での露光処理の際にウェハの厚み方向に生じる撓みに基づいて判断すれば、より正確にデフォーカスのリスクについて評価できる点に着目した。本発明はこの着想に基づくものであり、本発明においては、基板の裏面を基板保持台に吸着保持することで、露光装置のステージに吸着保持された状態を再現し、その状態で高さ測定機構により、基板の厚み方向における高さを測定する。換言すれば、従来のように、基板の裏面に付着したパーティクル等の異物の状態を検査するのではなく、露光処理の際に当該パーティクル等がウェハＷの厚み方向の高さにどの程度影響を与えるかを、直接検査している。これにより、露光処理の際に、基板の厚み方向の高さがどの程度焦点からずれるかを求めることができる。これにより、露光処理を行う前に、デフォーカスを引き起こすリスクのあるウェハを高い精度で選別することが可能となる。その結果、デフォーカスを引き起こすリスクのない基板のみを露光装置に搬送することが可能となり、これにより露光処理の歩留まりを向上させることができる。
【００１４】
前記高さ測定機構は、前記基板保持台に吸着保持された基板の表面側から当該基板の厚み方向の高さを測定してもよい。
【００１５】
前記高さ測定機構はレーザ変位計であってもよい。
【００１６】
前記高さ測定機構はレーザ変位計であり、前記基板保持台は、前記レーザ変位計から照射されるレーザが透過可能であり、前記レーザ変位計は、前記基板保持台を挟んで前記基板保持台に吸着保持される基板に対向して設けられ、且つ前記基板保持台に吸着保持された基板の裏側から当該基板の厚み方向の高さを測定してもよい。
【００１７】
前記高さ測定機構を基板の直径方向に移動させる移動機構と、前記基板保持台を、当該基板保持台の中心を軸として回転させる回転機構と、前記高さ測定機構を基板の直径方向に移動させ、且つ前記基板保持台を回転させながら、基板の全面において厚み方向の高さを測定するように前記移動機構と前記回転機構を制御する制御部と、を有していてもよい。
【００１８】
別な観点による本発明は、前記の基板検査装置を備えた基板処理システムであって、前記露光装置に搬入する前の基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットを有していることを特徴としている。
【００１９】
前記洗浄ユニットは、前記基板検査ユニットでの基板の検査により、前記露光装置で正常に露光できないと判定された基板の裏面を洗浄してもよい。
【００２０】
また、前記洗浄ユニットは、前記基板検査ユニットで基板を検査する前に、当該基板の裏面を洗浄してもよい。
【００２１】
また、別な観点による本発明は、前記高さの測定は、基板を吸着保持する基板保持台を挟んで、当該基板保持台に吸着保持される基板に対向して設けられたレーザ変位計により行い、前記基板保持台は、前記レーザ変位計から照射されるレーザが透過可能であり、前記基板保持台に吸着保持された基板の厚み方向における高さの測定は、当該基板の裏側からレーザを照射して行うことを特徴としている。
【００２２】
前記基板保持台に吸着保持された基板の表面側から当該基板の厚み方向の高さを測定してもよい。
【００２３】
前記高さの測定は、レーザ変位計により行ってもよい。
【００２４】
前記高さの測定は、前記基板保持台を挟んで前記基板保持台に吸着保持される基板に対向して設けられたレーザ変位計により行い、前記基板保持台は、前記レーザ変位計から照射されるレーザが透過可能であり、前記基板保持台に吸着保持された基板の厚み方向における高さの測定は、当該基板の裏側からレーザを照射して行ってもよい。
【００２５】
前記高さ測定機構を基板の直径方向に移動させ、且つ前記基板保持台を回転させながら、基板の全面において厚み方向の高さを測定してもよい。
【００２６】
さらに別な観点による本発明によれば、前記基板検査方法を基板検査装置によって実行させるために、当該基板検査装置を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２７】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、光処理を行う前に、デフォーカスを引き起こすリスクのあるウェハを選別し、これにより露光処理における歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの正面側の内部構成の概略を示す説明図である。
【図３】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの背面側の内部構成の概略を示す説明図である。
【図４】本実施の形態にかかるインターフェイスステーションの構成の概略を示す説明図である。
【図５】本実施の形態にかかる検査ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図６】本実施の形態にかかる検査ユニットの構成の概略を示す平面図である。
【図７】高さ測定機構により測定された箇所の軌跡を示す平面図である。
【図８】高さ測定機構の測定結果を表すヒストグラムである。
【図９】ウェハ面内における厚み方向の高さを表す画像の内容を示す説明図である。
【図１０】洗浄ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１１】洗浄ユニット内でウェハが水平方向に移動される様子を示す説明図である。
【図１２】従来の塗布現像処理システムの構成の概略を示す説明図である。
【図１３】露光装置のステージ上で露光する様子を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板検査装置を備えた、基板処理システムとしての塗布現像処理システム１の内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々塗布現像処理システム１の内部構成の概略を正面側及び背面側から示す説明図である。
【００３１】
塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば外部との間で、複数枚のウェハＷが収容されたカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、フォトリソグラフィー処理の中でウェハＷに所定の処理を施す処理ユニットを複数備えた処理ステーション３と、露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。また、塗布現像処理システム１は、各種処理ユニットなどの制御を行う制御装置６を有している。
【００３２】
カセットステーション２は、例えばカセット搬入出部１０とウェハ搬送部１１により構成されている。カセット搬入出部１０は、例えば塗布現像処理システム１のＹ方向負方向（図１の左方向）側の端部に設けられている。カセット搬入出部１０には、カセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２上には、カセット載置板１３が例えば４つ設けられている。カセット載置板１３は、水平方向のＸ方向（図１の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板１３には、塗布現像処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
【００３３】
ウェハ搬送部１１には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２０上を移動自在なウェハ搬送装置２１が設けられている。ウェハ搬送装置２１は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各載置板１３上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００３４】
カセットステーション２に隣接する処理ステーション３には、各種ユニットを備えた複数、例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
【００３５】
例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成ユニット３０、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット３１、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成ユニット３２、ウェハＷを現像処理する現像処理ユニット３３が、下から順に４段に重ねられている。
【００３６】
これら第１のブロックＧ１の各処理ユニット３０〜３３は、処理時にウェハＷを収容するカップＦを水平方向に複数有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。
【００３７】
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理ユニット４０や、ウェハＷを疎水化処理する疎水化処理装置としてのアドヒージョンユニット４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光ユニット４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理ユニット４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、熱処理ユニット４０、アドヒージョンユニット４１及び周辺露光ユニット４２の数や配置は、任意に選択できる。
【００３８】
例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡しユニット５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に多段に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡しユニット６０、６１、６２が下から順に多段に設けられている。
【００３９】
図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばウェハ搬送装置７０が複数、例えば３台配置されている。各ウェハ搬送装置７０はそれぞれ同じ構造である。
【００４０】
ウェハ搬送装置７０は、例えばＹ方向、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定のユニットにウェハＷを搬送できる。各ウェハ搬送装置７０、７０、７０は、例えば図３に示すように上下に配置され、例えば各ブロックＧ１〜Ｇ４の同程度の高さの所定のユニットにウェハＷを搬送できる。
【００４１】
また、図３に示すように、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。
【００４２】
シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５２と第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６２との間でウェハＷを搬送できる。
【００４３】
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側に隣接する領域には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡しユニットに当該ウェハＷを搬送できる。
【００４４】
第４のブロックＧ４の例えばＸ方向正方向側には、ウェハ搬送装置８５が設けられている。ウェハ搬送装置８５は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。ウェハ搬送装置８５は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、インターフェイスステーション５にウェハＷを搬送できる。
【００４５】
図４は、カセットステーション２側から見た、インターフェイスステーション５の内部構成の概略を示す説明図である。図４に示すように、インターフェイスステーション５には、種ユニットを備えた２つのブロックＧ５、Ｇ６が設けられている。第５のブロックＧ５は、例えばインターフェイスステーション５の正面側（図１のＸ方向負方向側）に設けられている。第６のブロックＧ６は、第５のブロックＧ５のＸ方向正方向側に設けられている。
【００４６】
例えば第５のブロックＧ５には、図４に示すように、露光装置４に搬入する前のウェハＷを検査する、基板検査装置としての検査ユニット１００が、例えば上下方向に２台配置されている。検査ユニット１００の具体的な構成については後述する。
【００４７】
また、第５のブロックＧ５の検査ユニット１００の下方には、検査ユニット１００での検査の結果、露光装置４での露光に適さない、即ちデフォーカスを引き起こすリスクがあると判定されたウェハＷの裏面を、露光装置４に搬入する前に洗浄する洗浄ユニット１０１が、例えば上下方向に３台配置されている。
【００４８】
第６のブロックＧ６には、ウェハ搬送装置８５を介して処理ステーション３との間でウェハＷの受け渡しを行う受け渡しユニット１１０と、検査ユニット１００で検査した後のウェハＷを一時的に収容する、バッファユニット１１１と、検査後のウェハＷを露光装置４に搬入する前に所定の温度に調整する温度調整機構としての温度調整ユニット１１２が上下方向に多段に重ねて設けられている。より具体的には、第６のブロックＧ６の上部には、受け渡しユニット１１０とバッファユニット１１１が上からこの順で交互に３段ずつ重ねて配置されている。第６のブロックＧ６の下部には、受け渡しユニット１１０と温度調整ユニット１１２が上からこの順で交互に２段ずつ重ねて配置されている。温度調整ユニット１１２は、ペルチェ素子などの温度調整部材を備えた温度調整板を有し、当該温度調整板に載置されたウェハＷを所定の温度、例えば常温に温度調整できる。
【００４９】
第５のブロックＧ５と第6のブロックＧ６との間であって、第5のブロックＧ５に隣接した領域には、基板搬送機構としてのウェハ搬送機構１２０が設けられている。ウェハ搬送機構１２０は、例えば第1の搬送アーム１２１、第2の搬送アーム１２２、第3の搬送アーム１２３を有している。各アーム１２１、１２２、１２３は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。これにより各搬送アーム１２１、１２２、１２３は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、各ブロックＧ５、Ｇ６の各ユニットの間でウェハＷを搬送できる。なお、インターフェイスステーション５における各ユニットの配置や数は任意に選択できる。
【００５０】
また、ウェハ搬送機構１２０によるウェハＷの搬送は、図１に示した制御装置６の基板搬送制御部としてのウェハ搬送制御部１２５により制御される。ウェハ搬送制御部１２５は、第１の搬送アーム１２１により、検査ユニット１００と受け渡しユニット１１０との間でウェハＷを搬送するようにウェハ搬送機構１２０を制御する。また、ウェハ搬送制御部１２５は、第２の搬送アーム１２２により、洗浄ユニット１０１で洗浄した後のウェハＷを再度検査ユニット１００に搬送し、第３の搬送アーム１２３により、検査ユニット１０１で検査した後のウェハＷをバッファユニット１１１に搬送するように制御する。
【００５１】
図４における、第６のブロックＧ６に隣接したＸ方向正方向側の領域には、ウェハ搬送機構１３０が設けられている。ウェハ搬送機構１３０は、例えば第３の搬送アーム１３１と、第４の搬送アーム１３２を備えている。各搬送アーム１３１、１３２は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。搬送アーム１３１は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第６のブロックＧ６上部の受け渡しユニット１１０とバッファカセット１１１との間でウェハＷを搬送する。また、搬送アーム１３２は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第６のブロックＧ６下部の各ユニット１１０、１１２の間及び各ユニット１１０、１１２と露光装置４との間でウェハＷを搬送できる。ウェハ搬送機構１３０によるウェハＷの搬送制御、及び塗布現像処理システム１内の他のウェハ搬送装置の動作の制御も、ウェハ搬送制御部１２５により行われる。
【００５２】
次に検査ユニット１００の構成について説明する。図５は検査ユニット１００の構成の概略を示す縦断面図、図６は検査ユニット１００の構成の概略を示す平面図である。
【００５３】
検査ユニット１００は、図５及び図６に示すように筐体１４０を有している。筐体１４０には、第１の搬送アーム１２１との間でウェハＷの受け渡しを行うための開口部１４０ａが形成されている。筐体１４０の内部には、例えば円盤形状に形成され、ウェハＷを裏面から吸着保持する、基板保持台としてのウェハ保持台１４１が設けられている。ウェハ保持台１４１の上面には、例えば図６に示すように、上下左右方向に所定のパターンで溝１４２が複数形成されている。各溝１４２には、図５に示すように、吸引管１４３が接続されている。吸引管１４３は、例えば真空ポンプなどの排気装置１４４に接続されている。したがって、ウェハ保持台１４１にウェハＷを載置した状態で、排気装置１４４により溝１４２の内部を排気することで、ウェハ保持台１４１によりウェハＷを吸着保持することができる。
【００５４】
また、図５に示すように、ウェハ保持台１４１には、当該ウェハ保持台１４１を厚み方向に貫通する、円環状の環状溝１４５が形成されている。この環状溝１４５の内部には、ウェハＷを下方から支持して昇降させる昇降ピン１４６が設けられている。昇降ピン１４６は、図示しない昇降機構により昇降自在に構成されている。そして、ウェハＷを支持した状態で昇降ピン１４６を上昇させることにより、当該昇降ピン１４６と第１の搬送アーム１２１との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。
【００５５】
ここで、ウェハ保持台１４１上面の平坦度やウェハ保持台１４１に設けられた溝１４２のパターンは、露光装置４でウェハＷを露光する際にウェハが吸着保持されるステージと同じになっている。したがって、ウェハ保持台１４１によりウェハＷを吸着保持する際に、露光装置４のステージでウェハＷを吸着保持する場合と同じ排気量で排気装置１４４により各溝１４２の内部を排気することで、露光装置４で露光処理される際と同じ条件でウェハＷを裏面から吸着保持できる。換言すれば、露光装置４で露光処理する際のウェハＷの状態を、検査ユニット１００内で再現することができる。
【００５６】
ウェハ保持台１４１の下面は、回転基台１４７により支持されている。回転基台１４７の内部には、図示しない回転機構が内蔵されている。これにより、回転基台１４７が支持するウェハ保持台１４１を、水平方向に回転させることができる。なお、ウェハ保持台１４１には、上述の環状溝１４５が形成されているので、ウェハ保持台１４１を回転させた際に、当該ウェハ保持台１４１と昇降ピン１４６が干渉することを防止できる。
【００５７】
図５に示すように、ウェハ保持台１４１の上方には、ウェハ保持台１４１に吸着保持されたウェハＷの、厚み方向の高さを測定する高さ測定機構１５０が設けられている。高さ測定機構１５０は、例えばレーザ変位計であり、被測定物に対して測定用のレーザ光を照射する照射部１５１と、被測定物から反射したレーザ光を検出する受光部１５２を有している。高さ測定機構１５０は制御装置６に接続されており、受光部１５２での検出結果は制御装置６に入力される。なお、高さ測定機構１５０としては、レーザ変位計に限定されるものではなく、ウェハＷの、厚み方向の高さを測定できるものであれば、任意に選択が可能である。
【００５８】
高さ測定機構１５０は、保持部材１５３により保持されている。保持部材１５３は、例えば図６に示すように、Ｙ方向に沿って延伸するレール１５４に、当該レール上を自在に移動できる駆動機構１５５を介して接続されている。また、保持部材１５３は、Ｙ方向の位置をウェハＷの中心位置に合わせた場合に、当該保持部材１５３により保持される高さ測定機構１５０が、ウェハＷの中心部上方に位置するように長さが調整されている。したがって、高さ測定機構１５０は、ウェハＷの直径方向に沿って、ウェハＷの端部からウェハＷの中心部上方まで移動できる。また、保持部材１５３は駆動機構１５５によって昇降自在であり、高さ測定機構１５０の高さ方向の位置を調整できる。
【００５９】
次に、検査ユニット１００におけるウェハＷの検査方法について説明する。
【００６０】
ウェハＷの検査にあたっては、先ずウェハＷを保持した第１の搬送アーム１２１が開口部１４０ａから進入し、次いで昇降ピン１４６が上昇してウェハＷが昇降ピン１４６に受け渡される。
【００６１】
次いで、ウェハＷを支持した状態で昇降ピン１４６が下降し、ウェハ保持台１４１の上面にウェハＷが載置される。
【００６２】
その後、排気装置１４４により溝１４２を排気して、ウェハ保持台１４１によりウェハＷを吸着保持する。この際、排気装置１４４による溝１４２の排気量は、露光装置４のステージでウェハＷを吸着保持する際の排気量と同じである。これにより、ウェハＷは、露光装置４で露光処理される際と同じ条件でウェハ保持台１４１により裏面を吸着保持される。
【００６３】
続いて、駆動機構１５５により、高さ測定機構１５０をウェハＷの端部上方まで移動させる。次いで、高さ測定機構１５０の照射部１５１からウェハＷの表面に対してレーザ光を照射し、ウェハＷの厚み方向の高さの測定を開始する。それと共に、回転基台１４７によりウェハ保持台１４１を回転させ、同時に、高さ測定機構１５０をウェハＷの中心部上方に向けて移動させる。そして、高さ測定機構１５０による測定を、当該高さ測定機構１５０がウェハＷの中心部上方に到達するまで継続する。これにより、ウェハＷの表面に照射されるレーザ光の軌跡Ｒは、例えば図７に示すように、ウェハＷの中心部を中心とした螺旋状となり、ウェハＷの全面について、当該ウェハＷの厚み方向の高さが検出される。
【００６４】
受光部１５２により検出された情報は、制御装置６に入力される。制御装置６では入力された情報に基づいて、例えば図８に示すように、横軸を時間、縦軸をウェハＷの厚み方向の高さとして表したヒストグラムを作成する。
【００６５】
そして、即ちウェハＷの裏面に付着したパーティクルによりウェハＷに撓みが生じ、当該ヒストグラムにおいてウェハＷにおける厚み方向の高さが所定の値Ｋを越えている箇所がある場合、制御装置６は当該ウェハＷがデフォーカスを引き起こすリスクがあると判定し、厚み方向の高さが所定の値Ｋを越えていなければ、露光装置４による露光が可能と判定する。
【００６６】
なお、高さ測定機構１５０の受光部１５２により検出された情報に基づいてデフォーカスのリスクを判定する方法は、本実施の形態の内容に限定されない。例えば、制御装置６により、受光部１５２で検出された情報に基づいてウェハＷ面内における厚み方向の高さを表す画像を作成し、この画像からウェハＷにおける厚み方向の高さが所定の値Ｋを超えている箇所Ｍの位置を特定し、次いで、図９に示すように、ウェハＷをダイシングする際のスクライブラインＬをこの画像に重ね合わせ、ダイシングにより切り出したチップのうちデフォーカスの影響を受けるものの数を予測し、当該影響を受けるチップの数に基づいてデフォーカスのリスクを判定してもよい。
【００６７】
次に、洗浄ユニット１０１の構成について説明する。図１０は洗浄ユニット１０１の構成の概略を示す縦断面図である。
【００６８】
洗浄ユニット１０１は、上面が開口した筐体１６０を有している。筐体の内部には、第２の搬送アーム１２２を介して搬送されたウェハＷを吸着保持する吸着パッド１６１と、この吸着パッド１６１から受け取ったウェハＷを水平に吸着保持するスピンチャック１６２と、ウェハＷの裏面を洗浄するブラシ１６３を有している。吸着パッド１６１は、例えば平面視においてスピンチャック１６２を挟んで平行に２本延伸して設けられており、ウェハＷを水平に保持することができる。吸着パッド１６１は、図示しない支持部材によりその両端部を保持されており、支持部材は駆動機構（図示せず）により水平方向及び上下方向に移動自在に構成されている。
【００６９】
吸着パッド１６１の上方には、上部カップ１６４が設けられている。上部カップ１６４の上面には、ウェハＷの直径より大きな径の開口部１６４ａが形成されており、この開口部１６４ａを介して第２の搬送アーム１２２と吸着パッド１６１との間でウェハＷの受け渡しが行われる。
【００７０】
スピンチャック１６２はシャフト１６５を介して駆動機構１６６に接続されており、スピンチャック１６２は、この駆動機構１６６により回転及び昇降自在に構成されている。
【００７１】
スピンチャック１６２の周囲には昇降機構（図示せず）により昇降自在な昇降ピン１６７が設けられている。
【００７２】
ブラシ１６３は、例えば多数のプラスチック繊維を円柱状に束ねて構成されている。ブラシ１６３は支持体１７０により支持されている。支持体１７０は、駆動機構１７１に接続されている。駆動機構１７１は例えば筐体１６０に接続され、筐体１６０に沿って水平方向に移動できる。したがって、駆動機構１７１を筐体１６０に沿って移動させることで、支持体１７０を介してブラシ１６３を移動させることができる。ブラシ１６３は、支持体１７０に内蔵された駆動機構（図示せず）により回転自在に構成されている。したがって、ブラシ１６３の上面をウェハＷの裏面に押し付けた状態で回転させて当該ブラシ１６３とウェハＷとを摺動させることにより、ウェハＷの裏面に付着したパーティクルを除去することができる。
【００７３】
また、支持体１７０の先端にはブラシで除去されたパーティクルを洗い流す洗浄液を供給する洗浄液ノズル（図示せず）と、洗浄後にウェハＷの裏面に付着している洗浄液を乾燥させるための、例えば窒素等の気体を供給するパージノズル（図示せず）が設けられている。
【００７４】
筐体１６０の底部には、洗浄液を排出するドレン管１７２と、洗浄ユニット１０１内に下方向の気流を形成し、且つ当該気流を排気する排気管１７３が設けられている。
【００７５】
洗浄ユニット１０１におけるウェハＷの洗浄にあたっては、先ず第２の搬送アーム１２２によりウェハＷが上部カップ１６４の上方に搬送され、次いで、昇降ピン１６７が上昇して、ウェハＷが昇降ピン１６７に受け渡される。その後、昇降ピン１６７が下降して、ウェハＷが吸着パッド１６１に受け渡されて保持される。
【００７６】
次いで、吸着パッド１６１でウェハＷを吸着保持した状態で、例えばブラシ１６３をウェハＷ裏面の中央部に対応する領域に移動させ、その後、吸着パッド１６１を下降させ、ウェハＷの裏面にブラシ１６３の上面を押し当てる。
【００７７】
次いで、洗浄液ノズルから洗浄液を供給すると共にブラシ１６３を回転させて、ウェハＷ裏面の中央部を洗浄する。この際、ブラシ１６３と吸着パッド１６１をそれぞれ往復動させることで、ウェハＷ裏面の中央部が万遍なく洗浄される。
【００７８】
ウェハＷ裏面の中央部の洗浄が終わると、ウェハＷを吸着パッド１６１からスピンチャック１６２に受け渡し、次いで、ウェハＷの裏面にブラシ１６３を押し当てた状態でウェハＷを回転させる。それと共に、ブラシ１６３を往復動させ、ウェハＷ裏面の周縁部を洗浄する。これにより、ウェハＷの裏面全体のパーティクルが除去される。
【００７９】
ウェハＷ裏面の洗浄が完了すると、ブラシ１６３の回転や洗浄液の供給を停止し、スピンチャック１６２を高速で回転させることで、ウェハＷ裏面に付着している洗浄液が振り切り乾燥される。この際、パージノズルによるパージも並行して行われる。
【００８０】
そして、乾燥が終了すると、洗浄ユニット１０１に搬送された際とは逆の順序でウェハＷが第２の搬送アーム１２２に受け渡される。
【００８１】
制御装置６は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成されている。この制御装置６には、例えば塗布現像処理システム１の各種処理ユニットでのウェハ処理の内容や各ウェハＷの搬送ルートを定めた処理レシピが、プログラムとして例えばメモリに記憶されている。このプログラムを実行することによって、塗布現像処理システム１の各種処理ユニットの制御や上述したウェハ搬送制御部１２５によるウェハ搬送機構１２０、１３０及び各ウェハ搬送装置の動作を制御し、塗布現像処理システム１におけるウェハＷの各種処理や搬送制御を行う。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータで読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御装置６にインストールされたものであってもよい。
【００８２】
以上のように構成された塗布現像処理システム１では、例えば次のようなウェハ処理が行われる。図１１は、かかるウェハ処理の主な工程の例を示すフロー図である。
【００８３】
ウェハＷの処理にあたっては、先ず、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣがカセット搬入出部１０の所定のカセット載置板１３に載置される。その後、ウェハ搬送装置２１によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション３の第３のブロックＧ３の例えば受け渡しユニット５３に搬送される。
【００８４】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理ユニット４０に搬送され、温度調節される（図１１の工程Ｓ１）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成ユニット３０に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される（図１１の工程Ｓ２）。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理ユニット４０に搬送され、加熱処理が行われる。その後第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５３に戻される。
【００８５】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって同じ第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５４に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２のアドヒージョンユニット４１に搬送され、アドヒージョン処理される（図１１の工程Ｓ３）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってレジスト塗布ユニット３１に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。（図１１の工程Ｓ４）。
【００８６】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送されて、プリベーク処理される（図１１の工程Ｓ５）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５５に搬送される。
【００８７】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって上部反射防止膜形成ユニット３２に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される（図１１の工程Ｓ６）。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハＷは、周辺露光ユニット４２に搬送され、周辺露光処理される（図１１の工程Ｓ７）。
【００８８】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５６に搬送される。
【００８９】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって受け渡しユニット５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６２に搬送される。
【００９０】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置８５によって第７のブロックＧ７の受け渡しユニット１１０に搬送される。次にウェハＷは、第１の搬送アーム１２１により検査ユニット１００に搬送されて検査される（図１１の工程Ｓ８）。
【００９１】
次にウェハＷは第３の搬送アーム１２３によりバッファユニット１１１に搬送され、検査ユニット１００でのウェハＷの検査結果が判明するまで一時的にバッファユニット１１１に収容される。
【００９２】
検査ユニット１００での検査結果が判明すると、ウェハ搬送制御部１２５は所定のルールに基づきウェハ搬送機構１２０を制御してウェハＷの搬送を行う。具体的には、検査ユニット１００での検査の結果、ウェハＷの状態が良好であり、露光装置４でのデフォーカスを引き起こすリスクがないと判定されれば、ウェハＷを第３の搬送アーム１２３により温度調整ユニット１１２に搬送する。次いで、例えば第５の搬送アーム１３２により当該ウェハＷを露光装置４に搬送する。また、検査の結果、ウェハＷの状態が、露光装置４でのデフォーカスを引き起こすリスクがあると判定されれば、当該ウェハＷを第２の搬送アーム１２２により洗浄ユニット１０１に搬送して洗浄する（図１１の工程Ｓ９）。そして、洗浄ユニット１０１で洗浄されたウェハＷは、第２の搬送アーム１２２により再度検査ユニット１００に搬送される。その後、検査ユニット１００で露光可能と判定されると、ウェハＷは第３の搬送アーム１２３により温度調整ユニット１１２に搬送され、次いで第５の搬送アーム１３２により露光装置４に搬送されて露光処理される（図１３の工程Ｓ１０）。
【００９３】
なお、例えば、ウェハＷを検査ユニット１００での検査した結果、露光装置４でのデフォーカスを引き起こすリスクがあると判定された場合、例えば当該ウェハＷの以後の処理を中止して処理ステーション３に搬送し、カセット載置板１３のカセットＣに回収するようにしてもよい。また、洗浄ユニット１０１での洗浄した後、検査ユニット１００での再検査の結果、依然としてデフォーカスのリスクが解消していないと判定された場合も、当該ウェハＷをカセットＣに回収するようにしてもよい。いずれの場合においても、検査ユニット１００でウェハＷを検査した後に、当該ウェハＷをどのように処理するかは本実施の形態に限定されるものではなく、任意に選択が可能である。
【００９４】
露光処理されたウェハＷは第４の搬送アーム１２４により第６のブロックＧ６の受け渡しユニット１１０に搬送される。その後、ウェハＷはウェハ搬送装置８５によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６０に搬送される。次いで、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送され、露光後ベーク処理される（図１１の工程Ｓ１１）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理ユニット３３に搬送され、現像処理される（図１１の工程Ｓ１２）。現像終了後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送され、ポストベーク処理される（図１１の工程Ｓ１３）。
【００９５】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５０に搬送され、その後カセットステーション２のウェハ搬送装置２１によって所定のカセット載置板１３のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００９６】
以上の実施の形態によれば、ウェハＷの裏面をウェハ保持台１４１に吸着保持することで、露光装置４のステージに吸着保持された状態を再現し、その状態で高さ測定機構１５０により、ウェハＷの厚み方向における高さを測定する。換言すれば、従来のように、ウェハＷの裏面に付着したパーティクル等の異物の状態を検査するのではなく、露光処理の際に当該パーティクル等がウェハＷの厚み方向の高さにどの程度影響を与えるかを、直接検査している。これにより、露光処理の際に、ウェハＷの厚み方向の高さがどの程度焦点からずれるかを、ウェハＷの裏面に付着したパーティクル等の状態に影響されることなく、露光装置４に搬送する前に予め知ることができる。したがって本発明によれば、露光処理を行う前に、デフォーカスを引き起こすリスクのあるウェハを高い精度で選別することが可能となる。その結果、デフォーカスを引き起こすリスクのないウェハＷのみを露光装置４に搬送することが可能となり、これにより露光処理の歩留まりを向上させることができる。
【００９７】
以上の実施の形態によれば、塗布現像処理システム１には、検査ユニット１００での検査の結果、露光装置４での露光に適さないと判断されたウェハＷの裏面を洗浄する洗浄ユニット１０１が設けられている。この場合、露光に適さないと判断された全てのウェハＷについて以後の処理を中止してカセットＣに回収する場合と比較して、カセットＣに回収するウェハＷの数を低減できる。その結果、塗布現像処理システム１によるウェハＷ処理の歩留まりを向上させることができる。
【００９８】
なお、以上の実施の形態においては、ウェハ保持台１４１によりウェハＷの裏面を保持した状態で、当該ウェハＷの表面側から厚み方向の高さを測定したが、ウェハ保持台１４１を、高さ測定機構１５０のレーザ光を透過する例えば石英などにより形成すると共に、高さ測定機構１５０をウェハ保持台１４１の下方に配置し、ウェハ保持台１４１に吸着保持されたウェハＷの裏面から高さ測定機構１５０により当該ウェハの厚み方向の高さを測定してもよい。かかる場合においても、露光装置４のステージに吸着保持された状態を再現し、その状態で高さ測定機構１５０により、ウェハ保持台１４１に吸着保持されたウェハＷにおける厚み方向の高さを求めるので、デフォーカスを引き起こすリスクのあるウェハを高い精度で選別することが可能である。
【００９９】
以上の実施の形態においては、ウェハＷを回転させた状態で高さ測定機構１５０をウェハＷの直径方向に移動させることで、ウェハＷの表面を螺旋状に測定したが、ウェハＷの全面にわたって厚み方向の高さを測定できれば、ウェハＷや高さ測定機構１５０をどのように動かすかは本実施の形態に限定されるものでなく、任意に選択できる。例えば、ウェハＷは回転させず、高さ測定機構１５０のみをウェハＷの上方で螺旋状に移動させてもよい。
【０１００】
なお、以上の実施の形態では、検査ユニット１００でウェハＷの検査を行った後、必要に応じて当該ウェハＷを洗浄ユニット１０１で洗浄したが、例えば全てのウェハＷを先ず洗浄ユニット１０１で洗浄し、その後検査ユニット１００でウェハＷの検査を行ってもよい。
【０１０１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板に対して処理を行う際に有用である。
【符号の説明】
【０１０３】
１ 塗布現像処理システム
２ カセットステーション
３ 処理ステーション
４ 露光装置
５ インターフェイスステーション
６ 制御装置
１０ カセット搬入出部
１１ ウェハ搬送部
１２ カセット載置台
１３ カセット載置板
２０ 搬送路
２１ ウェハ搬送装置
３０ 下部反射防止膜形成ユニット
３１ レジスト塗布ユニット
３２ 上部反射防止膜形成ユニット
３３ 現像処理ユニット
４０ 熱処理ユニット
４１ アドヒージョンユニット
４２ 周辺露光ユニット
５０〜５６ 受け渡しユニット
６０〜６２ 受け渡しユニット
７０ ウェハ搬送装置
８５ ウェハ搬送装置
９０ ウェハ搬送装置
１００ 検査ユニット
１０１ 洗浄ユニット
１０２ 脱水ユニット
１１０ 受け渡しユニット
１１１ バッファユニット
１１２ 温度調整ユニット
１２０ ウェハ搬送機構
１２１ 第１の搬送アーム
１２２ 第２の搬送アーム
１２３ 第３の搬送アーム
１２５ ウェハ搬送制御部
１３０ ウェハ搬送機構
１３１ 第４の搬送アーム
１３２ 第５の搬送アーム
１４０ 筐体
１４１ ウェハ保持台
１４２ 溝
１４３ 吸引管
１４４ 排気装置
１４５ 環状溝
１４６ 昇降ピン
１４７ 回転基台
１５０ 高さ測定機構
１５１ 照射部
１５２ 受光部
１５３ 保持部材
１５４ レール
１６０ 筐体
１６１ 吸着パッド
１６２ スピンチャック
１６３ ブラシ
１６４ 上部カップ
１６５ シャフト
１６６ 駆動機構
１６７ 昇降ピン
１７０ 支持体
１７１ 駆動機構
１７２ ドレン管
１７３ 排気管
Ｃ カセット
Ｄ ウェハ搬送領域
Ｆ カップ
Ｗ ウェハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置で露光処理を行う前に、露光装置における基板のフォーカスの状態を検査する基板検査装置であって、
基板を、前記露光装置で露光処理される際と同じ条件で裏面から吸着保持する基板保持台と、
前記基板保持台に吸着保持された基板における厚み方向の高さを測定する高さ測定機構と、を有することを特徴とする、基板検査装置。
【請求項２】
前記高さ測定機構は、前記基板保持台に吸着保持された基板の表面側から当該基板の厚み方向の高さを測定することを特徴とする、請求項１に記載の基板検査装置。
【請求項３】
前記高さ測定機構はレーザ変位計であることを特徴とする、請求項２に記載の基板検査装置。
【請求項４】
前記高さ測定機構はレーザ変位計であり、
前記基板保持台は、前記レーザ変位計から照射されるレーザが透過可能であり、
前記レーザ変位計は、前記基板保持台を挟んで前記基板保持台に吸着保持される基板に対向して設けられ、且つ前記基板保持台に吸着保持された基板の裏側から当該基板の厚み方向の高さを測定することを特徴とする、請求項１に記載の基板検査装置。
【請求項５】
前記高さ測定機構を基板の直径方向に移動させる移動機構と、
前記基板保持台を、当該基板保持台の中心を軸として回転させる回転機構と、
前記高さ測定機構を基板の直径方向に移動させ、且つ前記基板保持台を回転させながら、基板の全面において厚み方向の高さを測定するように前記移動機構と前記回転機構を制御する制御部と、を有することを特徴とする、請求項１〜４に記載の基板検査装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の基板検査装置を備えた基板処理システムであって、
前記露光装置に搬入する前の基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットを有していることを特徴とする、基板処理システム。
【請求項７】
前記洗浄ユニットは、前記基板検査ユニットでの基板の検査により、前記露光装置で正常に露光できないと判定された基板の裏面を洗浄することを特徴とする、請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記洗浄ユニットは、前記基板検査ユニットで基板を検査する前に、当該基板の裏面を洗浄することを特徴とする、請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項９】
露光装置で露光処理を行う前に、露光装置における基板のフォーカスの状態を検査する基板検査方法であって、
基板を、前記露光装置で露光処理される際と同じ条件で裏面から吸着保持し、
その状態で、当該基板の厚み方向における高さを測定することを特徴とする、基板検査方法。
【請求項１０】
前記吸着保持された基板の表面側から当該基板の厚み方向の高さを測定することを特徴とする、請求項９に記載の基板検査方法。
【請求項１１】
前記高さの測定は、レーザ変位計により行うことを特徴とする、請求項１０に記載の基板検査方法。
【請求項１２】
前記高さの測定は、基板を吸着保持する基板保持台を挟んで、当該基板保持台に吸着保持される基板に対向して設けられたレーザ変位計により行い、
前記基板保持台は、前記レーザ変位計から照射されるレーザが透過可能であり、前記基板保持台に吸着保持された基板の厚み方向における高さの測定は、当該基板の裏側からレーザを照射して行うことを特徴とする、請求項９に記載の基板検査方法。
【請求項１３】
前記高さ測定機構を基板の直径方向に移動させ、且つ前記基板保持台を回転させながら、基板の全面において厚み方向の高さを測定することを特徴とする、請求項９〜１２に記載の基板検査方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれかに記載の基板検査方法を基板検査装置によって実行させるために、当該基板検査装置を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項１】
露光装置で露光処理を行う前に、露光装置における基板のフォーカスの状態を検査する基板検査装置であって、
基板を、前記露光装置で露光処理される際と同じ条件で裏面から吸着保持する基板保持台と、
前記基板保持台に吸着保持された基板における厚み方向の高さを測定する高さ測定機構と、を有することを特徴とする、基板検査装置。
【請求項２】
前記高さ測定機構は、前記基板保持台に吸着保持された基板の表面側から当該基板の厚み方向の高さを測定することを特徴とする、請求項１に記載の基板検査装置。
【請求項３】
前記高さ測定機構はレーザ変位計であることを特徴とする、請求項２に記載の基板検査装置。
【請求項４】
前記高さ測定機構はレーザ変位計であり、
前記基板保持台は、前記レーザ変位計から照射されるレーザが透過可能であり、
前記レーザ変位計は、前記基板保持台を挟んで前記基板保持台に吸着保持される基板に対向して設けられ、且つ前記基板保持台に吸着保持された基板の裏側から当該基板の厚み方向の高さを測定することを特徴とする、請求項１に記載の基板検査装置。
【請求項５】
前記高さ測定機構を基板の直径方向に移動させる移動機構と、
前記基板保持台を、当該基板保持台の中心を軸として回転させる回転機構と、
前記高さ測定機構を基板の直径方向に移動させ、且つ前記基板保持台を回転させながら、基板の全面において厚み方向の高さを測定するように前記移動機構と前記回転機構を制御する制御部と、を有することを特徴とする、請求項１〜４に記載の基板検査装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の基板検査装置を備えた基板処理システムであって、
前記露光装置に搬入する前の基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットを有していることを特徴とする、基板処理システム。
【請求項７】
前記洗浄ユニットは、前記基板検査ユニットでの基板の検査により、前記露光装置で正常に露光できないと判定された基板の裏面を洗浄することを特徴とする、請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記洗浄ユニットは、前記基板検査ユニットで基板を検査する前に、当該基板の裏面を洗浄することを特徴とする、請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項９】
露光装置で露光処理を行う前に、露光装置における基板のフォーカスの状態を検査する基板検査方法であって、
基板を、前記露光装置で露光処理される際と同じ条件で裏面から吸着保持し、
その状態で、当該基板の厚み方向における高さを測定することを特徴とする、基板検査方法。
【請求項１０】
前記吸着保持された基板の表面側から当該基板の厚み方向の高さを測定することを特徴とする、請求項９に記載の基板検査方法。
【請求項１１】
前記高さの測定は、レーザ変位計により行うことを特徴とする、請求項１０に記載の基板検査方法。
【請求項１２】
前記高さの測定は、基板を吸着保持する基板保持台を挟んで、当該基板保持台に吸着保持される基板に対向して設けられたレーザ変位計により行い、
前記基板保持台は、前記レーザ変位計から照射されるレーザが透過可能であり、前記基板保持台に吸着保持された基板の厚み方向における高さの測定は、当該基板の裏側からレーザを照射して行うことを特徴とする、請求項９に記載の基板検査方法。
【請求項１３】
前記高さ測定機構を基板の直径方向に移動させ、且つ前記基板保持台を回転させながら、基板の全面において厚み方向の高さを測定することを特徴とする、請求項９〜１２に記載の基板検査方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれかに記載の基板検査方法を基板検査装置によって実行させるために、当該基板検査装置を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１３−１０２０５３（Ｐ２０１３−１０２０５３Ａ）
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４４８３９（Ｐ２０１１−２４４８３９）
【出願日】平成２３年１１月８日（２０１１．１１．８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月８日（２０１１．１１．８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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