【課題】 光干渉素子のクロスポイントチューニングを行うことなく、光デバイスの位置決めを行うことができる、光デバイスの位置決め方法を提供する。
【解決手段】 光デバイスの位置決め方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子において、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光を測定しつつ、前記光干渉素子と光結合する光デバイスの位置決めを行う第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】材料を無駄にすることなく、希土類化合物を用いた光素子が製造できるようにする。
【解決手段】エルビウムの酸化物よりなる希土類含有層１０５をスパッタ法などの物理蒸着法により、基板を加熱することなく形成し、例えば１０００℃に加熱することで、希土類含有層１０５を溝部１０４に凝集させ、酸化エルビウムの結晶からなる希土類コア部１０６を形成する。希土類の酸化物は、加熱することで、下地に形成されている凹部に凝集する。また、この加熱により、アモルファス状態の酸化エルビウムが結晶化するので、希土類コア部１０６は、酸化エルビウムの結晶から構成されたものとなる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ｇｅ導波路一体型光検出器、およびハイブリッドＩＩＩ−Ｖ／Ｓｉレーザの共集積化のための方法を提供する。
【解決手段】パターン化したＳｉ導波路構造を含むＳｉデバイスを備えたＳｉベースのフォトニクス基板を用意する工程、誘電体層、例えば、ＳｉＯ_２層を、平坦化したＳｉベースのフォトニクス基板の上部に堆積する工程、適切なエッチング深さで溝を誘電体層にエッチング形成して、フォトニクス基板のパターン化したＳｉ導波路構造を露出させる工程、露出した導波路を選択エッチングして、Ｇｅ成長用のテンプレートを作成し、薄いＳｉ層をＧｅ成長用のシード層として残す工程、意図的なＧｅ過成長を伴って、シード層からＧｅを選択成長させる工程、Ｇｅ表面を平坦化し、１００ｎｍ〜５００ｎｍの減少した厚さを持つＧｅ層を残す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を得ることが可能であるとともに設計の自由度を高めることが可能な光ハイブリッド回路および光受信器ならびに、その光ハイブリッド回路に好適に用いられうる光カプラを提供する。
【解決手段】光ハイブリッド回路１００は、平行四辺形形状の２：２光カプラ１と、平行四辺形形状の４：４多モード干渉カプラ２と、長方形形状の出力側２：２光カプラ３とを備える。これらを従属接続することにより、出力チャンネルを構成する２つの出力導波路１９，２０が隣接した構造を有する光９０°ハイブリッド回路を実現できる。平行四辺形の傾斜角度に応じて２つの出力光の間の相対的位相差を変更できる。したがって複数段の光カプラからなる複合カプラの特性を所望の特性に容易に設計できる。 （もっと読む）

【課題】小型で低光損失な光導波路の折り返し回路を提供し、素子の小型化・低損失化を実現すると共に、機械的信頼性を高めた光変調器を提供する。
【解決手段】ニオブ酸リチウム材料からなるＬＮ変調器と、ガラス材料からなり、前記ＬＮ変調器への光信号の入出力のために前記ＬＮ変調器と突き合わせ接続された第１及び第２のＰＬＣとを含む光変調器であって、前記第１のＰＬＣの光導波回路は、一方の端面にファイバブロックを介して接続された少なくとも２本のファイバと、他方の端面に突き合わせ接続された前記ＬＮ変調器の光導波路とを接続し、前記第２のＰＬＣの光導波回路は、一方の端面に突き合わせ接続された前記ＬＮ変調器の光導波路どうしを接続する折り返し光導波路であり、該折り返し光導波路は、前記第２のＰＬＣ上に実装された半導体光導波回路に形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来のＧＭＲＦよりも小さな面積で入射光と結合可能であり、高屈折率の材料を必要とせず、所望波長の光とそれ以外の波長の光とを別個に取り出す波長選択フィルタを提供する。
【解決手段】波長選択フィルタは、導波コア２と、導波コア２上に設けられたＤＢＲ１１、位相調整区間ｐ１、ＧＣ１０、位相調整区間ｐ２、及びＤＢＲ１２とを備える。所望波長の光及び所望波長以外の波長の光を含む入射光がＧＣ１０に入射したとき、導波コア２を伝搬する導波光をＧＣ１０により回折して導波コア２の第１の面から放射させることにより、ＧＣ１０に入射した所望波長の光を反射し、導波コア２を伝搬する導波光をＧＣ１０により回折して導波コア２の第２の面から放射させることにより、ＧＣ１０に入射して導波コア２を透過した所望波長の光を相殺する。所望波長以外の波長の光は導波コア２を透過する。 （もっと読む）

【課題】埋め込み素子の導波路とハイメサリッジ素子の導波路がずれるのを防ぐ。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に半導体積層構造３０と半導体積層構造３２を横並びに形成する。半導体積層構造３０，３２上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６をパターニングして、半導体積層構造３０上のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を除去する。半導体積層構造３０をエッチングして導波路リッジ４０を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６及び半導体積層構造３２をエッチングしてハイメサリッジ４２を形成する。導波路リッジ４０の両サイドを埋め込み層４４，４６，４８で埋め込む。導波路リッジ４０及びその近傍の埋め込み層上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層５２を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６，５２をマスクとして埋め込み層をエッチングして埋め込み素子とハイメサリッジ素子とを形成する。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇や特性の低下を招くことなく、実装が容易な状態で、ＬＳＩのチップ間やチップ内の信号伝送を、光配線で行えるようにする。
【解決手段】素子形成領域１２２のシリコン上にエピタキシャル成長により形成した半導体層を光吸収層として備えて素子形成領域１２２に形成された光素子１２３と、光導波領域１２１に形成された溝部１０１ａと、溝部１０１ａに充填されて形成された下部クラッド層１０２と、下部クラッド層１０２の上に形成されて光素子１２３に光接続するコア１０３と、コア１０３の上に形成された上部クラッド層１０４と、コア１０３よりなる光導波路の光導波方向に垂直な方向の素子形成領域１２２の側部の基板１０１上に形成されて、光素子１２３に電極引き出し部１０５を介して接続する電極パッド部１０６とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気通信システムなどで使用される光送信及び受信装置を提供する。
【解決手段】１つ又はそれよりも多くのレーザ４と、この１つ又はそれよりも多くのレーザ４の各々によって出力された放射線を強度変調する変調手段１０と、変調手段によって生成された変調放射線を例えば光ファイバ２２の中に出力するための出力手段とを含む送信装置２。装置は、使用時に１つ又はそれよりも多くのレーザ４から変調手段１０まで及び変調手段１０から出力手段まで放射線を案内する基板に形成された中空コア光導波路２０を含む。また、基板に形成された少なくとも１つの中空コア光導波路により、放射線が１つ又はそれよりも多くの光ファイバから１つ又はそれよりも多くの検出器まで案内されることを特徴とする受信器。組合せ受信器／送信器装置も示される。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子間の光学的な接続損失を低減可能な、半導体光集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の半導体積層２上に第１のマスク７を形成し、半導体積層２及び第２のエリア１ｂ上に第２のマスク８を形成して第２の部分７ｂを覆い、第１のマスク７及び第２のマスク８を用いて半導体積層２をエッチングしそれぞれ第１の導波路９及び半導体メサ１０を形成し、第１のマスク７及び第２のマスク８を用いて埋込半導体層１１を成長して第１の導波路９及び半導体メサ１０を埋め込み、埋込半導体層１１と第１の導波路９と半導体メサ１０との上に誘電体層１２を成長し、誘電体層１２及び第１のエリア１ａ上に第３のマスク１３を形成し、第３のマスク１３を用いたエッチングにより第２の部分７ｂを露出させ、第２の部分７ｂを用いて埋込半導体層１１及び半導体メサ１０をエッチングし第２の導波路１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】他の光学部品への集光特性を向上させることが可能な面発光レーザ装置を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子１１０の光出射面１１０Ａに直接、光導波路１２０を設けて、そのコア層１２１の径を、面発光レーザ素子１１０のニアフィールドパターンと同等またはニアフィールドパターンよりも小さくする。面発光レーザ素子１１０で発生した光は、出射して広がってしまう前に、すなわちニアフィールドパターンでまだ広がらない状態で、光導波路１２０のコア層１２１に入る。コア層１２１に入った光は、ニアフィールドパターンから広がらない状態のまま、コア層１２１を導かれ、次の光学部品へ光結合される。よって、出射光の拡大が抑えられ、次の光学部品への集光特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】発光領域が小さい光機能素子を低コストで提供する。
【解決手段】基板２上の透明薄膜４中に所定の間隔で所定の大きさの孔を配列したフォトニック結晶３１が形成され、フォトニック結晶導波路３０はこのフォトニック結晶の一部分に孔を形成しない領域を設けることによって形成されている。この導波路の下部に開口部が形成され、当該開口部が埋まるように窒化物半導体を基板上から透明薄膜の上側まで結晶成長させることによって発光素子１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型化可能であって、変調効率を高めた光変調装置を得る。
【解決手段】基板上に間隔を隔てて形成された第１の光導波路及び第２の光導波路と、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路における屈折率を変化させるため、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に沿って設けられた電極と、前記電極に接続されており、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に電圧を印加するための電源と、を有し、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路のうち、どちらか一方または双方の光導波路は、波長λの光を反射する構造の回折格子領域と、０からλ／２の範囲で位相シフトさせる位相シフト領域により形成されていることを特徴とする光変調装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】光変調部と光強度検出部とがモノリシックに集積されているシリコンからなるリブ型導波路構造の集積光デバイスにおいて、光強度の正確な測定ができるようにする。
【解決手段】光強度検出部１０６を囲うようにスラブ層１０２に形成された下部クラッド層に達する溝部１０７を備える。溝部１０７により、光強度検出部１０６が、他の領域より、電気的に分離された状態となる。また、溝部１０７により、モニター導波路のシリコンコア１０１ａも分離されるが、この分離された間に、溝部１０７によるシリコンコア１０１ａの２つの端部の各々に接続し、互いに離間するシリコンコア１１１ａおよびシリコンコア１１１ｂを備える。また、シリコンコア１１１ａおよびシリコンコア１１１ｂの間を中心として一部のシリコンコア１１１ａおよび一部のシリコンコア１１１ｂを覆うスポットサイズ変換部コア１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子と受光素子の両方の位置決めに光が利用でき、しかも、基板の幅が太くならない光導波路及び光配線部材並びに光配線部材への光素子の実装方法を提供する。
【解決手段】複数の発光素子１８及び複数の受光素子１９が実装される基板１に、発光素子及び受光素子間で通信用光を伝送するための複数の通信用光導波路コア３及び光導波路クラッド２を備えた光導波路が配置されてなる光配線部材５に、発光素子と受光素子を実装する際に、光導波路に、通信用光導波路コア３へ位置合わせ光を導入するための位置合わせ光導入部１４を備えておき、位置合わせ光導入部１４から通信用光導波路コア３へ導入されて基板１から出射される位置合わせ光を目標にして発光素子１８と受光素子１９の少なくとも一方を位置合わせする。 （もっと読む）

【課題】曲げ導波路における高次モードの励振そのものを防止できるようにする。
【解決手段】光半導体装置を、第１の幅を有する第１光導波路１と、第１光導波路１に接続され、曲げ部２Ａを有すると共に第１の幅よりも狭い第２の幅を有する第２光導波路２と、第２光導波路２に接続され、第２の幅よりも広い第３の幅を有する第３光導波路３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】光集積デバイスにおける光半導体素子と光導波路との間の光結合効率を高めることができ、温度特性の向上をはかる。
【解決手段】基板上に光半導体素子と光導波路を集積化した光集積デバイスであって、基板１１上の一部に設けられた下部クラッド層１２と、基板１１上に設けられ、光出射端面又は光入射端面を下部クラッド層１２の一端面に対向させて配置された光半導体素子１５と、下部クラッド層１２上に設けられ、先端部分が下部クラッド層１２の一端部に向けてテーパー状に絞られた光導波路１３と、光半導体素子１５の光出射端面又は光入射端面と光導波路１３の先端部分とを結ぶ線に沿って、下部クラッド層１２上及び光導波路１３の先端部分上に設けられた、下部クラッド層１２よりも屈折率の大きな上部クラッド層１４とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 プロセス誤差による特性変動の少ない同方向性光結合器型の波長可変フィルタ、および波長可変レーザを提供する。
【解決手段】 第１導電型の半導体層で構成された半導体基板上に、半導体基板の第１辺から対向する第２辺に向って並行して伸びる第１の光導波路と第２の光導波路とを備え、第１光導波路は周期的な凹凸のある平面レイアウトを備えた第１コア層と前記第１コア層を上下に挟み込む一対の電極を備え、第２光導波路は第１コア層よりも低屈折率の第２コア層を備え、第１光導波路を構成する第１コア層の下に第２コア層と同じ組成、同じ膜厚の層を備えさせる。 （もっと読む）

【課題】微細な加工が可能で、面精度が高く、簡略な工程で製造できる、光路変換機能を有する光導波路の製造方法および該製造方法により製造した光導波路を提供する。
【解決手段】コア部分を光硬化性樹脂またはポジ型感光性樹脂を用いて形成する、光路変換機能を有する光導波路の製造方法であって、該光硬化性樹脂または該ポジ型感光性樹脂への照射光の照射量を連続的に変化させることで光路変換ミラー面を形成する工程を有する光導波路の製造方法および該製造方法により製造した光導波路である。光導波路が基板または支持体フィルム上に、クラッド部分および前記コア部分を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】２次元フォトニック結晶による帰還効果を向上させ、その結晶層に分布する光の割合を増加させ、素子を形成する半導体が良好な結晶性を維持し、素子面積を小さくできるＤＦＢ型の面発光レーザを提供する。
【解決手段】バリア層と井戸層とで形成される活性層を含む複数の半導体層からなる積層中に、屈折率の異なる媒質が面内方向に周期的に配列された２次元フォトニック結晶層を備え、該結晶層の面内方向に共振モードを有する面発光レーザであって、
第１クラッド層と、２次元フォトニック結晶層と、活性層と、第２クラッド層とが順次積層されており、
バリア層、第１クラッド層、第２クラッド層のいずれの屈折率よりも高い屈折率を有し、
かつ、井戸層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する光誘引層が、２次元フォトニック結晶層と活性層との間、または、２次元フォトニック結晶層と第１クラッド層との間に設けられる構成とする。 （もっと読む）