【課題】光損失を抑制しつつ、非線形光学結晶の損傷を抑えてレーザ光の出力強度を高めることができる波長変換素子および波長変換装置を提供する。
【解決手段】波長変換素子２０Ａは、光軸線から周辺部へ向けて光強度が低下する光強度分布を有する第１のレーザ光Ｌ１を、該第１のレーザ光Ｌ１の光強度分布と比較して平坦化された光強度分布を有する第２のレーザ光Ｌ２に変換する光強度変換用レンズ２１と、光強度変換用レンズ２１と光学的に結合された光入射面２２ａを有し、該光入射面２２ａに受けた第２のレーザ光Ｌ２の位相を整える位相整合レンズ２２とを備える。位相整合レンズ２２の少なくとも一部は非線形光学結晶によって構成されており、位相整合レンズ２２は、第２のレーザ光Ｌ２の高調波である第３のレーザ光Ｌ３を光出射面２２ｂから出射する。 （もっと読む）

【課題】複数の波長変換処理を組み合わせて行う際、また波長変換処理と光変調処理とを組み合わせて行う際に、これらの組み合わせ処理を安定的に、かつ高い効率で行うことができる優れた光学性能を有する光学デバイス、当該光学デバイスを用いて所望波長のレーザ光を安定して発生するレーザ装置、および当該光学デバイスを用いて所望波長の光を被露光面に照射して露光する露光装置を提供する。
【解決手段】強誘電体基板３１では、波長変換部３１５と出射面３１１ｂとの間に空間光変調部３５が設けられ、波長変換部３１５から出力されるレーザ光を変調するとともに特定波長の０次光のみが基板に導光されてＬＳＩデータに対応するパターンが描画される。また、単一の強誘電体基板３１内で波長変換部３１４、３１５とともに空間光変調部３５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】リッジ型の光導波路を有する光導波路（ＳＨＧ）素子の生産性を高める。
【解決手段】ＳＨＧ素子６は、主面にリッジ型の光導波路７を有する導波路基板８と、導波路基板８の主面と反対側の対向面に接合された支持基板９とからなる光導波路素子であり、光導波路７の入射面１５と出射面１６を導波路基板８の主面に設けた構成とした。入射面１５或いは出射面１６には研削加工やポッティングによりレンズを一体成形する。 （もっと読む）

【課題】３次以上の高次の分散による波形歪みの影響を低減し、高ピークパワーを持つ短光パルスを、これを利用する光学装置の所望の位置で高ピークパワーの短光パルスが得られるように、効率良く伝送する。
【解決手段】光ファイバ伝送装置は、短光パルスに非線形効果と分散効果を与える非線形効果発生手段２０と、非線形効果発生手段２０から出射される短光パルスに負の群速度分散を与える負群速度分散発生手段３０と、負群速度分散発生手段３０から出射される短光パルスを所望の距離に渡って伝送する光ファイバ４０とを備え、ダウンチャープパルスを出射する。非線形効果発生手段２０は、Ｌ_ＮＬを非線形長、Ｌ_ｏｐｔを最適長とするとき、長さＬが以下の条件式（１）を満たすように構成する。
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【課題】変換効率の良い波長変換装置及び紫外光生成レーザ装置を提供すること。
【解決手段】光入射面と、光出射面とを備え、前記光入射面から入射した光の第２高調波光を発生する波長変換素子と、前記波長変換素子に入射する光が通る入射部と、前記波長変換素子から出射した光が通る出射部とを備える液体セルと、前記波長変換素子と共に前記液体セル内に収容されて、かつ前記波長変換素子が少なくとも前記光出射面が液体と接するように浸漬される浸漬液と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】レーザ光のスポット位置の調節が可能なレーザ光源装置を提供する。
【解決手段】光源と、前記光源から発射するレーザ光を集光する集光レンズ部と、前記レーザ光を偏向する光偏向素子と、前記集光レンズ部により集光された前記レーザ光を伝搬する光学素子を有するレーザ光源装置であって、前記光偏向素子は、液晶素子、音響光学素子、電気光学素子のいずれかにより形成されており、前記光偏向素子に印加される電圧によって生じる電位分布に応じて前記レーザ光が前記光学素子に集光する方向を偏向するレーザ光源装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】入力光に対してＳＨＧ、ＤＦＧ、ＳＦＧのいずれかの非線形光学変化を多段独立で行うことができる波長変換デバイスおよびこれを用いた波長変換装置を提供する。
【解決手段】波長変換デバイスは、基板上に、波長変換導波路と、波長変換導波路の出力端に接続され、光合分波器として機能するモード干渉導波路と、モード干渉導波路の出力に接続された第１の出力導波路および第２の出力導波路を備える。出力導波路の出力端部には、特定の波長の光に対しては光を反射し、特定の波長以外の波長の光に対しては光の反射を抑制する光学膜が設けられ、出力導波路の少なくとも１つの出力端部が出力導波路に対して斜めに端面処理される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高効率な波長変換を達成する波長変換素子を提供する。
【解決手段】２つの異なる波長の光を入射し、一方の光により第二高調波を発生し、他方の光と前記第二高調波の差周波発生により変換光を発生する波長変換素子であって、周期分極反転構造を有する二次非線形光学媒質からなる導波路部であって、前記一方の光を前記第二高調波に変換する第二高調波発生部と、前記第二高調波の屈折率を変化させるための位相調節部とを有する、導波路部と、前記導波路部の入力端に設けられ、前記第二高調波を反射する第１の反射部と、前記導波路部の出力端に設けられ、前記第二高調波を反射する第２の反射部とを備え、前記位相調節部は、前記第１の反射部によって反射された第二高調波の位相と前記第二高調波発生部で発生する第二高調波の位相とを整合させることを特徴とする波長変換素子である。 （もっと読む）

【課題】導波路内の光の伝播の方向に対して傾斜している分極反転光学領域を有する、非線形光学結晶材料を備える周期分極反転光導波路が提供される。
【解決手段】傾斜している分極反転光学領域から反射された光は、光導波路の中へ戻って効率的に結合することがなく、このことにより、導波路に結合された半導体レーザ光源への背面反射の低減が助長される。背面反射が低減すると、半導体レーザ光源の安定稼働が助長される。傾斜している分極反転領域を有する周期分極反転光導波路を製造する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】光発生装置を構成する半導体レーザ、光学部品及び光導波路を基板上に搭載固定するに際して、各半導体レーザ、光学部品及び光導波路相互間の位置合わせを精度良く行うことが可能な光発生装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板２上にて半導体レーザ４が搭載固定される半導体レーザ搭載領域８の基準面６からの高さが大きくなるとともに、光学部品３が搭載固定される光学部品搭載領域７及び放熱部材１３を介して光導波路５が搭載固定される光導波路搭載領域９の基準面６からの高さが小さくなるように、シリコン基板２に選択的エッチングが行われてシリコン基板２に各搭載領域７、８、９による凹凸形状が形成され、これに基づき半導体レーザ４、光学部品３、光導波路５の相互間における高さ方向の位置合わせが行われるように光発生装置１を構成する。 （もっと読む）

【課題】所望の波長の光を高い光取り出し効率で出力することのできるレーザ光波長変換装置を提供すること。
【解決手段】レーザ光波長変換装置は、基本波光としてレーザ光を放射する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に対して外部共振器を構成する体積ブラッググレーティング（ＶＢＧ）よりなる基本波光反射素子と、前記半導体レーザ素子と前記基本波光反射素子との間に配置された、基本波光の一部の基本波光の波長を変換して波長変換光とする波長変換素子とを有するレーザ光波長変換装置において、前記波長変換素子より出射されて前記基本波光反射素子に向かう光のうち、基本波光を透過し、波長変換光を反射する選択性反射部材を備えると共に、前記半導体レーザ素子と前記波長変換素子との間に、基本波光を透過し、波長変換光を反射させて取り出すダイクロイックミラーが配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】波長変換光が微弱であり且つ光強度がＭＨｚを超えるような高周波で変調されるような用途でも半導体レーザを適正に駆動する。
【解決手段】ＣＰＵ１１は、微弱な波長変換光を検出する第２の光検出器６の出力信号を増幅する増幅回路１０の出力信号に応じた補正信号ｈを出力する。補正回路８は、強度変調信号Ｂを補正信号ｈで補正する。ＡＰＣ回路９は、第１の光検出器５で検出した基本波光の強度が補正後強度変調信号Ｂ’に応じた値になるように半導体レーザ１を駆動する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体結晶により構成される強誘電体基板に周期分極反転構造が形成される光学デバイスに関し、その強誘電体結晶の薄膜化および周期分極反転構造の高精度化を可能とする。
【解決手段】単分極化された強誘電体結晶により構成された強誘電体基板１１の一方主面Ｓ1Aと、強誘電体基板１１よりも厚い支持基板１４の一方主面Ｓ1Bとの間に接合部１３を介在させて強誘電体基板１１を支持基板１４で支持しながら一体化しているので、上記した平面研磨処理により強誘電体基板１１、つまり強誘電体結晶を薄膜化することができ、その結果、周期分極反転構造を薄くすることができる。そして、こうして薄膜化された強誘電体基板１１に対し、上記したように電圧印加法により分極反転部を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ発光中の波長変換部破損を防止することにより、信頼性の高い眼科治療機器やレーザ加工機器を提供する。
【解決手段】基本波を出力する基本波レーザ光源１０１と、基本波レーザ光源１０１からの基本波１０６が入力され、高調波１１１を出力する波長変換部１１０と、波長変換部１１０を加熱冷却する温度設定部１１５と、温度設定部１１５を制御する温度制御部４００と、波長変換部１１０からの高調波１１１の出力が目標値となるように基本波レーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部３００と、を備え、基本波レーザ光源１０１からの基本波１０６の発光量を制限する光量制限部７００が、温度制御部４００の温度制御方向に応じて基本波レーザ光源１０１からの基本波の最大発光量を切り換えることを特徴とする光源装置とした。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の光軸に対する波長変換素子の位置および角度を調整してレーザ光の出力を高めることができるようにする。
【解決手段】波長変換素子３５を保持する波長変換素子ホルダ５７を、ホルダ支持部５９に対して、分極反転領域の深さ方向に移動可能に、且つ任意の方向に傾動可能に設ける。特に波長変換素子ホルダ５７に球面状の凸部９１を設け、ホルダ支持部５９に円柱面状の凹部９２を分極反転領域の深さ方向に延在するように溝状に設ける。 （もっと読む）

【課題】組み付け後の波長変換素子の角度調整を不要にして、構造の簡素化により製造コストの削減を図ることができるようにする。
【解決手段】波長変換素子３５を支持する基台３８に設けられた素子保持部５５に、波長変換素子を位置決めする取付基準面６２を、光軸に対して平行に形成する。そして、波長変換素子を、略平行六面体に形成し、その入射面３５ａおよび出射面３５ｂに隣接する４つの面の１つである底面３５ｆを取付基準面に当接させて、分極反転領域の深さ方向が光軸と略直交し、且つ入射面および出射面が光軸方向に直交する平面に対して所定の傾斜角度θで傾斜するように配置する。 （もっと読む）

【課題】波長変換素子を精度よく組み付けて、波長変換素子の角度の調整を簡略化することができるようにする。
【解決手段】波長変換素子ホルダ５８に、略直方体状をなす波長変換素子３５の出射面３５ｂが当接してその波長変換素子を位置決めする取付基準面８４を設け、波長変換素子を、取付基準面に当接した状態で接着剤１０６により波長変換素子ホルダに対して固定するようにし、接着剤は、出射面に隣接する頂面３５ｅおよび底面３５ｆと、波長変換素子ホルダにおいて取付基準面に隣接してこれに略平行に形成された凹部８９の底面１０７とに付着するようにする。 （もっと読む）

【課題】信号対雑音比（ＳＮＲ）が相対的に高いビート・ノートを発生させる構成を提供する。
【解決手段】信号対雑音比（ＳＮＲ）が相対的に高いビート・ノートを発生させる本発明は、後処理された高非線形光ファイバ（ＨＮＬＦ）のセクションに結合されたパルス・レーザ源を利用して、スペクトル・パワーが増強された１つまたは複数の領域を有する周波数コムを発生させる。第２のレーザ信号源は、周波数コムとオーバーラップされ、第２の源と連続スペクトル・コムとの間で異なる周波数において１つまたは複数の「ビート・ノート」を発生させる。当該後処理によってスペクトル増強領域がコムに沿って形成され、第２のレーザ信号との相互作用により「高パワー」光ビート・ノートを発生させる。第２のレーザ信号を（コム「外部」の信号からビート・ノートを形成する）外部の源からとすることができ、または（コム「内部」の信号からビート・ノートを形成する）発生スーパーコンティニュームの周波数逓倍バージョンとすることもできる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の光軸に対する波長変換素子の位置および角度を調整してレーザ光の出力を高めることができるようにする。
【解決手段】波長変換素子３５を保持する波長変換素子ホルダ５８を、基台３８に対して、波長変換素子の分極反転領域の深さ方向に移動可能に、且つ光軸方向に対して略直交する軸周りに回動可能に設ける。特に基台に、光軸方向に対して直交する平面である第１の基準面９１，９２を設けると共に、波長変換素子ホルダに、第１の基準面に当接する軸部９３，９４を、光軸方向および分極反転領域の深さ方向に対して略直交する方向に設ける。 （もっと読む）

【課題】リッジ部の両側に突起や段差部のあるタイプの光導波路デバイスにおいて、光のモードサイズの増大による伝搬効率の低下を防止し、かつ、リッジ部のエッジの欠けによる伝搬損失の増加も抑制することによって、伝搬損失を良好とする。
【解決手段】光導波路デバイス１２は、厚さ４μｍ以上、７μｍ以下の強誘電体層３、支持基板１、強誘電体層の底面と支持基板１とを接着する接着層２を備える。強誘電体層３が、チャンネル型光導波路が設けられたリッジ部５、第一の突起１０Ａ、第二の突起１０Ｂを備える。外側溝２１が内側溝２０よりも深い。リッジ部５の幅Ｗ１が６．６μｍ以上、８．５μｍ以下、第一の突起１０Ａの外側エッジ１０ａと第二の突起１０Ｂの外側エッジ１０ａとの間隔Ｗ２が８．６μｍ以上、２０μｍ以下、内側溝２０の深さＤ１が２．０μｍ以上、２．９μｍ以下であり、外側溝２１の深さＤ２が２．５μｍ以上、３．５μｍ以下である。 （もっと読む）