【課題】硫酸の温度の変更に容易に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液を基板Ｗの表面に供給する。この基板処理装置は、レジスト剥離液を基板に向けて吐出するノズル２と、ノズル２に向けて過酸化水素水を流通させる過酸化水素水供給路３０と、過酸化水素水供給路３０上においてノズル２までの流路長が異なる複数の混合位置ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３，ＭＰ４にそれぞれ接続された複数の硫酸供給路３１，３２，３３，３４と、硫酸供給源２５からの硫酸を前記複数の硫酸供給路から選択された硫酸供給路に導入する硫酸供給路選択ユニット３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】ボイラによる加熱量を減少させるとともに熱効率良く温水を製造することができる温水洗浄システムを提供する。
【解決手段】温水洗浄システム１は、ボイラから得られた蒸気によって洗浄用水を加熱する温水タンク５と、温水タンク５にて得られた加熱後の洗浄用水を用いて使用済みフィルムを洗浄するフィルム洗浄装置７と、フィルム洗浄装置７から排出された洗浄後排水によって温水タンク５に供給される洗浄用水を加熱する第１熱交換器１１と、第１熱交換器１１から流出された洗浄後排水によって熱源水を加熱する第２熱交換器１２と、第２熱交換器１２によって加熱された熱源水を熱源として動作し、第１熱交換器１１によって加熱された洗浄用水を加熱するヒートポンプ１７とを備えている。ヒートポンプ１７によって加熱された洗浄用水は、温水タンク５へ供給される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面からリンス液を良好に除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に純水が供給され、ウエハＷの表面に対するリンス処理（ウエハＷの表面を純水で洗い流す処理）が行われた後、純水よりも表面張力の低いＩＰＡ液がウエハＷの表面に供給される。また、ＩＰＡ液の供給と並行して、ウエハＷの表面と反対側の裏面に温水が供給される。 （もっと読む）

【課題】水蒸気中の不純物を低減することで基板上の微粒子等を確実に除去すること。
【解決手段】純水ＰＷを加熱沸騰させて水蒸気を発生させる石英ガラス製の水蒸気発生容器１１０と、水蒸気発生容器１１０に純水ＰＷを供給する純水供給部４００と、水蒸気発生容器１１０で発生した飽和水蒸気ＳＶを加熱して過熱水蒸気ＨＶを生成する石英ガラス製の過熱水蒸気生成容器１５０と、過熱水蒸気生成容器１５０で発生した過熱水蒸気ＨＶを基板Ｗの表面に噴射させる基板処理装置３００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
人体と接触することによって皮脂等の汚れが付着した物品を、安全に、簡便にかつ効果的に洗浄する方法を提供する。
【解決手段】
蛋白分解酵素及び脂肪分解酵素を含有し、界面活性剤を含有しないマイクロバブル洗浄用組成物、並びにマイクロバブルを含有する洗浄液を用いることを特徴とする、物品の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】水分濃度が低い有機溶媒を処理部又は被処理体に供給して処理を行うことにより、被処理体や処理部の腐食を抑えること。
【解決手段】イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の供給源３０からＩＰＡを貯留タンク３に供給し、貯留タンク３内のＩＰＡを、水分除去フィルタ４及び濃度測定部５を備えた循環路３２を介して循環供給する。ＩＰＡは、循環路３２内を循環させることにより、水分除去フィルタ４により徐々に水分が除去される。そして、濃度測定部５により測定された水分濃度が０．０１重量％以下であるときには、中間タンク６にＩＰＡを送液する。中間タンク６からは、処理チャンバ１１に水分濃度が０．０１重量％以下のＩＰＡが供給され、処理チャンバ１１では、当該ＩＰＡを高温、高圧状態として、ウエハＷの処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】 浴槽に接続された循環配管を経由して洗浄水を洗浄配管に供給する場合であっても、エアー混入のない洗浄水を洗浄配管に供給し得るようにして、確実に所定量の洗剤を洗浄水に対し混入させ得る浴室部材洗浄装置を提供する。
【解決手段】 循環配管の戻り配管に介装した三方切換弁で洗浄配管を分岐させる。洗浄スイッチＯＮにより、まず洗浄前処理を行う。給湯路の流量調整弁を大流量Ｑ１にして注湯電磁弁を開く（Ｓ１，Ｓ２）。時間ｔ１だけ循環配管に対し大流量Ｑ１の注湯を継続し、戻り側・往き側・風呂熱交換器の内部通路内にあるエアー混入のおそれのある残留水を浴槽に追い出し、注湯された湯水で充満された状態にする。次に、三方切換弁及び開閉切換弁を切換えて浴槽洗浄処理を開始し(Ｓ３，Ｓ４)、所定時間経過後に洗剤を混入する。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明の実施形態は、一般的には、チャンバ構成部品の外部位置洗浄のための方法及び装置に関する。一実施形態では、洗浄化学物質で構成部品を洗浄するためのシステムを提供する。システムは、洗浄プロセス中洗浄すべき１つ又はそれ以上の構成部品を保持するための洗浄槽組立体を含むウェットベンチ装置と、洗浄プロセス中１つ又はそれ以上の洗浄化学物質を洗浄槽組立体に供給するための、洗浄槽組立体と着脱可能に連結された着脱可能な洗浄カートを含む。 （もっと読む）

【課題】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体から除去する。
【解決手段】３つのオリフィスノズルからの液体のスプレーの方向を変える。ａ）ｉ）十分な圧力下で液体源から液体を供給され、そこから液体の流れを噴出する第１オリフィス１２４；ii）ガス源からガスを制御された圧力で供給されてガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第１ガスオリフィス１３０；iii）第２ガス源から第２ガスを制御された圧力で供給されてガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第２ガスオリフィス１４０、を有するノズルを装備し；そしてｂ）中央オリフィス１２４からの液体の流れに方向を付与するように第１ガスオリフィス１３０及び第２ガスオリフィス１４０の少なくとも１つのガス流の流れを修正することにより、ノズル１２２からの液体のスプレー方向を調節する。 （もっと読む）

【課題】水蒸気と水とを組み合わせて照射する洗浄方法において、水分子の浸透時間に制限されず対象物を傷めることなく確実に洗浄する方法の提供。
【解決手段】水蒸気供給部Ａ、純水供給部Ｂ、水蒸気流体調整部Ｃ、混相流体照射部Ｄ、ウェハ保持・回転・上下機構部Ｅを有する構成であって、混相流体照射部Ｄの混合部１４４は、照射ノズル１４１の上流側に設置されており、該混合部１４４及び照射ノズル１４１は内壁面が略連続的な曲面を形成するとともに、該混合部１４４内壁面の一部に水導入部を有し、該照射ノズル１４１は、ノズル上流側からノズル出口へと向かうに従って縮径し、更に、最小断面積となるのど部を境に、拡径する末広構造を有し、前記混合部１４４内を流動する水蒸気に水を混合して、前記ノズル１４１の出口から混相流体として噴射することにより、対象物に液滴が衝突する際のキャビテーションを制御する。 （もっと読む）

【課題】熱の再利用ができ、配管の破損が生じても問題が生じることがなく、その上、装置のコストアップを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】二重容器２７における熱交換により、排出される燐酸と供給される燐酸との間で熱の再利用ができる。また、熱交換が燐酸同士であるので、二重容器２７の内容器２９が破損したとしても問題が生じない。その上、別体の予備温調ユニットを設けることなく、供給する燐酸に加温することができるので、装置のコストアップを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面からリンス液を良好に除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に純水が供給され、ウエハＷの表面に対するリンス処理（ウエハＷの表面を純水で洗い流す処理）が行われた後、純水よりも表面張力の低いＩＰＡ液がウエハＷの表面に供給される。また、ＩＰＡ液の供給と並行して、ウエハＷの表面と反対側の裏面に温水が供給される。 （もっと読む）

【課題】処理液を用いた処理を、安定的に基板に施すことができる基板処理装置を提供すること、および、このような基板処理装置に適用可能な処理液成分補充方法を提供すること。
【解決手段】薬液キャビネット制御部７２は、処理ユニット４〜７の薬液バルブ３３の開時間を取得し、その薬液バルブ３３に関する累積開時間を算出するとともに、４つの処理ユニット４〜７の４つの薬液バルブ３３の累積開時間の合計を算出する。薬液バルブ３３の累積開時間の合計が予め定める時間に到達すると、成分補充ユニット３は予め定める量の第１成分、第２成分および第３成分を、それぞれ、薬液タンク４０に補充する。
【効果】薬液タンクに溜められている薬液の濃度をほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、その表面に硬化層を有するレジストであっても除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】加熱処理部２には、ウエハＷの裏面（レジストが形成されている表面と反対側の面）を吸着保持して、そのウエハＷを加熱するためのプレート５と、プレート５に保持されたウエハＷの表面付近の空間を包囲するための包囲部材６とが配置されている。プレート５にウエハＷが保持されて、そのウエハＷの表面に包囲部材６が近接して配置され、包囲部材６からウエハＷの表面上の雰囲気が吸引されつつ、プレート５に内蔵されたヒータ１１によってウエハＷが加熱される。この加熱によって、ウエハＷの表面温度が約３００℃以上の高温に達して、ウエハＷの表面上のレジストにポッピング現象が生じ、レジストの表面に硬化層が破壊される。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、その表面に硬化層を有するレジストであっても除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷを加熱しつつ、そのウエハＷの表面に、ＳＰＭと窒素ガスとの混合流体（液滴の噴流）を供給する。ウエハＷの表面上のレジストがその表面に硬化層を有していても、ウエハＷが加熱されることによって、そのレジストの表面の硬化層は軟化する。そのため、混合流体がウエハＷの表面に供給されると、その軟化した硬化層は、その混合流体が衝突するときの衝撃により破壊される。この後、ウエハＷの表面にＳＰＭを供給する。レジストの表面の硬化層が破壊されているので、その硬化層の破壊された部分からレジストの内部にＳＰＭを浸透させることができ、ＳＰＭの化学的な力により、レジストをウエハＷの表面から硬化層ごと剥離させて除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、その表面に硬化層を有するレジストであっても除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】プレート２によって、ウエハＷの裏面を吸着保持して、そのウエハＷを回転させる。その一方で、回転しているウエハＷを加熱しつつ、そのウエハＷの表面に、ＳＰＭノズル３から超音波振動の付与されたＳＰＭを供給する。ウエハＷの加熱によって、ウエハＷの表面上のレジストの硬化層が軟化するので、超音波振動の付与されたＳＰＭがウエハＷの表面に供給されると、その硬化層は、超音波振動の物理的なエネルギーによって破壊される。レジストの表面の硬化層が破壊されると、その破壊された部分からレジストの内部にＳＰＭを浸透させることができ、そのＳＰＭの化学的な力により、レジストをウエハＷの表面から硬化層ごと剥離させて除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 車両等の被洗浄物に損傷を与えることなく、汚れを短時間で良好かつ簡単に除去することが可能な洗浄方法、及びこの方法に使用可能であり、洗浄力が高く、取り扱いの便利な洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】 水溶性高分子化合物、水難溶化剤及び水を含む洗浄剤組成物を被洗浄物に対して０．１ＭＰａ〜０．５ＭＰａで加圧噴射する洗浄剤噴射工程と、被洗浄物上に施された洗浄剤組成物を乾燥させて洗浄液膜を形成する乾燥工工程と、被洗浄物表面を洗い流すための清浄液を４ＭＰａ〜７ＭＰａで加圧噴射することにより洗浄液膜と被洗浄物上の汚れとを除去する清浄液噴射工程と、を含むことを特徴とする洗浄方法、及びポリビニルアルコール、水難溶化剤、及び水を含むことを特徴とする洗浄剤組成物が得られた。 （もっと読む）

【課題】薬液による基板処理の面内均一性を向上することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置１００は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持回転機構１と、この基板保持回転機構１によって保持されて回転されている基板Ｗの表面の全域に行き渡るように、室温よりも高温の高温水２を供給する高温水供給機構４，５と、前記基板保持回転機構１によって保持されて回転されている基板Ｗの表面の全域に、室温よりも高温の高温薬液３を供給する高温薬液供給機構４，５とを備えている。基板保持回転機構１によって保持されて回転されており、高温薬液よりも低温の基板Ｗに、室温よりも高温の高温水２が供給され、それに引き続いて室温よりも高温の高温薬液３が供給される。
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【課題】 露光装置において基板に付着した液体による動作不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】 基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、乾燥／現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１３を備える。インターフェースブロック１３に隣接するように露光装置１４が配置される。乾燥／現像処理ブロック１２は乾燥処理部９５を備える。インターフェースブロック１３はインターフェース用搬送機構ＩＦＲを備える。露光装置１４において基板Ｗに露光処理が施された後、基板Ｗはインターフェース用搬送機構ＩＦＲにより乾燥処理部９５に搬送される。乾燥処理部９５において基板Ｗの洗浄および乾燥が行われる。 （もっと読む）