【課題】 半導体基板の研磨において摩擦係数を精度良く測定し、その変化を研磨終点の判定に用いることができる半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 回転する研磨定盤に貼り付けた研磨布に、キャリアに保持された表面に被研磨膜を有する半導体基板を押圧しつつ、研磨布と半導体基板との間に研磨剤を供給して半導体基板を研磨する方法において、半導体基板と研磨布との間の摩擦係数を測定し、前記摩擦係数の変化によって研磨の終点を決定する。 （もっと読む）

【課題】目詰まりや砥粒の脱落などに起因する異常加工の発生を最小限に抑えて、製品の信頼性や歩留まりの向上を図る。
【解決手段】研削加工したウエーハ１を洗浄ユニット７５のスピンナテーブル８１に保持して洗浄、乾燥処理した後、そのままの状態で、被加工面をカメラ９６で撮像し、撮像した画像を画像処理手段１０１で処理して制御手段１０２に供給する。制御手段１０２は、画像処理データが画像基準データの所定範囲から逸脱しているか否かを判断し、逸脱している場合には異常加工であるとみなし、運転停止等の処理を行う。 （もっと読む）

【課題】液晶パネル基板の欠け、割れ、および配向ムラを防止することが可能な研削装置を提供する。
【解決手段】研削装置は、液晶パネル基板の振動を検出可能なＡＥセンサを有しており、ＡＥセンサからの検出信号が所定時間だけ継続して基準値Ｋを超えた場合に、砥石ヘッドの動作を停止させた後、液晶パネル基板から離れるように砥石ヘッドを移動させる。これによれば、液晶パネル基板に砥石ヘッドから大きな圧力がかかることが防止される。 （もっと読む）

【課題】検査部位に青色光を照射することにより、撮影装置による検査部位の損傷部の検出効率の向上および検出精度の向上を図る。
【解決手段】タイヤ更生装置Ｒは、使用済みタイヤから形成された台タイヤ１にバフ加工により加工された加工面２における損傷部を検出する損傷検出装置20と、前記損傷部に削り加工を施すスカイブ装置50とを備える。損傷検出装置20は、黒色の加工面２の検査部位２ａに青色光を照射する照明装置21と、検査部位２ａを撮影するカメラ22と、カメラ22からの画像データに基づいて前記損傷部の有無を判定する画像処理装置23とから構成される。 （もっと読む）

【課題】導電性膜の研磨終点を検出するのに極めて好適なセンサを提供して該研磨終点を高い精度で確実に検出し、ノイズの発生がなく、低消費電力で、さらにはコスト低減を図りうる平面インダクタ搭載静電結合型センサ及びそれを用いた終点検出方法及び終点検出装置を提供する。
【解決手段】平面インダクタ３４とキャパシタ３５からなるセンサ回路系を構成する発振回路３６を有し、平面インダクタ３４をある膜厚を有した導電性膜に平行に近接させ、位相分布により平面インダクタ３４と導電性膜との間に静電結合を引き起こし、該静電結合を介しての導電性膜の膜厚抵抗値の変化と、平面インダクタ３４が作る磁界変化を伴う磁界と該磁界が前記導電性膜に侵入することによるセンサ回路系から見たインダクタンスの変化との二つの変化によって決まる共振周波数で発振する平面インダクタ搭載静電結合型センサを提供する。 （もっと読む）

【課題】研削加工装置の機械的精度の影響を受けることなく、研削加工代をできるだけ小さくしながらも確実に被加工物の表面を平坦に研削することを可能とし、基板材料等のコスト低減を図る。
【解決手段】チャックテーブル２０に吸着、保持したウエーハ１の厚さを厚さ測定ゲージ５０で測定しながら、研削ユニット３０のカップホイール３５によってウエーハ１の表面を研削していき、認識部６１で認識される厚さばらつき値（最大測定値−最小測定値）が予め設定した目標値に到達したら、研削を停止するように制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程などにおいて、基板の周縁部等に発生する表面荒れや基板の周縁部等に付着し汚染源となる膜を効果的に除去することができる基板処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ工程の後、研磨フィルム２２により基板のベベル部及びエッジ部の研磨を行う。また基板のベベル部の研磨ヘッドが位置しない場所に、基板のデバイス形成面の法線方向から所定形状及び所定強度の光を照射し、散乱光を測定することでベベル部の凹凸を測定し、これに基づいて研磨終点を検知する。 （もっと読む）

【課題】チャックテーブルに保持されたウェーハに研削砥石が接触し、押圧力が加えられて研削が行われる場合において、ウェーハを正確に所望の厚さに形成する。
【解決手段】ウェーハの研削前に、チャックテーブル２の保持面２０と触針６０との接触時における触針の高さ計測値Ａ０を保持面の原点として認識すると共に、枠体２１と触針６０との接触時における触針の高さ計測値Ｂ０を枠体の原点として認識し、保持面２０にウェーハＷを載置して吸引保持し、研削砥石３３をウェーハＷに接触させて研削している状態で触針６０を枠体２１に接触させ、触針６０の高さ計測値Ｂｘを認識し、ウェーハの研削中に研削面Ｗ３ａに触針６０を接触させ、触針６０の高さ計測値Ａｘを認識し、ウェーハＷが所望厚さＴに形成される時の触針６０の高さ算出値Ａｙを、Ａｙ＝Ｔ＋Ａ０−（Ｂ０−Ｂｘ）によって算出し、高さ計測値Ａｘと高さ算出値Ａｙとが一致した時に研削を終了する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの外周余剰領域に形成された環状の補強部の幅が許容範囲内に形成されているか否かを容易に確認することができる環状補強部の確認方法および確認装置を提供する。
【解決手段】表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハ１０の裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削して所定厚さに形成するとともに、ウエーハ１０の裏面における外周余剰領域に対応する領域が残存して形成された環状の補強部１０５bの幅寸法を確認するウエーハ１０の外周部に形成される環状補強部の確認方法であって、裏面に環状の補強部が形成されたウエーハ１０の表面側を回転可能に構成された保持テーブル９１に保持し、保持テーブル９１を所定角度回動する毎に撮像手段１１によって環状の補強部１０５bを撮像して、環状の補強部１０５bの幅が許容範囲内に形成されているか否かを確認する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの研削面に窪み、ゴミなどによる部分的な凹凸があったとしても算出される平均値への影響を軽減して研削厚さが所望の厚さとなるように研削送りを適正に制御すること。
【解決手段】検出手段４０が平均値データ出力間隔Ａの間に研削面Ｗａに作用する円弧状軌跡Ｌ上での移動距離をＤ（ｍｍ）とし、ウエーハＷの仕上がり厚さの許容値をα（μｍ）とし、研削手段の研削送り速度をβ（μｍ／秒）とした場合、移動距離Ｄは所定の下限値Ｄthより大きく、平均値データ出力間隔Ａはα／βより小さいことを満たすように設定された適正な平均値データ出力間隔Ａで、検出手段４０がウエーハＷの厚さ情報を複数回検出して平均値を算出し、算出された平均値に基づいて研削送り手段を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】 クランクピンのような回転軸から偏心した工作物を加工する際に、省スペース化、小型化を図った簡単な装置で工作物の外径（半径）を測定することのできる定寸検出方法及び定寸装置を提供する。
【解決手段】 回転駆動される工作物の回転軸線から偏心した円筒部の半径を三点接触法により測定する三点接触式測定器４６と、該三点接触式測定器４６を前記回転軸線に垂直な断面上で前記円筒の円周に沿って接触移動させる接触移動手段４２とを備えた定寸装置において、前記三点接触式測定器４６を前記円筒部の公転における上昇端近傍においてのみ接触移動させて円筒の半径を測定する工程と、測定された半径のデータに基づいて所定寸法に達したことを検出する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】放射化された構造物の切断と端面の開先加工を同時に行い、しかも切断研削具の送り量の異常判定を容易に行うことができる砥石切断装置を提供する。
【解決手段】砥石切断装置本体１１は、水中において構造物を遠隔切断する円板状の砥石２と、砥石１１を回転させる回転用アクチュエータ８１と、砥石２を送る送り用アクチュエータ８２と、砥石２の送り動作中に送りを停止させる送り停止手段と、砥石２を切断対象に対して一定位置に保持して回転研削する定位置研削手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 研削液の膜厚の厚さを正確に測定可能な装置を提供する。
【解決手段】 基準部材５５内に互いに絶縁された複数の電極５６ａ〜５６ｅが砥石車の回転軸線と平行に配置され、これら複数の電極５６ａ〜５６ｅがプラス側配線５７とマイナス側配線５８に接続されるとともに、プラス側配線５７とマイナス側配線５８の間に固定抵抗ｒが並列に接続されている。研削液が導電性を有し、研削液の量（膜厚）によって電気が流れ易くなることを利用し、複数の電極５６ａ〜５６ｅに電圧が印加され、互いに隣接する電極間に研削液を介して流れる電流を測定することにより、研削液の厚みを求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】通表面に半導体装置等が形成されたウェーハを薄化加工する前に、予めウェーハの外周を研削するときに、表面保護領域に貼付された保護シートを研削することなしに、保護シートの外縁ギリギリまでウェーハの外周を研削することができるウェーハ外周研削方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハＷの半導体装置が形成された表面側にウェーハＷの外径よりも小径の保護シートＳを貼付し、保護シートＳの外縁の位置を検出し、検出した保護シートＳの外縁の位置のデータを基に、保護シートＳの外縁の近傍までウェーハＷの外周を研削するように研削砥石１２の切り込み量を設定し、設定された切り込み量でウェーハＷの外周を研削するようにした。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法の薄型化・貫通電極形成工程において、主面から内部に向けて非貫通電極が形成された半導体基板の主面に対向する裏面の研磨により、非貫通電極を構成する導電材料が裏面に露出するのを精度良く検知し、導電材料の露出不良、研磨し過ぎなどを防止する。
【解決手段】 主面５からその内部に向けて非貫通電極７が形成される半導体基板２と、異方性導電フィルム３と、導電性支持体４とを貼り合わせた研磨構造体１を作製し、研磨面６の研磨により非貫通電極７を構成する導電材料が研磨面６表面に露出すると電流が流れるように電圧を印加し、半導体基板２の厚み方向における電気抵抗値の変化により導電材料の露出を検知する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、導電性のないワークに対しても利用でき、研磨布の摩耗に対して実質的に影響を受けない、精度の高い定寸性能を発揮できる定寸方法及び定寸装置を提供することを課題とするものである。
【解決手段】 両面ポリッシュ加工機１の上定盤１１に形成された空所内に渦電流センサー２２が設けられており、キャリア１５の上表面１５１までの距離を検出する。加工当初における渦電流センサー２２によって検出されたキャリア１５の上表面までの距離の検出値が初期値として記憶され、初期値として記憶されているキャリア１５の初期表面までの距離１５１と現在のキャリア１５の表面までの距離とが逐次比較される、比較によって得られた差が予め定められた値となったとき、制御装置３０はワーク１６の研磨量がこの差に対応するものとして加工を停止する。 （もっと読む）

【課題】 静電気の帯電を抑えて、厚さ計測装置の計測端子に研削屑が付着することを防止し、これによって正確な厚さに半導体ウエーハを研削することができる信頼性の高い半導体ウエーハの研削方法および研削装置を提供する。
【解決手段】 チャックテーブル１７に保持した半導体ウエーハＷの被研削面を、厚さ計測装置４０によって半導体ウエーハＷの厚さを計測しながら、また、研削液供給装置から研削液を被研削面に供給しながら、研削ユニット２０Ａ，２０Ｂの研削ホイール２４で研削する際に、研削液として、純水に二酸化炭素を混合した導電性を有するものを用い、研削屑の付着の原因となっていた静電気の発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】 基板の研磨に用いる研磨布が黒色であっても研磨布上でキャリアより位置ずれしたシリコン基板を検出できる方法。
【解決手段】 研磨パッドの上面側より研磨布１１上の所定位置Ｓ₁に１５度の角度で第一反射センサＡ機器より第１の検査光を照射し、その反射光量の第１の受光素子信号Ｐ_１をしきい値Ｌ_ｗと比較してｏｎ／ｏｆｆ信号を第一リレ−Ａより発信するとともに、同時に前記研磨パッドの上面側より研磨布１１上の所定位置Ｓ₁に５度の角度で第二反射センサＢ機器より第２の検査光を照射し、その反射光量の第２の光量信号Ｐ₂をしきい値Ｌ_ｂと比較してｏｎ／ｏｆｆ信号を第二リレ−Ｂより発信し、各リレ−Ａ，Ｂより発信されたｏｎ／ｏｆｆ信号の組み合わせが同じ（ｏｎとｏｎ）であるときは研磨パッド上の基板に位置ずれが生じていることを意味するｏｎの警告信号をインデックスヘッド型研磨装置３０のシ−ケンスに出力する。 （もっと読む）

【課題】作業者への負荷が少なく、且つ半導体チップの断面研磨量を精度よく所望の量にすることができる半導体チップの断面研磨方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１の断面研磨量の設定値を、制御部１６に入力する。半導体チップ１の断面を研磨板１２に押圧する。制御部１６が研磨板１２を一定量回転させることにより、半導体チップ１の断面を研磨する。研磨量測定部１５が断面の研磨量を計測する。研磨量の計測値が設定値未満である場合に、制御部１６が、研磨板１２を再度一定量回転させ、半導体チップ１の断面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ毎に研磨量を過剰研磨や過少研磨が生じないように精度良く制御することのできる研磨方法を提供する。
【解決手段】 被処理基板１に少なくとも水を含む液体を供給しながら被処理基板１の周辺端部２を研磨する際に、研磨すべき膜３とその下地４とにおける液滴５，６の接触角の違いを利用して研磨の終点を検出する。この場合、被処理基板の周辺部２における液滴５，６をＣＣＤカメラ等で撮像し、撮像した画像を画像処理した結果を利用して研磨の終点を決定することが望ましい。 （もっと読む）