【課題】 効率良くウエーハを研削可能なウエーハの研削方法を提供することである。
【解決手段】 ウエーハを保持する保持面を備え回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削ホイールを回転可能に装着した研削手段と、該研削手段を該チャックテーブルの保持面に対して垂直方向に接近及び離反させる研削送り手段とを具備した研削装置を用いたウエーハの研削方法であって、該研削送り手段を作動して該チャックテーブルに保持されたウエーハに対して該研削手段を接近させ、一定の研削送り速度で該研削ホイールをウエーハに接触させて研削する粗研削工程と、ウエーハの仕上がり厚さに達する前に該研削ホイールの回転数を増大させ前記一定の研削送り速度で研削を遂行する仕上げ研削工程と、ウエーハの厚さが仕上がり厚さに達した際、該研削送り手段を逆転して該研削ホイールを該チャックテーブルに保持されたウエーハから離反させる研削終了工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異なる種類の加工工具を選択的に交換使用して異なる方式の加工処理を施す場合の対応が容易な加工装置を提供する。
【解決手段】スピンドル１３１に配設され、チャックテーブル４上に保持された被加工物Ｗとスピンドル１３１に装着された加工工具との間の圧力を計測する圧力計測手段１７０と、測定部位に対して進退自在に設けられて、チャックテーブル４上に保持された被加工物Ｗの厚さを計測する厚さ計測手段１８０とを備えることで、圧力計測手段１７０の計測結果に基づいて加工制御しながら加工を施す場合には厚さ計測手段１８０を測定部位に対して退避させるが、厚さ計測手段１８０の計測結果に基づいて加工制御しながら加工を施す場合には厚さ計測手段１８０を進出させて測定部位に位置付けるようにした。 （もっと読む）

【課題】 従来法に比べて半導体ウェーハの製造工程全体の短縮につながり、かつ半導体ウェーハの取り代を大幅に低減して、半導体材料のカーフロスを削減して安価に半導体ウェーハを得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶性インゴットから薄円板状の素材ウェーハを切り出すスライス工程と、前記素材ウェーハを、固定砥粒を有するパッドをそれぞれ具える１対の上下定盤間に挟み込み、前記素材ウェーハの両面を同時に研削する固定砥粒研削工程と、固定砥粒研削工程の後に、前記素材ウェーハに所定の熱処理を施す熱処理工程と、熱処理工程後の後に、前記素材ウェーハの両面をそれぞれ研磨する片面研磨工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微少角度の調整を高精度で容易にできると共に、調整後の装置全体の剛性を十分に確保することが可能であり、操作性、精度性及び剛性に優れたものとする。
【解決手段】ワーク装着面を有するワーク装着体と、このワーク装着体を回転自在に支持する回転体とを備え、この回転体はその軸心に対して傾斜する傾斜角調整面を有し、ワーク装着体はワーク装着面の反対側にこのワーク装着面に対して傾斜し且つ回転体の傾斜角調整面に面接触する傾斜角調整面を有し、回転体の軸心上の球面中心廻りに両傾斜角調整面に沿ってワーク装着体と回転体とを回転調整可能に結合する球面結合手段を設け、両傾斜角調整面に沿って球面中心廻りに回転体とワーク装着体とを相対回転させてワーク装着面の傾斜角を調整する。 （もっと読む）

【課題】微少角度の調整を高精度で容易にできると共に、調整後の装置全体の剛性を十分に確保することができるようにする。
【解決手段】ワーク装着面４を有するワーク装着体２４と、このワーク装着体２４を回転自在に支持する回転体７とを備え、回転体７はその軸心に対して傾斜する傾斜角調整面８を有し、ワーク装着体２４はワーク装着面４の反対側にワーク装着面４に対して傾斜し且つ回転体７の傾斜角調整面８に面接触する傾斜角調整面９とを有し、回転体７に傾斜角調整面８，９に対して略垂直にワーク装着体２４側へと突出してワーク装着体２４を相対回転自在に支持する傾斜角調整軸３６を設け、回転体７とワーク装着体２４とを傾斜角調整軸３６廻りに回転調整可能に結合する結合手段１４を備え、回転体７とワーク装着体２４とを傾斜角調整面８，９に沿って傾斜角調整軸３６廻りに相対回転させてワーク装着面４の傾斜角を調整する。 （もっと読む）

【課題】大口径化したウェーハであっても、従来と同様の平坦度を有するシリコンウェーハを、優れた生産効率で得ることができる方法および装置を提供する。
【解決手段】複数の被処理ウェーハをキャリアに保持して上下の回転定盤間で回転させることにより、ウェーハの両面を同時に研削する方法。キャリアにおけるウェーハ保持位置が、複数のウェーハの中心を同一の円周上に位置する。複数のウェーハ中心を通る円と単一の前記ウェーハとの面積比を、１．３３以上２．０未満となるよう設定する。被処理ウェーハの回転数が、５〜８０ｒｐｍの範囲である。ウェーハの回転定盤による研削を固定砥粒を用い、アルカリ溶液の存在下で行う。固定砥粒を備えた上下一対の回転定盤、回転定盤間の回転中心部に設けられた太陽歯車、回転定盤間の外周部に設けられた環状の内歯歯車、前記上下の回転定盤間に設けられ前記太陽歯車及び前記内歯歯車にそれぞれ噛み合う遊星歯車となるキャリア、アルカリ溶液供給系統を備える半導体ウェーハの両面研削装置。 （もっと読む）

【課題】 効率よくばねを冷却しながら両端面の研削が可能なコイルばねの両端研削機の提供。
【解決手段】 互いの端面が対向した状態で共に回転し少なくともその一方が砥石軸線方向に切込移動可能な１対の砥石車２０，２１と、外周に沿ってコイルばね保持穴６２Ａが砥石軸線方向に貫通して設けられたコイルばね案内盤６２と、コイルばね保持穴６２Ａを砥石間領域Ｒ１にかかるようにコイルばね案内盤６２を進退させるコイルばね案内盤移動機構５０と、砥石車２０，２１の研削面２０ａ，２１ａと略同一面の摺動面を有し、内部に冷却媒体を通過可能な流路７５ｐ，５５ｐが形成されて、摺動面同士を対向して設けた冷却プレート７５Ａ，７５Ｂ及び５５Ａ，５５Ｂとを備え、両端が研削されたコイルばね９０が、冷却された冷却プレートの摺動面の間を押圧されて通過するようにした。 （もっと読む）

【課題】スラリーを含まない水を用いて研磨できる研磨装置と研磨方法を提供する。研磨面をドレッシングすることなく、研磨面を容易に交換できる研磨装置を提供する。短時間で鏡面まで研磨加工することができる研磨装置と研磨方法を提供する。
【解決手段】被加工物(14)を研磨加工する研磨装置は、第１の回転軸(A1)の周りに回転する上定盤(7)と、上定盤を回転させる回転駆動機構と、第２の回転軸(B1)の周りに回転する下定盤(6)と、下定盤を回転させる回転駆動機構と、被加工物を挟んで保持するため、上定盤の下面と下定盤の上面の少なくとも一方に貼り付けられた研磨フィルム(12)とを備える。更に、被加工物を研磨する加工空間に水を供給するための水供給装置を備える。下定盤の第２の回転軸は、第１の回転軸の周りに公転するとともに、下定盤は、第２の回転軸の周りに回転する。 （もっと読む）

【課題】両面ラップ盤用回転定盤においてキャリアの破損を防ぎつつ、効率よく研磨を実施する。
【解決手段】両面ラップ盤用回転定盤において、摺り合せ面（１１）の少なくとも内側周縁（２１）と外側周縁（２２）に沿って、金属粉とダイアモンド粉とを焼結せしめた所定の厚みと幅を有し、断面が矩形をなした棒状の研磨片（２３）を、相互にこれら研磨片（２３）の横巾と同等かより狭い巾の空隙（１６）を保って、ほぼ均等かつ同心円状に固定して研磨片環状配列群（２９）（３０）を形成すると共に、内側周縁（２１）寄りの研磨片（２３）と外周周縁（２２）寄りの研磨片（２３）に挟まれた中間領域に、金属紛とダイアモンド粉とを焼結せしめて所定の厚さと直径を有する円柱状をなしたダイアモンドペレット（１０）をほぼ均等かつ同心円状に固定した。 （もっと読む）

【課題】使い捨てのワークを必要とすることなく、短時間で高精度に工具軸およびワーク軸の位置合わせを行う。
【解決手段】ワークスピンドル２５によって回転されるワーク取付台２４に位置合わせ治具２１を配置し、この位置合わせ治具２１に固定された圧力センサ２２に工具軸スピンドル１２に支持された研磨工具１３を当接させ、位置合わせ治具２１を回転させたときの研磨工具１３による軌跡円をディスプレイ５２に表示させ、軌跡円が最小となるように研磨工具１３の位置をＸ軸マイクロメータヘッド７およびＹ軸マイクロメータヘッド８で調整することで、工具軸スピンドル１２とワークスピンドル２５の中心を一致させる位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】研磨部材表面の平面度を向上させることが可能な研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨装置は、保持機構に保持された研磨部材の表面を研削して当該表面の平面度を修正する研削ユニット５０を備え、この研削ユニット５０は、研磨部材の表面を部分的に研削可能なドレスヘッド部１１０と、研磨部材の表面形状を測定する測定部９０と、ドレスヘッド部１１０を研磨部材の表面と略平行な水平方向に移動させる水平移動機構６０と、測定部９０により測定された表面形状に応じてドレスヘッド部１１０を移動させるように水平移動機構６０の作動を制御する制御部とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの研削面にディンプルが生じない研削装置を提供することである。
【解決手段】 ウエーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハを研削する研削ホイールが回転可能に装着された研削手段と、ウエーハを吸引保持するウエーハ保持部と該ウエーハ保持部を移送する移送部とから構成され該チャックテーブルにウエーハを搬送する搬送手段とを備えた研削装置であって、該搬送手段によってウエーハを該チャックテーブルに搬送する際、該搬送手段の保持部に保持されたウエーハと該チャックテーブルの保持面との間に隙間を形成し、該隙間に洗浄水を供給してウエーハのチャックテーブル対向面とチャックテーブルの保持面とを洗浄する洗浄手段を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回転砥石の目詰まりを抑制でき、ワークにダメージを与えることなく効率良く研磨加工することができる研磨装置及び研磨方法、研磨補助装置を提供する。
【解決手段】本発明の研磨装置１は、回転軸部５と、回転軸部５上に設けられ、その上面にワーク３０を保持する回転テーブル６と、回転テーブル６の回転方向と逆方向に回転自在にかつ昇降自在に支持された回転砥石３と、回転軸部５の周囲に配設されたドレス砥石設置部１０と、ドレス砥石設置部１０に固定され、その研磨面が、回転砥石３の研磨面と対向するように配設されたドレス砥石１１とを有し、回転テーブル６及び回転砥石３を互いに逆方向に回転させつつ、回転砥石３の表面をワーク３０の表面に接触させることによって、ワークを研磨するとともに、これと並行して、回転している回転砥石３の研磨面をドレス砥石１１の研磨面に接触させることによって、回転砥石３をドレス処理する。 （もっと読む）

【課題】デバイス構造を形成した半導体デバイスプロセスの後工程において、所定の表面処理を施して、ゲッタリングシンク層を設けることにより、良好な抗折強度を維持しつつ、シリコンウェーハ裏面からデバイス活性領域への重金属の拡散を有効に抑制することができる、シリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】裏面研削工程の粗研削として、♯320〜♯2000の研削砥石を用いてウェーハの厚さを120μm程度まで研削した後、♯8000〜♯24000の研削砥石を用いて仕上げ研削を行う。裏面研削後、加工変質層を化学機械研磨法又は乾式研磨法により研磨する。その際、加工変質層の膜厚が100nm以下になることが好ましい。以上の研削及び研磨により、シリコンウェーハ裏面に残存している加工変質層が、良好な抗折強度をもつゲッタリングシンク層として形成させる。 （もっと読む）

【課題】モース硬度の高い材料からなる被加工物であっても良好に研削することができる研削装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブル機構と、被加工物を研削するための研削手段３と、研削送り手段３１とを具備する研削装置であって、研削手段３は回転スピンドル４２と、回転スピンドル４２を流体支持するラジアル軸受部およびスラストプレート４２１を収容するプレート収容空間４１５と該プレート収容空間４１５の複数の領域にそれぞれ開口する複数の流体供給孔４１８を有するスラスト軸受部を備えたスピンドルハウジング４１と、ラジアル軸受部およびスラスト軸受部の複数の流体供給孔４１２，４１６を通してプレート収容室４１５に流体を供給する流体供給手段４７１を具備しており、流体供給手段４７１は流体の供給領域を調整し該スラストプレートの支持剛性を調整する支持剛性調整手段４７４，４７５を備えている。 （もっと読む）

【課題】中央部が外周端部よりも薄い半導体ウェハにおけるデバイスの形成領域を広げること。
【解決手段】半導体ウェハ１をチャックステージ３００に保持させて回転させる。そして、側面の底端部に突起部を有し、突起部を含む底面が平坦であり、かつ突起部を含む底面の径が、半導体ウェハ１の中央部２に形成する凹部の径と同じかそれよりも小さい径の第１砥石１００を、リブ部３に接触させないように、降下させる。第１砥石１００を例えば矢印Ｄ１で示すような時計回り方向に自転させながら、例えば矢印Ｄ３で示すような時計回り方向に公転させて中央部２に押し付け、徐々に公転の回転の径を大きくして、中央部２とリブ部３との境界部分を研削する。このようにして、中央部２からリブ部３の側面より外に向かって平坦な面を延ばす。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面を平坦に仕上げることができる半導体ウェーハ裏面の研削方法及びそれに用いる半導体ウェーハ裏面研削装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ積層体１０の裏面をインフィード研削する半導体ウェーハ裏面の研削方法であって、ウェーハ積層体１０の裏面のインフィード研削中において、ウェーハ積層体１０の外周部分と内周部分の積層体厚みをインプロセスゲージで測定することと、外周部分と内周部分の積層体厚みの厚み差を算出することと、算出された厚み差が小さくなるように研削砥石１５の軸線Ｒ２を任意の方向に所定角度傾けることと、を備える。 （もっと読む）

【課題】研削手段の送り量に基づくウェーハの厚さとウェーハ厚さの実測値とを比較することで、面焼けなどの研削面の加工不良を判定し得るようにした、ウェーハ研削装置における加工良否判定方法およびウェーハ研削装置を提供する。
【解決手段】研削手段３の送り量からウェーハ２の厚さを導き出すと共に前記ウェーハ２の厚さを逐時実側する。ウェーハ研削装置は研削手段３の送り量に基づくウェーハ２の厚さとウェーハ２の厚さの実測値とを比較して、ウェーハ２の研削面の加工良否を判定し、加工不良と判定の際に裏面研削作用を停止する指令を発する加工良否判定部２０を具備する。 （もっと読む）

【課題】内径部を有する円板状の研磨材を備えた研磨工具でガラス基板を研磨後、研磨材の内周の摩耗量が極端に小さかったり、大きかったりすることがあり、研磨材の表面を修正加工する必要が生じ、またガラス基板を目的形状に研磨できない場合がある。
【解決手段】中心に内径穴１５ｃが形成された円板状の研磨材１５ｄを工具保持円盤１５ｂの片面側に固定し、工具保持円盤１５ｂを研磨装置により回転させて研磨材１５ｄに当接する被研磨部材の表面を研磨する研磨装置用の研磨工具において、円板状の研磨材１５ｄは、前記内径穴１５ｃの内径に対する外径の比である内外径比を１０％以上、２０％以下とした。 （もっと読む）

【課題】 研削ヘッドや機枠が汚れにくい研削装置の提供。
【解決手段】 砥石スピンドル（８）の下端で固定板（２５）と取付板（１１）とを連結軸（２２）で連結し、前記取付板（１１）にカップホイール型砥石（５０）をカップ状基体（５３）下面に環状備えられた砥石刃（５５）が下向きとなるよう取り付け、前記カップ状基体（５３）と取付板（１１）の外周を円筒状の砥石カバー（２８）で囲繞し、この砥石カバー（２８）の上方部外周に断面逆Ｎ字状の環状迷路（３０）を有する外套（３１）を設けたカップホイール型砥石の砥石カバーの取り付け構造。環状迷路（３０）が基板表面での研削液や研削スラッジの跳ね返りを研削ヘッド外へ飛散するのを防ぐ。 （もっと読む）