【課題】 ウエハの端部にダメージ層を残すことなく、しかも生産性についても低下させることなく良好にした、水晶ウエハの研磨方法及び水晶ウエハの研磨装置を提供する。
【解決手段】 複数の水晶ウエハＳが、接着剤を介することなく水分を介してその厚さ方向に積層されて形成されたウエハ積層体１の両端面を、加圧した状態で挟持し、ウエハ積層体１を保持する保持手段１１と、ウエハ積層体１の側方に配設されてウエハ積層体１の側面を研磨する研磨ブラシ１２と、研磨ブラシ１２を、ウエハ積層体１を構成する各水晶ウエハＳの表裏面の面方向に回転させるブラシ回転手段１３と、研磨ブラシ１２を、ウエハ積層体１を構成する各水晶ウエハＳの積層方向に移動させる移動手段１４と、を備えてなる水晶ウエハの研磨装置１０である。 （もっと読む）

【課題】切断テーブルの隙間部分の段差に影響を受けず、インゴットの切り終わり部分の欠けを防止することで、前記切断テーブルの調整のためのメンテナンスをなくし、製品歩留りを向上させることができるインゴット切断装置およびそれを用いた切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】インゴット切断装置において、少なくとも、前記インゴットを前記ブレードで切断する位置にて前記インゴットの切り終わり部分を下方から支持するためのインゴット支えパッドと、前記インゴット支えパッドを下方から上昇させて前記インゴットに密着させるためのパッド上昇機構とを有するものであることを特徴とするインゴット切断装置。 （もっと読む）

【課題】単結晶材料の使用状態においても、所望の平滑精度を確保する。
【解決手段】結晶の構造相転移を有する単結晶材料を研磨する結晶材料の研磨方法であって、単結晶材料を用いて作製した素子の使用温度領域において、単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態で、単結晶材料の表面の研磨を行う。単結晶材料１０５を固定する治具１０４と単結晶材料を研磨する研磨盤１０１を固定する治具１０２の少なくとも一方の温度を調整し、単結晶材料を使用温度領域に設定する。 （もっと読む）

【課題】加工液に改良を加えることにより、高い切断レートを実現するワイヤソーによるワーク切断方法を提供する。
【解決手段】ワーク加工時に、ワイヤに加工液を供給してワークを切断するワイヤソーによるワーク切断方法であって、加工液に、砥粒と、マイクロナノバブル水を含有させてワークを切断する。このマイクロナノバブル水は、ワイヤソー装置に付設されたマイクロナノバブル水生成装置を用いて生成され、加工液中に混合される。 （もっと読む）

本発明は、基板材料を複数のウェハ状スライスに切断する工程から得られた使用済み研磨スラリーを処理するための方法及びシステムに関するものであり、前記スラリーは潤滑流体、未使用研磨粒子、及び微粉を含む。この方法は、使用済みスラリーを第１の沈降ステップで未使用研磨粒子を含む固形濃縮物と固形物減損スラリーとに分離するステップと、その後、クロスフロー濾過により固形物減損スラリーを微粉含有画分と固形物及び微粉減損再生潤滑流体とに分離するステップとを含む。 （もっと読む）

本発明は、基板材料からウェハ状のスライスを製造する、特に半導体デバイスの製造において使用するための方法及びシステムに関する。この方法は、研削粒子を表面上に有するカッティングワイヤを備えるスライス切断デバイスを用意するステップと、約３０μＳ／ｃｍ以下の導電率に対応するイオン強度を有する水性冷却用及び潤滑用流体を用意するステップと、前記カッティングワイヤが接触し、前記基板材料を切断する切り溝内に、前記切り溝領域からの粉末基板材料の除去を促進しその結果使用済み流体となる前記冷却用及び潤滑用流体を分配しながら前記基板材料を前記カッティングワイヤで複数のスライスに切断するステップと、前記使用済み流体を前記切断デバイスから取り除き、前記粉末基板材料を前記使用済み流体から回収するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、回転するゴム層付きローラを両側方から研削材付きシートで挟持できるようにして、同ローラの芯金を押し曲げることなく、同ローラにおけるゴム層の研削による除去を効率よく迅速に行えるようにしたゴム層付きローラ用ゴム層除去装置を提供することを課題とする。
【解決手段】周面にゴム層３を有するローラＲについて、ゴム層３を除去するために平行チャック型挟持研削機構９が設けられ、第１リール６から繰り出された研削材付きシートとしての硬質凹凸面付きベルト８が、一対の挟持片９ａ，９ｂとローラＲとの間を通過できるように中間ローラ11を介し案内されて、第２リール７に巻取られるように構成されており、ローラＲを回転駆動しながら挟持片９ａ，９ｂで締め付けることによって、ベルト８によるローラＲの表面のゴム層３の研削除去が的確に行われる。 （もっと読む）

【課題】在来の工作機械を利用して簡単な構成の工具により高精度かつ高加工能率の自動加工を可能とするラッピング工具を提供する。
【解決手段】駆動部に取り付けるための取付部１１と、ラップ１６を交換可能に支持するためのラップ支持部１５と、前記ラップ支持部に取り付けられる取付軸と、合成樹脂からなるラップ先端部とを備えた前記ラップと、前記ラップ支持部を、前記取付部に対して第１の方向に移動可能に弾性的に支持する第１支持機構１２と、前記ラップ支持部を、前記取付部に対して前記第１の方向に直交する第２の方向に移動可能に弾性的に支持する第２支持機構１３と、前記ラップ支持部を、前記取付部に対して前記第１の方向および前記第２の方向に直交する第３の方向に移動可能に弾性的に支持する第３支持機構１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 低速回転から高速回転に渡り安定して振動を抑制可能な切削装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードとを備えた切削装置であって、スピンドルに固定される固定フランジ及び切断ブレードをスピンドルに固定する固定ナットの少なくともいずれか一方に回転バランサが形成されており、該回転バランサは、回転軸心に近い内周壁を構成する環状永久磁石と、該環状永久磁石と回転軸心から遠い外周壁とにより画成された環状室と、該環状室内に配設された複数の強磁性体小球とから構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面不完全性、並びに磨きおよび平坦化の間の下地となる構造へのダメージおよびトポグラフィー等の欠陥性を最小化する一方で、磨きおよび貴金属を含む基材の平坦化の間の望ましい平坦化効率、均一性、および除去速度を示す磨き系および磨き方法を提供する。
【解決手段】以下を含む磨き組成物を与える：(a)貴金属を酸化する酸化剤、(b)サルフェート、ボレート、ナイトレート、およびホスフェートからなる群から選択されたアニオン、および(c)液体の担体。さらに磨き組成物およびルテニウムを含む基材の化学的で機械的な磨き方法、以下を含む磨き組成物を与える：(a)+４の酸化状態より上にルテニウムを酸化する酸化剤、(b)ポリマー型金属イオン封鎖剤、金属キレート剤、有機チオール、四酸化ルテニウム還元する化合物、ラクトンからなる群から選択された磨き追加物、およびヒドロキシカルボニル化合物。 （もっと読む）

【課題】研磨後の基板における砥粒の突き刺さり及び表面汚れを低減可能なハードディスク基板用研磨液組成物、及び、これを用いたハードディスク基板の製造方法の提供
【解決手段】酸化アルミニウム粒子、有機窒素化合物、及び、水を含有するハードディスク基板用研磨液組成物。前記酸化アルミニウム粒子の二次粒子の体積中位粒子径は、０．１〜０．７μｍであり、前記酸化アルミニウム粒子中における粒子径が１μｍ以上の粒子の含有量は、０．２重量％以下であり、前記有機窒素化合物は、分子内に２以上のアミノ基及び／又はイミノ基を有する有機窒素化合物である。 （もっと読む）

【課題】切削ブレードによる切断および研磨ホイールによる研磨を効率よく実施することができる加工装置および該加工装置用いる加工工具を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工手段とを含み、加工手段がスピンドルハウジングに回転可能に支持された回転スピンドルと、回転スピンドルの端部に装着された工具マウントと、工具マウントに装着される加工工具を具備し、加工工具が円盤状の基台と、基台の外周より径方向外方に突出して装着された切削ブレードと、基台の外周部側面から軸方向に突出して装着された環状の研磨ホイールとからなっている加工装置であって、加工工具の基台に配設された超音波振動子と、超音波振動子に交流電圧を印加する電圧印加手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面粗さの低い金属を得るための新規な研磨方法を提供する。
【解決手段】金属の研磨方法であって、
（１）前記研磨方法は、研磨液中に研磨対象金属を浸漬し、前記研磨液に紫外線を照射しながら、前記研磨対象金属を研磨する方法であり、
（２）前記研磨液は、下記化学式（Ｉ）


で示される蛍光材料の水溶液に、酸化アルミニウム粒子及び酸化チタン粒子の少なくとも１種を懸濁させてなることを特徴とする研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーを用いてインゴットを切断する際、特にインゴットの切断終了時付近におけるインゴットの急激な冷却を軽減し、その結果ナノトポグラフィの悪化を抑制するとともに、さらに厚さも均一な高品質なウエーハに切断する方法およびワイヤソー装置を提供する。
【解決手段】ワイヤ２を複数の溝付きローラ３に巻掛けし、該溝付きローラに切断用スラリを供給しつつ、前記ワイヤを往復走行させながらインゴットに押し当て、インゴットをウエーハ状に切断する方法であって、前記インゴットに、インゴット温調用スラリを前記切断用スラリとは独立して供給温度を制御して供給することにより、インゴットの温度を制御して切断するようにし、この際に、前記インゴットに対し、前記往復走行させるワイヤの出側へのみ、インゴット温調用スラリを供給する切断方法およびワイヤソー装置。 （もっと読む）

【課題】光波長変換素子の光学端面に形成された加工変質層を中性のスラリーで除去できるケミカルメカニカルポリッシング方法を提供する。
【解決手段】光波長変換素子の光学端面を平均粒径２０μｍの第１の砥粒を使ってメカニカルポリッシングを行う第１の研磨工程と、前記光学端面を平均粒径０．１２５から１μｍの第２の砥粒を使ってメカニカルポリッシングを行う第２の研磨工程と、前記光学端面を平均粒径２００μｍの以下の第３の砥粒からなる研磨スラリーを用いてケミカルメカニカルポリッシングを行う第３の研磨工程とから成る光波長変換素子の光学端面研磨方法。 （もっと読む）

【課題】
スラリー粘度がスライジング加工前から低く、加工後においても粘度上昇を抑え、且つ引火点が測定出来ないようにする含水性スライジング加工液組成物を提供すること。
【解決手段】
（１）鉱油、油脂、エステルの少なくとも一種からなる基油、（２）アルケニルコハク酸ポリアルキレンポリイミド、ビスアルケニルコハク酸ポリアルキレンポリイミド、αオレフィンと無水マレイン酸共重合物及びポリオキシアルキレン基と酸無水物基を持つ高分子化合物から選ばれる少なくとも一種の高分子分散剤と（３）非イオン型及びアニオン型の界面活性剤及び（４）水分３〜２０重量％を含有する組成物を、スライシング用加工液として使用すること。
（もっと読む）

【課題】基板縁部のノッチを洗浄または研磨する、改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板縁部のノッチ２４４を研磨する装置であって、基板２１６を支持するように適合された基板支持体と、基板縁部のノッチ２４４に接触するように適合された研磨ヘッドと、研磨ヘッドが基板２１６のノッチ２４４に接触する間に、少なくとも第１及び第２の振動位置の間で基板２１６を振動させるように適合されたコントローラと、を備える装置。 （もっと読む）

【課題】迅速な銅研磨速度、及び、良好な銅／タンタル研磨選択性を有し、更に、ディッシングが少なく平坦性を向上させることが可能な金属用研磨液を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸化剤、（Ｂ）有機酸、（Ｃ）砥粒、及び（Ｄ）三価の鉄化合物を０．１ｐｐｂから５０ｐｐｍの範囲で含む、半導体デバイスの配線工程における化学的機械的研磨に用いられる金属用研磨液。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性と耐欠損性を兼ね備えた切削工具を提供する。
【解決手段】 硬質合金母材の表面に被覆層が形成されてなる切削工具の製造方法であって、前記被覆層の形成に先立ち、前記母材の表面に、前記母材表面を平滑にする第１加工と、前記母材表面に物理的手法により凹部を設ける第２加工とを施す。好ましくは、前記第１加工としてブラシ研磨加工を施し、前記第２加工としてショットブラスト加工を施す。前記母材は、周期表の４、５、６族金属の炭化物、窒化物、炭窒化物からなる群より選ばれる１種以上であり、炭窒化チタンまたは炭化タングステンのいずれか一方を少なくとも必須とする第一材料（Ａ）と、鉄族金属を主成分とする第二材料（Ｂ）とから形成する。 （もっと読む）

【課題】 軟性金属材料などの表面処理が困難な部材であっても高度に鏡面仕上げを行うことができ、緻密な削り作用による表面処理の作業を高効率に行うことができるペースト材料を提供すること
【解決手段】 磁気研磨液４は、磁性を有する金属粒子と、溶媒と、低融点樹脂とを含み、溶媒は植物油脂とし、低融点樹脂は溶媒に不溶解性で低融点の樹脂材料から形成する組成にする。磁性金属粒子は非球形で鋭い角部を有する形状とし、粒子径を１０μｍから３００μｍとし、体積磁化４πＭでの飽和磁化が１５ｋＧ以上のものとする。永久磁石２０の磁界が作用すると磁性金属粒子が互いに吸着し合い、磁気クラスタが生成する。磁性金属粒子は砥粒としても機能し、磁気クラスタが、緻密な削りを行う磁気ブラシとなる。砥粒である磁性金属粒子は、磁界の作用により磁気ブラシ内に留まり染み出すことがない。 （もっと読む）