【課題】長尺研磨領域のみに多条の溝を有する研磨パッドを効率的に製造する方法を提供すること。また、前記研磨パッドの溝加工に用いられる溝加工装置を提供する。
【解決手段】長尺研磨領域２及び長尺光透過領域３を有する長尺研磨層表面１に、多条の溝を形成する製造方法において、光反射部材５と長尺光透過領域３とが重なるように長尺研磨層１を設置し、光センサ７を切削ヘッド６に備えた切削工具を用い、長尺研磨層１の幅方向一端から他端へ移動させつつ発光部８から長尺研磨層表面１に光照射し、受光部９がその反射光を検知した時には、その反射光を検知しなくなるまで切削工具の切削刃１０を長尺光透過領域３に接触しないように制御し、再びその反射光を検知しなくなった時には、再び切削工具の切削刃１０を長尺研磨領域２に接触させて切削し、長尺研磨領域２のみに多条の溝を形成することを特徴とする研磨パッドの製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面に多数の砥粒が埋め込み固定されたラップ板を、短時間で製造する方法を提供すること。
【解決手段】金属盤、その表面に砥粒スラリを供給するスラリ供給具、金属盤上の砥粒を金属盤に押し付ける砥粒押し付け具、そして砥粒押し付け具に付設された超音波振動発生手段を用意する工程、金属盤上に砥粒押し付け具を配置し、超音波振動発生手段により超音波振動を砥粒押し付け具に付与しながら金属盤を回転させ、同時に金属盤上に砥粒スラリを供給することにより、金属盤と砥粒押し付け具との間に砥粒スラリを介在させ、砥粒スラリ中の砥粒を、砥粒押し付け具を介して付与された超音波振動の振動エネルギーの影響の下に金属盤の表面に埋め込み固定する工程、および金属盤上から未固定の砥粒を含む砥粒スラリを除去する工程を含む表面に砥粒が埋め込み固定されたラップ盤の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリンダブロックのシリンダボアに対する仕上げ加工に際し、ダミーヘッド等の加工用治具を用いることで生じる加工工程の複雑化や高コスト化を招くことなく、仕上げ加工後にシリンダボアに対して組付け変形と逆方向の変形を付与することができ、シリンダヘッドの組付け時におけるシリンダボアの真円度の悪化を抑制することができるシリンダブロックの加工方法等を提供すること。
【解決手段】ウォータジャケット６の内側面を形成するシリンダ部外周面１５のうち、シリンダヘッドを締結するためのボルト位相の部分を押圧することにより、シリンダ部５における、前記押圧した部分のシリンダボア４側からの圧力（ホーニング加工による砥石４３からの面圧）に対する剛性を、他の部分に対して高めた状態で、シリンダボア４に対する仕上げ加工を行う。 （もっと読む）

【課題】研磨面にサブサーフェスダメージを残すことなく、極めて平滑に研磨し、被研磨面をチッピングフリーにすることができると共に、曲面形状に対しても高精度の研磨が可能な研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨対象（ダイヤモンドバイト２０）を角度，煽り調整可能なバイト保持機構により保持する。このダイヤモンドバイト２０の逃げ面２０ａおよび掬い面２０ｂを、研磨面が撓み可能な板状の研磨定盤１０により研磨する。研磨定盤１０は厚み１ｍｍ以下、直径２０ｍｍ〜４０ｍｍの円形状の石英板により構成される。被研磨面（逃げ面２０ａおよび掬い面２０ｂ）には、紫外光源ランプ１１より紫外光Ｌが照射される。研磨定盤１０の回転速度、位置，旋回角度はスピンドル自動旋回機構により調整する。 （もっと読む）

研磨面を表面と接触させて回転往復運動させることによって表面を研磨する方法、回転往復運動する工具で使用するための研磨体、及び、表面の欠陥を除去する方法であって、回転往復運動する研磨面を用いたサンディングの後で１回以上のポリッシュ操作を行う方法を開示する。
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【課題】例えば切断されたウエーハのＢｏｗやＷａｒｐを低減できるように、インゴットに作り込まれる切断軌跡を制御し、特には平坦になるようにして切断することができる切断方法およびワイヤソー装置を提供する。
【解決手段】ワイヤ２を複数の溝付きローラ３に巻掛けし、該溝付きローラに切断用スラリを供給しつつ、前記ワイヤを走行させながらインゴットに押し当ててウエーハ状に切断する方法であって、前記インゴットを切断するときに、軸方向に変化するインゴットの変位量を測定し、該測定されたインゴットの軸方向の変位量に対応させて、前記溝付きローラの軸方向の変位量を制御することにより、前記軸方向に変化するインゴットの全長に対しての前記ワイヤの相対位置を制御しつつインゴットを切断することを特徴とする切断方法。 （もっと読む）

【課題】六方晶炭化ケイ素単結晶ウエハなどの炭化ケイ素ウエハを研磨する用途でより好適に使用可能な研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、バナジン酸アンモニウム、バナジン酸ナトリウム及びバナジン酸カリウムなどのバナジン酸塩と、過酸化水素及びオゾンなどの酸素供与剤とを含有する。研磨用組成物は、好ましくは砥粒及びｐＨ調整剤の少なくともいずれか一方をさらに含有する。 （もっと読む）

ａ面、ｒ面、ｍ面、及びｃ面配向からなる群から選択される結晶配向を有し且つ約０．０３７μｍ／ｃｍ²以下のｎＴＴＶを有する概ね平坦な表面を含み、ここでのｎＴＴＶは該概ね平坦な表面の表面積で規格化された総厚みばらつきであり、該基板は約９．０ｃｍ以上の直径を有する、サファイア基板。
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【課題】ワイヤ長さに亘ってソーイングワイヤの均一な摩耗を達成する。
【解決手段】長手方向軸線と断面とを有する工作物から、多数のウェハをスライスするための方法において、テーブルに固定された前記工作物が、テーブルと、ワイヤソーのワイヤギャングとの、工作物の長手方向軸線に対して垂直に向けられた相対移動によって、有効速度で移動させられるソーイングワイヤによって形成されたワイヤギャングによって可変の前送り速度でフィードされるようになっており、ソーイングワイヤの有効速度が、ソーイングワイヤの均一な摩耗を生ぜしめるために、前送り速度と工作物断面とに関して調節される。 （もっと読む）

【課題】高い平坦度を有するウエハを得ることを目的とする。
【解決手段】仕上げ研摩工程（ステップ１４）において、水晶ウエハをキャリアに保持させ両面ラップ盤の上盤と下盤との間に配置する。そして、水晶ウエハの研磨代の約半分まで、両面をキャリアとともに研摩する（ステップ１６）。研磨代の約半分まで研摩したら、研摩を中断して水晶ウエハを洗浄する（ステップ１８）。キャリアを反転して水晶ウエハをキャリアに再配置したのち（ステップ２０）、水晶ウエハを目標厚みまでキャリアとともに研摩する（ステップ２２）。 （もっと読む）

【課題】スクラッチを形成させずに、硬質結晶基板の表面を平均表面粗さ０．２ｎｍ以下の鏡面に研磨できる方法及びこの方法に用いる油性研磨スラリーを提供することである。
【解決手段】硬質結晶基板Ｗの表面の平均表面粗さが０．５〜１ｎｍの範囲となるように基板Ｗの表面を研磨する粗研磨工程、及び基板Ｗの表面の平均表面粗さが０．２ｎｍ以下の範囲となるように、粗研磨工程後の基板Ｗの表面を研磨する仕上げ研磨工程から成る。仕上げ研磨は、回転定盤１１の表面に油性研磨スラリーを供給し、定盤１１の表面に基板Ｗの表面を押し付け、この基板Ｗを回転させるものである。油性研磨スラリーは、油性分散媒中に人工ダイヤモンドクラスターを分散させたものであり、人工ダイヤモンドクラスターは、粒径２〜１０ｎｍの一次粒子からなる平均粒度２０〜５０ｎｍの略球状の凝集粒子から成る。 （もっと読む）

【課題】タングステンを含むウエハを研磨する用途により適した研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、コロイダルシリカと過酸化水素とを含有する。研磨用組成物のｐＨは１〜４であり、研磨用組成物中の鉄イオン濃度は０．０２ｐｐｍ以下である。研磨用組成物は、リン酸又はリン酸塩をさらに含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜に対してシリコン酸化膜を選択的に研磨可能な研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、シリカ及びセリアから選ばれる砥粒と、アンモニア、アンモニウム塩、アルカリ金属塩及びアルカリ金属水酸化物から選ばれるアルカリと、ポリオキシエチレン変性シリコーンオイル、ポリ（オキシエチレンオキシプロピレン）変性シリコーンオイル、エポキシ／ポリエーテル変性シリコーンオイル及びアミノ／ポリエーテル変性シリコーンオイルから選ばれる有機変性シリコーンオイルとを含有する。 （もっと読む）

【課題】 保護膜形成効果を高めた金属用研磨液を用いた場合でも、平坦性悪化などの研磨特性に不具合を併発することなく、廃液中での難水溶性物の生成を抑制ができ、且つＣＭＰ処理後に基板上に保護膜が残留したりする不具合が低減できる金属用研磨液及びこの研磨液を用いた被研磨膜の研磨方法を提供する。
【解決手段】 ｐＨが１〜４である研磨液であって、保護膜形成剤、酸化金属溶解剤、酸化剤、水及び、２つ以上の酸解離定数を有する化合物の少なくとも１種類を含み、該化合物は、負(反数)の常用対数で表示した場合１〜５の範囲内の酸解離定数と、１〜５の範囲外の酸解離定数とを、それぞれ一つ以上有する金属用研磨液及びこの研磨液を用いた被研磨膜の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】磁性層等の除去を迅速かつ均一に行うことができ、基板に媒体エラーにつながるようなダメージを与えることの無い、磁気記録媒体用基板の再生方法の提供。
【解決手段】非金属基板上に少なくともクロム系下地層、金属薄膜磁性層および保護層を積層してなる磁気記録媒体を、コロイダルシリカを主成分とする遊離砥粒液に少なくとも１種の酸化剤を配合したスラリ状研磨剤を用いて研磨処理することによって、該基板から該クロム系下地層、該金属薄膜磁性層および該保護層を除去することを特徴とする磁気記録媒体用基板の再生方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程などにおいて、基板の周縁部等に発生する表面荒れや基板の周縁部等に付着し汚染源となる膜を効果的に除去することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】研磨テープ２１と、基板Ｗを回転させる機構と、回転する基板のベベル部に研磨テープ２１を押圧する研磨ヘッド４１とを備え、研磨ヘッド４１は、二つの突出部４２ａ，４２ｂを有した支持部４２と、二つの突出部４２ａ，４２ｂの端部の間に張設され研磨テープ２１を支持するための弾性部材４３と、基板の径方向に研磨ヘッド４１を移動させるためのエアシリンダ４５とを備え、研磨ヘッド４１の支持部４２をエアシリンダ４５により基板の径方向に移動させ、弾性部材４３を延ばして弾性部材４３に張力を発生させ、この張力により一定の力で研磨テープ２１を基板のベベル部に押圧してベベル部を研磨する。 （もっと読む）

【課題】迅速な研磨速度を有し、平坦性が向上し、配線と絶縁層との間に溝を形成しにくい金属用研磨液を提供する。
【解決手段】炭素数１〜６のアルキルスルホン酸類及び炭素数１〜６のアルカノールスルホン酸類からなる群から選ばれる少なくとも１種のスルホン酸化合物と、陰イオン界面活性剤と、を含有することを特徴とする金属用研磨液。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が３．０以下の絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）の研磨において、長期にわたって上記現象（スクラッチ、シニング、ディッシング、及びエロージョン等）を抑制することができる、研磨用組成物、及び研磨方法を提供する。
【解決手段】有機シロキサン構造を有する比誘電率３．０以下の絶縁膜を化学的機械的に研磨するために用いる研磨用組成物であって、コロイダルシリカ粒子、ベンゾトリアゾール化合物および下記式（Ｉ）で示される二又は三級アミノアルコールを含み、かつ、ｐＨが７〜１０の範囲である研磨用組成物、及びそれを用いた研磨方法。


［上記式（Ｉ）中、Ｒ_１, Ｒ_２, Ｒ_３は、それぞれ独立に水素原子、脂肪族炭化水素基、又は芳香族炭化水素基を表し、前記脂肪族炭化水素基及び前記芳香族炭化水素基は、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、又は炭化水素基により更に置換されていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】ラップ作業において耐摩耗性が高く形状変化が少なく、かつ形状修正の際に作業者の技能に依存することなく容易に加工ができるようにする。
【解決手段】ラップ皿１４は、被加工物１６との間に砥粒を介して摺り合わせ可能に対面配置された転写面２１を有し、この転写面２１の面形状を被加工物１６に転写させるものである。そして、転写面２１は、バインダーを０．３重量％以上含有する超硬合金で構成されている。 （もっと読む）

【課題】スラッジの堆積を抑制し、ドレッシングの頻度を低減することによって、内周刃のライフを向上させる単結晶インゴット用内周刃切断機およびこれを用いた切断方法を提供する。
【解決手段】本発明の内周刃切断機には、シリコン単結晶インゴット１を切断するための高速回転可能な内周刃２が備わっている。この内周刃２は、ドーナッツ形状のステンレス薄板製台金の内周に、ダイヤモンド砥粒層が電着されて形成されている。さらに、切削液供給ノズルとして、サプライ側切削液供給ノズル３と、クリーニング側切削液供給ノズル４を有している。そして、切削液として、比抵抗が１ＭΩ・ｃｍ以上の水を供給する機能を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）