【課題】化合物半導体ウエハの研磨において、研磨レートに優れるとともに研磨傷を発生させにくい研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨材と、砥粒を含有するスラリーを用いて化合物半導体ウエハを研磨する研磨方法であって、前記研磨材が、平均断面積が０．０１μｍ²〜３０μｍ²である極細単繊維からなる不織布及び高分子弾性体を、不織布／高分子弾性体の質量比が９０／１０〜５５／４５となる範囲で含み、かつ、０．７０ｇ／ｃｍ³〜１．２ｇ／ｃｍ³の見掛け密度及び４５Ｄ〜７５ＤのＪＩＳ硬度を有し、前記砥粒は、０．０１μｍ〜２０μｍの平均粒径を有する、研磨方法。 （もっと読む）

【課題】埋め込み配線層を研磨加工する際の終点検出をより効果的に行うことのできる研磨加工の終点検出方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る終点検出方法は、半導体基板上に形成された半導体デバイスの埋め込み配線層を研磨する際の終点検出方法であって、半導体基板上に形成された絶縁膜に膜厚測定用の溝をダイシングライン上に形成する工程と、溝を含む絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、研磨液を用いて、金属膜を研磨する工程と、ダイシングライン上の溝の位置に対応する窪み内に残存する金属膜の膜厚を計測するステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰにおける被研磨面の平坦性の向上と研磨欠陥（スクラッチ）の低減とを両立させることができる化学機械研磨パッド、および該化学機械研磨パッドを用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨パッドは、熱可塑性ポリウレタンを含有する組成物から形成された研磨層を有し、前記研磨層の比重が１．１５以上１．３０以下であり、且つ、前記研磨層のデュロＤ硬度が５０Ｄ以上８０Ｄ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平坦化された表面を有する窒化物半導体基板を単純な方法で得るための技術を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板の製造方法は、互いに反対側の面である第１面１１２および第２面１１４を有し、前記第１面１１２の側が凸面をなし前記第２面１１４の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶１１０を準備する準備工程と、前記板状窒化物半導体結晶１１０の前記第２面１１４の側をプレート２００に向け、前記第１面１１２の側が凸面をなし前記第２面１１４の側が凹面をなす状態で前記板状窒化物半導体結晶１１０を前記プレート２００で支持する支持工程と、前記プレート２００で支持された前記板状窒化物半導体結晶１１０の前記第１面１１２を平坦化する平坦化工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰにおける被研磨面の平坦性の向上と研磨欠陥（スクラッチ）の低減とを両立させることができる化学機械研磨パッド、および該化学機械研磨パッドを用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨パッドは、熱可塑性ポリウレタンを含有する組成物から形成された研磨層を有し、前記研磨層の引張時における残留歪が２％以上１０％以下であり、前記研磨層の比重が１．１５以上１．３０以下であり、前記研磨層のデュロＤ硬度が５０Ｄ以上８０Ｄ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来と比較して粗大粒子を効果的に低減し、研磨後の被研磨面におけるスクラッチの発生を抑制することが可能なＣＭＰ研磨液の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＭＰ研磨液の製造方法は、砥粒と水とを含有する混合液をフィルタ１で濾過してＣＭＰ研磨液を得る工程を備え、フィルタ１は、円筒状の濾材積層体５を有し、濾材積層体５は、外周側から内周側に向かって複数枚の不織布状の濾材５ａが配置されてなると共にプリーツ加工されており、濾材５ａを構成するフィルタ繊維の平均繊維径及びフィルタ繊維間の孔が外周側から内周側に向かって小さくなっており、濾材の枚数を数えて外周側の濾材と内周側の濾材との間の中央に位置する中間層について所定の工程により算出されるフィルタ繊維の５％トリム平均繊維長が５０〜５５μｍである。 （もっと読む）

【課題】半導体製造方法において、ポリシリコン膜上の酸化ケイ素膜を高速で研磨でき、かつ、ポリシリコン膜の露出時にポリシリコン膜の研磨の進行を抑えることができる酸化ケイ素用研磨剤とそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン上の酸化ケイ素膜を研磨するための研磨剤であり、砥粒、ポリシリコン研磨抑制剤及び水を含む。前記研磨抑制剤として、（１）アクリルアミド、メタアクリルアミドおよびそのα―置換体からなる群のいずれかの、Ｎ−モノ置換体またはＮ，Ｎ−ジ置換体の骨格を有する水溶性高分子、（２）ポリエチレングリコール（３）アセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体、（４）アセチレン結合を有する水溶性有機化合物、（５）アルコキシル化直鎖脂肪族アルコールのいずれか、または（６）ポリビニルピロリドンまたはビニルピロリドンを含む共重合体を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】テンプレートの高さ精度を向上させることができ、精度よくワークの研磨を行える研磨装置を提供する。
【解決手段】ワーク２４を保持する研磨ヘッド４１ａと、表面に研磨布６０が貼付された定盤５６と、研磨ヘッド４１ａと定盤５６とを相対的に運動させる運動機構とを備える研磨装置であって、研磨ヘッド４１ａが、リング状の側壁部１２ａを有する保持プレート１２と、樹脂シート材４５および樹脂シート材４５の表面に形成された発泡樹脂層４６からなり、保持プレート１２の下面側を覆うようにして保持プレート１２に周縁部で固定されたバッキング材４４と、バッキング材４４を押圧する圧力室３２と、バッキング材４４の下面の周縁部に固定され、ワーク２４を囲んで保持するリング状のテンプレート４０とを具備し、バッキング材４４が、保持プレート１２の側壁部１２ａ下面に樹脂シート材４５が直接または接着剤を介して当接するようにして固定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの配線を形成するための研磨で好適に使用することができる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、水溶性ポリマー、研磨促進剤および酸化剤を含有する。水溶性ポリマーは、１５０ｍｇＫＯＨ／１ｇ・ｓｏｌｉｄ以上のアミン価を有するポリアミドポリアミンポリマーである。 （もっと読む）

【課題】 非接触での磁気研磨を行う際に使用する磁気ペーストを構成する適切な溶媒をみつけること
【解決手段】 研磨バイト２には先端に永久磁石２０を設けて磁場発生源とし、研磨対象１に対して研磨バイト２が非接触に対面する配置とし、砥粒を混合してある磁気ペースト４を周辺に存在させ、駆動手段を起動することで研磨バイト２には所定の運動動作を行わせ、磁気ペースト４に生成した磁気クラスタにより流体研磨を行う。磁気ペースト４が、磁性粒子と、フェライト粒子と、研磨粒子と、樹脂粒子の４成分のうちの少なくとも１つの成分からなる砥粒と、溶媒を有し、溶媒は、研磨対象１との接触角が４０°未満（鏡面仕上げのためには２０°以下）とした。 （もっと読む）

【課題】長時間に亘ってスラリーに晒された場合であっても良好な研磨特性を保持できる化学機械研磨パッドおよび該化学機械研磨パッドを用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨パッドは、研磨層を備えた化学機械研磨パッドであって、前記研磨層の研磨に供される表面には凹部が設けられ、前記研磨層を２３℃の水に１時間浸漬したときに、前記凹部の内面における平均開口率が０．０１％以上０．５％以下となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】撮像面の反りを低減することができる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子の製造方法は、表面側に複数の固体撮像素子が形成されるとともに裏面に膜が形成された半導体ウエハの、前記裏面を研磨して、前記膜を除去する研磨工程Ｓ２と、研磨工程Ｓ２後の前記半導体ウエハを前記複数の固体撮像素子の個々にダイシングするダイシング工程Ｓ３と、を備える。研磨工程Ｓ２後の前記半導体ウエハの前記裏面が鏡面であるとともに、研磨工程Ｓ２後の前記半導体ウエハの厚さが７００μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】コンパクト且つ経済的な構成で、突起部位を高精度に研削することを可能にする。
【解決手段】研削装置１０は、ワークＷの溶接ビードＷｂに研削用無端ベルト１２を押し付けて周回走行させることにより、前記溶接ビードＷｂを研削する。この研削装置１０は、研削用無端ベルト１２の内周面に溶接ビードＷｂへの押し付け位置に対向して配置される押圧ブロック２８を備える。押圧ブロック２８は、研削用無端ベルト１２の内周面を押圧する端面形状が四角形状に設定されている。 （もっと読む）

【課題】シームの発生を低減しつつ有機残渣の発生を低減することが可能なＣＭＰ研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＭＰ研磨液は、（Ａ）１，２，３−トリアゾロ［４，５−ｂ］ピリジン骨格を有する化合物を含む金属防食剤と、（Ｂ）ＣＭＰ研磨液中で正のゼータ電位を有する砥粒と、（Ｃ）酸化金属溶解剤と、（Ｄ）酸化剤と、を含有する。本発明に係る研磨方法は、表面に隆起部及び溝部を有する層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の表面に追従して設けられたバリア層と、該バリア層を被覆するように設けられた導電性物質層と、を有する基板における導電性物質層を研磨して層間絶縁膜の隆起部上に位置するバリア層を露出させる第１の研磨工程と、第１の研磨工程により露出したバリア層を上記ＣＭＰ研磨液を用いて研磨して層間絶縁膜の隆起部を露出させる第２の研磨工程と、を備える。 （もっと読む）

【解決手段】コラーゲン由来の物質及びコロイド溶液を含むことを特徴とする合成石英ガラス基板用研磨剤。
【効果】本発明によれば、フォトマスク、ナノインプリント、磁気ディスクなどに重要な光リソグラフィー法に使用される合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、基板表面の高感度欠陥検査装置で検出される欠陥の生成が抑制され、製造の歩留まり向上だけではなく、半導体工業の更なる高精細化につながる。 （もっと読む）

【課題】金属リングの研削加工に際し、研削ブラシの偏磨耗が発生するのを防止する。
【解決手段】ワーク保持部１００により金属リングＷを保持して円周方向に沿って回転させ、加工ヘッド２００により研削ブラシ２１１を、金属リングを横切るような周回軌道に沿って移動させることにより金属リングの端縁の研削加工を行うに際し、研削加工が行われていないときに、次の研削加工に先立って、ブラシ回転手段２１０ａ、２１０ｂ、２７０、２８０により、研削ブラシを長さ方向の軸の周りに所定角度だけ回転させるようにする。 （もっと読む）

【課題】温度変化に関係なく板状ワークを均一に加工する。
【解決手段】金属部材２をその温度変化に伴って最も伸縮する方向へ複数に分割し、これら複数の分割片２ａの間に隙間Ｓを空けて、各分割片２ａをそれぞれの温度変化に伴う伸縮変形量が該隙間Ｓ内で収まるように配置することにより、主要部がセラミックスで形成される保持部材１と金属部材２との熱膨張率の違いで、金属部材２の分割片２ａにおける単位面積当たりの伸縮変形量が、保持部材１における単位面積当たりの伸縮変形量より大きくなっても保持部材１が変形せず、保持部材１に保持した板状ワークの他面全体が、定盤の加工面に対して傾斜することなく圧接される。 （もっと読む）

【課題】非水系分散媒中において、親水性研磨材粒子が凝集するのを低減することができる研磨加工用スラリー組成物を提供する。
【解決手段】非水系分散媒として炭化水素系溶剤、親水性研磨材粒子としてダイヤモンド粒子を含有する組成物に、さらに、エステル基、水酸基、および、カルボニル基を有し、ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量が１０００以上である化合物Ａ、または、化合物Ａとアミンとの反応生成物Ｂ、を添加してなる研磨加工用スラリー組成物であって、ダイヤモンド粒子を水系で分散させたときのメジアン径をｄ^１として、研磨加工用スラリー組成物におけるダイヤモンド粒子のメジアン径をｄ^２としたときに、ｄ^２／ｄ^１が１．０〜２．０となる研磨加工用スラリー組成物とする。 （もっと読む）

【課題】高研磨速度と高清浄性の両立を実現でき、循環研磨において長時間高い研磨速度を維持できるガラスハードディスク基板用研磨液組成物の提供。
【解決手段】アミン化合物と、酸と、シリカ粒子と、水とを含有するガラスハードディスク基板用研磨液組成物であって、前記アミン化合物は、アミノアルコール並びにピペラジン及びその誘導体からなる群から選択され、分子内に窒素原子を２個又は３個有し、そのうち少なくとも１個は１級アミンもしくは２級アミンであるガラスハードディスク基板用研磨液組成物。 （もっと読む）

【課題】簡便且つ確実に、所定量の研磨液を回転バフに供給することができる研磨液供給装置を提供する。
【解決手段】ロッドレンズアレイのロッドレンズが露出する端面を研磨する端面研磨装置６の回転バフ１２に研磨液を供給する研磨液供給装置３０であって、前記研磨液を収容する研磨液容器３４と、前記研磨液を前記回転バフに向けて吐出する吐出部３６と、前記研磨液容器と前記吐出部とを流体連通させるチューブ３８と、前記研磨液容器から前記吐出部まで前記チューブを通して前記研磨液を搬送するポンプ４４とを備え、前記ポンプが、所定インターバルで、前記研磨液を前記吐出部から吐出させるように作動され、前記ポンプの作動中は、前記回転バフの回転速度が低下する。 （もっと読む）