窒化物半導体基板の製造方法
【課題】平坦化された表面を有する窒化物半導体基板を単純な方法で得るための技術を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板の製造方法は、互いに反対側の面である第１面１１２および第２面１１４を有し、前記第１面１１２の側が凸面をなし前記第２面１１４の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶１１０を準備する準備工程と、前記板状窒化物半導体結晶１１０の前記第２面１１４の側をプレート２００に向け、前記第１面１１２の側が凸面をなし前記第２面１１４の側が凹面をなす状態で前記板状窒化物半導体結晶１１０を前記プレート２００で支持する支持工程と、前記プレート２００で支持された前記板状窒化物半導体結晶１１０の前記第１面１１２を平坦化する平坦化工程とを含む。
【解決手段】窒化物半導体基板の製造方法は、互いに反対側の面である第１面１１２および第２面１１４を有し、前記第１面１１２の側が凸面をなし前記第２面１１４の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶１１０を準備する準備工程と、前記板状窒化物半導体結晶１１０の前記第２面１１４の側をプレート２００に向け、前記第１面１１２の側が凸面をなし前記第２面１１４の側が凹面をなす状態で前記板状窒化物半導体結晶１１０を前記プレート２００で支持する支持工程と、前記プレート２００で支持された前記板状窒化物半導体結晶１１０の前記第１面１１２を平坦化する平坦化工程とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体基板の製造方法に係り、特に、平坦化された表面を有する窒化物半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体基板の表面を研削して加工変質層を形成すると、研削表面が周縁方向に広がるために基板に反りが生じる。すなわち、平坦な面を研削して加工変質層を形成すると、研削面が凸形状となるように基板に反りが生じる。この原理を利用して、窒化物半導体基板の凹形状に反った面を研削して加工変質層を与えることにより、凹形状を緩和して平坦な形状に近づけることが提案されている。また、窒化物半導体基板の凹形状に反った面を研削していったん凸形状にし、エッチングによって加工変質層の一部を除去することにより平坦な形状に近づけることも提案されている。さらに、このような研削とエッチングを両面で行うことにより、一段と平坦な形状に近づけやすくすることも提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
一方、これとは異なり、基板に荷重をかけて研削した後に荷重を解放することにより、復元しようとする内部応力を利用して反りを調整する技術も提案されている。具体的には、ＧａＮ単結晶基板のＧａ面に予め加工歪を与えて凸形状にした後、平坦なプレートにＧａ面が接触するように無荷重で貼付けた状態で基板のＮ面を加工歪フリーの平坦に加工し、次いでプレートから基板を取り外し、取り外した基板をプレートにＮ面が接触するように荷重をかけて貼付けた状態でＧａ面を加工歪フリーの平坦に加工し、その後に荷重を解放してプレートから基板を取り外して仕上げる加工方法が提案されている（特許文献２参照）。
【０００４】
特許文献１に開示された方法は、窒化物半導体基板に加工変質層を形成することによって窒化物半導体基板の反りを制御することを必須の工程とするものである。特許文献２に開示された方法は、ＧａＮ単結晶基板のＧａ面に予め加工歪を与えて凸形状にすることを必須の工程とするものである。つまり、いずれの特許文献に開示された技術も、反りを有する窒化物半導体基板の当該反りを制御するための加工変質層ないし加工歪みを形成することなく平坦化する技術とは対立するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１３６１６７号公報
【特許文献２】特開２００７−２８４２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者等は、窒化物半導体結晶をスライスすることによって窒化物半導体基板を得た場合に、得られた窒化物半導体基板に反りが生じることを発見した。このような反りは、特に、｛０００１｝面（Ｃ面）と非平行な切断面が形成されるように該窒化物半導体結晶をスライスした場合に顕著に現れる。その他、窒化物半導体基板の反りは、特許文献１、２に開示されているように、下地基板の上に窒化物半導体を成長させて、下地基板を除去した際にも生じうる。
【０００７】
反りを有する窒化物半導体基板の当該反りを制御するための加工変質層ないし加工歪みを形成する方法では、加工変質層ないし加工歪みを形成する工程だけでは十分な平坦性が得られず、その後に該基板の表面を平坦化する必要があり、工程が複雑化しうる。
【０００８】
本発明は、平坦化された表面を有する窒化物半導体基板を単純な方法で得るための技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の側面は、窒化物半導体基板の製造方法に係り、前記製造方法は、互いに反対側の面である第１面および第２面を有し、前記第１面の側が凸面をなし前記第２面の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶を準備する準備工程と、前記板状窒化物半導体結晶の前記第２面の側をプレートに向け、前記第１面の側が凸面をなし前記第２面の側が凹面をなす状態で前記板状窒化物半導体結晶を前記プレートで支持する支持工程と、前記プレートで支持された前記板状窒化物半導体結晶の前記第１面を平坦化する平坦化工程とを含む。
【００１０】
前記第１面および／または前記第２面は、例えば、矩形形状でありうる。
【００１１】
前記準備工程では、例えば、窒化物半導体結晶をスライスすることによって前記板状窒化物半導体結晶を得ることができる。ここで、前記準備工程では、Ｃ面と非平行な切断面が形成されるように前記窒化物半導体結晶をスライスしてもよい。
【００１２】
前記支持工程は、前記板状窒化物半導体結晶をホットメルト接着剤によって前記プレートに固定する工程を含みうる。
【００１３】
前記準備工程で準備される前記板状窒化物半導体結晶は、第１状態の反りを有しうる。この場合において、前記支持工程は、前記第１状態の反りを有する前記板状窒化物半導体結晶の全面を前記プレートに押し付けることによって前記板状窒化物半導体結晶の反りを前記第１状態の反りよりも小さい第２状態の反りにしながら前記板状窒化物半導体結晶をホットメルト接着剤によって前記プレートに接着する工程と、前記板状窒化物半導体結晶を前記プレートに押し付ける力をなくし又は該力を弱くするとともに、前記ホットメルト接着剤を加熱することにより流動状態とし、これにより、前記板状窒化物半導体結晶の反りを前記第２状態の反りよりも大きい第３状態の反りとし、その後、前記ホットメルト接着剤を硬化させる工程とを含みうる。
【００１４】
本発明の第２の側面に係る窒化物半導体基板の製造方法は、窒化物半導体結晶をスライスすることによって、互いに反対側の面である第１面および第２面を有し、所定方向に沿った断面において前記第１面の側が凸面をなし前記第２面の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶を得る準備工程と、前記板状窒化物半導体結晶の前記第２面の側をプレートに向けた状態で前記板状窒化物半導体結晶をホットメルト接着剤によって前記プレートに固定する固定工程と、前記プレートに固定された前記板状窒化物半導体結晶の前記第１面を平坦化する平坦化工程とを含み、前記固定工程では、前記板状窒化物半導体結晶の前記所定方向における中央部と前記プレートとの間には前記ホットメルト接着剤が存在しない空隙が形成され、前記板状窒化物半導体結晶の前記所定方向における周辺部が前記ホットメルト接着剤によって前記プレートに接着されるように、前記板状窒化物半導体結晶を前記プレートに固定する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、平坦化された表面を有する窒化物半導体基板を単純な方法で得るための技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】板状窒化物半導体結晶を準備する準備工程を説明するための図である。
【図２】板状窒化物半導体結晶を準備する準備工程を説明するための図である。
【図３】反りを有する板状窒化物半導体結晶を例示する図である。
【図４】板状窒化物半導体結晶をプレートに固定することによって板状窒化物半導体結晶を該プレートで支持する支持工程（あるいは固定工程）を説明するための図である。
【図５】板状窒化物半導体結晶をプレートに固定することによって板状窒化物半導体結晶を該プレートで支持する支持工程（あるいは固定工程）における第１工程を説明するための図である。
【図６】板状窒化物半導体結晶をプレートに固定することによって板状窒化物半導体結晶を該プレートで支持する支持工程（あるいは固定工程）における第２工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の好適な実施形態の窒化物半導体基板の製造方法を説明する。
【００１８】
窒化物半導体は、好ましくは第１３族金属窒化物半導体であり、より好ましくはＧａｘＡｌｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（式中０＜ｘ≦１）で表され、例えば、ＧａＮである。窒化物半導体は、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）、分子線エピタキシ法（ＭＢＥ法）またはハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）といったエピタキシャル成長法により、下地基板の上に形成されうる。窒化物半導体の結晶は、ウルツ鉱型構造を有し、例えば、｛０００１｝面（Ｃ面）、｛１１−２０｝面（Ａ面）、｛１−１０２｝面（Ｒ面）、｛１−１００｝面（Ｍ面）および｛１−１０１｝面（Ｓ面）を有する。なお、以下では、窒化物半導体の例としてＧａＮを挙げて説明するが、本発明は、例えば、板状窒化物半導体結晶の平坦化時における該板状窒化物半導体結晶の支持の方法、または、該板状窒化物半導体結晶の形状や結晶表面を研磨する順番などに特徴を有するものであり、該板状窒化物半導体結晶の組成によって限定されるものではないので、ＧａＮ以外の窒化物半導体にも適用されうる。
【００１９】
本発明の好適な実施形態の窒化物半導体基板の製造方法は、板状窒化物半導体結晶を準備する準備工程と、板状窒化物半導体結晶をプレートに固定することによって板状窒化物半導体結晶を該プレートで支持する支持工程（あるいは固定工程）と、プレートで支持された板状窒化物半導体結晶を平坦化する平坦化工程とを含みうる。
【００２０】
図１は、板状窒化物半導体結晶を準備する準備工程を説明するための図である。まず、窒化物半導体結晶としてのＧａＮ結晶からなる窒化物半導体結晶１００を形成する。窒化物半導体結晶１００としてのＧａＮ結晶は、例えば、Ｇａ面（＋Ｃ面）、Ｎ面（−Ｃ面）を有する。準備工程では、Ｃ面と非平行なスライス面（ここでは、（２０−２１）面）が形成されるように、窒化物半導体結晶１００をスライスして板状窒化物半導体結晶１１０を得る。スライスには、ワイヤーソーが使用されうる。
【００２１】
板状窒化物半導体結晶１１０の形状は板状であれば特に限定されないが、後述する支持工程において第１面の側が凸面をなし第２面の側が凹面をなす状態でプレートで支持する際に安定しやすいことから、前記第１面および／又は第２面が矩形形状であることが好ましい。矩形形状であると図６の周辺部２０が点ではなく線として板状窒化物半導体結晶１１０を支えることができるためである。第１面および／又は第２面が矩形形状とするためには、窒化物半導体結晶１００をスライスする前に、立方体、直方体などの六面体の形状に加工しておくことが好ましいが、スライス後に矩形形状に加工しても良い。
【００２２】
ここで、（２０−２１）面に平行なスライス面ＳＬに沿って窒化物半導体結晶１００が切断されることが理想的である。しかしながら、実際には、図２に例示されるような湾曲した切断面ＣＳが形成され、この現象には高い再現性が認められる。したがって、スライスによって得られる板状窒化物半導体結晶１１０は、図３（ａ）に例示されるように、反りを有する形状になる。より詳しくは、スライスによって形成される板状窒化物半導体結晶１１０は、互いに反対側の面である第１面１１２および第２面１１４を有し、第１面１１２の側が凸面をなし第２面１１４の側が凹面をなすように反っている。一例として、ＣＳに沿った長さが９ｍｍの板状窒化物半導体結晶１１０における反りは、第１面１１２の高低差で評価したところ、７．２μｍであり、第１面１１２の曲率で評価したところ、０．７１ｍ−１であった。ここで、本発明で用いられる板状窒化物半導体結晶は、結晶に対して外部から応力をかけない状態で反っているものである。つまり、板状窒化物半導体結晶が有する「反り」はスライスなどの工程において、切断面が直線的に切り出されなかった場合に生じるものであって、外部から応力をかけて変形させるような場合を含まない。
【００２３】
図３（ａ）に例示される板状窒化物半導体結晶１１０は、３（ｂ）に例示されるように、スライス面ＳＬに垂直な側面を有するように成形されうる。この成形には、例えば、ダイヤモンド砥石が使用されうる。板状窒化物半導体結晶１１０の角部分は、結晶方位を示すノッチが形成されてもよいし、欠けを防ぐための面取りがなされてもよい。
【００２４】
なお、本発明は、窒化物半導体結晶をスライスすることによって得られる板状窒化物半導体結晶の平坦化のほか、反りを有するあらゆる板状窒化物半導体結晶の平坦化に適用されうる。
【００２５】
図４〜図６は、図３（ａ）又は図３（ｂ）に例示される板状窒化物半導体結晶１１０をプレートに固定することによって板状窒化物半導体結晶１１０を該プレートで支持する支持工程（あるいは固定工程）を説明するための図である。支持工程では、板状窒化物半導体結晶１１０の第２面１１４の側を研磨装置のプレート２００に向け、第１面１１２の側が凸面をなし第２面１４の側が凹面をなす状態（即ち、板状窒化物半導体結晶１１０が反りを有する状態）で、板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００で支持する。支持工程は、例えば、板状窒化物半導体結晶１１０をホットメルト接着剤１５０によってプレート２００に固定する工程を含みうる。
【００２６】
なお、ホットメルト接着剤は、ワックスと呼ばれることもある。ホットメルト接着剤は、加熱すると軟化し、外力を加えて変形あるいは流動させることができるといった熱可塑性を有する。そして、温度を下げると硬くなり、再び加熱すると軟化する。
【００２７】
支持工程は、ホットメルト接着剤による方法に代えて、板状窒化物半導体結晶１１０を機械的クランプ機構、真空吸着機構または静電吸着機構などの他の方法によってプレート２００に固定する工程を含んでもよい。
【００２８】
以下、支持工程（あるいは固定工程）のより具体的な実施形態として、ホットメルト接着剤によって板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に固定する手順を例示的に説明する。ここで、準備工程で準備される板状窒化物半導体結晶１１０は、第１状態の反りを有するものとして説明する。
【００２９】
以下で例示的に説明する支持工程（あるいは固定工程）は、第１工程および第２工程を含みうる。
【００３０】
まず、第１工程では、図４に例示されるように、プレート２００の上にホットメルト接着剤１５０を塗布し、第１面１１２の側が凸面をなし第２面１１４の側が凹面をなす状態（即ち、板状窒化物半導体結晶１１０が反りを有する状態）で、板状窒化物半導体結晶１１０の第２面１１４の側を研磨装置のプレート２００に向けて、１又は複数の板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００の上に置く。このときの板状窒化物半導体結晶１１０は、第１状態の反りを有する。
【００３１】
支持工程において複数の板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００で支持する際には、プレート２００の支持面（板状窒化物半導体結晶１１０を支持する面）を基準として板状窒化物半導体結晶１１０の姿勢（向き）を一定に統一することが好ましい。ここで、姿勢は、板状窒化物半導体結晶１１０の向きを示す基準（例えば、板状窒化物半導体結晶１１０の第１面１１２の中心位置における第１面１１２の法線、または、（２０−２１）軸などの結晶軸）の向きによって表現されうる。複数の板状窒化物半導体結晶１１０の姿勢（向き）を統一することにより、１度の平坦化工程で複数の窒化物半導体基板を製造した際に各々の基板間で基板表面の結晶軸方位を揃えることが可能となるため、生産性向上につながり好ましい。
【００３２】
次に、図５に模式的に示すように、第１状態の反りを有する板状窒化物半導体結晶１１０の全面を押し付け部材２２０によってプレート２００に押し付けることによって板状窒化物半導体結晶１１０の反りを第１状態の反りよりも小さい第２状態の反りにしながら板状窒化物半導体結晶１１０をホットメルト接着剤１５０によってプレート２００に接着する。ここで、第２状態の反りは、反りが全くない状態を含みうる。接着の際には、ホットメルト接着剤１５０に流動性（粘着性）を与えるためにホットメルト接着剤１５０を加熱し、その後、押し付け部材２２０によって板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に押し付けた状態でホットメルト接着剤１５０を硬化させる。ホットメルト接着剤１５０の硬化は、よく知られているように、ホットメルト接着剤１５０を冷却（例えば、自然冷却）することによって起こる。押し付け部材２２０は、例えば、バルーンを含みうる。
【００３３】
第１工程において、押し付け部材２２０によって板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に押し付けた状態でホットメルト接着剤１５０を硬化させることによって、プレート２００の支持面（板状窒化物半導体結晶１１０を支持する面）を基準として板状窒化物半導体結晶１１０の姿勢（向き）を一定に統一することができる。つまり、第１工程では、板状窒化物半導体結晶１１０の下に存在していたホットメルト接着剤１５０に板状窒化物半導体結晶１１０が押し付けられることによって、ホットメルト接着剤１５０は、板状窒化物半導体結晶１１０の外側に押し出される。そのため、板状窒化物半導体結晶１１０の下のホットメルト接着剤が均一な薄い層となる。これにより、複数の板状窒化物半導体結晶１１０における処理のばらつきを低減することができる。第１工程の後、第２工程の前に、板状窒化物半導体結晶１１０の外側のホットメルト接着剤１５０を拭き取る工程が実施されうる。
【００３４】
次に、第２工程では、板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に押し付ける力をなくし又は該力を弱くするとともに、ホットメルト接着剤１５０を加熱することにより流動状態とし、これにより、図６に模式体に示すように、板状窒化物半導体結晶１１０の反りを第２状態の反りよりも大きい第３状態の反りとし、その後、ホットメルト接着剤１５０を硬化させる。ここで、板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に押し付ける力をなくすには、押し付け部材２２０を取り去ればよく、典型的には、第１工程の終了後に押し付け部材２２０を取り去ればよい。板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に押し付ける力を弱くするには、押し付け部材２２０が板状窒化物半導体結晶１１０に加える力を弱くすればよい。
【００３５】
第２工程は、ホットメルト接着剤１５０を再加熱し、その後に冷却（例えば、自然冷却）することによって実現することができる。再加熱は、例えば１２０℃で３分間にわたってなされうる。第２工程の実施により、図６に模式的に示すように、板状窒化物半導体結晶１１０の所定方向（図６では、Ｙ方向）における中央部とプレート２００との間にはホットメルト接着剤１５０が存在しない空隙１０が形成され、板状窒化物半導体結晶１１０の該所定方向における周辺部２０がホットメルト接着剤１５０によってプレート２００に接着されるように、板状窒化物半導体結晶１１０がプレート２００に固定される。
【００３６】
つまり、第１工程において板状窒化物半導体結晶１１０の全面をプレート２００に押し付けた状態でホットメルト接着剤１５０を加熱し冷却することによって、板状窒化物半導体結晶１１０は、その反りが小さく矯正される（第１状態の反りから第２状態の反りになる）。そして、第２工程において、板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に押し付ける力をなくし又は該力を弱くした状態でホットメルト接着剤１５０を加熱し冷却することによって、板状窒化物半導体結晶１１０の反りは、元の状態（即ち、第１状態の反り）に近づく。ここで、ホットメルト接着剤１５０が流動状態になったときに、板状窒化物半導体結晶１１０の所定方向（図６では、Ｙ方向）における中央部が復元力によってプレート２００から離隔しようとするので、プレート２００との間にはホットメルト接着剤１５０が存在しない空隙１０が形成されうる。
【００３７】
支持工程（あるいは固定工程）に次いで平坦化工程が実施される。平坦化工程では、例えば、図６に模式的に示される状態のプレート２００を研磨パッド（不図示）に対向させて、プレート２００と研磨パッドとを相対的に運動させることによって、板状窒化物半導体結晶１１０の第１面１１２が研磨され平坦化される。これによって、例えば、（２０−２１）面を表面に有する板状窒化物半導体結晶１１０が得られる。平坦化工程では、例えば、研磨剤として１５μｍダイヤスラリーが使用されうる。平坦化工程の後、板状窒化物半導体結晶１１０がプレート２００から取り外される。
【００３８】
次いで、板状窒化物半導体結晶１１０の第２面１１４を平坦化する第２平坦化工程が実施されうる。第２平坦化工程は、例えば、板状窒化物半導体結晶１１０の第１面１１２（より正確には、平坦化された第１面１１２）を研磨装置のプレート２００にホットメルト接着剤などによって固定し、該研磨装置によって研磨する工程を含みうる。第２平坦化工程では、例えば、研磨剤として１５μｍダイヤスラリーが使用されうる。その後、板状窒化物半導体結晶１１０は、プレート２００から取り外されて、エッチングされうる。エッチングは、例えば、１２０℃のＫＯＨ水溶液（例えば、４７％）に１０分間浸漬する工程を含みうる。
【００３９】
次いで、板状窒化物半導体結晶１１０の第１面１１２を更に平坦化する第３平坦化工程が実施されうる。第３平坦化工程は、例えば、板状窒化物半導体結晶１１０の第２面１１４（より正確には、平坦化された第２面１１４）を研磨装置のプレート２００にホットメルト接着剤などによって固定し、該研磨装置によって研磨する工程を含みうる。第３平坦化工程は、例えば、ダイヤスラリーを用いてなされる研磨と、その後のコロイダルシリカを用いてなされる研磨とを含みうる。以上の工程により、第１面１１２および第２面１１４が平坦化された窒化物半導体基板が得られる。
【実施例】
【００４０】
以上の方法で製造された窒化物半導体基板の反りは、第１面１１２の高低差で評価したところ、０．６μｍであり、第１面１１２の曲率で評価したところ、０．０６ｍ−１であった。一方、支持工程における第２工程を実施しないこと以外は上記と同様の方法で製造された窒化物半導体基板の反りは、第１面１１２の曲率で評価したところ、１．６ｍ−１であった。
【符号の説明】
【００４１】
１００ 窒化物半導体結晶
ＳＬ スライス面
ＮＬ 法線
ＣＳ 湾曲した切断面
１１０ 板状窒化物半導体結晶
１１２ 第１面
１１４ 第２面
１５０ ホットメルト接着剤
２００ プレート
２２０ 押し付け部材
１０ 空隙
２０ 周辺部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体基板の製造方法に係り、特に、平坦化された表面を有する窒化物半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体基板の表面を研削して加工変質層を形成すると、研削表面が周縁方向に広がるために基板に反りが生じる。すなわち、平坦な面を研削して加工変質層を形成すると、研削面が凸形状となるように基板に反りが生じる。この原理を利用して、窒化物半導体基板の凹形状に反った面を研削して加工変質層を与えることにより、凹形状を緩和して平坦な形状に近づけることが提案されている。また、窒化物半導体基板の凹形状に反った面を研削していったん凸形状にし、エッチングによって加工変質層の一部を除去することにより平坦な形状に近づけることも提案されている。さらに、このような研削とエッチングを両面で行うことにより、一段と平坦な形状に近づけやすくすることも提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
一方、これとは異なり、基板に荷重をかけて研削した後に荷重を解放することにより、復元しようとする内部応力を利用して反りを調整する技術も提案されている。具体的には、ＧａＮ単結晶基板のＧａ面に予め加工歪を与えて凸形状にした後、平坦なプレートにＧａ面が接触するように無荷重で貼付けた状態で基板のＮ面を加工歪フリーの平坦に加工し、次いでプレートから基板を取り外し、取り外した基板をプレートにＮ面が接触するように荷重をかけて貼付けた状態でＧａ面を加工歪フリーの平坦に加工し、その後に荷重を解放してプレートから基板を取り外して仕上げる加工方法が提案されている（特許文献２参照）。
【０００４】
特許文献１に開示された方法は、窒化物半導体基板に加工変質層を形成することによって窒化物半導体基板の反りを制御することを必須の工程とするものである。特許文献２に開示された方法は、ＧａＮ単結晶基板のＧａ面に予め加工歪を与えて凸形状にすることを必須の工程とするものである。つまり、いずれの特許文献に開示された技術も、反りを有する窒化物半導体基板の当該反りを制御するための加工変質層ないし加工歪みを形成することなく平坦化する技術とは対立するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１３６１６７号公報
【特許文献２】特開２００７−２８４２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者等は、窒化物半導体結晶をスライスすることによって窒化物半導体基板を得た場合に、得られた窒化物半導体基板に反りが生じることを発見した。このような反りは、特に、｛０００１｝面（Ｃ面）と非平行な切断面が形成されるように該窒化物半導体結晶をスライスした場合に顕著に現れる。その他、窒化物半導体基板の反りは、特許文献１、２に開示されているように、下地基板の上に窒化物半導体を成長させて、下地基板を除去した際にも生じうる。
【０００７】
反りを有する窒化物半導体基板の当該反りを制御するための加工変質層ないし加工歪みを形成する方法では、加工変質層ないし加工歪みを形成する工程だけでは十分な平坦性が得られず、その後に該基板の表面を平坦化する必要があり、工程が複雑化しうる。
【０００８】
本発明は、平坦化された表面を有する窒化物半導体基板を単純な方法で得るための技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の側面は、窒化物半導体基板の製造方法に係り、前記製造方法は、互いに反対側の面である第１面および第２面を有し、前記第１面の側が凸面をなし前記第２面の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶を準備する準備工程と、前記板状窒化物半導体結晶の前記第２面の側をプレートに向け、前記第１面の側が凸面をなし前記第２面の側が凹面をなす状態で前記板状窒化物半導体結晶を前記プレートで支持する支持工程と、前記プレートで支持された前記板状窒化物半導体結晶の前記第１面を平坦化する平坦化工程とを含む。
【００１０】
前記第１面および／または前記第２面は、例えば、矩形形状でありうる。
【００１１】
前記準備工程では、例えば、窒化物半導体結晶をスライスすることによって前記板状窒化物半導体結晶を得ることができる。ここで、前記準備工程では、Ｃ面と非平行な切断面が形成されるように前記窒化物半導体結晶をスライスしてもよい。
【００１２】
前記支持工程は、前記板状窒化物半導体結晶をホットメルト接着剤によって前記プレートに固定する工程を含みうる。
【００１３】
前記準備工程で準備される前記板状窒化物半導体結晶は、第１状態の反りを有しうる。この場合において、前記支持工程は、前記第１状態の反りを有する前記板状窒化物半導体結晶の全面を前記プレートに押し付けることによって前記板状窒化物半導体結晶の反りを前記第１状態の反りよりも小さい第２状態の反りにしながら前記板状窒化物半導体結晶をホットメルト接着剤によって前記プレートに接着する工程と、前記板状窒化物半導体結晶を前記プレートに押し付ける力をなくし又は該力を弱くするとともに、前記ホットメルト接着剤を加熱することにより流動状態とし、これにより、前記板状窒化物半導体結晶の反りを前記第２状態の反りよりも大きい第３状態の反りとし、その後、前記ホットメルト接着剤を硬化させる工程とを含みうる。
【００１４】
本発明の第２の側面に係る窒化物半導体基板の製造方法は、窒化物半導体結晶をスライスすることによって、互いに反対側の面である第１面および第２面を有し、所定方向に沿った断面において前記第１面の側が凸面をなし前記第２面の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶を得る準備工程と、前記板状窒化物半導体結晶の前記第２面の側をプレートに向けた状態で前記板状窒化物半導体結晶をホットメルト接着剤によって前記プレートに固定する固定工程と、前記プレートに固定された前記板状窒化物半導体結晶の前記第１面を平坦化する平坦化工程とを含み、前記固定工程では、前記板状窒化物半導体結晶の前記所定方向における中央部と前記プレートとの間には前記ホットメルト接着剤が存在しない空隙が形成され、前記板状窒化物半導体結晶の前記所定方向における周辺部が前記ホットメルト接着剤によって前記プレートに接着されるように、前記板状窒化物半導体結晶を前記プレートに固定する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、平坦化された表面を有する窒化物半導体基板を単純な方法で得るための技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】板状窒化物半導体結晶を準備する準備工程を説明するための図である。
【図２】板状窒化物半導体結晶を準備する準備工程を説明するための図である。
【図３】反りを有する板状窒化物半導体結晶を例示する図である。
【図４】板状窒化物半導体結晶をプレートに固定することによって板状窒化物半導体結晶を該プレートで支持する支持工程（あるいは固定工程）を説明するための図である。
【図５】板状窒化物半導体結晶をプレートに固定することによって板状窒化物半導体結晶を該プレートで支持する支持工程（あるいは固定工程）における第１工程を説明するための図である。
【図６】板状窒化物半導体結晶をプレートに固定することによって板状窒化物半導体結晶を該プレートで支持する支持工程（あるいは固定工程）における第２工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の好適な実施形態の窒化物半導体基板の製造方法を説明する。
【００１８】
窒化物半導体は、好ましくは第１３族金属窒化物半導体であり、より好ましくはＧａｘＡｌｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（式中０＜ｘ≦１）で表され、例えば、ＧａＮである。窒化物半導体は、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）、分子線エピタキシ法（ＭＢＥ法）またはハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）といったエピタキシャル成長法により、下地基板の上に形成されうる。窒化物半導体の結晶は、ウルツ鉱型構造を有し、例えば、｛０００１｝面（Ｃ面）、｛１１−２０｝面（Ａ面）、｛１−１０２｝面（Ｒ面）、｛１−１００｝面（Ｍ面）および｛１−１０１｝面（Ｓ面）を有する。なお、以下では、窒化物半導体の例としてＧａＮを挙げて説明するが、本発明は、例えば、板状窒化物半導体結晶の平坦化時における該板状窒化物半導体結晶の支持の方法、または、該板状窒化物半導体結晶の形状や結晶表面を研磨する順番などに特徴を有するものであり、該板状窒化物半導体結晶の組成によって限定されるものではないので、ＧａＮ以外の窒化物半導体にも適用されうる。
【００１９】
本発明の好適な実施形態の窒化物半導体基板の製造方法は、板状窒化物半導体結晶を準備する準備工程と、板状窒化物半導体結晶をプレートに固定することによって板状窒化物半導体結晶を該プレートで支持する支持工程（あるいは固定工程）と、プレートで支持された板状窒化物半導体結晶を平坦化する平坦化工程とを含みうる。
【００２０】
図１は、板状窒化物半導体結晶を準備する準備工程を説明するための図である。まず、窒化物半導体結晶としてのＧａＮ結晶からなる窒化物半導体結晶１００を形成する。窒化物半導体結晶１００としてのＧａＮ結晶は、例えば、Ｇａ面（＋Ｃ面）、Ｎ面（−Ｃ面）を有する。準備工程では、Ｃ面と非平行なスライス面（ここでは、（２０−２１）面）が形成されるように、窒化物半導体結晶１００をスライスして板状窒化物半導体結晶１１０を得る。スライスには、ワイヤーソーが使用されうる。
【００２１】
板状窒化物半導体結晶１１０の形状は板状であれば特に限定されないが、後述する支持工程において第１面の側が凸面をなし第２面の側が凹面をなす状態でプレートで支持する際に安定しやすいことから、前記第１面および／又は第２面が矩形形状であることが好ましい。矩形形状であると図６の周辺部２０が点ではなく線として板状窒化物半導体結晶１１０を支えることができるためである。第１面および／又は第２面が矩形形状とするためには、窒化物半導体結晶１００をスライスする前に、立方体、直方体などの六面体の形状に加工しておくことが好ましいが、スライス後に矩形形状に加工しても良い。
【００２２】
ここで、（２０−２１）面に平行なスライス面ＳＬに沿って窒化物半導体結晶１００が切断されることが理想的である。しかしながら、実際には、図２に例示されるような湾曲した切断面ＣＳが形成され、この現象には高い再現性が認められる。したがって、スライスによって得られる板状窒化物半導体結晶１１０は、図３（ａ）に例示されるように、反りを有する形状になる。より詳しくは、スライスによって形成される板状窒化物半導体結晶１１０は、互いに反対側の面である第１面１１２および第２面１１４を有し、第１面１１２の側が凸面をなし第２面１１４の側が凹面をなすように反っている。一例として、ＣＳに沿った長さが９ｍｍの板状窒化物半導体結晶１１０における反りは、第１面１１２の高低差で評価したところ、７．２μｍであり、第１面１１２の曲率で評価したところ、０．７１ｍ−１であった。ここで、本発明で用いられる板状窒化物半導体結晶は、結晶に対して外部から応力をかけない状態で反っているものである。つまり、板状窒化物半導体結晶が有する「反り」はスライスなどの工程において、切断面が直線的に切り出されなかった場合に生じるものであって、外部から応力をかけて変形させるような場合を含まない。
【００２３】
図３（ａ）に例示される板状窒化物半導体結晶１１０は、３（ｂ）に例示されるように、スライス面ＳＬに垂直な側面を有するように成形されうる。この成形には、例えば、ダイヤモンド砥石が使用されうる。板状窒化物半導体結晶１１０の角部分は、結晶方位を示すノッチが形成されてもよいし、欠けを防ぐための面取りがなされてもよい。
【００２４】
なお、本発明は、窒化物半導体結晶をスライスすることによって得られる板状窒化物半導体結晶の平坦化のほか、反りを有するあらゆる板状窒化物半導体結晶の平坦化に適用されうる。
【００２５】
図４〜図６は、図３（ａ）又は図３（ｂ）に例示される板状窒化物半導体結晶１１０をプレートに固定することによって板状窒化物半導体結晶１１０を該プレートで支持する支持工程（あるいは固定工程）を説明するための図である。支持工程では、板状窒化物半導体結晶１１０の第２面１１４の側を研磨装置のプレート２００に向け、第１面１１２の側が凸面をなし第２面１４の側が凹面をなす状態（即ち、板状窒化物半導体結晶１１０が反りを有する状態）で、板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００で支持する。支持工程は、例えば、板状窒化物半導体結晶１１０をホットメルト接着剤１５０によってプレート２００に固定する工程を含みうる。
【００２６】
なお、ホットメルト接着剤は、ワックスと呼ばれることもある。ホットメルト接着剤は、加熱すると軟化し、外力を加えて変形あるいは流動させることができるといった熱可塑性を有する。そして、温度を下げると硬くなり、再び加熱すると軟化する。
【００２７】
支持工程は、ホットメルト接着剤による方法に代えて、板状窒化物半導体結晶１１０を機械的クランプ機構、真空吸着機構または静電吸着機構などの他の方法によってプレート２００に固定する工程を含んでもよい。
【００２８】
以下、支持工程（あるいは固定工程）のより具体的な実施形態として、ホットメルト接着剤によって板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に固定する手順を例示的に説明する。ここで、準備工程で準備される板状窒化物半導体結晶１１０は、第１状態の反りを有するものとして説明する。
【００２９】
以下で例示的に説明する支持工程（あるいは固定工程）は、第１工程および第２工程を含みうる。
【００３０】
まず、第１工程では、図４に例示されるように、プレート２００の上にホットメルト接着剤１５０を塗布し、第１面１１２の側が凸面をなし第２面１１４の側が凹面をなす状態（即ち、板状窒化物半導体結晶１１０が反りを有する状態）で、板状窒化物半導体結晶１１０の第２面１１４の側を研磨装置のプレート２００に向けて、１又は複数の板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００の上に置く。このときの板状窒化物半導体結晶１１０は、第１状態の反りを有する。
【００３１】
支持工程において複数の板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００で支持する際には、プレート２００の支持面（板状窒化物半導体結晶１１０を支持する面）を基準として板状窒化物半導体結晶１１０の姿勢（向き）を一定に統一することが好ましい。ここで、姿勢は、板状窒化物半導体結晶１１０の向きを示す基準（例えば、板状窒化物半導体結晶１１０の第１面１１２の中心位置における第１面１１２の法線、または、（２０−２１）軸などの結晶軸）の向きによって表現されうる。複数の板状窒化物半導体結晶１１０の姿勢（向き）を統一することにより、１度の平坦化工程で複数の窒化物半導体基板を製造した際に各々の基板間で基板表面の結晶軸方位を揃えることが可能となるため、生産性向上につながり好ましい。
【００３２】
次に、図５に模式的に示すように、第１状態の反りを有する板状窒化物半導体結晶１１０の全面を押し付け部材２２０によってプレート２００に押し付けることによって板状窒化物半導体結晶１１０の反りを第１状態の反りよりも小さい第２状態の反りにしながら板状窒化物半導体結晶１１０をホットメルト接着剤１５０によってプレート２００に接着する。ここで、第２状態の反りは、反りが全くない状態を含みうる。接着の際には、ホットメルト接着剤１５０に流動性（粘着性）を与えるためにホットメルト接着剤１５０を加熱し、その後、押し付け部材２２０によって板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に押し付けた状態でホットメルト接着剤１５０を硬化させる。ホットメルト接着剤１５０の硬化は、よく知られているように、ホットメルト接着剤１５０を冷却（例えば、自然冷却）することによって起こる。押し付け部材２２０は、例えば、バルーンを含みうる。
【００３３】
第１工程において、押し付け部材２２０によって板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に押し付けた状態でホットメルト接着剤１５０を硬化させることによって、プレート２００の支持面（板状窒化物半導体結晶１１０を支持する面）を基準として板状窒化物半導体結晶１１０の姿勢（向き）を一定に統一することができる。つまり、第１工程では、板状窒化物半導体結晶１１０の下に存在していたホットメルト接着剤１５０に板状窒化物半導体結晶１１０が押し付けられることによって、ホットメルト接着剤１５０は、板状窒化物半導体結晶１１０の外側に押し出される。そのため、板状窒化物半導体結晶１１０の下のホットメルト接着剤が均一な薄い層となる。これにより、複数の板状窒化物半導体結晶１１０における処理のばらつきを低減することができる。第１工程の後、第２工程の前に、板状窒化物半導体結晶１１０の外側のホットメルト接着剤１５０を拭き取る工程が実施されうる。
【００３４】
次に、第２工程では、板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に押し付ける力をなくし又は該力を弱くするとともに、ホットメルト接着剤１５０を加熱することにより流動状態とし、これにより、図６に模式体に示すように、板状窒化物半導体結晶１１０の反りを第２状態の反りよりも大きい第３状態の反りとし、その後、ホットメルト接着剤１５０を硬化させる。ここで、板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に押し付ける力をなくすには、押し付け部材２２０を取り去ればよく、典型的には、第１工程の終了後に押し付け部材２２０を取り去ればよい。板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に押し付ける力を弱くするには、押し付け部材２２０が板状窒化物半導体結晶１１０に加える力を弱くすればよい。
【００３５】
第２工程は、ホットメルト接着剤１５０を再加熱し、その後に冷却（例えば、自然冷却）することによって実現することができる。再加熱は、例えば１２０℃で３分間にわたってなされうる。第２工程の実施により、図６に模式的に示すように、板状窒化物半導体結晶１１０の所定方向（図６では、Ｙ方向）における中央部とプレート２００との間にはホットメルト接着剤１５０が存在しない空隙１０が形成され、板状窒化物半導体結晶１１０の該所定方向における周辺部２０がホットメルト接着剤１５０によってプレート２００に接着されるように、板状窒化物半導体結晶１１０がプレート２００に固定される。
【００３６】
つまり、第１工程において板状窒化物半導体結晶１１０の全面をプレート２００に押し付けた状態でホットメルト接着剤１５０を加熱し冷却することによって、板状窒化物半導体結晶１１０は、その反りが小さく矯正される（第１状態の反りから第２状態の反りになる）。そして、第２工程において、板状窒化物半導体結晶１１０をプレート２００に押し付ける力をなくし又は該力を弱くした状態でホットメルト接着剤１５０を加熱し冷却することによって、板状窒化物半導体結晶１１０の反りは、元の状態（即ち、第１状態の反り）に近づく。ここで、ホットメルト接着剤１５０が流動状態になったときに、板状窒化物半導体結晶１１０の所定方向（図６では、Ｙ方向）における中央部が復元力によってプレート２００から離隔しようとするので、プレート２００との間にはホットメルト接着剤１５０が存在しない空隙１０が形成されうる。
【００３７】
支持工程（あるいは固定工程）に次いで平坦化工程が実施される。平坦化工程では、例えば、図６に模式的に示される状態のプレート２００を研磨パッド（不図示）に対向させて、プレート２００と研磨パッドとを相対的に運動させることによって、板状窒化物半導体結晶１１０の第１面１１２が研磨され平坦化される。これによって、例えば、（２０−２１）面を表面に有する板状窒化物半導体結晶１１０が得られる。平坦化工程では、例えば、研磨剤として１５μｍダイヤスラリーが使用されうる。平坦化工程の後、板状窒化物半導体結晶１１０がプレート２００から取り外される。
【００３８】
次いで、板状窒化物半導体結晶１１０の第２面１１４を平坦化する第２平坦化工程が実施されうる。第２平坦化工程は、例えば、板状窒化物半導体結晶１１０の第１面１１２（より正確には、平坦化された第１面１１２）を研磨装置のプレート２００にホットメルト接着剤などによって固定し、該研磨装置によって研磨する工程を含みうる。第２平坦化工程では、例えば、研磨剤として１５μｍダイヤスラリーが使用されうる。その後、板状窒化物半導体結晶１１０は、プレート２００から取り外されて、エッチングされうる。エッチングは、例えば、１２０℃のＫＯＨ水溶液（例えば、４７％）に１０分間浸漬する工程を含みうる。
【００３９】
次いで、板状窒化物半導体結晶１１０の第１面１１２を更に平坦化する第３平坦化工程が実施されうる。第３平坦化工程は、例えば、板状窒化物半導体結晶１１０の第２面１１４（より正確には、平坦化された第２面１１４）を研磨装置のプレート２００にホットメルト接着剤などによって固定し、該研磨装置によって研磨する工程を含みうる。第３平坦化工程は、例えば、ダイヤスラリーを用いてなされる研磨と、その後のコロイダルシリカを用いてなされる研磨とを含みうる。以上の工程により、第１面１１２および第２面１１４が平坦化された窒化物半導体基板が得られる。
【実施例】
【００４０】
以上の方法で製造された窒化物半導体基板の反りは、第１面１１２の高低差で評価したところ、０．６μｍであり、第１面１１２の曲率で評価したところ、０．０６ｍ−１であった。一方、支持工程における第２工程を実施しないこと以外は上記と同様の方法で製造された窒化物半導体基板の反りは、第１面１１２の曲率で評価したところ、１．６ｍ−１であった。
【符号の説明】
【００４１】
１００ 窒化物半導体結晶
ＳＬ スライス面
ＮＬ 法線
ＣＳ 湾曲した切断面
１１０ 板状窒化物半導体結晶
１１２ 第１面
１１４ 第２面
１５０ ホットメルト接着剤
２００ プレート
２２０ 押し付け部材
１０ 空隙
２０ 周辺部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに反対側の面である第１面および第２面を有し、前記第１面の側が凸面をなし前記第２面の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶を準備する準備工程と、
前記板状窒化物半導体結晶の前記第２面の側をプレートに向け、前記第１面の側が凸面をなし前記第２面の側が凹面をなす状態で前記板状窒化物半導体結晶を前記プレートで支持する支持工程と、
前記プレートで支持された前記板状窒化物半導体結晶の前記第１面を平坦化する平坦化工程と、
を含むことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１面および／または前記第２面が矩形形状である、
ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記準備工程では、窒化物半導体結晶をスライスすることによって前記板状窒化物半導体結晶を得る、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記準備工程では、Ｃ面と非平行な切断面が形成されるように前記窒化物半導体結晶をスライスする、
ことを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持工程は、前記板状窒化物半導体結晶をホットメルト接着剤によって前記プレートに固定する工程を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記準備工程で準備される前記板状窒化物半導体結晶は、第１状態の反りを有し、
前記支持工程は、
前記第１状態の反りを有する前記板状窒化物半導体結晶の全面を前記プレートに押し付けることによって前記板状窒化物半導体結晶の反りを前記第１状態の反りよりも小さい第２状態の反りにしながら前記板状窒化物半導体結晶をホットメルト接着剤によって前記プレートに接着する工程と、
前記板状窒化物半導体結晶を前記プレートに押し付ける力をなくし又は該力を弱くするとともに、前記ホットメルト接着剤を加熱することにより流動状態とし、これにより、前記板状窒化物半導体結晶の反りを前記第２状態の反りよりも大きい第３状態の反りとし、その後、前記ホットメルト接着剤を硬化させる工程と、
を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項７】
窒化物半導体結晶をスライスすることによって、互いに反対側の面である第１面および第２面を有し、所定方向に沿った断面において前記第１面の側が凸面をなし前記第２面の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶を得る準備工程と、
前記板状窒化物半導体結晶の前記第２面の側をプレートに向けた状態で前記板状窒化物半導体結晶をホットメルト接着剤によって前記プレートに固定する固定工程と、
前記プレートに固定された前記板状窒化物半導体結晶の前記第１面を平坦化する平坦化工程とを含み、
前記固定工程では、前記板状窒化物半導体結晶の前記所定方向における中央部と前記プレートとの間には前記ホットメルト接着剤が存在しない空隙が形成され、前記板状窒化物半導体結晶の前記所定方向における周辺部が前記ホットメルト接着剤によって前記プレートに接着されるように、前記板状窒化物半導体結晶を前記プレートに固定する、
ことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１】
互いに反対側の面である第１面および第２面を有し、前記第１面の側が凸面をなし前記第２面の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶を準備する準備工程と、
前記板状窒化物半導体結晶の前記第２面の側をプレートに向け、前記第１面の側が凸面をなし前記第２面の側が凹面をなす状態で前記板状窒化物半導体結晶を前記プレートで支持する支持工程と、
前記プレートで支持された前記板状窒化物半導体結晶の前記第１面を平坦化する平坦化工程と、
を含むことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１面および／または前記第２面が矩形形状である、
ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記準備工程では、窒化物半導体結晶をスライスすることによって前記板状窒化物半導体結晶を得る、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記準備工程では、Ｃ面と非平行な切断面が形成されるように前記窒化物半導体結晶をスライスする、
ことを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持工程は、前記板状窒化物半導体結晶をホットメルト接着剤によって前記プレートに固定する工程を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記準備工程で準備される前記板状窒化物半導体結晶は、第１状態の反りを有し、
前記支持工程は、
前記第１状態の反りを有する前記板状窒化物半導体結晶の全面を前記プレートに押し付けることによって前記板状窒化物半導体結晶の反りを前記第１状態の反りよりも小さい第２状態の反りにしながら前記板状窒化物半導体結晶をホットメルト接着剤によって前記プレートに接着する工程と、
前記板状窒化物半導体結晶を前記プレートに押し付ける力をなくし又は該力を弱くするとともに、前記ホットメルト接着剤を加熱することにより流動状態とし、これにより、前記板状窒化物半導体結晶の反りを前記第２状態の反りよりも大きい第３状態の反りとし、その後、前記ホットメルト接着剤を硬化させる工程と、
を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項７】
窒化物半導体結晶をスライスすることによって、互いに反対側の面である第１面および第２面を有し、所定方向に沿った断面において前記第１面の側が凸面をなし前記第２面の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶を得る準備工程と、
前記板状窒化物半導体結晶の前記第２面の側をプレートに向けた状態で前記板状窒化物半導体結晶をホットメルト接着剤によって前記プレートに固定する固定工程と、
前記プレートに固定された前記板状窒化物半導体結晶の前記第１面を平坦化する平坦化工程とを含み、
前記固定工程では、前記板状窒化物半導体結晶の前記所定方向における中央部と前記プレートとの間には前記ホットメルト接着剤が存在しない空隙が形成され、前記板状窒化物半導体結晶の前記所定方向における周辺部が前記ホットメルト接着剤によって前記プレートに接着されるように、前記板状窒化物半導体結晶を前記プレートに固定する、
ことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−４９４４８（Ｐ２０１２−４９４４８Ａ）
【公開日】平成２４年３月８日（２０１２．３．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１９２３０７（Ｐ２０１０−１９２３０７）
【出願日】平成２２年８月３０日（２０１０．８．３０）
【出願人】（０００００５９６８）三菱化学株式会社 (4,356)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月８日（２０１２．３．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月３０日（２０１０．８．３０）
【出願人】（０００００５９６８）三菱化学株式会社 (4,356)
【Ｆターム（参考）】
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