【課題】本発明は、種結晶の反りや歪が、該種結晶上に成長された結晶に及ぼす影響を低減し、大型で低転位、低歪みの窒化物結晶を製造し得る方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、種結晶上に成長結晶をａ軸方向に成長させて窒化物結晶を得る窒化物結晶の製造方法であって、成長面として実質的にＡ面を出現させずに前記成長結晶を前記種結晶のａ軸方向に成長させることを特徴とする、窒化物結晶の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】従来の蛍石に比べてレーザ耐久性がより一層優れた蛍石を提供する。
【解決手段】蛍石の（１１１）面をエッチングして得られるエッチピットの分布において、各エッチピットを母点としてVoronoi図を定義したとき（Voronoi分割）のVoronoi領域の面積（「Voronoi面積」と記す）の標準偏差が６０００μｍ^２以下であるか、或いは、（１１１）面のエッチピットの分布をDelaunay分割した図形におけるDelaunay辺の距離の標準偏差が８０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】チッピングやクラック、剥離等を無くした、酸化ガリウム基板の提供と、酸化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム基板１６の（100）に対して90±5度で交わり、かつ(100)を除く面で構成される主面１５に対しても90±5度で交わり、さらに主面１５の中心点を通る法線を回転軸として、回転角度にして±5度の誤差内で、主面１５の周縁部に形成された第１のオリエンテーションフラット１４を形成し、更に酸化ガリウム基板１６の主面１５の中心点を対称点にして第２のオリエンテーションフラット１７を他方の主面周縁に形成し、酸化ガリウム基板１６の直径をWD、第１のオリエンテーションフラット１４と第２のオリエンテーションフラット１７のそれぞれの直径方向における奥行きをOLと表したとき、OLを0.003×WD以上0.181×WD以下の範囲に設定して、酸化ガリウム基板１６を作製する。 （もっと読む）

【課題】 偏光照明露光装置の偏光材料として要求される結晶性が良く、かつ、光を透過させる主軸方向が＜１００＞方向であるＭｇＦ_２単結晶体からなる光学部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法でＭｇＦ_２単結晶体を製造するに際し、種結晶体として、＜１００＞軸が、鉛直方向から＜００１＞方向に向かって７°乃至４５°、好ましくは７°乃至１５°傾いた種結晶体を用いる。傾けた種結晶体を用いることにより、育成される単結晶体の軸方向も同じ角度で傾いたものとなるが、このようにして育成された単結晶体の結晶性は、育成方向を＜００１＞軸方向とした場合と遜色ない結晶性を示す。また育成方向を＜００１＞軸方向とした場合に比べて、｛１００｝面からなる平行２面を有する板状体の取得効率がよい。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族−窒化物ウェハーの生成方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族−窒化物の結晶を成長させるための方法であって、以下の工程：
（ａ）熱アンモニア法により、元の種結晶上でＩＩＩ族−窒化物のインゴットを成長させる工程；
（ｂ）該インゴットからウェハーをスライスする工程；
（ｃ）該元の種結晶の窒素極側から取り出したウェハーを、引き続く熱アンモニア法によるインゴットの成長のための新しい種結晶として用いる工程；
を包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に、不規則な反りが発生しない大口径サファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、サブグレインや気泡のない直胴部の直径が１５０ｍｍ以上のｃ軸方位サファイア単結晶体を育成し、これを水平方向に切断・基板加工することにより、平面方向の応力分布が同心円状を呈した６インチ以上の大口径サファイア単結晶基板を得る。この基板は窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に発生する基板の反りが規則的な碗型であり、窒化物系化合物の膜厚や膜組成を容易に均一に制御できるため、ＬＥＤの歩留まり向上に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】低コストで板形状を制御した基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に従った基板の製造方法は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるインゴットを準備する工程としてのインゴット成長工程（Ｓ１１０）と、インゴットをスライスして窒化ガリウムからなる基板を得る工程としてのスライス工程（Ｓ１２０）とを備える。スライス工程（Ｓ１２０）では、スライス後の基板の主表面の算術平均粗さＲａが１０ｍｍ線上で０．０５μｍ以上１μｍ以下となっている。スライス工程（Ｓ１２０）では、主表面における算術平均粗さＲａ、最大高さＲｚ、十点平均粗さＲｚｊｉｓのうちの少なくとも１つについて、ワイヤソーを用いてスライス加工したときのワイヤソーの延在方向に沿った方向で測定した値よりワイヤソーの延在方向に垂直な方向で測定した値の方が大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 軸オフのウェーハを得るための従来技術において、より大きな結晶は、一般に結晶の垂線から離れて配向され、ついで軸オフの種結晶を産生するためにウェーハが配向方向に向かって切断される。垂線から離れて結晶を配向することは、結晶と同じサイズのウェーハを切断するために利用可能な有効な層厚を低減する。
【解決手段】 半導体結晶および関連する成長方法が開示される。結晶は、種結晶部分と、種結晶部分上の成長部分とを含んでいる。種結晶部分および成長部分は、実質的に直立した円筒形の炭化ケイ素の単結晶を形成する。種結晶面は、成長部分と種結晶部分との間の界面を規定し、種結晶面は、直立した円筒形の結晶の基部に実質的に平行であり、単結晶の基底平面に関して軸オフである。成長部分は、種結晶部分のポリタイプを複製し、成長部分は、少なくとも約１００ｍｍの直径を有する。 （もっと読む）

【課題】円板形状の面内周波数のばらつきを軽減する水晶ウェハを提供する。
【解決手段】所定の厚みを有し、３回対称性であり、Ｘ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）、Ｚ軸（光軸）の結晶軸を有する水晶からなる板状の水晶ウェハ１０であって、直径が１インチ以上であり、＋Ｘ軸と直交する平面を＋Ｘ面としたとき、基本形状を円形とし、その円形のうち、＋Ｘ軸と平行となる半径に対して直交する＋Ｘ面に平行となる方向にオリフラ面１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】異方位結晶や異種多形結晶が少なく、かつ、大口径の｛０００１｝面基板を切り出すことが可能なＳｉＣ単結晶及びその製造方法、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から切り出されるＳｉＣウェハを提供すること。
【解決手段】ａ面成長を繰り返して｛０００１｝面口径の大きいＳｉＣ単結晶を製造する場合において、成長面の総面積（Ｓ₂）に対するＳｉ面側ファセット領域の面積（Ｓ₁）の割合Ｓ_fcaet（＝Ｓ₁×１００／Ｓ₂）が２０％以下に維持されるように、ＳｉＣ単結晶をａ面成長させる。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、結晶基板の表面層の不均一歪みが１３０ａｒｃｓｅｃ以下であり、均一歪みと不均一歪みとは、それらの一方が小さくなるほど他方が小さくなる関係を有し、結晶基板の主表面１ｓの面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】基底面転位が高度に配向しているＳｉＣ単結晶、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】基底面転位の直線性が高く、基底面転位が結晶学的に等価な３つの＜１１−２０＞方向に配向している１又は２以上の配向領域を有するＳｉＣ単結晶、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイス。このようなＳｉＣ単結晶は、｛０００１｝面最上位部側のオフセット角が小さく、かつオフセット方向下流側のオフセット角が大きい種結晶を用い、この種結晶の上に新たな結晶を成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶軸方位が［１１０］でエピタキシャル成長処理を行った場合にエピタキシャル層表面のヘイズの発生を抑制できるシリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを切り出すシリコンウェーハの製造方法であって、中心軸が［１１０］結晶軸に対して０．６°〜１０°傾斜したシリコン種結晶をシリコン融液に浸漬させ、中心軸が［１１０］結晶軸に対して０．６°〜１０°傾斜したシリコン単結晶を育成し、育成されたシリコン単結晶から、表面が（１１０）面に対して０．４６°〜０．４８°傾斜したシリコンウェーハを切り出すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】水平ボート法を用いて形成されたインゴットから十分な薄さの化合物半導体基板を低コストで得ることが可能な化合物半導体単結晶基板の製造方法および当該化合物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶基板の製造方法は、（１１１）方向に水平ボート法を用いて形成された化合物半導体からなる単結晶インゴット１を準備する工程と、当該インゴット１を治具により固定する工程と、治具により固定されたインゴット１を、ワイヤソーを用いて（１００）±７°または（５１１）±７°の面方位で、ワイヤソーのワイヤ７を（０１−１）方向に往復に送りながら、治具により固定されたインゴット１をワイヤ７の往復方向と直行する方向に上昇させて、ワイヤ７を用いてスライスする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物単結晶基板の反りや粒界生成を抑制することである。
【解決手段】バルク状単結晶は、針状種結晶と、この針状種結晶の側面から成長している窒化物単結晶とを有する。針状種結晶の幅に対する長さの比率が５以上であり、窒化物単結晶のｃ軸が針状種結晶の主軸と略平行である。バルク状単結晶を加工して窒化物単結晶基板を得る。 （もっと読む）

【課題】デバイス作製に供用可能なウェハ面積部分を増大し、かつ大口径化に伴って増大する加工負荷を回避できる炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】ウェハの特定の方位端に総面積の小さい加工欠損部、あるいは非対称な形状を有するノッチ状の加工欠損部を有する炭化珪素単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【目的】
原子レベルで平坦な表面を有し、シリカやシリケート等の表面付着のない基板処理方法を提供する。
【解決手段】
ＥＤＴＡキレート化合物とＥＤＡとの混合溶液を用いて化合物単結晶基板の加工変質層をエッチングして除去する第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程後、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によりエッチングを行う第２のエッチング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】量産に用い得る厚さと面積を確保しながら、容易な生産方法でかけやわれの発生を抑制してオリエンテーションフラットを形成することを目的とする。
【解決手段】窒化ガリウム結晶体２７から、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４を陵線等に平行に除去することで、欠けや割れの発生を抑制した窒化ガリウム基板を提供できる。しかも、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物１４の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体２７の切断線２１をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ガリウム極性面の粗研磨実施後の精密研磨実施中のクラック発生率を低下させることができる窒化ガリウム基板を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ成長装置１内にある基板ホルダ３に基板１１をセットする。反応炉内は常圧とし、ヒータ４により基板１１を加熱、昇温させる。初期核は、反応ガス導入管５によりＮＨ3ガスをキャリアガスであるＮ2ガスと共に導入し、金属Ｇａ６が載置された原料載置室７を有する反応ガス導入管８によりＧａＣｌガスをキャリアガスであるＮ2ガスとＨ2ガスと共に導入して、成長させる。初期核の形成後は、ＧａＣｌガス分圧とＮ2ガス分圧を高くした以外は初期核を形成した条件で結晶成長させる。得られる窒化ガリウム基板は、窒素極性面側の結晶成長時に平坦に成長した領域とファセット成長した領域との段差が７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶インゴットからコアドリルを用いて結晶方向と所望の角度をなす結晶方位の円柱状ブロックを採取する方法において、コアビットの刃先部がインゴットから逃げたり、ブレることなくスムースに切り込み始め、くり抜き終了近くでインゴットに欠けやひび割れ等を生ずることがないようにする。
【解決手段】インゴット２７までの距離を計測し、最短距離と最長距離の間を三区分する。コアビット１３の送り量は送りモータ１６のエンコーダ１７から回転数を読取ることにより求める。制御装置２９は送りモータ１６を制御し、刃先部１２の送り量が前記最短距離に達して切り込みを行う区分まではコアビット１３の送りを低速に、次の区分においては低速ではあるが、送り速度を上げ、最後の区分においては更に送り速度を上げる。全ての刃先部１２がインゴット２７に切り込んだのちは、高速送りを行い、くり抜き終了近くで低速送りとする。 （もっと読む）