【課題】被研磨物保持材に対するドレッシング時間の短縮、被研磨物へのスクラッチ抑制、薄肉基板における反り精度、板厚精度及び使用寿命を向上させた経済的にも有利な被研磨物保持材を提供する。
【解決手段】金属板、繊維強化プラスチック板、プラスチック板の何れかの板状材料４の基層からなる両面に、熱硬化性接着剤を介して、液晶ポリマーフィルム１層を接合してなる被研磨物保持材、または、複数枚の熱硬化性樹脂を含浸させたガラス長繊維基材２（プリプレグ）の両面に液晶ポリマーフィルム１層を積層してなる被研磨物保持材。 （もっと読む）

【課題】高精度な研磨を高効率よく、かつ低コストで行える複合砥粒の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の複合砥粒の製造方法は、無機粒子からなる無機粉末と有機粒子からなる有機粉末とを混合して混合粉末とする混合工程と、この混合粉末を加熱しつつ混練する加熱混練工程とを備え、有機粒子の表面に無機粒子が付着した複合砥粒が得られることを特徴とする。ここで、例えば、無機粒子はセリア粒子であり、有機粒子はポリマー粒子である。この製造方法により得られる複合砥粒を用いると、セリア粒子のみからなる砥粒を用いた場合と同等の良好な表面粗さを確保しつつ、高い研磨レートの研磨を行うことができる。しかも本発明の複合砥粒によれば、稀少なレアアースを含むセリア粒子の使用量を抑制でき、砥粒ひいては研磨スラリー等の低コスト化や供給安定性を図れる。 （もっと読む）

【課題】ディンプルの形状を簡単に調整することができるディンプル成形バニシング工具を提供する。
【解決手段】後端側を加工機に装着して回転させるマンドレル（３０）と、このマンドレルの先端側に回転自在に外嵌され、マンドレルの回転に従動する転動体（４１）および押圧体（４２）を保持する筒状のフレーム（４０）とを有し、フレームをワークの内周面に挿入して、マンドレルを回転させることにより、ワークの内周面にディンプルを成形するディンプル成形バニシング工具において、マンドレルは、転動体をフレームの径方向へ出没させることなく回転させる転動体回転部（３３ｂ）と、押圧体をフレームの径方向へ出没させつつ回転させる押圧体出没回転部（３３ａ）とから成るディンプル調整機構を備えている。 （もっと読む）

【課題】反りが小さい六方晶系半導体板状結晶を効率良く製造する方法を提供すること.
【解決手段】結晶切断用ワイヤーにより六方晶系半導体結晶を切削して板状結晶を製造する方法であって、前記六方晶系半導体結晶に対して２５°＜ α ≦ ９０°およびβ ＝ ９０°±５°［αは六方晶系半導体結晶のｃ軸とワイヤーにより切り出される結晶面の法線とがなす角度であり、βは六方晶系半導体結晶のｃ軸をワイヤーにより切り出される結晶面上に垂直投影した基準軸と切削方向とがなす角度である。］の各条件を満たすように前記結晶切断用ワイヤーを移動させて切削することを特徴とする六方晶系半導体板状結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】生産性を損なうことなく、研磨後の基板表面のスクラッチやうねりを低減できる研磨液組成物、並びにこれを用いた基板の製造及び研磨方法の提供。
【解決手段】研磨材、水溶性重合体、及び水を含有する研磨液組成物であって、前記水溶性重合体が、スルホン酸基を有し、主鎖及び側鎖のそれぞれに芳香族環を有する研磨液組成物。前記研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして研磨する工程を含む、基板の製造方法及び研磨方法。 （もっと読む）

【課題】研磨レートを確保し被研磨物に対するスクラッチを抑制することができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１０は、湿式凝固法により、流動開始温度が１５０〜２２０℃の範囲のポリウレタン樹脂で形成されたウレタンシート２を備えている。ウレタンシート２は、一面側に、凸部５と、凸部５の間に形成された凹部６とを有している。凸部５の表面が研磨面Ｐを構成している。凸部５には、平均孔径が３０μｍ以下の多数の細孔４が形成されている。凸部５の表面では、細孔４が開孔しており、開孔４ａが形成されている。凹部６では、細孔４より小さい微細孔４ｓが形成されており、表面の開孔が凸部５の細孔４より縮径ないし閉塞されている。ウレタンシート２では、厚み方向に長さを有する気泡の開孔が無形成となり、凹部６により研磨液が循環供給され研磨屑が排出される。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク用基板を研磨する用途での使用により適した研磨用組成物を提供する。
【解決手段】研磨用組成物は、コロイダルシリカのような砥粒と、クエン酸やオルトリン酸のような酸と、過酸化水素のような酸化剤と、ベンゾトリアゾールのようなアゾール類及びその誘導体から選ばれる化合物とを含有してなる。研磨用組成物は、磁気ディスク用基板を研磨する用途で好適に使用される。 （もっと読む）

【課題】シームの発生を抑制することが可能なＣＭＰ研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＭＰ研磨液は、ｐＨが２．８〜４．０であり、酸化金属溶解剤、金属防食剤、酸化剤を含有する。本発明に係る研磨方法は、表面に隆起部及び溝部を有する層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の表面に追従して設けられたバリア層と、該バリア層を被覆するように設けられた導電性物質層と、を有する基板における導電性物質層を研磨して層間絶縁膜の隆起部上に位置するバリア層を露出させる第１の研磨工程と、第１の研磨工程により露出したバリア層を上記ＣＭＰ研磨液を用いて研磨して層間絶縁膜の隆起部を露出させる第２の研磨工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】深いキズのついた塗装面を研磨１工程で鏡面仕上げでき、研磨ツールであるポリッシャの操作が容易で、かつ研磨時の塗装表面の温度上昇を抑制できる塗装面の鏡面仕上げ方法を提供することである。
【解決手段】ポリッシャの研磨力で粉砕されて微粒子化しやすくモース硬度が２〜６の研磨砥粒を含む研磨剤を使用し、長さを１０〜３０ｍｍに設定した羊毛を密集させて円板状の基板に植設したウールバフを、又は長さを１０〜３０ｍｍに設定したポリエステルからなる細線形状物を密集させて円板状の基板に植設した細線形状物植設バフをバフ貼着ベース部に貼着させたダブルアクションポリッシャにより、塗装表面を研磨して鏡面を形成する研磨工程を含む工程からなることを特徴とする塗装表面の鏡面仕上げ方法をすることによって課題を解決できた。 （もっと読む）

【課題】研磨砥粒を固まらせることなく研磨液を研磨装置の研磨パッドに供給することができる研磨液供給装置を提供する。
【解決手段】底壁と天井壁および側壁とを有する研磨液収容タンクと、研磨液収容タンク内に収容された研磨液を研磨装置に供給する研磨液送給手段とを具備する研磨液供給装置であって、研磨液収容タンクを構成する少なくとも壁の内面に付着した研磨液を洗い流す洗浄水を噴射する洗浄手段を具備している。 （もっと読む）

【課題】研磨初期段階でウェーハ表面に生じるスクラッチを低減することで、研磨終了後のウェーハ表面のスクラッチも効果的に低減することが可能なウェーハの片面研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明のウェーハの片面研磨方法は、半径ｒのウェーハＷを研磨プラテン１２の表面に固定された研磨布１１に押しつけ、研磨液を供給しながら研磨ヘッド１０および研磨プラテン１２を回転させることにより、ウェーハＷの被研磨面に研磨加工を施す、ウェーハの片面研磨方法であって、ウェーハＷの回転中心Ｏ_１の初期位置が、研磨プラテン１２の回転中心Ｏ_２からの距離Ｐが０≦Ｐ＜ｒである研磨プラテンの中央領域１２ａ内である配置の下に、研磨加工を開始する工程と、ウェーハの回転中心Ｏ_１を初期位置から研磨プラテン１２の径方向外側へ移動させつつ、研磨加工を継続する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、処理の終点に対する検出精度を向上させることができる処理の終点検出方法および処理の終点検出装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る処理の終点検出方法は、被処理物の処理に伴って時間とともに変化する検出情報を所定の期間収集して単位空間を定義し、前記単位空間を構成する検出情報について平均値と、標準偏差と、を求める。そして、以下の（９）式に基づいて終点検出の判定対象となる検出情報を基準化し、以下の（１０）式に基づいて距離を求め、前記距離に基づいて処理の終点を検出する。
Ｘｔ＝（Ｘ−Ｘｍ）／σｍ ・・・（９）
Ｄ^２＝Ｘｔ^２ ・・・（１０）
ここで、Ｘｍは前記単位空間における平均値、σｍは前記単位空間における標準偏差、Ｘは前記終点検出の判定対象となる任意の時間における検出情報、Ｘｔは基準化された検出情報、Ｄ^２は距離である。 （もっと読む）

【課題】支持体の長手方向範囲全体に亘ってクリーニング液の均一な分配及び有効な利用を保証する。
【解決手段】装置長手方向軸線（Ｌ）に対して平行に配置された２つの区域を有しており、上側の区域はアダプタ区域１として構成されており、アダプタ区域１によって装置を機械機器に結合することができ、下側の区域は保持区域２として構成されており、保持区域２は、周囲で閉鎖された又は閉鎖可能なチャネルシステムの、チャネル１１として提供された部分を有しており、チャネルシステムに、閉鎖可能な供給開口５によってフラッシング液を供給することができ、チャネル１１の底部は、フラッシング液のための通過開口１５を提供するために基板ブロック１３Ａ，１３Ｂの切断中にスロット状の形式で開放させられ、チャネル１１は、装置長手方向軸線（Ｌ）に沿って複数の区域１１Ａ，１１Ｂに細分されている。 （もっと読む）

【課題】（ａ）固体粒子に由来する研磨傷の発生、（ｂ）ディッシング、エロージョン等の平坦性悪化の発生、（ｃ）研磨後の基板表面に残留する研磨粒子を除去するための洗浄工程の複雑性、（ｄ）固体砥粒そのものの原価や廃液処理に起因するコストアップ等の問題を解決し、かつ高いＣｕ研磨速度でＣＭＰ可能な金属用研磨液及びこれを用いた被研磨膜の研磨方法を提供する。
【解決手段】金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及び重量平均分子量が８０００以上のアニオン性官能基を有する水溶性ポリマを含有し、ｐＨが１以上３以下である金属用研磨液並びに研磨定盤の研磨布上に前記の金属用研磨液を供給しながら、被研磨金属膜を有する基板を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に動かして研磨する。 （もっと読む）

【課題】下地層の上の上層膜のみを選択的に除去することができ、基板上のデバイスにダメージを与えず、さらには研磨痕を低減することができる効率のよい研磨方法を提供する。
【解決手段】この研磨方法は、基板Ｗの周縁部と研磨テープ１とを摺接させる工程と、基板Ｗの周縁部に接触している研磨テープ１に研磨液を供給する工程とを含む。研磨テープ１は、基材テープと、該基材テープ上に形成された固定砥粒とを有している。研磨液は、立体障害を起こす分子を含む添加剤と、アルカリ性薬液とを含んだアルカリ性研磨液である。 （もっと読む）

【課題】 ステンレス鋼スラブの表面をグラインダーによって手入れするにあたり、研削バリの除去作業を設けなくても、製品の表面品質を確保することができる、生産性に優れた表面手入れ方法を提供する。
【解決手段】 熱間圧延時にスラブ幅が圧下されるステンレス鋼スラブをグラインダーによって手入れする方法において、回転方向がスラブ長手方向に対して傾斜したグラインダー砥石２を、固定したスラブ１の一方の端部から他方の端部に向かって移動させて研削し、スラブ端部に到達したなら、グラインダー砥石を１回の研削面の幅に相当する長さ分またはそれよりも少ない長さ分だけ幅方向にずらし、当該砥石を前回の移動方向とは逆方向に移動させて表面を研削し、この操作を反復繰り返しする表面手入れ方法であって、グラインダー砥石の回転方向下流側に位置するスラブコーナー部は、研削を行わずに未研削のままとする。 （もっと読む）

【課題】本発明はガラス基板を吸着する際の痕跡を減少させることを課題とする。
【解決手段】被研磨体吸着治具１０は、シリンダ６０と、操作部材７０と、バネ部材８０と、台座９０と、吸着パッド１００とを有する。操作部材７０は、被押圧操作部７８が押圧操作されていないとき、被押圧操作部７８がバネ部材８０のバネ力によりシリンダ６０のシリンダ室６２より上方に突出する上動位置（負圧停止位置）に保持されている。そして、操作部材７０は、被押圧操作部７８がバネ部材８０のバネ力に抗して下方に押圧操作されると、第２の連通孔７６が負圧導入孔６４に連通され、吸着パッド１００の吸着面に負圧を導入する。また、操作部材７０の押圧操作が解除されると、バネ部材８０のバネ力により上動して第１の連通孔７４が大気導入孔６６に連通される上動位置に復帰する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板製造の歩留まりを向上可能なワークキャリアを提供する。
【解決手段】本発明を例示する態様は、上下対向して相対回転される上定盤と下定盤との間に挟持されて研磨される板状のガラス基板Ｗを保持するガラス研磨用のワークキャリアである。このワークキャリア５０は、ガラス基板Ｗが収容されるワーク保持孔の内壁面５３に、ガラス基板Ｗの側面と内壁面５３との当接を防止しつつガラス基板Ｗをワーク保持孔内に保持するワーク保持片５５を備え、このワーク保持片５５が超高分子量ポリエチレンにより形成される。 （もっと読む）

【課題】低い弾性回復を有し、顕著な被弾性を呈する研磨パッドを提供する。
【解決手段】半導体デバイス又は前駆体の表面を研磨するための、及び半導体ウェハ上の金属ダマシン構造を平坦化するための研磨パッド及び研磨方法であり、パッドの研磨層は、約４０〜７０ショアＤの硬度、約１００〜２，０００MPaの４０℃での引張弾性率、及び約１〜５の３０℃−９０℃でのＥ′の比を有し、約２５℃の周囲温度でパッドを脱イオン水に２４時間浸漬したとき、パッドの各線寸法は約１％未満変化し、パッドの硬度は約３０％未満減少する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の裏面研削砥石の寿命を低下させない保護フィルム貼付半導体基板を得るエッジ研磨装置の提供。
【解決手段】 回転軸４ａに軸承されたカム状フレーム４ｂに、ストップピン４ｃ、半導体基板のエッジ部に前記研磨テープＴの研磨面を当接するとともに供給リール２より供給された研磨テープを表面滑走させるシリコンゴムスポンジ製当て板４ｄ、この当て板を挟んで離間して設けた一対の第一研磨テープ送りローラ４ｅと第二研磨テープ送りローラ４ｆ、前記第一エンジニアリング樹脂製研磨テープ送りローラの背面に設けられ巻取リール３側に研磨テープを返送する第三研磨テープ送りローラ４ｇを設けた研磨ヘッド４を備える半導体基板のエッジ研磨装置１。 （もっと読む）