【課題】ＣＭＰ法により、金属膜を研磨して、層間絶縁膜に設けられた開口部内に導体パターンを形成する際、リセス、ディッシング、及びエロージョンを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ法により、層間絶縁膜１４の上面よりも上方に形成された金属膜１９及びバリア膜１８を除去することで、開口部内に、バリア膜１８及び金属膜１９よりなる導体パターンを形成する研磨工程と、を有し、該研磨工程では、層間絶縁膜１４の上面が露出する前に、金属膜１９の研磨レートと層間絶縁膜１４の研磨レートとの差が小さい研磨条件を用いて研磨を行なうことで、導体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】無色透明硫化亜鉛の変色を生じさせそしてその性能を低下させる不純物を実質的に含まない向上した品質の多スペクトル無色透明硫化亜鉛を得る。
【解決手段】硫化亜鉛を保持するチャックをコーティングし、かつ硫化亜鉛をコーティングされていない粒子で機械加工することにより、金属汚染物質が低減された低散乱無色透明硫化亜鉛が製造される。不活性ホイルは酸クリーニング方法でクリーニングされ、また硫化亜鉛もクリーニングする。硫化亜鉛は不活性化ホイルに包まれ、次いでＨＩＰプロセスによって処理されて、低散乱無色透明硫化亜鉛を提供する。この低散乱無色透明硫化亜鉛は窓およびドームのような物品に使用されうる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の被加工物に対して研磨残りが発生するのを防止すること。
【解決手段】研磨装置は、その表面に研磨パッドが装着された定盤と、上記の研磨パッドに対向する側の面に吸着面２１Ｓを有するヘッド２０を備える。さらにヘッド２０は、真空吸着用の第１系統及び第２系統の各流路３１（２５）、３２（２６）と、各流路からそれぞれ吸着面２１Ｓまで通じる複数の吸着孔３３，３４とを有する。さらに研磨装置は、第１系統及び第２系統の各流路３１（２５）、３２（２６）を選択的に切り替えて有効にする流路切替手段４０，４１，４２を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に対する研磨速度を向上させることが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、水及び砥粒を含み、砥粒が、第１の粒子を含むコアと、該コア上に設けられた第２の粒子と、を有する複合粒子を含有し、第１の粒子がシリカを含有し、第２の粒子が水酸化セリウムを含有し、ＣＭＰ研磨液のｐＨが９．５以下である。 （もっと読む）

【課題】
ガラスに対して高い研磨速度を持ち、研磨することによる傷も発生しない、安価な遊離砥粒研磨用研磨剤を提供すること。
【解決手段】
平均２次粒子径が１から３μｍであり、２次粒子径１０μｍ以上が無く、２次粒子形状が球状又は等軸状である砥粒であり、造粒したＭｎ_３Ｏ_４を温度８００℃から１０００℃で焼成させたものであるＭｎ_２Ｏ_３砥粒からなる遊離砥粒研磨用研磨剤はガラスに対して高い研磨速度を有し、研磨による傷発生も無いことから、ガラスに対する研磨性能に優れる。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ²面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】ドレッシングしたときに、金属成分の溶出が少なく、かつ砥粒の脱落が抑制されたドレッサーを提供する。
【解決手段】樹脂製支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着された研磨布用ドレッサーであって、前記樹脂製支持材と前記砥粒との間には金属層が存在し、前記樹脂製支持材に接する側の前記金属層の表面は凹凸部を有することを特徴とする研磨布用ドレッサーを提供する。好ましくは、金属層は前記樹脂製支持材と前記砥粒との間のみに存在している。 （もっと読む）

【課題】高い除去速度で選択的に相変化物質の除去ができ、その一方でまた、総欠陥及びＴｅ残査欠陥の減少をもたらす、新規なケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）組成物を開発する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；フタル酸、フタル酸無水物、フタラート化合物及びフタル酸誘導体の少なくとも一種；キレート化剤；ポリ（アクリル酸−ｃｏ−マレイン酸）；及び酸化剤を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、ここで、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する方法である。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の下記式（１）で求められるハードセグメントの含有率（ＨＳＣ）が２６〜３４％の範囲内であり、且つ、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。
ＨＳＣ＝１００×（ｒ−１）×（Ｍｄｉ＋Ｍｄａ）÷（Ｍｇ＋ｒ×Ｍｄｉ＋（ｒ−１）×Ｍｄａ） ・・・（１） （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体は、Ｍ成分のスピン−スピン緩和時間Ｔ２が１６０〜２６０μｓであり、
前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の４０℃、初期荷重１０ｇ、歪範囲０．０１〜４％、測定周波数０．２Ｈｚ、引っ張りモードにおける貯蔵弾性率Ｅ’が１〜３０ＭＰａであり、且つ、
前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の縦弾性係数Ｅが４５０〜３００００ｋＰａの範囲内であり、且つ、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】 復元性に優れ長期使用でも「へたり」が少なく、研磨対象物の装着にエアーが残留することがなく、研磨対象物との吸着性が良好で、軽くて取り扱い易いバッキング材を提供する。
【解決手段】 定盤に固定し研磨対象物を保持するバッキング材において、５０％圧縮時の応力が０．０２〜０．１３ＭＰａである樹脂発泡体Ａの片面に、長径が７μｍ以下の微細な開孔を有する連続通気型発泡ウレタンシートＢを貼着し、樹脂発泡体Ａの他片面で定盤に固定し、連続通気型発泡ウレタンシートＢの片面で研磨対象物を保持する。 （もっと読む）

【課題】本発明は研磨用キャリアを構成する繊維からガラス基板を保護することを課題とする。
【解決手段】研磨用キャリア２０Ａは、繊維質シート体３０と、シート体３０に含浸される樹脂製含浸体４０とを積層した複合材料により成型される。繊維質のシート体３０は、繊維３２と樹脂製含浸体４０とを積層してなり、繊維３２の繊維質シート体３０を複数枚積層したものである。研磨用キャリア２０Ａは、樹脂材料のみにより形成された保持穴緩衝領域５０と、繊維質シート体３０と樹脂製含浸体４０により形成された保持穴補強領域６０とを有する。保持穴緩衝領域５０は、ガラス基板保持穴２１の内周壁面２５に複数の凹部２６が配されており、繊維が存在しないため、弾性変形しやすい。また、凹部２６は、内周壁面２５から外側の所定距離の範囲Ｌａ内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 板状物の外周に欠けを生じさせることなく、被研磨面の平坦度を悪化させることのない研磨方法を提供することである。
【解決手段】 板状物の裏面を板状物の直径より大きな半径の研磨面を有する研磨パッドで研磨する板状物の研磨方法であって、板状物を保持する保持面を有するチャックテーブルで板状物の表面側を保持する保持ステップと、該チャックテーブルで保持された板状物の裏面全面を該研磨パッドの研磨面で覆った状態で、該研磨パッドが装着されたスピンドルを回転させて板状物を研磨する研磨ステップとを具備し、該研磨ステップでは、該研磨パッドの回転中心から外側に向かって該研磨面と該保持面とが離反する方向に相対的に傾斜するように該スピンドルの回転軸と該チャックテーブルの回転軸とを相対的に傾斜させて研磨を実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドリルと砥石との相対位置検出時にドリルと砥石との衝突による損傷を防止する。
【解決手段】既定方向に移動自在に設けられかつ被加工材となるドリルＷが把持されるチャックを有する主軸１と、既定方向に移動自在に設けられて主軸に把持されたドリルの先端にホーニングを形成するための加工を施す砥石４と、これら主軸と砥石とを既定方向に移動させるための駆動機構と、を具備する。主軸と一体に設けられてチャック内にあるドリル取り付け軸線と平行な位置関係に配置された計測用プローブ３と、主軸の移動範囲内に配置されてチャックに把持されたドリル及び計測用プローブを撮影する撮影カメラ２０，２１と、撮影カメラからのドリル及び計測用プローブの撮像情報並びに駆動機構からの駆動情報を取得し、それらの情報を基に、砥石によるドリルの先端にホーニングを形成する情報を駆動機構に発する制御手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】表面粗さが小さく平滑性の高いハードディスク用ガラス基板を安定して製造すること。
【解決手段】研磨砥粒を含む研磨液を用いてハードディスク用ガラス基板５０の表面を研磨する研磨工程を含むハードディスク用ガラス基板５０の製造方法において、研磨工程では、研磨液中の研磨砥粒の電荷と同じ符号の電荷を付与した研磨液貯留タンク１５，１７を用いる。研磨液のｐＨは１〜５である。研磨砥粒はコロイダルシリカであり、コロイダルシリカをマイナス帯電させた研磨液を用いる。研磨液貯留タンク１５，１７は樹脂製である。研磨工程は、研磨液を循環使用する循環使用工程と、この循環使用工程の後、研磨液を掛け流し使用する掛け流し使用工程とを含み、掛け流し使用工程において、電荷を付与した研磨液貯留タンク１７を用いる。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤおよび表面粗さを低減可能な研磨用組成物。
【解決手段】下記一般式（１）で表される少なくとも１種類の水溶性高分子と、アルカリとを含む。水溶性高分子は、例えば、変成ＰＶＡからなる。
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【課題】高さが数十ｎｍ、大きさが数十ｎｍ〜２０００ｎｍの凸状欠陥の発生を抑制できるマスクブランク用ガラス基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて両面研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨砥粒は、コロイダルシリカ砥粒を含み、研磨前の基板の濡れ性（接触角）は、θ／２法で測定したとき２０°未満である状態で前記研磨を行う、ことを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主平面を、酸化セリウム砥粒を使用することなくかつ高い研磨速度で研磨して、加工の際に生じたキズやクラック等を除去し、平滑な主平面を有する磁気記録媒体用ガラス基板を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】この磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、形状付与工程と、主平面研削工程と、主平面研磨工程とを備える。そして、主平面研削工程は、平均粒径０．０１μｍ〜１５μｍのダイヤモンド砥粒を有する固定砥粒工具を用いて研削する固定砥粒研削工程を有し、主平面研磨工程は、シリカ粒子、ジルコニア粒子等の酸化セリウム粒子以外の平均粒径５ｎｍ〜３０００ｎｍの砥粒を含む研磨液と、研磨パッドを用いて研磨する第１の研磨工程と、その後平均粒径が５〜５０ｎｍのシリカ砥粒を含む研磨液と研磨パッドを用いて研磨する第２の研磨工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】安価かつ簡素な構成であるにも拘わらず、ワークおよびキャリアプレートを定盤上で定盤半径方向の内外周全域に揺動させる揺動機構を採用し、定盤あるいは研磨布の全面を研磨領域として均一に磨耗させることで定盤あるいは研磨布面に段差を発生させないようにしてワークへの悪影響を防止するとともに、ワークの外周側と内周側の研磨レートの均一化や、定盤あるいは研磨布の延命化を図る片面研磨装置を提供する。
【解決手段】回転する定盤１０１の内外周の速度差によりワーク１０とともにキャリアプレート１０２を回転させ、センターローラ１１１に追従ローラ１１０が追従してガイドアーム１０９が揺動され、センターローラ１１１とガイドローラ１０９とにより位置決めされているキャリアプレート１０２がガイドアーム１０６とほぼ一体となって定盤半径方向へ揺動される片面研磨装置１００とした。 （もっと読む）