【課題】ディッシング、エロージョンを抑制し、平坦性を維持したままで、バリア膜、絶縁膜を同時に高速に研磨できる化学的機械的研磨組成物を提供する。
【解決手段】炭素数７〜１３のジカルボン酸、酸化剤、砥粒、及び水を含有する、化学的機械的研磨組成物とする。この研磨組成物は好ましくは、２〜４又は８〜１２のｐＨ値を有する。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの表面を基準にドレッシングするための適度な弾性を有しつつ、長期に亘って交換することなく使用することができるようにする。
【解決手段】支持部３２の下端には、束線バンド３５で束ねられた弾性部材３１が取り付けられている。弾性部材３１は、線径が０．１５ｍｍで長さ２５ｍｍのタングステン線が３０本ずつ１束に束ねられて構成されている。また、弾性部材３１の各素線の先端部は丸切りのまま研磨パッド２０に接触して研磨パッド２０のドレッシングを行うようになっている。弾性部材３１の各素線の先端部の線径を細くして研磨パッド２０の切削幅を小さくすると共に、弾性部材３１の各素線を束線バンド３５で束ねることによって弾性部材３１の剛性を高め、各素線の細い先端部に大きな圧力がかかるようにしている。従って、弾性部材３１の先端部は研磨パッド２０に有効な切り込み深さを与えることができる。 （もっと読む）

【課題】切削予定ライン同士が平行でない被加工物を、二つの加工手段を使用して加工する方法を提供する。
【解決手段】互いに平行ではない複数の加工予定ラインを有する加工方法であって、被加工物を保持する保持ステップと、保持テーブルを回転させて複数の加工予定ラインのうちの第１の加工予定ラインをＸ軸方向と平行に位置づける位置付けステップ（Ｓ１７）と、第１加工手段を第１の加工予定ラインに割り出し送りし、被加工物を一端から他端に向かって往路加工する往路加工ステップ（Ｓ１８）と、保持テーブルを僅かに回転させて第２の加工予定ラインをＸ軸方向と平行に位置付ける角度微調整ステップ（Ｓ１９）と、第２加工手段を第２の加工予定ラインに割り出し送りし、更に被加工物を第１の加工送り方向と反対の第２の加工送り方向に加工送りしながら、第２加工手段で被加工物を復路加工する復路加工ステップ（Ｓ２０）と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ラッピング装置、研削装置、または研磨装置の２つの加工盤の間での両面処理のために１つまたは複数の半導体ウェハを受け入れるのに好適な挿入キャリアに関する。
【解決手段】この挿入キャリアは、第１および第２の表面を有する第１の材料から構成されるコアを含み、第１および第２の表面の各々は第２の材料から構成されるコーティングを有し、コーティングは第１および第２の表面を完全にまたは部分的に覆い、挿入キャリアはさらに半導体ウェハを受け入れるための少なくとも１つの開口部を含み、コーティングにおいてコアから離れた側の表面は、凸部と凹部とからなる構造を有し、構造の凸部および凹部の相関長は０．５ｍｍ〜２５ｍｍの範囲内であり、構造の縦横比は０．０００４〜０．４の範囲内である。本発明はさらに、挿入キャリアが用いられる、半導体ウェハの同時両面材料除去処理のための方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】ワークの研磨装置において、研磨レートを高めるとともに、ワークの傷付きを防止する。
【解決手段】この研磨装置１は、機体２と、上下方向の回転軸ＣＴ１を中心として機体２に対して回転自在な研磨上面を有する下定盤３と、研磨上面の上側にワークＷを保持しうるワーク支持部材９とを備えている。ワーク支持部材９は、ワーク支持部材９に保持されたワークＷをワークＷの中心から偏心した上下方向の公転軸を中心として機体２に対して公転させうるように構成されている。これにより、ワークＷの公転速度が増大しても、遠心力による研磨剤の飛散を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、吸着部で情報記録媒体用ガラス基板を吸着した際に、情報記録媒体用ガラス基板の表面に付着する異物や傷等の数が多量に増加するおそれが少ない情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、および、情報記録媒体用ガラス基板を研磨装置の研磨パッドから取り外し易い吸着具の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の吸着具１は、吸着パッド３２を備えている。吸着パッド３２は、中心孔３２ａと、その中心孔３２ａから当該当接パッド３２の外周端に延ばされた溝３２ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】 キャリアから発生した切り粉によって非磁性体のワークが傷つけられてしまうことを防止しつつ、非磁性体のワークの厚さを正確に測定可能とする。
【解決手段】 研磨装置は、上面に研磨布が貼り付けられた磁性体からなる下定盤と、非磁性体のワークを保持し、当該ワークとともに下定盤の研磨布上に載置される非磁性体のキャリアと、キャリアにより保持された前記ワークの上面を研磨する研磨布が下面に貼り付けられ、下定盤の上方に昇降自在に配置された上定盤と、上定盤に内蔵されて、下定盤までの距離を測定する渦電流式変位センサと、渦電流式変位センサの測定結果を基にワークの厚みを算出する算出部とを備えている。キャリアは、ワークの硬度よりも小さい素材によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】砥粒および水酸化セシウムを含有する化学的機械研摩用組成物、ならびに水酸化セシウム含有研摩用組成物を用いて集積回路に関連する誘電体層を研摩する方法を提供する。
【解決手段】フュ−ムド砥粒ならびに約０．０１〜約５．０wt％の少なくとも１つのＣｓ＋塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物。好ましくは、本発明は水、約１〜約５０wt％のフュ−ムドシリカ、および約０．１〜２．０wt％のＣｓＯＨを含有する化学的機械研摩用組成物である。 （もっと読む）

【課題】ワークを精度よく研磨することのできる両面研磨装置を提供する。
【解決手段】供給孔７６の一方の端部である、研磨布３４が貼付された定盤３６面側の開口縁がテーパー面７６ａに形成されて、当該部位の供給孔７６が定盤面に向けて広がる拡径孔に形成され、研磨布３４の、供給孔７６を覆う部分に、供給孔対応孔が形成され、該供給孔対応孔の開口縁が供給孔７６内に押し込まれると共に、一端部に、前記拡径孔のテーパー面７６ａに対向するフランジ部８４ａが形成された固定パイプ８４が供給孔７６に挿入された状態で定盤３６に固定され、前記供給孔対応孔の開口縁が、前記拡径孔のテーパー面７６ａと固定パイプ８４のフランジ部８４ａとの間で挟圧、保持されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ洗浄液の添加剤が、研磨粒子及び被研磨膜の研磨屑と複合体を形成し、それが研磨パッドに蓄積することにより生じるパッド着色物を簡単に除去するＣＭＰ用洗浄液、これを使用する洗浄方法及びこれを使用する工程を含んで作製した製品を提供すること。
【解決手段】 ＣＭＰ用研磨液を使用して酸化ケイ素を有する被研磨面を研磨した際に、研磨部材を洗浄するためのＣＭＰ用洗浄液であって、強酸を含むＣＭＰ用洗浄液。ＣＭＰ用洗浄液に含まれる強酸は、硫酸、シュウ酸、フッ酸、硝酸及び次亜塩素酸から選ばれる少なくとも１種類の化合物であることが好ましい。また、ＣＭＰ用洗浄液は、さらに洗浄補助剤Ａとしてヒドロキシカルボン酸を含み、さらに洗浄補助剤Ｂとして、メタンスルホン酸を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、酢酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、酢酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、パラトルエンスルホン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、パラトルエンスルホン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、上記のＳＴＩ技術の状況に鑑み、ＳＴＩ絶縁膜、プリメタル絶縁膜、層間絶縁膜等を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨速度を低下させることなく、研磨傷の発生が抑制された化学機械研磨用水系分散体及び当該水系分散体を用いて微細化素子分離工程における余分の絶縁膜の除去、プリメタル絶縁膜や層間絶縁膜等の平坦化を行う化学機械研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の一態様は、（Ａ）平均一次粒子径が０．０１〜０．１μｍであり、平均二次粒子径が０．０２〜０．３μｍであるコロイダルシリカ粒子と（Ｂ）２つ以上のカルボキシル基を有する化合物を含む化学機械研磨用水系分散体であって、動的光散乱式粒径分布測定装置にて前記化学機械研磨用水系分散体を測定して算出される平均粒子径が０．０４〜０．５μｍである化学機械研磨用水系分散体であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非晶質ガラス基板の研磨において、高い研磨速度で研磨でき、研磨後の基板表面の表面粗さ、ピット、及びキズの欠陥を低減でき、好ましくは、加えて低コストでガラスハードディスク基板を製造できる研磨液組成物の提供。
【解決手段】セリア粒子、シリカ粒子、及び水を含有する非晶質ガラス基板用研磨液組成物であって、前記研磨液組成物中におけるセリア粒子とシリカ粒子の合計含有量が４〜２０重量％であり、前記セリア粒子と前記シリカ粒子との重量比（セリア粒子／シリカ粒子）が５／９５〜３０／７０であり、ｐＨが４〜１２である、非晶質ガラス基板用研磨液組成物。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、マレイン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、マレイン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、コハク酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、コハク酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、プロピオン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、プロピオン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】研磨後の被研磨物のスクラッチ及びパーティクルを低減できる研磨液組成物の製造方法の提供。
【解決手段】一次粒子の平均粒子径が１〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含有するシリカ粒子分散液をろ過フィルターでろ過処理することを含む研磨液組成物の製造方法であって、前記ろ過フィルターは、分子内に９〜２００のカチオン性基を有する多価アミン化合物を用いてカチオン化処理された珪藻土を含む、研磨液組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、リンゴ酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、リンゴ酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】研磨後の被研磨物のスクラッチ及びパーティクルを低減できる研磨液組成物の製造方法の提供。
【解決手段】一次粒子の平均粒子径が１〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含有する被処理研磨液組成物を、ろ過助剤を含むフィルターでろ過処理する工程を有する研磨液組成物の製造方法であって、前記ろ過助剤は、ＢＥＴ比表面積が４．０ｍ²/ｇ以上であり、且つ窒素吸着法による０．１５μｍ以下の積算細孔容積が０．３ｍＬ/ｇ以上である、研磨液組成物の製造方法。 （もっと読む）