【課題】研磨屑の付着を抑制することができるウエーハの研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】チャックテーブルの保持面上に保持されたウエーハの上面をチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研磨送りする研磨パッドによって研磨するウエーハの研磨方法であって、ウエーハを保持したチャックテーブルを回転するとともに、研磨パッドを回転しつつ研磨送りして研磨パッドをウエーハの上面全面に接触させ所定の研磨圧力を付与し、研磨液を供給しつつウエーハの上面を研磨する研磨工程と、研磨工程終了後、チャックテーブルと研磨パッドの回転を維持しつつ研磨パッドによる研磨圧力を開放圧力まで低減するとともに研磨パッドがウエーハに接触している状態で研磨パッドとチャックテーブルを保持面と平行に相対的に所定の移動速度で移動してウエーハの上面を摺動する研削屑払拭工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の裏面研削砥石の寿命を低下させない保護フィルム貼付半導体基板を得るエッジ研磨装置の提供。
【解決手段】 回転軸４ａに軸承されたカム状フレーム４ｂに、ストップピン４ｃ、半導体基板のエッジ部に前記研磨テープＴの研磨面を当接するとともに供給リール２より供給された研磨テープを表面滑走させるシリコンゴムスポンジ製当て板４ｄ、この当て板を挟んで離間して設けた一対の第一研磨テープ送りローラ４ｅと第二研磨テープ送りローラ４ｆ、前記第一エンジニアリング樹脂製研磨テープ送りローラの背面に設けられ巻取リール３側に研磨テープを返送する第三研磨テープ送りローラ４ｇを設けた研磨ヘッド４を備える半導体基板のエッジ研磨装置１。 （もっと読む）

【課題】シリコンベアウエハ、ガラス、化合物半導体基板およびハードディスク基板等において良好な鏡面を形成するために使用される仕上げ研磨パッドにおいて、研磨時の被鏡面研磨面のスクラッチ・パーティクル等の欠陥が少なく、かつ、被鏡面研磨面の表面粗さが小さくなる安定した研磨特性が得られる仕上げ研磨パッドを提供する。
【解決手段】異なる３種以上の層からなる研磨シートａとクッションシートｂを有する研磨パッドであって、前記研磨シートａの表層が湿式凝固法で得られるポリウレタンを主成分とする多孔質ポリウレタン層ｃであり、その他の層のいずれかが圧縮弾性率が０．０８ＭＰa以上０．２５ＭＰａ以下の発泡プラスチック層ｄであり、前記表層の多孔質ポリウレタン層ｃと前記発泡プラスチック層ｄとの間に厚み１０〜４５μｍのプラスチックフィルム（ｅ）が介在されてなる研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】研磨レートを向上させ被研磨物の平坦性向上を図ることができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１０は、軟質樹脂のポリウレタン樹脂と、ポリウレタン樹脂が可溶な溶媒に対して可溶性を有しポリウレタン樹脂より硬質のポリサルホン樹脂とで湿式凝固法により形成された樹脂シート２を備えている。樹脂シート２は、スキン層２ａと、微細孔４が形成された発泡樹脂部２ｂと、発泡樹脂部２ｂに分散形成された球状樹脂３と、を有している。スキン層２ａの表面が研磨面Ｐを形成している。球状樹脂３は、発泡樹脂部２ｂに形成された微細孔４の平均径より大きい平均径を有しており、ポリサルホン樹脂を主体として形成されている。球状樹脂３が発泡樹脂部２ｂと比べて高密度となる。 （もっと読む）

【課題】平坦化、除去速度およびスクラッチが改善され、パッド間の変動のより少ない研磨パッドを提供する。
【解決手段】気体充填ポリマーマイクロエレメントの供給流をガスジェットに吹き込み、コアンダブロックに隣接するガスジェット中に気体充填マイクロエレメントを通過させ、コアンダブロックの湾曲した壁から粗粒のポリマーマイクロエレメントを分離し、捕集されたポリマーマイクロエレメントは、５μmを超える粒子サイズを有するシリケート粒子、ポリマーマイクロエレメントの外表面を５０％を超えて覆うシリケート含有領域、およびシリケート粒子と凝集して平均１２０μmを超えるクラスターサイズになったポリマーマイクロエレメントに関連するポリマーマイクロエレメントの総計の０．１重量％未満を含み、除去されたポリマーマイクロエレメントをポリマーマトリックスに挿入することで研磨パッドを形成する。 （もっと読む）

【課題】研磨時の被鏡面研磨面のスクラッチ・パーティクル等の欠陥が少なく、かつ、被鏡面研磨面の表面粗さが小さくなる安定した研磨特性が得られる仕上げ用研磨パッドを提供する。
【解決手段】異なる２種以上の層からなる研磨シート（ａ）とクッション層（ｂ）からなる研磨パッドであって、前記研磨シート（ａ）の表層が湿式凝固法で得られるポリウレタンを主成分とする多孔質ポリウレタン層（ｃ）であり、その他の層のいずれかが圧縮弾性率が０．０８ＭＰa以上０．２５ＭＰａ以下の発泡プラスチック層（ｄ）からなる研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】平坦化、除去速度およびスクラッチを改善し、パッド間の変動のより少ない研磨パッドを提供する。
【解決手段】気体充填ポリマーマイクロエレメントはシェルおよび５g/liter〜２００g/literの密度を有し、シェルは、ポリマー中に埋め込まれたシリケート粒子、外表面および直径５μm〜２００μmを有し、シリケート粒子は平均粒子サイズ０．０１〜３μmを有し、シリケート含有領域は前記ポリマーマイクロエレメントの外表面の５０％未満を被覆するように距離を保ち、かつ前記ポリマーマイクロエレメントの総計の０．１重量％未満は、ｉ）５μmを超える粒子サイズを有するシリケート粒子、ｉｉ）前記ポリマーマイクロエレメントの外表面を５０％を超えて覆うシリケート含有領域、およびｉｉｉ）シリケート粒子と凝集して平均１２０μmを超えるクラスターサイズになったポリマーマイクロエレメントに関連する複数のポリマー粒子。 （もっと読む）

【課題】加工対象物の加工面の仕上がりが良好となるように、加工対象物を加工し、断面観察用の断面を形成する。
【解決手段】加工方法は、棒状の加工部材３をその長手軸周りに一方向に回転させながら、加工部材３をその長手方向に沿って加工対象物に押し付けることによって、加工対象物を切断又は加工することで、加工対象物に断面観察用の断面を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】被研磨物に対するスクラッチ発生を抑制することができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１０は、湿式凝固法により形成されたウレタンシート２を備えている。ウレタンシート２は、一面側に凸部５と、凸部５の間に凹部６とを有している。凸部５の表面が研磨面Ｐを構成している。凸部５には、断面観察における最大径が５０μｍ〜３００μｍの範囲の複数の気泡３が形成されており、気泡３の間に最大径が１μｍ〜１０μｍの範囲の多数の細孔４が形成されている。研磨面Ｐには開孔３ａ、開孔４ａが形成されている。凹部６の表面では、熱エンボス加工による凹部６の形成時に開孔３ａが押し潰され、開孔４ａが縮径ないし閉塞されている。凹部６内での研磨液や研磨屑の貯留が抑制され、凹部６により研磨液が循環供給され研磨屑が排出される。 （もっと読む）

【課題】アルカリ土類金属を含むガラスを効率的に研磨する方法、及び本発明の研磨方法を利用した光学素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ土類を含有するガラスの表面を硫酸イオン及び／または炭酸イオンで修飾する。修飾は、硫酸イオン及び／または炭酸イオンを含有した溶液に浸漬するか、二酸化硫黄、三酸化硫黄、炭酸ガスからなる群から選ばれる一種以上のガス雰囲気下におくことにより行う。 （もっと読む）

【課題】 シリコン等のインゴットの切削工程において、シリコンウエハ表面のシリコンと反応して被膜膜を形成するため、切削部分の温度が高くても優れた潤滑性を維持できるシリコンインゴットスライス用含水切削液を提供する。
【解決手段】 水混和性溶媒（Ａ）、シリコンと反応する反応被膜型潤滑剤（Ｂ）、および水（W）を必須成分として含有することを特徴とするシリコンインゴットスライス用含水切削液であり、該反応被膜型潤滑剤（Ｂ）の含有量は、使用時の水混和性溶媒（Ａ）と水（Ｗ）の合計量に対して０．０１〜１０重量％が好ましく、該反応被膜型潤滑剤（Ｂ）としてはシランカップリング剤が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 厚み２０〜８０μｍと極薄肉の半導体基板の研磨加工時に、半導体基板がキャリア部の保持リング内壁から研磨装置外への飛び出しの無い基板キャリアヘッドの提供。
【解決手段】 ゴムチャック１９形式の基板キャリア部４を球面軸受け３で支持し、前記基板キャリア部４を環状ベローズ１１０で吊るしてこの環状ベローズ１１０の内壁と基板キャリア部４上部の凹状空間部とで基板キャリア部４背面を加圧する加圧室１８を形成させた基板キャリアヘッド構造１。 （もっと読む）

【課題】硬脆性ウェーハの加工歪およびマイクロスクラッチを低減し、総平坦化加工時間を短縮でき、かつインゴットからのウェーハの取得枚数を増加可能な硬脆性ウェーハの平坦化加工方法および平坦化加工用パッドを提供する。
【解決手段】スライス後の硬脆性ウェーハの表面および裏面のうち、少なくとも表面に、高強度高弾性率繊維製の平坦化加工用パッドを押し付け、遊離砥粒を含む加工液を供給しながら硬脆性ウェーハを粗平坦化し、その後、ウェーハ表面を仕上げ研磨する。その結果、ウェーハの加工歪を減らしてマイクロスクラッチの発生数が低減でき、かつ総平坦化加工時間を短縮できるとともに、１本のインゴットからのウェーハの取得枚数も増加できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面の濡れ性を向上させ、パーティクルの付着等の微小な欠陥を著しく低減させることができる半導体用濡れ剤および研磨用組成物を提供する。
【解決手段】低粘度の水溶性高分子化合物と水を含む半導体用濡れ剤、コロイダルシリカ、およびアルカリ化合物から校正される研磨用組成物せあって、この水溶性高分子化合物の０．３重量％水溶液の２５℃における粘度が１０ｍＰａ・ｓ未満である。 （もっと読む）

【課題】 機械的方法で表面加工を可能として環境負荷を抑制するとともに、線材の走行に負担を与えることなく、高速且つムラのない表面加工を可能とする線材表面の加工装置を提供する。
【解決手段】 走行される線材の表面を加工する線材表面の加工装置において、研磨材が供給される円錐状の摺接面を有し、かつ、走行される前記線材に回転されながら該摺接面を摺接させる複数の回転摺接体を備え、前記複数の回転摺接体は、前記線材の上方から摺接面を摺接させる一又は複数の回転摺接体と、前記線材の下方から摺接面を摺接させる一又は複数の回転摺接体とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰにおける被研磨面の平坦性の向上と研磨欠陥（スクラッチ）の低減とを両立させることができる化学機械研磨パッド、および該化学機械研磨パッドを用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨パッドは、複数の層から形成される研磨層を備えた化学機械研磨パッドであって、前記研磨層は、化学機械研磨を行う際に被研磨物と接触する研磨面を有する第１層と、前記第１層の研磨面に相対する面で前記第１層と接する第２層と、を少なくとも有し、前記第１層を２３℃の水に１時間浸漬した後に測定されたデュロＤ硬度（Ｄ１）と前記第２層を水に浸漬させずに測定されたデュロＤ硬度（Ｄ２）との関係がＤ１＜Ｄ２となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板を研磨するためのパッドの提供。
【解決手段】半導体および他の平面基板を必要に応じて研磨材粒子を含むスラリーの存在下で研磨するための改善された研磨用パッドが開示される。この研磨用パッドは、不織繊維成分を含み、この不織繊維成分の一部は必要に応じて二成分系繊維を含み、必要に応じてポリマーマトリクス成分中に包埋される。本発明はまた、上で開示された研磨用パッドを製造する方法に関する。特に、この方法は、少なくとも一部またはその全体が二成分系繊維を含み得るニードルパンチ不織テキスタイルと、ポリマー結合材とを所望のレベルまで合せる工程、および熱および圧力の下で薄いシートを形成し、次いで表面仕上げを行う工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコン系絶縁膜等の被研磨膜のＣＭＰにおいて、研磨傷を抑制しつつ被研磨膜を高平坦に研磨できる研磨剤、この研磨剤を得るための濃縮１液式及び２液式研磨剤、ならびにこの研磨剤を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】４価の金属水酸化物粒子と、カチオン化ポリビニルアルコールと、アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類と、酸成分と、水と、を含有する研磨剤であって、該研磨剤をシリコン基板１上に形成された酸化シリコン膜（被研磨膜）２と研磨パッドとの間に供給して酸化シリコン膜２を研磨する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】きわめて高度な平滑度および平坦度が求められる高精度の研磨仕上げを行うことはいうまでもなく、従来の研磨パッドよりも格段に優れた研磨能率を向上させることを可能にする研磨パッドを提供する。
【解決手段】工作物との間に研磨材を含有するスラリーを供給しながら工作物とを相対的に移動させて工作物を研磨する研磨パッドであって、基材がエポキシ樹脂であり硬度が７０〜１００°の研磨パッド基材を用いた。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおけるタングステンプラグ又はタングステン配線を形成するプロセス、特に同プロセスにおけるバフ工程において好適に使用することが可能な研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物には、砥粒、鉄イオン源、及び鉄イオンをキレートする酸（好ましくはクエン酸又は１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸）が配合されている一方、過酸化水素は含まれていない。研磨用組成物に配合される鉄イオン源の量は、鉄イオン濃度に換算して１０ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ未満である。 （もっと読む）