【課題】支持基板に貼り合わせたウエハの歩留まりを上げることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、第１工程、第２工程および第３工程を含む。第１工程は、半導体素子が形成されたウエハの表面を支持基板に貼り合わせる。第２工程は、ウエハの裏面を研削して、ウエハを所定の厚さにする。第３工程は、ウエハの周縁部を支持基板の一部に達するまで研磨して、周縁部を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された貫通孔において貫通電極を適切に形成することによってキャビティの内部と外部との導通性を適切に確保する。
【解決手段】片面研磨装置５１は、ベース基板用ウエハ４０の貫通孔２１、２２に装着された金属材料からなる導電性の金属ピン３７を研磨するものであって、下定盤５２と、該下定盤５２上においてベース基板用ウエハ４０の面方向への移動を規制するリテーナリング５３と、該リテーナリング５３内においてベース基板用ウエハ４０を吸着保持するキャリア５４と、キャリア５４を下定盤５２に向かい可変圧力で押圧するプレッシャープレート５５とを備え、ベース基板用ウエハ４０をリテーナリング５３内で保持しつつ、下定盤５２を回転させて金属ピン３７を研磨する際に、少なくともプレッシャープレート５５による圧力を徐々に増大させる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの研磨を適切に行なうことで圧電振動片の信頼性を向上させる。
【解決手段】研磨装置１５０を、水晶ウエハ１５５に接触する上定盤１５１の表面状態と、水晶ウエハ１５５に接触する下定盤１５２の表面状態とが異なるように、かつ、下定盤１５２による水晶ウエハ１５５の研磨量が上定盤１５１による水晶ウエハ１５１の研磨量よりも大きくなるように構成する。上定盤１５１の表面を研磨布１５８により覆い、該研磨布１５８を介して上定盤１５１を水晶ウエハ１５５に接触させ、下定盤１５２を砥石により構成される砥石定盤とする。研磨時に、上定盤１５１および下定盤５２と、水晶ウエハ１５５との間に、水（研削水）のみを供給し、研磨剤の供給を禁止している。 （もっと読む）

【課題】それを用いて研磨対象物を研磨した場合に、研磨速度が速く、スクラッチ（線状痕）が少ない研磨剤の提供。
【解決手段】固体酸量または固体塩基量が０．０１ｍｍｏｌ／ｇ以上であり、平均粒子径が２μｍ以下である無機酸化物微粒子が分散媒に分散している、ｐＨが８．０〜１１．５である研磨剤。 （もっと読む）

【課題】アゾールインヒビターを含有し、安定的に濃縮可能であり、好ましくはアンモニウムフリーかつ水溶性セルロースフリーであるケミカルメカニカル研磨組成物の提供。
【解決手段】配線金属を含有する半導体ウェーハのケミカルメカニカルポリッシングに有用なケミカルメカニカル研磨組成物であって、初期成分として、水、アゾールインヒビター、アルカリ金属有機界面活性剤、ハイドロトロープ、リン含有剤、場合によっては、非糖類水溶性ポリマー、場合によっては、式Ｉ（式中、Ｒは、水素及びＣ_1-5アルキル基から選択され、ｘは１又は２である）の水溶性酸化合物、場合によっては、錯化剤、場合によっては、酸化剤、場合によっては、有機溶媒、及び場合によっては、砥粒を含む。
（もっと読む）

【課題】アルミナ突き刺さり及び基板表面うねりを低減できる磁気ディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、
（２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が４０〜１１０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０〜６０ｎｍであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いて前記工程（１）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、
（３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程、
（４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを用いて工程（３）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程。 （もっと読む）

【課題】ガラスセラミックチップのチッピング及び飛散を抑制することが可能なセラミック電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガラスセラミックチップを具備するセラミック電子部品の製造方法であって、台座２に貼り付けた粘着シート４上に固定したガラスセラミック基板６の片面のみに、刃先がテーパー状である第一ダイシングブレード８を用いてＶ字形の溝１２を形成する工程と、刃幅が溝の幅よりも小さい第二ダイシングブレードを、粘着シート４上に固定されたガラスセラミック基板６の溝１２内に当接させて、ガラスセラミック基板６を完全に切断して、ガラスセラミックチップを形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造効率を向上できるとともに、割れや欠け等の発生を抑えて歩留まりを向上できるウエハ外周面の研磨方法、圧電振動片の製造方法、圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器、及び電波時計を提供する。
【解決手段】一対の研削テーブル２０５によりウエハＷを厚さ方向両面側から挟持するウエハセット工程と、研磨部材２０２を、長手方向がウエハＷの厚さ方向に沿うように配置して、ウエハＷの外周面Ｗ１に当接させる当接工程と、研削テーブル２０５によりウエハＷを回転させつつ、研磨部材２０２を長手方向に沿って往復走行させ、ウエハＷを研磨する研磨工程と、を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨対象物である水晶片の品質を確保しながら生産性を向上させることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】センターギアと下定盤とインターナルギアとラッピングキャリアと上定盤とを備えた両面研磨装置であって、下定盤が下定盤の外周面の中心を回転軸に回転可能でかつ上定盤が上定盤の外周面の中心を回転軸に回転可能となっており、
上定盤側を向く下定盤の面に第一の環状溝及び第一の直線溝が形成され、上定盤側を向く前下定盤の面を見た場合、第一の環状溝の縁部を外周とする面の下定盤の外周面に近い面と第一の環状溝の縁部を外周とする面の下定盤の外周面の中心に近い面とが同心円となり、第一の環状溝の縁部を外周とする面の下定盤の外周面に近い面の中心から放射状に第一の直線溝が形成され、第一の環状溝の縁部を外周とする面の下定盤の外周面に近い面の中心が下定盤の外周面の中心と異なる位置に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コバルト層に対する良好な研磨速度を保ちながら、コバルト層のエッチング速度が効果的に抑制される研磨液の提供。該研磨液を用いた基板の研磨方法の提供。
【解決手段】コバルト元素を含む層を研磨するための研磨液であり、前記研磨液は、金属防食剤、金属酸化剤及び水を含有し、ｐＨが４以下であり、前記金属防食剤は、３−ニトロフタル酸、ヘキサメチレンテトラミン、３，４−ジヒドロ−３−ヒドロキシ−４−オキソ−１，２，４−トリアジン、３Ｈ−１，２，３−トリアゾロ［４，５−ｂ］ピリジン−３−オール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、３−ヒドロキシピリジン、及びベンズイミダゾールから選択される少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】被研磨面へのダメージが少なく、鏡面に仕上げることができる研磨テープを提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨テープは、基材テープ２と、基材テープ２の上に形成された研磨層３とを有する。基材テープ２は、液体透過構造を有している。研磨層３は、バインダ樹脂４と、バインダ樹脂４中に分散する平均直径０．０２μｍ〜５μｍの研磨粒子５とを有する。この研磨粒子５はシリカ粒子である。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰにおけるドレッシング時の耐久性を向上させると共に、研磨欠陥（スクラッチ）の発生を低減できる化学機械研磨パッドを提供する。
【解決手段】本発明に係る組成物は、化学機械研磨パッドの研磨層を形成するための組成物であって、（Ａ）ポリイソシアネートと、（Ｂ）ポリオールと、（Ｃ）フィラーと、を含有し、前記（Ｃ）フィラーが−ＮＨ_２、−ＮＨ−、−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、−ＮＨＣＯＮＨ_２、−ＣＯＯＨおよび−ＳＨからなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨レートの向上とスクラッチの低減とを可能とした研磨パッドを提供すること。
【解決手段】研磨面２に開口した孔４を有する研磨パッド１において、孔４の開口のエッジ部５にその全周にわたり傾斜を付けた構成。 （もっと読む）

【課題】銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。
【解決手段】本発明では、導体の酸化剤と、金属表面に対する保護膜形成剤と、酸と、水とを含み、ｐＨが３以下であり、酸化剤の濃度が０．０１〜３重量％である化学機械研磨用研磨剤が提供される。 （もっと読む）

【課題】アルミナ突き刺さりを低減できる磁気ディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、
（２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が５〜６０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０ｎｍ未満であるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いて前記工程（１）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、
（３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程、
（４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを用いて工程（３）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程。 （もっと読む）

【課題】高平坦性の確保と研磨傷の低減を両立可能なＣＭＰ技術を提案する。
【解決手段】実施形態に係わるＣＭＰ装置は、水溶性粒子を含んだ研磨パッド１２の表面部にスラリーを供給する供給部１５と、被研磨物１４を保持した状態で被研磨物１４を研磨パッド１２の表面部に接触させる保持部１３と、研磨パッド１２の表面部に配置され、研磨パッド１２の表面部の温度を設定する温度設定部１７と、供給部１５、保持部１３及び温度設定部１７の動作を制御する制御部１８とを備える。制御部１８は、研磨パッド１２の表面部の温度を第１の温度範囲内に設定した状態で被研磨物１４を研磨する第１の研磨工程を実行した後に、研磨パッド１２の表面部の温度を第２の温度範囲内に設定した状態で被研磨物１４を研磨する第２の研磨工程を実行する。 （もっと読む）

【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて平坦な研磨面を形成させることができる研磨液を提供すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部１１と、該磁性部１１に形成された複数の凹部１２０を覆うように埋め込まれた非磁性材料１２５とからなる複合体１５を、磁性部１１と凹部１２０内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部１２とが露出して平坦な研磨面１６を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、水とエッチング剤とを含有する。研磨液は、エッチング剤として、アルカノールアミンと、温度２５℃、濃度０．０１ｍｏｌ／Ｌの水溶液のｐＨが１１以上であるアルカリ性化合物（但し、アルカノールアミンを除く）からなるエッチング剤とを含有する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ光学基材用での成膜面における凹欠点の発生が抑制されたＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法の提供。
【解決手段】両面研磨装置１０の上下定盤１２，１４の研磨面でキャリア２０に保持されたガラス基板２２を挟持し、上定盤１２に設けられた供給孔から研磨粒子を含む流体を供給しつつ、上下定盤１２，１４と、キャリア２０に保持されたガラス基板２２と、を相対的に移動させてガラス基板２２の両主表面を研磨するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）光学基材用ガラス基板２２の研磨方法であって、ＥＵＶＬ光学基材での成膜面が、下定盤１４の研磨面と対面するようにガラス基板２２を挟持ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの表面を基準にドレッシングするための適度な弾性を有しつつ、長期に亘って交換することなく使用することができるようにする。
【解決手段】支持部３２の下端には、束線バンド３５で束ねられた弾性部材３１が取り付けられている。弾性部材３１は、線径が０．１５ｍｍで長さ２５ｍｍのタングステン線が３０本ずつ１束に束ねられて構成されている。また、弾性部材３１の各素線の先端部は丸切りのまま研磨パッド２０に接触して研磨パッド２０のドレッシングを行うようになっている。弾性部材３１の各素線の先端部の線径を細くして研磨パッド２０の切削幅を小さくすると共に、弾性部材３１の各素線を束線バンド３５で束ねることによって弾性部材３１の剛性を高め、各素線の細い先端部に大きな圧力がかかるようにしている。従って、弾性部材３１の先端部は研磨パッド２０に有効な切り込み深さを与えることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。
【解決手段】ＴＥＯＳ−ＣＶＤ法で作製したＳｉＯ_２絶縁膜を形成させたＳｉウエハを、酸化セリウム粒子、分子量５０００〜２００００のポリアクリル酸アンモニウム塩および水を含む半導体基板研磨用酸化セリウム研磨剤で研磨する。 （もっと読む）