研磨方法、圧電振動片の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
【課題】ウエハの研磨を適切に行なうことで圧電振動片の信頼性を向上させる。
【解決手段】研磨装置１５０を、水晶ウエハ１５５に接触する上定盤１５１の表面状態と、水晶ウエハ１５５に接触する下定盤１５２の表面状態とが異なるように、かつ、下定盤１５２による水晶ウエハ１５５の研磨量が上定盤１５１による水晶ウエハ１５１の研磨量よりも大きくなるように構成する。上定盤１５１の表面を研磨布１５８により覆い、該研磨布１５８を介して上定盤１５１を水晶ウエハ１５５に接触させ、下定盤１５２を砥石により構成される砥石定盤とする。研磨時に、上定盤１５１および下定盤５２と、水晶ウエハ１５５との間に、水（研削水）のみを供給し、研磨剤の供給を禁止している。
【解決手段】研磨装置１５０を、水晶ウエハ１５５に接触する上定盤１５１の表面状態と、水晶ウエハ１５５に接触する下定盤１５２の表面状態とが異なるように、かつ、下定盤１５２による水晶ウエハ１５５の研磨量が上定盤１５１による水晶ウエハ１５１の研磨量よりも大きくなるように構成する。上定盤１５１の表面を研磨布１５８により覆い、該研磨布１５８を介して上定盤１５１を水晶ウエハ１５５に接触させ、下定盤１５２を砥石により構成される砥石定盤とする。研磨時に、上定盤１５１および下定盤５２と、水晶ウエハ１５５との間に、水（研削水）のみを供給し、研磨剤の供給を禁止している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、研磨方法、圧電振動片の製造方法、この圧電振動片の製造方法により製造された圧電振動片を有する圧電振動子、該圧電振動子を有する発振器、電子機器及び電波時計に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、互いが積層状態で陽極接合されることによって両者間にキャビティが形成されるベース基板およびリッド基板と、ベース基板においてキャビティ内に位置する部分にマウントされた作動片と、を備えるパッケージ製品が広く用いられている。
この種のパッケージ製品として、例えば、携帯電話や携帯情報端末機器に装着され、時刻源や制御信号などのタイミング源、リファレンス信号源などとして水晶などを利用した圧電振動子が知られている。
【０００３】
そして、このような圧電振動子を製造する際に、圧電振動片用のウエハを片面研磨装置を用いて片面研磨する方法として、例えば、加工ヘッドの円形板状のプレートにウエハを接着し、この加工ヘッドを回転定盤に向かい押圧した状態で回転定盤によってウエハを研磨する方法が知られている。
しかしながら、片面研磨装置を用いた研磨時には、ウエハがプレートに吸着及び貼付け固定されているため、ウエハは自転せず、内周と外周との周速差が発生することから、ウエハの平行度を向上させることが困難であるという問題が生じる。
【０００４】
このような問題が生じることに対して、従来、例えば、２枚のウエハを貼り合せた状態で両面研磨装置を用いて各ウエハの片面を研磨する研磨方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−７６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら上記従来技術に係る研磨方法では、貼り合せた２枚のウエハ間に研磨材が入り込むことによって、ウエハが損傷してしまう虞がある。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ウエハの研磨を適切に行なうことで圧電振動片の信頼性を向上させることができる研磨方法、圧電振動片の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決して係る目的を達成するために、本発明の請求項１に係る研磨方法は、上定盤（例えば、実施の形態での上定盤１５１）と下定盤（例えば、実施の形態での下定盤１５２）とによってウエハ（例えば、実施の形態での水晶ウエハ１５５）を厚さ方向の両側から挟み込んで、前記ウエハを研磨する研磨方法であって、前記下定盤の中心部に回転可能に設けられるサンギヤ（例えば、実施の形態でのサンギヤ１５３）と、前記下定盤の外周部に設けられるインターナルギヤ（例えば、実施の形態でのインターナルギヤ１５４）と、前記サンギヤと前記インターナルギヤとの間に噛合され、前記サンギヤと前記インターナルギヤとの協働により自転および公転するとともに前記ウエハを保持可能なキャリア（例えば、実施の形態でのキャリア１５７）とを用いて、前記ウエハに接触する前記上定盤の表面状態と前記ウエハに接触する前記下定盤の表面状態とが異なるように、かつ、前記下定盤による前記ウエハの研磨量が前記上定盤による前記ウエハの研磨量よりも大きくなるように前記ウエハを研磨する。
【０００９】
さらに、本発明の請求項２に係る研磨方法は、前記上定盤の表面を研磨布（例えば、実施の形態での研磨布１５８）により覆い、該研磨布を介して前記上定盤を前記ウエハに接触させ、前記下定盤を砥石により構成される砥石定盤とする。
【００１０】
さらに、本発明の請求項３に係る研磨方法は、前記上定盤および前記下定盤と、前記ウエハとの間に、水のみを供給する。
【００１１】
また、本発明の請求項４に係る圧電振動片の製造方法は、フォトリソグラフィ技術を用いて、圧電振動片（例えば、実施の形態での圧電振動片５）の外形が形成された圧電板の表面に電極を形成するための圧電振動片の製造方法であって、請求項１から請求項３の何れか１つに記載の研磨方法によって前記圧電板を研磨する工程を含む。
【００１２】
また、本発明の請求項５に係る圧電振動子（例えば、実施の形態での圧電振動子１）は、請求項４に記載の圧電振動片の製造方法により製造された圧電振動片を備えている。
【００１３】
また、本発明の請求項６に係る発振器（例えば、実施の形態での発振器１００）は、請求項５に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されている。
【００１４】
また、本発明の請求項７に係る電子機器（例えば、実施の形態での携帯情報機器１１０）は、請求項５に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されている。
【００１５】
また、本発明の請求項８に係る電波時計（例えば、実施の形態での電波時計１３０）は、請求項５に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の請求項１に係る研磨方法によれば、主に下定盤によってウエハを、いわば片面研磨することができ、しかも、ウエハは自転および公転することから、ウエハの平行度を向上させ、ウエハの研磨を適切に行なうことができる。
【００１７】
本発明の請求項２および請求項３に係る研磨方法によれば、上定盤は、主にウエハを下定盤に向かい押圧するだけであって、上定盤によるウエハの研磨を抑制しつつ下定盤によるウエハの研磨を促進し、いわば片面研磨を適切に行なうことができる。
【００１８】
本発明の請求項４に係る圧電振動片の製造方法によれば、圧電板の厚さ精度および平行度を向上させることができ、圧電振動片の作動信頼性を向上させることができる。
【００１９】
本発明の圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計によれば、作動信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態における圧電振動子の外観斜視図である。
【図２】図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図である。
【図３】図２に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図である。
【図４】図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。
【図５】図１に示す圧電振動子を製造する際に用いる金属ピンの斜視図である。
【図６】図１に示す圧電振動子を製造する流れを示すフローチャートである。
【図７】圧電振動片の製造工程のフローチャートである。
【図８】水晶ウエハの研磨装置の概略を示す図である。
【図９】圧電振動子の製造方法を説明するための工程図であって、ウエハ接合体の分解斜視図である。
【図１０】（ａ）〜（ｆ）は図２（ａ）、（ｂ）に示す圧電振動子に備える貫通電極を形成する工程を示す図である。
【図１１】（ａ）は図２（ａ）、（ｂ）に示す貫通電極を形成する工程において、金属ピンを研磨する片面研磨装置の概略を示す側面図であり、（ｂ）は下定盤側から上定盤側を見た図である。
【図１２】（ａ）は図２（ａ）、（ｂ）に示す圧電振動子に備える貫通電極を形成する工程において、ベース基板用ウエハを研磨する両面研磨装置の概略を示す側面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【図１３】本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。
【図１４】本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図１５】本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の一実施形態に係る研磨方法、圧電振動片の製造方法および該圧電振動片の製造方法により製造された圧電振動片を備える圧電振動子および該圧電振動子を備える発振器および電子機器および電波時計について説明する。
【００２２】
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
（圧電振動子）
図１は、本実施形態における圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図である。
また、図２は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。
また、図３は図２に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図であり、図４は圧電振動子の分解斜視図である。
【００２３】
図１〜図４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板（第１基板）２及びリッド基板３が接合材２３を介して陽極接合された箱状のパッケージ１０と、パッケージ１０のキャビティＣ内に収納された圧電振動片（電子部品）５とを備えた表面実装型の圧電振動子１である。
そして、圧電振動片５と、ベース基板２の裏面２ａ（図３中下面：第１面）に設置された外部電極６，７と、がベース基板２を貫通する一対の貫通電極８，９によって電気的に接続されている。
【００２４】
ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。
ベース基板２には、一対の貫通電極８，９が形成される一対の貫通孔（凹部）２１，２２が形成されている。
貫通孔２１，２２は、ベース基板２の裏面２ａから表面２ｂ（図３中上面）に向かって漸次径が縮径した断面テーパ形状をなしている。
【００２５】
リッド基板３は、ベース基板２と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板２に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。
そして、リッド基板３の内面３ｂ（図３中下面）側には、圧電振動片５が収容される矩形状の凹部３ａが形成されている。
この凹部３ａは、ベース基板２及びリッド基板３が重ね合わされたときに、圧電振動片５を収容するキャビティＣを形成する。
【００２６】
そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して接合材２３を介して陽極接合されている。
すなわち、リッド基板３の内面３ｂ側は、中央部に形成された凹部３ａと、凹部３ａの周囲に形成され、ベース基板２との接合面となる額縁領域３ｃとを構成している。
【００２７】
圧電振動片５は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片５は、平行に配置された一対の振動腕部２４，２５と、一対の振動腕部２４，２５の基端側を一体的に固定する基部２６とからなる音叉型である。
【００２８】
そして、一対の振動腕部２４，２５の外表面上には、振動腕部２４，２５を振動させる図示しない一対の第１の励振電極と第２の励振電極とからなる励振電極と、第１の励振電極及び第２の励振電極と後述する引き回し電極２７，２８とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している（何れも不図示）。
【００２９】
このように構成された圧電振動片５は、図２，図３に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の表面２ｂに形成された引き回し電極２７，２８上にバンプ接合されている。
【００３０】
より具体的には、圧電振動片５の第１の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプＢを介して一方の引き回し電極２７上にバンプ接合され、第２の励振電極が他方のマウント電極及びバンプＢを介して他方の引き回し電極２８上にバンプ接合されている。
これにより、圧電振動片５は、ベース基板２の表面２ｂから浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極２７，２８とがそれぞれ電気的に接続された状態となる。
【００３１】
外部電極６，７は、ベース基板２の裏面２ａにおける長手方向の両側に設置されており、各貫通電極８，９及び各引き回し電極２７，２８を介して圧電振動片５に電気的に接続されている。
【００３２】
より具体的には、一方の外部電極６は、一方の貫通電極８及び一方の引き回し電極２７を介して圧電振動片５の一方のマウント電極に電気的に接続されている。
また、他方の外部電極７は、他方の貫通電極９及び他方の引き回し電極２８を介して、圧電振動片５の他方のマウント電極に電気的に接続されている。
【００３３】
貫通電極８，９は、貫通孔２１，２２内に配設された芯材部３１と、芯材部３１と貫通孔２１，２２との間に充填されたガラスフリットが焼成されて形成された筒体３２とから構成されている。
貫通電極８，９は、貫通孔２１，２２を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、外部電極６，７と引き回し電極２７，２８とを導通させる役割を担っている。
【００３４】
具体的に、一方の貫通電極８は、外部電極６と基部２６との間で引き回し電極２７の下方に位置しており、他方の貫通電極９は、外部電極７と振動腕部２５との間で引き回し電極２８の下方に位置している。
【００３５】
筒体３２は、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚みに形成されるとともに、貫通孔２１，２２の形状に合わせて、筒体３２の外形が円錐台状（断面テーパ状）となるように形成されている。
また、本実施形態における筒体３２は、ガラス体３２ａで構成されている。
【００３６】
ガラス体３２ａは、ペースト状のガラスフリットが貫通孔２１，２２と芯材部３１との間に埋め込まれた状態で焼成されたものであって、これら貫通孔２１，２２に対して強固に固着されている。
具体的に、ガラス体３２ａは、ベース基板２の厚さ方向において、ほぼ全域に亘って貫通孔２１，２２を埋めるように形成されている。
【００３７】
この場合、ガラス体３２ａにおける厚さ方向の一端側の端面が、ベース基板２の表面２ｂと面一に形成されて、芯材部３１とともにキャビティＣ内に露出している。
一方、ガラス体３２ａにおける厚さ方向の他端側の端面は、ベース基板２の裏面２ａと面一に形成されて、芯材部３１とともに外部に露出している。
そして、筒体３２（ガラス体３２ａ）の中心には、芯材部３１が筒体３２の中心孔を貫通するように配されている。
【００３８】
上述した芯材部３１は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）などの、熱膨張係数αがガラスフリットよりも小さい金属材料（α＝６〜７ｐｐｍ）により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体３２と同様に両端が平坦で、かつベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。
【００３９】
なお、貫通電極８，９が完成品として形成された場合には、上述したように芯材部３１は、円柱状でベース基板２の厚さと同じ厚さとなるように形成されているが、製造過程では、例えば図５に示すように、芯材部３１の一方の端部に連結された平板状の土台部３６とともに鋲体型の金属ピン３７を形成している。
また、この土台部３６は製造過程において、研磨されて除去されている（後に製造方法で説明する）。
貫通電極８、９は、導電性の芯材部３１を通して電気導通性が確保されている。
【００４０】
リッド基板３の内面３ｂ全体には、陽極接合用の接合材２３が形成されている。
具体的に、接合材２３は、額縁領域３ｃ及び凹部３ａの内面全体に亘って形成されている。
本実施形態の接合材２３はＳｉ膜で形成されているが、接合材２３をＡｌで形成することも可能である。
なお接合材２３として、ドーピング等により低抵抗化したＳｉバルク材を可能することも可能である。
そして後述するように、この接合材２３とベース基板２とが陽極接合され、キャビティＣが真空封止されている。
【００４１】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極６，７に対して、所定の駆動電圧を印加する。
これにより、圧電振動片５の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部２４，２５を接近または離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。
そして、この一対の振動腕部２４，２５の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
【００４２】
（パッケージの製造方法）
次に上述した圧電振動片を収容したパッケージ（圧電振動子）の製造方法について図６，７に示すフローチャートを参照しながら説明する。
図６，７は、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法のフローチャートである。図８は圧電振動子基板の研磨装置を示す図である。
図９は、ウエハ接合体の分解斜視図である。
【００４３】
以下には、複数のベース基板２が連なるベース基板用ウエハ４０と、複数のリッド基板３が連なるリッド基板用ウエハ５０との間に複数の圧電振動片５を封入してウエハ接合体６０を形成し、ウエハ接合体６０を切断することにより複数の圧電振動子１を同時に製造する方法について説明する。
なお、図９に示す破線Ｍは、切断工程で切断する切断線を図示したものである。
【００４４】
図６に示すように、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程（Ｓ０１）と、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ１０）と、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）と、組立工程（Ｓ５０以下）とを有している。
これらのうち、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）及びベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ１０）は、並行して実施することが可能である。
【００４５】
（圧電振動片の製造方法）
初めに、圧電振動片作製工程を行って圧電振動片５を作製する（Ｓ０１）。
また、圧電振動片５を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。
なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。
【００４６】
本実施形態の圧電振動片５の製造工程は、主に水晶ウエハ（圧電板）に圧電振動片５の外形形状を複数形成する外形形成工程Ｓ２１０と、各電極を水晶ウエハに形成する電極形成工程Ｓ２２０と、共振周波数を調整する周波数調整工程Ｓ２３０と、１枚の水晶ウエハから複数の圧電振動片を切り離す小片化工程Ｓ２４０とを備えている。
以下に各工程の詳細を説明する。
【００４７】
（外形形成工程Ｓ２１０）
まず、水晶ウエハに圧電振動片５の外形形状を複数形成する外形形成工程Ｓ２１０を行う。
具体的には、ポリッシングが終了し、所定の厚みに高精度に仕上げられた水晶ウエハを準備する。
次いで、この水晶ウエハをフォトリソグラフィ技術によってエッチングして、水晶ウエハに圧電振動片５の外形形状を複数形成する。
以上で、外形形成工程Ｓ２１０が終了する。
【００４８】
なお、水晶ウエハを所定の厚みに高精度に仕上げる研磨装置１５０は、例えば図８に示すように、平面視円形状の上定盤１５１と、上定盤１５１と同じ平面視円形状であって砥石により構成される砥石定盤を成す下定盤１５２と、下定盤１５２の中心部に回転可能に設けられたサンギヤ１５３と、下定盤１５２の外周を取り囲むインターナルギヤ１５４と、上定盤１５１と下定盤１５２との間で、サンギヤ１５３とインターナルギヤ１５４との間に噛合され、サンギヤ１５３とインターナルギヤ１５４との協働により自転および公転するとともに水晶ウエハ１５５を保持する複数のキャリア１５７と、上定盤１５１に設けられた研磨布１５８と、上定盤１５１、下定盤１５２およびサンギヤ１５３、インターナルギヤ１５４をそれぞれ回転させる回転手段（例えば、上定盤１５１を回転させるドライバーヘッド１６０など）と、から概略構成されている。
【００４９】
上定盤１５１と下定盤１５２は、同芯で水平方向に回転する構造である。
サンギヤ１５３の外周およびインターナルギヤ１５４の内周には、歯が一定のピッチで鉛直且つ円環状に配設されている。
サンギヤ１５３およびインターナルギヤ１５４は上定盤１５１および下定盤１５２と同芯で水平方向に回転する。
本実施の形態では、インターナルギヤ１５４が独自に回転する両面研磨装置を使用しているが、インターナルギヤ１５４が独自に回転せず、例えば下定盤１５２に固定され、下定盤１５２と共に回転する構造の両面研磨装置を使用してもよい。
【００５０】
キャリア１５７は、円盤形状をなし、内方に水晶ウエハ１５５がはめ込まれて保持される複数の水晶ウエハ保持孔を備えている。
キャリア１５７は、その厚さが水晶ウエハ１５５の厚さよりも薄く、キャリア１５７の上下から水晶ウエハ１５５が突出するように水晶ウエハ１５５の側面を保持する。
【００５１】
また、キャリア１５７の外周には、歯が一定のピッチで鉛直且つ円環状に配設されている。
そして、キャリア１５７は固定されず、キャリア１５７の歯が、回転するサンギヤ１５３およびインターナルギヤ１５４の歯とかみ合うことでキャリア１５７は自転および公転する構成である。
【００５２】
そして、水晶ウエハ１５５に接触する上定盤１５１の表面状態と、水晶ウエハ１５５に接触する下定盤１５２の表面状態とが異なるように、かつ、下定盤１５２による水晶ウエハ１５５の研磨量が上定盤１５１による水晶ウエハ１５１の研磨量よりも大きくなるように構成されている。
つまり、上定盤１５１の表面を、例えばスエード系などの研磨布１５８により覆い、該研磨布１５８を介して上定盤１５１を水晶ウエハ１５５に接触させ、下定盤１５２を砥石（例えば、番定６００〜１０００のダイヤモンドなど）により構成される砥石定盤とする。
【００５３】
そして、研磨時に、上定盤１５１および下定盤５２と、水晶ウエハ１５５との間に、水（研削水）のみを供給し、研磨剤の供給を禁止している。
【００５４】
水晶ウエハ１５５の研磨方法では、まず、水晶ウエハ１５５をキャリア１５７の水晶ウエハ保持孔に設置する。
そして、水晶ウエハ１５５の上下面に水（研削水）のみを供給させながら、上定盤１５１、下定盤１５２およびサンギヤ１５３、インターナルギヤ１５４をそれぞれ回転させ、水晶ウエハ１５５を保持したキャリア１５７も自転および公転させる。
【００５５】
そして、キャリア１５７に保持された水晶ウエハ１５５を、上定盤１５１によって下定盤１５２に向かい所定圧力で押圧し、研磨布１５８において滑らせつつ、下定盤１５２によって片面研磨する。
このようにして、所定の厚みの水晶ウエハの作成工程が終了する。
【００５６】
（電極形成工程Ｓ２２０）
次に、圧電振動片５の外形が形成された水晶ウエハの表面に、励振電極、引き出し電極およびマウント電極（いずれも図示略）の各電極を形成する電極形成工程Ｓ２２０を行う。
電極形成工程Ｓ２２０は、水晶ウエハの表面に金属膜を成膜する金属膜成膜工程Ｓ２２１と、金属膜に重ねてフォトレジスト（マスク材）を塗布するフォトレジスト塗布工程Ｓ２２３（マスク材塗布工程）と、フォトレジストを露光する露光工程Ｓ２２５と、フォトレジストを選択的に除去してマスクパターンを形成する現像工程Ｓ２２７と、マスクパターンを介して金属膜のエッチングを行い、各電極を形成するエッチング工程Ｓ２２９と、を有している。
【００５７】
（金属膜成膜工程Ｓ２２１）
電極形成工程Ｓ２２０では、最初に、のちの励振電極となる金属膜を水晶ウエハに成膜する金属膜成膜工程Ｓ２２１を行う。
本実施形態では、水晶ウエハの表面に、水晶と密着性の良いクロムをスパッタ法や真空蒸着法等により数μｍ程度成膜している。
さらに、クロム膜の上から仕上層として金の薄膜を施して形成される。
なお、励振電極および引き出し電極はクロムのみの単層膜で形成され、マウント電極は、クロムと金との積層膜で形成される。
【００５８】
（フォトレジスト塗布工程Ｓ２２３）
続いて、金属膜に重ねてフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布工程Ｓ２２３を行なう。
なお、前述のとおりフォトレジストには、露光された部分が軟化して除去されるポジ型レジストと、露光された部分が残存するネガ型レジストとがあるが、本実施形態では、ポジ型レジストを塗布している。
フォトレジストは、スプレーコート法やスピンコート法等により、金属膜に重ねて、水晶ウエハの表面全体に塗布される。
【００５９】
（露光工程Ｓ２２５）
露光工程Ｓ２２５では、開口部を有するフォトマスクをフォトレジストに向けた状態でセットし、開口部を介してフォトレジストに紫外線を照射する。
フォトマスクの開口部は、フォトレジストを除去したい領域であって、後述のエッチング工程Ｓ２２９で電極膜を除去したい領域に対応して形成されている。換言すれば、フォトマスクの開口部は、励振電極、引き出し電極およびマウント電極（いずれも図示略）の各電極を形成しない領域に対応して形成される。
露光が終了したら、フォトマスクを取り除く。
【００６０】
露光工程Ｓ２２５の後に、フォトレジストを選択的に除去してマスクパターンを形成する現像工程Ｓ２２７を行う。
現像工程Ｓ２２７は、不図示の水槽に貯留された現像液中にフォトレジストが塗布された水晶ウエハを浸漬してフォトレジストを選択的に除去し、レジストパターン（マスクパターン）を形成する。
【００６１】
具体的には、現像工程Ｓ２２７では、フォトマスクの開口部を介して紫外線が露光された領域、すなわち、励振電極、引き出し電極およびマウント電極の各電極を形成しない領域に対応したフォトレジストを除去している。
【００６２】
（洗浄工程Ｓ２２８）
続いて、現像工程Ｓ２２７で水晶ウエハに残存している現像液を洗い流す洗浄工程Ｓ２２８を行う。
洗浄工程Ｓ２２８では、不図示の水槽に貯留された純水内に水晶ウエハを浸漬し、純水内で水晶ウエハを揺動することで、水晶ウエハの表面に残存した現像液を洗い流している。
【００６３】
（エッチング工程Ｓ２２９）
次に、レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、各電極を形成するエッチング工程Ｓ２２９を行う。
本工程では、レジストパターンによりマスクされている金属膜を残し、レジストパターンによりマスクされていない金属膜を選択的に除去する。
エッチング工程Ｓ２２９により、圧電振動片５の励振電極、引き出し電極およびマウント電極が形成される。
【００６４】
（周波数調整工程Ｓ２３０）
次に、図１に示すように、一対の振動腕部２４，２５の先端に周波数調整用の粗調膜及び微調膜からなる重り金属膜（例えば、銀や金等）を形成する。
そして、水晶ウエハに形成された全ての振動腕部２４，２５に対して、共振周波数を粗く調整する周波数調整工程Ｓ２３０を行う。
重り金属膜の粗調膜にレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。
なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、圧電振動子１の状態で行う。
以上で、周波数調整工程Ｓ２３０が終了する。
【００６５】
（小片化工程Ｓ２４０）
最後に水晶ウエハと圧電振動片５とを連結していた連結部を切断して、複数の圧電振動片５を水晶ウエハから切り離して小片化する小片化工程Ｓ２４０を行う。
これにより、１枚の水晶ウエハから、音叉型の圧電振動片５を一度に複数製造することができる。
この時点で、圧電振動片５の製造工程が終了し、圧電振動片５を複数得ることができる。
【００６６】
（ベース基板用ウエハ作成工程）
以下に、ベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を製作する工程について説明する。
先ず、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を製作する工程を行う（Ｓ１０）。
まず、図９に示すような、円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する。
具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去する（Ｓ１１）。
また、図９中の点線Ｍは、後の切断工程においてベース基板用ウエハ４０を切断する切断線を図示している。
【００６７】
（貫通電極形成工程）
続いて、ベース基板用ウエハ４０に貫通電極８、９を形成する貫通電極形成工程を行う（Ｓ１０Ａ）。
以下に、この貫通電極形成工程について詳細を説明する。
【００６８】
まず、図１０（ａ）に示すような、ベース基板用ウエハ４０を貫通する一対の貫通孔２１、２２を複数形成する（Ｓ１２）。
貫通孔２１、２２の形成は、例えばサンドブラスト法やプレス加工等で行う。サンドブラスト法やプレス加工では、貫通孔２１、２２をテーパー状に形成することができる。
このとき、貫通孔２１、２２のテーパーは、ベース基板用ウエハ４０の下面（ベース基板２の外側）から上面（キャビティＣ側）に向かって漸次径が縮径するテーパーとする。
【００６９】
続いて、貫通孔２１、２２内に中心軸を合わせて金属ピン３７の芯材部３１を上側から挿入し、この金属ピン３７の土台部３６とベース基板用ウエハ４０とを接触させて上下反転させる（Ｓ１３）。
このとき、図１０（ｂ）に示すように、貫通孔２１、２２はそのテーパー形状が下方に向かって漸次径が縮径する向きで、金属ピン３７は土台部３６の上側に芯材部３１が位置する向きで配置される。
このとき土台部３６の平面形状は貫通孔２１、２２の小径側２１ａ、２２ａの開口よりも大きく、この小径側２１ａ、２２ａの開口を塞ぐことができる形状とする。
【００７０】
そして、図１０（ｃ）に示すように、貫通孔２１、２２と芯材部３１との隙間にガラス体３２ａを成すペースト状のガラスフリットを充填し（Ｓ１４）、所定の温度で焼成しガラスフリットを固化させて、ガラス体３２ａを形成する（Ｓ１５）。
【００７１】
このように、土台部３６をベース基板用ウエハ４０の表面に接触させることで、ペースト状のガラスフリットを確実に貫通孔２１、２２内に充填させることができる。
また、土台部３６は、平板状に形成されているため、金属ピン３７および、金属ピン３７の設置されたベース基板用ウエハ４０は、がたつき等がなく安定するので、作業性の向上を図ることができる。
そして、ガラスフリットは焼成されて固化し、ガラス体３２ａとなって、金属ピン３７を密着状態で固定すると共に、貫通孔２１、２２に固着して貫通孔２１、２２を封止することができる。
【００７２】
続いて、金属ピン３７の土台部３６を研磨して除去する（Ｓ１６）。
土台部３６の研磨は、図１１（ａ），（ｂ）に示すような、片面研磨装置５１を使用して行う。
【００７３】
片面研磨装置５１は、平面視円形状の上定盤５２と、上定盤５２と同じ平面視円形状の下定盤５３と、上定盤５２の下側に複数配置されて、ベース基板用ウエハ４０を吸着固定する平面視円形状のキャリア５４と、上定盤５２と下定盤５３との間に研磨剤５６を流入する研磨剤流入手段５５と、上定盤５２、下定盤５３およびキャリア５４をそれぞれ回転させる図示しない回転手段と、から概略構成されている。
【００７４】
下定盤５３は、溝の形成されていないソリッド定盤で構成され、図中の矢印Ａ１の方向に水平方向に回転する構造である。
キャリア５４は、上定盤５２に水平方向に回転自在に保持されて図中の矢印Ａ２の方向に自転する構造である。このように下定盤５３が回転すると共に、キャリア５４が回転する構造により、研磨面の片減りを無くし表面を平坦に研磨することができる。
土台部３６を研磨する工程では、下定盤５３の回転数は１５ｒｐｍとし、キャリア５４の回転数は４５ｒｐｍとする。
【００７５】
研磨剤流入手段５５は、研磨剤５６を収容し攪拌するモーターを備える収容部と、収容部内の研磨剤５６を搬送し、上定盤５２に６〜８ヶ所ほど設けられた流入口５５ａから下定盤５３上に流入させるポンプと、研磨剤５６のＰＨを測定するＰＨ測定器とを備えている。
片面研磨装置５１では、研磨剤５６を供給しながら研磨を行い、研磨剤５６が流入口５５ａから下定盤５３に流入する流量は所定流量に設定されている。
【００７６】
金属ピン３７の土台部３６の研磨方法は、まず、ベース基板用ウエハ４０から突出した土台部３６が下側となるように、ベース基板用ウエハ４０をキャリア５４に吸着固定させて片面研磨装置５１に設置する。
このとき、上定盤５２若しくはキャリア５４の下側には、例えばガラスエポキシ樹脂（ＦＲ４）で形成された平板形状のダミー基板５７を設置する。
ダミー基板５７はその下端部が土台部３６の下端部よりも下方に位置する厚みとする。
【００７７】
そして、研磨剤５６を供給しながら、下定盤５３およびキャリア５４をそれぞれ回転手段により回転させて研磨を行う。このとき、上定盤５２から下定盤５３の方向に１５〜５０ｇ／ｃｍ2 の圧力をかけて研磨を行う。
そして、土台部３６よりも先にダミー基板５７が下定盤５３に接触し、ダミー基板５７が研磨され、この後に、土台部３６が下定盤５３に接触してダミー基板５７と共に研磨される。
【００７８】
このように、土台部３６よりも先にダミー基板５７が研磨され、その後に土台部３６がダミー基板５７と共に研磨されることにより、下定盤５３からベース基板用ウエハ４０に対して徐々に圧力を負荷することが可能になり、ベース基板用ウエハ４０の損傷を防止することができる。
このようにして土台部３６を撤去し、図１０（ｄ）に示すように、芯材部３１のみを筒体３２の内部に残す。
【００７９】
続いて、土台部３６が撤去されたベース基板用ウエハ４０のガラス面４０ａを研磨する工程を行う（Ｓ１７）。
ガラス面４０ａの研磨する工程は、主に焼成によりくぼみが生じたフリットガラスを平坦にするためのもので、例えば、ガラス製やセラミック製などの薄板状をしたウエハの表裏両面を研磨する両面研磨装置を使用して行う。
【００８０】
図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、両面研磨装置７１は、平面視円形状の上定盤７２と、上定盤７２と同じ平面視円形状の下定盤７３と、下定盤７３の中央に位置するサンギヤ７４と、下定盤７３の外周を取り囲むインターナルギヤ７５と、上定盤７２と下定盤７３との間で、サンギヤ７４とインターナルギヤ７５との間に設置され、ベース基板用ウエハ４０を保持する複数のキャリア７６と、ベース基板用ウエハ４０の両面に研磨剤７７を流入する研磨剤流入手段７８と、上定盤７２、下定盤７３およびサンギヤ７４、インターナルギヤ７５をそれぞれ回転させる図示しない回転手段と、から概略構成されている。
【００８１】
上定盤７２と下定盤７３とは、同芯で水平方向に回転する構造である。このベース基板用ウエハ４０のガラス面４０ａを研磨する工程では、上定盤７２の回転数は４５ｒｐｍとし、下定盤７３の回転数は１５ｒｐｍとする。
上定盤７２と下定盤７３との研磨側の表面には、研磨パッド７９、８０が貼着されている。この研磨パッドは、例えば酸化セリウムで形成されているものを使用する。
【００８２】
サンギヤ７４の外周およびインターナルギヤ７５の内周には、歯７４ａ、７５ａが一定のピッチで鉛直且つ円環状に配設されている。サンギヤ７４およびインターナルギヤ７５は上定盤７２および下定盤７３と同芯で水平方向に回転する。
本実施の形態では、インターナルギヤ７５が独自に回転する両面研磨装置７１を使用しているが、インターナルギヤが独自に回転せず、例えば下定盤に固定され、下定盤と共に回転する構造の両面研磨装置を使用してもよい。
【００８３】
キャリア７６は、円盤形状をなし、内方にベース基板用ウエハ４０がはめ込まれて保持される複数のベース基板用ウエハ保持孔７６ｂを備えている。
キャリア７６は、その厚さがベース基板用ウエハ４０の厚さよりも薄く、キャリア７６の上下からベース基板用ウエハ４０が突出するようにベース基板用ウエハ４０の側面を保持する。
【００８４】
また、キャリア７６の外周には、歯７６ａが一定のピッチで鉛直且つ円環状に配設されている。
そして、キャリア４６は固定されず、キャリア７６の歯７６ａが、回転するサンギヤ７４およびインターナルギヤ７５の歯７４ａ、７５ａとかみ合うことでキャリア７６は自転および公転する構成である
【００８５】
研磨剤流入手段７８は、研磨剤７７を収容し攪拌するモーターを備える図示しない収容部と、収容部内の研磨剤７７を搬送し、上定盤５２に８ヶ所ほど設けられた流入口７８ａからベース基板用ウエハ４０の上下面に研磨剤７７を流入させる図示しないポンプと、を備えている。
【００８６】
また、研磨剤流入手段７８は、下定盤７３から外部へ流出した研磨剤７７を回収する研磨剤回収部８１を備え、回収された研磨剤７７は再度流入口７８ａへ搬送できる仕組みとなっている。
ベース基板用ウエハ４０のガラス面４０ａを研磨する工程では、研磨剤７７が流入口７８ａからベース基板用ウエハ４０上下面に流入する流量は１０Ｌ／ｍｉｎ程に設定されている。
研磨剤７７には、一般的にガラス面の研磨に使用される酸化セリウムなどを使用する。
【００８７】
ベース基板用ウエハ４０のガラス面４０ａの研磨方法では、まず、土台部３６が除去されたベース基板用ウエハ４０をキャリア７６のベース基板用ウエハ保持孔７６ｂに設置する。
そして、ベース基板用ウエハ４０の上下面に研磨剤７７を供給させながら、上定盤７２、下定盤７３およびサンギヤ７４、インターナルギヤ７５をそれぞれ回転させ、ベース基板用ウエハ４０を保持したキャリア７６も自転および公転させる。
【００８８】
そして、キャリア７６に保持されたベース基板用ウエハ４０のガラス面４０ａを上定盤７２および下定盤７３に貼着された研磨パッド７９、８０によって研磨する。
このとき、上定盤７２から下定盤７３の方向に１００〜５００ｇ／ｃｍ2 の圧力をかけて研磨を行う。
【００８９】
続いて、ベース基板用ウエハ４０から突出した芯材部３１を研磨する工程を行う（Ｓ１８）。
この芯材部３１の研磨は、上述した金属ピン３７の土台部３６の研磨方法と同様に片面研磨装置５１で片面ずつ研磨する。
このとき、土台部３６の研磨で使用したダミー基板５７を使用せずに芯材部３１と下定盤５３接触させて研磨を行う。
このように、片面ずつ芯材部３１の研磨を行うことによって、上下の研磨量を均等にすることができる。
【００９０】
また、芯材部３１の研磨は両面行わずに、後にキャビティＣ側となる面のみとしてもよい。
そして、芯材部３１の突出した部分を研磨した後には、図１０（ｅ）から図１０（ｆ）に示すように、ベース基板用ウエハ４０のガラス面４０ａと貫通電極８、９の表面とが、略面一な状態となる。
このようにして、ベース基板用ウエハ４０に貫通電極８、９が形成される。
【００９１】
次に、ベース基板用ウエハ４０の上面に導電性材料をパターニングして、接合膜を形成する接合膜形成工程を行う（Ｓ１９）と共に、引き回し電極形成工程を行う（Ｓ２０）。
このようにして、ベース基板用ウエハ４０の製作工程が終了する。
【００９２】
（リッド基板用ウエハ作成工程）
次に、ベース基板２の製作と同時または前後のタイミングで、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するリッド基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。
リッド基板３を製作する工程では、まず、のちにリッド基板３となる円板状のリッド基板用ウエハを形成する。
【００９３】
具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去する（Ｓ３１）。
次いで、リッド基板用ウエハにエッチングやプレス加工などによりキャビティＣ用の凹部３ａを形成する（Ｓ３２）。
【００９４】
次に、後述するベース基板用ウエハ４０との間の気密性を確保するために、ベース基板用ウエハ４０との接合面となるリッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａ側を少なくとも研磨する研磨工程（Ｓ３３）を行い、第１面５０ａを鏡面加工する。
【００９５】
次に、リッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａ全体（ベース基板用ウエハ４０との接合面及び凹部３ａの内面）に接合材２３を形成する接合材形成工程（Ｓ３４）を行う。
このように、接合材２３をリッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａ全体に形成することで、接合材２３のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。
【００９６】
なお、接合材２３の形成は、スパッタやＣＶＤ等の成膜方法によって行うことができる。
また、接合材形成工程（Ｓ３４）の前に接合面を研磨しているので、接合材２３の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ４０との安定した接合を実現することができる。
以上により、リッド基板用ウエハ作成工程（Ｓ３０）が終了する。
【００９７】
（組立工程）
次に、ベース基板用ウエハ作成工程（Ｓ１０）で作成されたベース基板用ウエハ４０の引き回し電極２７上に、圧電振動片作成工程（Ｓ０１）で作成された圧電振動片５を、金等のバンプＢを介してマウントする（Ｓ５０）。
そして、上述した各ウエハ作成工程で作成されたベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる、重ね合わせ工程を行う（Ｓ６０）。
【００９８】
具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、ベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を正しい位置にアライメントする。
これにより、マウントされた圧電振動片５が、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部３ａとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収納された状態となる。
【００９９】
重ね合わせ工程（Ｓ６０）後、重ね合わせた２枚のベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構によりウエハの外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（Ｓ７０）。
【０１００】
具体的には、接合材２３とリッド基板用ウエハ５０との間に所定の電圧を印加する。
すると、接合材２３とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。
これにより、圧電振動片５をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合されたウエハ接合体６０を得ることができる。
【０１０１】
そして、本実施形態のようにリッド基板用ウエハ５０およびベース基板用ウエハ４０同士を陽極接合することで、接着剤等でリッド基板用ウエハ５０およびベース基板用ウエハ４０を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃等によるずれ、ウエハ接合体６０の反り等を防ぎ、リッド基板用ウエハ５０およびベース基板用ウエハ４０をより強固に接合することができる。
【０１０２】
この後、一対の貫通電極８，９にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極６，７を形成し（Ｓ８０）、圧電振動子１の周波数を微調整する（Ｓ９０）。
そして、接合されたウエハ接合体６０を切断線Ｍに沿って切断し、小片化する切断工程（Ｓ１００）を行う。
【０１０３】
そして、電気特性検査工程（Ｓ１１０）では、圧電振動子１の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等も併せてチェックする。
最後に、圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。
以上により、圧電振動子１が完成する。
【０１０４】
上述した本実施の形態による研磨方法によれば、研磨装置１５０の上定盤１５１は、主に水晶ウエハ１５５を下定盤１５２に向かい押圧するだけであって、上定盤１５１による水晶ウエハ１５５の研磨を抑制しつつ下定盤１５２による水晶ウエハ１５５の研磨を促進し、いわば片面研磨を適切に行なうことができる。
しかも、水晶ウエハ１５５は自転および公転することから、水晶ウエハ１５５の平行度を向上させ、水晶ウエハ１５５の研磨を適切に行なうことができ、水晶ウエハ１５５にクラックや欠けが生じることを防ぎ、水晶ウエハ１５５を平坦にすることができ、水晶ウエハ１５５を所定の厚みに高精度に仕上げることができる。
【０１０５】
さらに、上述した本実施の形態による圧電振動片の製造方法によれば、水晶ウエハ１５５の厚さ精度および平行度を向上させることができ、圧電振動片５の作動信頼性を向上させることができる。
【０１０６】
さらに、上述した本実施の形態による圧電振動子１によれば、作動信頼性を向上させることができる。
【０１０７】
（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１３を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図１３に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。
この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。
基板１０３には、発振器用の上記集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。
これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。
なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【０１０８】
このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、該圧電振動子１内の圧電振動片５が振動する。
この振動は、圧電振動片５が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。
入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
【０１０９】
上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、圧電振動片５は、厚さ精度および平行度が向上されている水晶ウエハ１５５から作成されていることから、圧電振動片５の作動信頼性を向上させることができ、作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。
【０１１０】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１４を参照して説明する。
なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。
外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。
また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。
しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
【０１１１】
次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。
この携帯情報機器１１０は、図１４に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。
電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。
この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。
そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【０１１２】
制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。
また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、該ＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、該ＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【０１１３】
計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。
圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片５が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。
発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。
そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
【０１１４】
通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。
【０１１５】
音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。
増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【０１１６】
また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
【０１１７】
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。
また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【０１１８】
電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。
このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。
【０１１９】
電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。
特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。
更に、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【０１２０】
即ち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。
この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。
【０１２１】
上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、作動の信頼性が向上した高品質な圧電振動子１を備えているため、携帯情報機器自体も同様に導通性が安定して確保され、作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。
【０１２２】
（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１５を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。
４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【０１２３】
以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。
長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。
受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。
【０１２４】
更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。
ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【０１２５】
なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。
例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。
従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【０１２６】
上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、作動の信頼性が向上した高品質な圧電振動子１を備えているため、電波時計自体も同様に導通性が安定して確保され、作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。
【０１２７】
以上、本発明による研磨方法の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
上述した実施の形態では、上定盤１５１の表面を研磨布１５８により覆い、該研磨布１５８を介して上定盤１５１を水晶ウエハ１５５に接触させ、下定盤１５２を砥石により構成される砥石定盤としたが、これに限定されない。
つまり、水晶ウエハ１５５に接触する上定盤１５１の表面状態と、水晶ウエハ１５５に接触する下定盤１５２の表面状態とが異なるように、かつ、下定盤１５２による水晶ウエハ１５５の研磨量が上定盤１５１による水晶ウエハ１５１の研磨量よりも大きくなるように構成されていればよい。
【符号の説明】
【０１２８】
１ 圧電振動子
５ 圧電振動片
１００ 発振器
１１０ 携帯情報機器
１３０ 電波時計
１５０ 研磨装置
１５１ 上定盤
１５２ 下定盤
１５３ サンギヤ
１５４ インターナルギヤ
１５５ 水晶ウエハ
１５７ キャリア
１５８ 研磨布
【技術分野】
【０００１】
この発明は、研磨方法、圧電振動片の製造方法、この圧電振動片の製造方法により製造された圧電振動片を有する圧電振動子、該圧電振動子を有する発振器、電子機器及び電波時計に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、互いが積層状態で陽極接合されることによって両者間にキャビティが形成されるベース基板およびリッド基板と、ベース基板においてキャビティ内に位置する部分にマウントされた作動片と、を備えるパッケージ製品が広く用いられている。
この種のパッケージ製品として、例えば、携帯電話や携帯情報端末機器に装着され、時刻源や制御信号などのタイミング源、リファレンス信号源などとして水晶などを利用した圧電振動子が知られている。
【０００３】
そして、このような圧電振動子を製造する際に、圧電振動片用のウエハを片面研磨装置を用いて片面研磨する方法として、例えば、加工ヘッドの円形板状のプレートにウエハを接着し、この加工ヘッドを回転定盤に向かい押圧した状態で回転定盤によってウエハを研磨する方法が知られている。
しかしながら、片面研磨装置を用いた研磨時には、ウエハがプレートに吸着及び貼付け固定されているため、ウエハは自転せず、内周と外周との周速差が発生することから、ウエハの平行度を向上させることが困難であるという問題が生じる。
【０００４】
このような問題が生じることに対して、従来、例えば、２枚のウエハを貼り合せた状態で両面研磨装置を用いて各ウエハの片面を研磨する研磨方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−７６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら上記従来技術に係る研磨方法では、貼り合せた２枚のウエハ間に研磨材が入り込むことによって、ウエハが損傷してしまう虞がある。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ウエハの研磨を適切に行なうことで圧電振動片の信頼性を向上させることができる研磨方法、圧電振動片の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決して係る目的を達成するために、本発明の請求項１に係る研磨方法は、上定盤（例えば、実施の形態での上定盤１５１）と下定盤（例えば、実施の形態での下定盤１５２）とによってウエハ（例えば、実施の形態での水晶ウエハ１５５）を厚さ方向の両側から挟み込んで、前記ウエハを研磨する研磨方法であって、前記下定盤の中心部に回転可能に設けられるサンギヤ（例えば、実施の形態でのサンギヤ１５３）と、前記下定盤の外周部に設けられるインターナルギヤ（例えば、実施の形態でのインターナルギヤ１５４）と、前記サンギヤと前記インターナルギヤとの間に噛合され、前記サンギヤと前記インターナルギヤとの協働により自転および公転するとともに前記ウエハを保持可能なキャリア（例えば、実施の形態でのキャリア１５７）とを用いて、前記ウエハに接触する前記上定盤の表面状態と前記ウエハに接触する前記下定盤の表面状態とが異なるように、かつ、前記下定盤による前記ウエハの研磨量が前記上定盤による前記ウエハの研磨量よりも大きくなるように前記ウエハを研磨する。
【０００９】
さらに、本発明の請求項２に係る研磨方法は、前記上定盤の表面を研磨布（例えば、実施の形態での研磨布１５８）により覆い、該研磨布を介して前記上定盤を前記ウエハに接触させ、前記下定盤を砥石により構成される砥石定盤とする。
【００１０】
さらに、本発明の請求項３に係る研磨方法は、前記上定盤および前記下定盤と、前記ウエハとの間に、水のみを供給する。
【００１１】
また、本発明の請求項４に係る圧電振動片の製造方法は、フォトリソグラフィ技術を用いて、圧電振動片（例えば、実施の形態での圧電振動片５）の外形が形成された圧電板の表面に電極を形成するための圧電振動片の製造方法であって、請求項１から請求項３の何れか１つに記載の研磨方法によって前記圧電板を研磨する工程を含む。
【００１２】
また、本発明の請求項５に係る圧電振動子（例えば、実施の形態での圧電振動子１）は、請求項４に記載の圧電振動片の製造方法により製造された圧電振動片を備えている。
【００１３】
また、本発明の請求項６に係る発振器（例えば、実施の形態での発振器１００）は、請求項５に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されている。
【００１４】
また、本発明の請求項７に係る電子機器（例えば、実施の形態での携帯情報機器１１０）は、請求項５に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されている。
【００１５】
また、本発明の請求項８に係る電波時計（例えば、実施の形態での電波時計１３０）は、請求項５に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の請求項１に係る研磨方法によれば、主に下定盤によってウエハを、いわば片面研磨することができ、しかも、ウエハは自転および公転することから、ウエハの平行度を向上させ、ウエハの研磨を適切に行なうことができる。
【００１７】
本発明の請求項２および請求項３に係る研磨方法によれば、上定盤は、主にウエハを下定盤に向かい押圧するだけであって、上定盤によるウエハの研磨を抑制しつつ下定盤によるウエハの研磨を促進し、いわば片面研磨を適切に行なうことができる。
【００１８】
本発明の請求項４に係る圧電振動片の製造方法によれば、圧電板の厚さ精度および平行度を向上させることができ、圧電振動片の作動信頼性を向上させることができる。
【００１９】
本発明の圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計によれば、作動信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態における圧電振動子の外観斜視図である。
【図２】図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図である。
【図３】図２に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図である。
【図４】図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。
【図５】図１に示す圧電振動子を製造する際に用いる金属ピンの斜視図である。
【図６】図１に示す圧電振動子を製造する流れを示すフローチャートである。
【図７】圧電振動片の製造工程のフローチャートである。
【図８】水晶ウエハの研磨装置の概略を示す図である。
【図９】圧電振動子の製造方法を説明するための工程図であって、ウエハ接合体の分解斜視図である。
【図１０】（ａ）〜（ｆ）は図２（ａ）、（ｂ）に示す圧電振動子に備える貫通電極を形成する工程を示す図である。
【図１１】（ａ）は図２（ａ）、（ｂ）に示す貫通電極を形成する工程において、金属ピンを研磨する片面研磨装置の概略を示す側面図であり、（ｂ）は下定盤側から上定盤側を見た図である。
【図１２】（ａ）は図２（ａ）、（ｂ）に示す圧電振動子に備える貫通電極を形成する工程において、ベース基板用ウエハを研磨する両面研磨装置の概略を示す側面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【図１３】本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。
【図１４】本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図１５】本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の一実施形態に係る研磨方法、圧電振動片の製造方法および該圧電振動片の製造方法により製造された圧電振動片を備える圧電振動子および該圧電振動子を備える発振器および電子機器および電波時計について説明する。
【００２２】
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
（圧電振動子）
図１は、本実施形態における圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図である。
また、図２は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。
また、図３は図２に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図であり、図４は圧電振動子の分解斜視図である。
【００２３】
図１〜図４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板（第１基板）２及びリッド基板３が接合材２３を介して陽極接合された箱状のパッケージ１０と、パッケージ１０のキャビティＣ内に収納された圧電振動片（電子部品）５とを備えた表面実装型の圧電振動子１である。
そして、圧電振動片５と、ベース基板２の裏面２ａ（図３中下面：第１面）に設置された外部電極６，７と、がベース基板２を貫通する一対の貫通電極８，９によって電気的に接続されている。
【００２４】
ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。
ベース基板２には、一対の貫通電極８，９が形成される一対の貫通孔（凹部）２１，２２が形成されている。
貫通孔２１，２２は、ベース基板２の裏面２ａから表面２ｂ（図３中上面）に向かって漸次径が縮径した断面テーパ形状をなしている。
【００２５】
リッド基板３は、ベース基板２と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板２に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。
そして、リッド基板３の内面３ｂ（図３中下面）側には、圧電振動片５が収容される矩形状の凹部３ａが形成されている。
この凹部３ａは、ベース基板２及びリッド基板３が重ね合わされたときに、圧電振動片５を収容するキャビティＣを形成する。
【００２６】
そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して接合材２３を介して陽極接合されている。
すなわち、リッド基板３の内面３ｂ側は、中央部に形成された凹部３ａと、凹部３ａの周囲に形成され、ベース基板２との接合面となる額縁領域３ｃとを構成している。
【００２７】
圧電振動片５は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片５は、平行に配置された一対の振動腕部２４，２５と、一対の振動腕部２４，２５の基端側を一体的に固定する基部２６とからなる音叉型である。
【００２８】
そして、一対の振動腕部２４，２５の外表面上には、振動腕部２４，２５を振動させる図示しない一対の第１の励振電極と第２の励振電極とからなる励振電極と、第１の励振電極及び第２の励振電極と後述する引き回し電極２７，２８とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している（何れも不図示）。
【００２９】
このように構成された圧電振動片５は、図２，図３に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の表面２ｂに形成された引き回し電極２７，２８上にバンプ接合されている。
【００３０】
より具体的には、圧電振動片５の第１の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプＢを介して一方の引き回し電極２７上にバンプ接合され、第２の励振電極が他方のマウント電極及びバンプＢを介して他方の引き回し電極２８上にバンプ接合されている。
これにより、圧電振動片５は、ベース基板２の表面２ｂから浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極２７，２８とがそれぞれ電気的に接続された状態となる。
【００３１】
外部電極６，７は、ベース基板２の裏面２ａにおける長手方向の両側に設置されており、各貫通電極８，９及び各引き回し電極２７，２８を介して圧電振動片５に電気的に接続されている。
【００３２】
より具体的には、一方の外部電極６は、一方の貫通電極８及び一方の引き回し電極２７を介して圧電振動片５の一方のマウント電極に電気的に接続されている。
また、他方の外部電極７は、他方の貫通電極９及び他方の引き回し電極２８を介して、圧電振動片５の他方のマウント電極に電気的に接続されている。
【００３３】
貫通電極８，９は、貫通孔２１，２２内に配設された芯材部３１と、芯材部３１と貫通孔２１，２２との間に充填されたガラスフリットが焼成されて形成された筒体３２とから構成されている。
貫通電極８，９は、貫通孔２１，２２を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、外部電極６，７と引き回し電極２７，２８とを導通させる役割を担っている。
【００３４】
具体的に、一方の貫通電極８は、外部電極６と基部２６との間で引き回し電極２７の下方に位置しており、他方の貫通電極９は、外部電極７と振動腕部２５との間で引き回し電極２８の下方に位置している。
【００３５】
筒体３２は、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚みに形成されるとともに、貫通孔２１，２２の形状に合わせて、筒体３２の外形が円錐台状（断面テーパ状）となるように形成されている。
また、本実施形態における筒体３２は、ガラス体３２ａで構成されている。
【００３６】
ガラス体３２ａは、ペースト状のガラスフリットが貫通孔２１，２２と芯材部３１との間に埋め込まれた状態で焼成されたものであって、これら貫通孔２１，２２に対して強固に固着されている。
具体的に、ガラス体３２ａは、ベース基板２の厚さ方向において、ほぼ全域に亘って貫通孔２１，２２を埋めるように形成されている。
【００３７】
この場合、ガラス体３２ａにおける厚さ方向の一端側の端面が、ベース基板２の表面２ｂと面一に形成されて、芯材部３１とともにキャビティＣ内に露出している。
一方、ガラス体３２ａにおける厚さ方向の他端側の端面は、ベース基板２の裏面２ａと面一に形成されて、芯材部３１とともに外部に露出している。
そして、筒体３２（ガラス体３２ａ）の中心には、芯材部３１が筒体３２の中心孔を貫通するように配されている。
【００３８】
上述した芯材部３１は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）などの、熱膨張係数αがガラスフリットよりも小さい金属材料（α＝６〜７ｐｐｍ）により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体３２と同様に両端が平坦で、かつベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。
【００３９】
なお、貫通電極８，９が完成品として形成された場合には、上述したように芯材部３１は、円柱状でベース基板２の厚さと同じ厚さとなるように形成されているが、製造過程では、例えば図５に示すように、芯材部３１の一方の端部に連結された平板状の土台部３６とともに鋲体型の金属ピン３７を形成している。
また、この土台部３６は製造過程において、研磨されて除去されている（後に製造方法で説明する）。
貫通電極８、９は、導電性の芯材部３１を通して電気導通性が確保されている。
【００４０】
リッド基板３の内面３ｂ全体には、陽極接合用の接合材２３が形成されている。
具体的に、接合材２３は、額縁領域３ｃ及び凹部３ａの内面全体に亘って形成されている。
本実施形態の接合材２３はＳｉ膜で形成されているが、接合材２３をＡｌで形成することも可能である。
なお接合材２３として、ドーピング等により低抵抗化したＳｉバルク材を可能することも可能である。
そして後述するように、この接合材２３とベース基板２とが陽極接合され、キャビティＣが真空封止されている。
【００４１】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極６，７に対して、所定の駆動電圧を印加する。
これにより、圧電振動片５の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部２４，２５を接近または離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。
そして、この一対の振動腕部２４，２５の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
【００４２】
（パッケージの製造方法）
次に上述した圧電振動片を収容したパッケージ（圧電振動子）の製造方法について図６，７に示すフローチャートを参照しながら説明する。
図６，７は、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法のフローチャートである。図８は圧電振動子基板の研磨装置を示す図である。
図９は、ウエハ接合体の分解斜視図である。
【００４３】
以下には、複数のベース基板２が連なるベース基板用ウエハ４０と、複数のリッド基板３が連なるリッド基板用ウエハ５０との間に複数の圧電振動片５を封入してウエハ接合体６０を形成し、ウエハ接合体６０を切断することにより複数の圧電振動子１を同時に製造する方法について説明する。
なお、図９に示す破線Ｍは、切断工程で切断する切断線を図示したものである。
【００４４】
図６に示すように、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程（Ｓ０１）と、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ１０）と、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）と、組立工程（Ｓ５０以下）とを有している。
これらのうち、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）及びベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ１０）は、並行して実施することが可能である。
【００４５】
（圧電振動片の製造方法）
初めに、圧電振動片作製工程を行って圧電振動片５を作製する（Ｓ０１）。
また、圧電振動片５を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。
なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。
【００４６】
本実施形態の圧電振動片５の製造工程は、主に水晶ウエハ（圧電板）に圧電振動片５の外形形状を複数形成する外形形成工程Ｓ２１０と、各電極を水晶ウエハに形成する電極形成工程Ｓ２２０と、共振周波数を調整する周波数調整工程Ｓ２３０と、１枚の水晶ウエハから複数の圧電振動片を切り離す小片化工程Ｓ２４０とを備えている。
以下に各工程の詳細を説明する。
【００４７】
（外形形成工程Ｓ２１０）
まず、水晶ウエハに圧電振動片５の外形形状を複数形成する外形形成工程Ｓ２１０を行う。
具体的には、ポリッシングが終了し、所定の厚みに高精度に仕上げられた水晶ウエハを準備する。
次いで、この水晶ウエハをフォトリソグラフィ技術によってエッチングして、水晶ウエハに圧電振動片５の外形形状を複数形成する。
以上で、外形形成工程Ｓ２１０が終了する。
【００４８】
なお、水晶ウエハを所定の厚みに高精度に仕上げる研磨装置１５０は、例えば図８に示すように、平面視円形状の上定盤１５１と、上定盤１５１と同じ平面視円形状であって砥石により構成される砥石定盤を成す下定盤１５２と、下定盤１５２の中心部に回転可能に設けられたサンギヤ１５３と、下定盤１５２の外周を取り囲むインターナルギヤ１５４と、上定盤１５１と下定盤１５２との間で、サンギヤ１５３とインターナルギヤ１５４との間に噛合され、サンギヤ１５３とインターナルギヤ１５４との協働により自転および公転するとともに水晶ウエハ１５５を保持する複数のキャリア１５７と、上定盤１５１に設けられた研磨布１５８と、上定盤１５１、下定盤１５２およびサンギヤ１５３、インターナルギヤ１５４をそれぞれ回転させる回転手段（例えば、上定盤１５１を回転させるドライバーヘッド１６０など）と、から概略構成されている。
【００４９】
上定盤１５１と下定盤１５２は、同芯で水平方向に回転する構造である。
サンギヤ１５３の外周およびインターナルギヤ１５４の内周には、歯が一定のピッチで鉛直且つ円環状に配設されている。
サンギヤ１５３およびインターナルギヤ１５４は上定盤１５１および下定盤１５２と同芯で水平方向に回転する。
本実施の形態では、インターナルギヤ１５４が独自に回転する両面研磨装置を使用しているが、インターナルギヤ１５４が独自に回転せず、例えば下定盤１５２に固定され、下定盤１５２と共に回転する構造の両面研磨装置を使用してもよい。
【００５０】
キャリア１５７は、円盤形状をなし、内方に水晶ウエハ１５５がはめ込まれて保持される複数の水晶ウエハ保持孔を備えている。
キャリア１５７は、その厚さが水晶ウエハ１５５の厚さよりも薄く、キャリア１５７の上下から水晶ウエハ１５５が突出するように水晶ウエハ１５５の側面を保持する。
【００５１】
また、キャリア１５７の外周には、歯が一定のピッチで鉛直且つ円環状に配設されている。
そして、キャリア１５７は固定されず、キャリア１５７の歯が、回転するサンギヤ１５３およびインターナルギヤ１５４の歯とかみ合うことでキャリア１５７は自転および公転する構成である。
【００５２】
そして、水晶ウエハ１５５に接触する上定盤１５１の表面状態と、水晶ウエハ１５５に接触する下定盤１５２の表面状態とが異なるように、かつ、下定盤１５２による水晶ウエハ１５５の研磨量が上定盤１５１による水晶ウエハ１５１の研磨量よりも大きくなるように構成されている。
つまり、上定盤１５１の表面を、例えばスエード系などの研磨布１５８により覆い、該研磨布１５８を介して上定盤１５１を水晶ウエハ１５５に接触させ、下定盤１５２を砥石（例えば、番定６００〜１０００のダイヤモンドなど）により構成される砥石定盤とする。
【００５３】
そして、研磨時に、上定盤１５１および下定盤５２と、水晶ウエハ１５５との間に、水（研削水）のみを供給し、研磨剤の供給を禁止している。
【００５４】
水晶ウエハ１５５の研磨方法では、まず、水晶ウエハ１５５をキャリア１５７の水晶ウエハ保持孔に設置する。
そして、水晶ウエハ１５５の上下面に水（研削水）のみを供給させながら、上定盤１５１、下定盤１５２およびサンギヤ１５３、インターナルギヤ１５４をそれぞれ回転させ、水晶ウエハ１５５を保持したキャリア１５７も自転および公転させる。
【００５５】
そして、キャリア１５７に保持された水晶ウエハ１５５を、上定盤１５１によって下定盤１５２に向かい所定圧力で押圧し、研磨布１５８において滑らせつつ、下定盤１５２によって片面研磨する。
このようにして、所定の厚みの水晶ウエハの作成工程が終了する。
【００５６】
（電極形成工程Ｓ２２０）
次に、圧電振動片５の外形が形成された水晶ウエハの表面に、励振電極、引き出し電極およびマウント電極（いずれも図示略）の各電極を形成する電極形成工程Ｓ２２０を行う。
電極形成工程Ｓ２２０は、水晶ウエハの表面に金属膜を成膜する金属膜成膜工程Ｓ２２１と、金属膜に重ねてフォトレジスト（マスク材）を塗布するフォトレジスト塗布工程Ｓ２２３（マスク材塗布工程）と、フォトレジストを露光する露光工程Ｓ２２５と、フォトレジストを選択的に除去してマスクパターンを形成する現像工程Ｓ２２７と、マスクパターンを介して金属膜のエッチングを行い、各電極を形成するエッチング工程Ｓ２２９と、を有している。
【００５７】
（金属膜成膜工程Ｓ２２１）
電極形成工程Ｓ２２０では、最初に、のちの励振電極となる金属膜を水晶ウエハに成膜する金属膜成膜工程Ｓ２２１を行う。
本実施形態では、水晶ウエハの表面に、水晶と密着性の良いクロムをスパッタ法や真空蒸着法等により数μｍ程度成膜している。
さらに、クロム膜の上から仕上層として金の薄膜を施して形成される。
なお、励振電極および引き出し電極はクロムのみの単層膜で形成され、マウント電極は、クロムと金との積層膜で形成される。
【００５８】
（フォトレジスト塗布工程Ｓ２２３）
続いて、金属膜に重ねてフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布工程Ｓ２２３を行なう。
なお、前述のとおりフォトレジストには、露光された部分が軟化して除去されるポジ型レジストと、露光された部分が残存するネガ型レジストとがあるが、本実施形態では、ポジ型レジストを塗布している。
フォトレジストは、スプレーコート法やスピンコート法等により、金属膜に重ねて、水晶ウエハの表面全体に塗布される。
【００５９】
（露光工程Ｓ２２５）
露光工程Ｓ２２５では、開口部を有するフォトマスクをフォトレジストに向けた状態でセットし、開口部を介してフォトレジストに紫外線を照射する。
フォトマスクの開口部は、フォトレジストを除去したい領域であって、後述のエッチング工程Ｓ２２９で電極膜を除去したい領域に対応して形成されている。換言すれば、フォトマスクの開口部は、励振電極、引き出し電極およびマウント電極（いずれも図示略）の各電極を形成しない領域に対応して形成される。
露光が終了したら、フォトマスクを取り除く。
【００６０】
露光工程Ｓ２２５の後に、フォトレジストを選択的に除去してマスクパターンを形成する現像工程Ｓ２２７を行う。
現像工程Ｓ２２７は、不図示の水槽に貯留された現像液中にフォトレジストが塗布された水晶ウエハを浸漬してフォトレジストを選択的に除去し、レジストパターン（マスクパターン）を形成する。
【００６１】
具体的には、現像工程Ｓ２２７では、フォトマスクの開口部を介して紫外線が露光された領域、すなわち、励振電極、引き出し電極およびマウント電極の各電極を形成しない領域に対応したフォトレジストを除去している。
【００６２】
（洗浄工程Ｓ２２８）
続いて、現像工程Ｓ２２７で水晶ウエハに残存している現像液を洗い流す洗浄工程Ｓ２２８を行う。
洗浄工程Ｓ２２８では、不図示の水槽に貯留された純水内に水晶ウエハを浸漬し、純水内で水晶ウエハを揺動することで、水晶ウエハの表面に残存した現像液を洗い流している。
【００６３】
（エッチング工程Ｓ２２９）
次に、レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、各電極を形成するエッチング工程Ｓ２２９を行う。
本工程では、レジストパターンによりマスクされている金属膜を残し、レジストパターンによりマスクされていない金属膜を選択的に除去する。
エッチング工程Ｓ２２９により、圧電振動片５の励振電極、引き出し電極およびマウント電極が形成される。
【００６４】
（周波数調整工程Ｓ２３０）
次に、図１に示すように、一対の振動腕部２４，２５の先端に周波数調整用の粗調膜及び微調膜からなる重り金属膜（例えば、銀や金等）を形成する。
そして、水晶ウエハに形成された全ての振動腕部２４，２５に対して、共振周波数を粗く調整する周波数調整工程Ｓ２３０を行う。
重り金属膜の粗調膜にレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。
なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、圧電振動子１の状態で行う。
以上で、周波数調整工程Ｓ２３０が終了する。
【００６５】
（小片化工程Ｓ２４０）
最後に水晶ウエハと圧電振動片５とを連結していた連結部を切断して、複数の圧電振動片５を水晶ウエハから切り離して小片化する小片化工程Ｓ２４０を行う。
これにより、１枚の水晶ウエハから、音叉型の圧電振動片５を一度に複数製造することができる。
この時点で、圧電振動片５の製造工程が終了し、圧電振動片５を複数得ることができる。
【００６６】
（ベース基板用ウエハ作成工程）
以下に、ベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を製作する工程について説明する。
先ず、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を製作する工程を行う（Ｓ１０）。
まず、図９に示すような、円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する。
具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去する（Ｓ１１）。
また、図９中の点線Ｍは、後の切断工程においてベース基板用ウエハ４０を切断する切断線を図示している。
【００６７】
（貫通電極形成工程）
続いて、ベース基板用ウエハ４０に貫通電極８、９を形成する貫通電極形成工程を行う（Ｓ１０Ａ）。
以下に、この貫通電極形成工程について詳細を説明する。
【００６８】
まず、図１０（ａ）に示すような、ベース基板用ウエハ４０を貫通する一対の貫通孔２１、２２を複数形成する（Ｓ１２）。
貫通孔２１、２２の形成は、例えばサンドブラスト法やプレス加工等で行う。サンドブラスト法やプレス加工では、貫通孔２１、２２をテーパー状に形成することができる。
このとき、貫通孔２１、２２のテーパーは、ベース基板用ウエハ４０の下面（ベース基板２の外側）から上面（キャビティＣ側）に向かって漸次径が縮径するテーパーとする。
【００６９】
続いて、貫通孔２１、２２内に中心軸を合わせて金属ピン３７の芯材部３１を上側から挿入し、この金属ピン３７の土台部３６とベース基板用ウエハ４０とを接触させて上下反転させる（Ｓ１３）。
このとき、図１０（ｂ）に示すように、貫通孔２１、２２はそのテーパー形状が下方に向かって漸次径が縮径する向きで、金属ピン３７は土台部３６の上側に芯材部３１が位置する向きで配置される。
このとき土台部３６の平面形状は貫通孔２１、２２の小径側２１ａ、２２ａの開口よりも大きく、この小径側２１ａ、２２ａの開口を塞ぐことができる形状とする。
【００７０】
そして、図１０（ｃ）に示すように、貫通孔２１、２２と芯材部３１との隙間にガラス体３２ａを成すペースト状のガラスフリットを充填し（Ｓ１４）、所定の温度で焼成しガラスフリットを固化させて、ガラス体３２ａを形成する（Ｓ１５）。
【００７１】
このように、土台部３６をベース基板用ウエハ４０の表面に接触させることで、ペースト状のガラスフリットを確実に貫通孔２１、２２内に充填させることができる。
また、土台部３６は、平板状に形成されているため、金属ピン３７および、金属ピン３７の設置されたベース基板用ウエハ４０は、がたつき等がなく安定するので、作業性の向上を図ることができる。
そして、ガラスフリットは焼成されて固化し、ガラス体３２ａとなって、金属ピン３７を密着状態で固定すると共に、貫通孔２１、２２に固着して貫通孔２１、２２を封止することができる。
【００７２】
続いて、金属ピン３７の土台部３６を研磨して除去する（Ｓ１６）。
土台部３６の研磨は、図１１（ａ），（ｂ）に示すような、片面研磨装置５１を使用して行う。
【００７３】
片面研磨装置５１は、平面視円形状の上定盤５２と、上定盤５２と同じ平面視円形状の下定盤５３と、上定盤５２の下側に複数配置されて、ベース基板用ウエハ４０を吸着固定する平面視円形状のキャリア５４と、上定盤５２と下定盤５３との間に研磨剤５６を流入する研磨剤流入手段５５と、上定盤５２、下定盤５３およびキャリア５４をそれぞれ回転させる図示しない回転手段と、から概略構成されている。
【００７４】
下定盤５３は、溝の形成されていないソリッド定盤で構成され、図中の矢印Ａ１の方向に水平方向に回転する構造である。
キャリア５４は、上定盤５２に水平方向に回転自在に保持されて図中の矢印Ａ２の方向に自転する構造である。このように下定盤５３が回転すると共に、キャリア５４が回転する構造により、研磨面の片減りを無くし表面を平坦に研磨することができる。
土台部３６を研磨する工程では、下定盤５３の回転数は１５ｒｐｍとし、キャリア５４の回転数は４５ｒｐｍとする。
【００７５】
研磨剤流入手段５５は、研磨剤５６を収容し攪拌するモーターを備える収容部と、収容部内の研磨剤５６を搬送し、上定盤５２に６〜８ヶ所ほど設けられた流入口５５ａから下定盤５３上に流入させるポンプと、研磨剤５６のＰＨを測定するＰＨ測定器とを備えている。
片面研磨装置５１では、研磨剤５６を供給しながら研磨を行い、研磨剤５６が流入口５５ａから下定盤５３に流入する流量は所定流量に設定されている。
【００７６】
金属ピン３７の土台部３６の研磨方法は、まず、ベース基板用ウエハ４０から突出した土台部３６が下側となるように、ベース基板用ウエハ４０をキャリア５４に吸着固定させて片面研磨装置５１に設置する。
このとき、上定盤５２若しくはキャリア５４の下側には、例えばガラスエポキシ樹脂（ＦＲ４）で形成された平板形状のダミー基板５７を設置する。
ダミー基板５７はその下端部が土台部３６の下端部よりも下方に位置する厚みとする。
【００７７】
そして、研磨剤５６を供給しながら、下定盤５３およびキャリア５４をそれぞれ回転手段により回転させて研磨を行う。このとき、上定盤５２から下定盤５３の方向に１５〜５０ｇ／ｃｍ2 の圧力をかけて研磨を行う。
そして、土台部３６よりも先にダミー基板５７が下定盤５３に接触し、ダミー基板５７が研磨され、この後に、土台部３６が下定盤５３に接触してダミー基板５７と共に研磨される。
【００７８】
このように、土台部３６よりも先にダミー基板５７が研磨され、その後に土台部３６がダミー基板５７と共に研磨されることにより、下定盤５３からベース基板用ウエハ４０に対して徐々に圧力を負荷することが可能になり、ベース基板用ウエハ４０の損傷を防止することができる。
このようにして土台部３６を撤去し、図１０（ｄ）に示すように、芯材部３１のみを筒体３２の内部に残す。
【００７９】
続いて、土台部３６が撤去されたベース基板用ウエハ４０のガラス面４０ａを研磨する工程を行う（Ｓ１７）。
ガラス面４０ａの研磨する工程は、主に焼成によりくぼみが生じたフリットガラスを平坦にするためのもので、例えば、ガラス製やセラミック製などの薄板状をしたウエハの表裏両面を研磨する両面研磨装置を使用して行う。
【００８０】
図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、両面研磨装置７１は、平面視円形状の上定盤７２と、上定盤７２と同じ平面視円形状の下定盤７３と、下定盤７３の中央に位置するサンギヤ７４と、下定盤７３の外周を取り囲むインターナルギヤ７５と、上定盤７２と下定盤７３との間で、サンギヤ７４とインターナルギヤ７５との間に設置され、ベース基板用ウエハ４０を保持する複数のキャリア７６と、ベース基板用ウエハ４０の両面に研磨剤７７を流入する研磨剤流入手段７８と、上定盤７２、下定盤７３およびサンギヤ７４、インターナルギヤ７５をそれぞれ回転させる図示しない回転手段と、から概略構成されている。
【００８１】
上定盤７２と下定盤７３とは、同芯で水平方向に回転する構造である。このベース基板用ウエハ４０のガラス面４０ａを研磨する工程では、上定盤７２の回転数は４５ｒｐｍとし、下定盤７３の回転数は１５ｒｐｍとする。
上定盤７２と下定盤７３との研磨側の表面には、研磨パッド７９、８０が貼着されている。この研磨パッドは、例えば酸化セリウムで形成されているものを使用する。
【００８２】
サンギヤ７４の外周およびインターナルギヤ７５の内周には、歯７４ａ、７５ａが一定のピッチで鉛直且つ円環状に配設されている。サンギヤ７４およびインターナルギヤ７５は上定盤７２および下定盤７３と同芯で水平方向に回転する。
本実施の形態では、インターナルギヤ７５が独自に回転する両面研磨装置７１を使用しているが、インターナルギヤが独自に回転せず、例えば下定盤に固定され、下定盤と共に回転する構造の両面研磨装置を使用してもよい。
【００８３】
キャリア７６は、円盤形状をなし、内方にベース基板用ウエハ４０がはめ込まれて保持される複数のベース基板用ウエハ保持孔７６ｂを備えている。
キャリア７６は、その厚さがベース基板用ウエハ４０の厚さよりも薄く、キャリア７６の上下からベース基板用ウエハ４０が突出するようにベース基板用ウエハ４０の側面を保持する。
【００８４】
また、キャリア７６の外周には、歯７６ａが一定のピッチで鉛直且つ円環状に配設されている。
そして、キャリア４６は固定されず、キャリア７６の歯７６ａが、回転するサンギヤ７４およびインターナルギヤ７５の歯７４ａ、７５ａとかみ合うことでキャリア７６は自転および公転する構成である
【００８５】
研磨剤流入手段７８は、研磨剤７７を収容し攪拌するモーターを備える図示しない収容部と、収容部内の研磨剤７７を搬送し、上定盤５２に８ヶ所ほど設けられた流入口７８ａからベース基板用ウエハ４０の上下面に研磨剤７７を流入させる図示しないポンプと、を備えている。
【００８６】
また、研磨剤流入手段７８は、下定盤７３から外部へ流出した研磨剤７７を回収する研磨剤回収部８１を備え、回収された研磨剤７７は再度流入口７８ａへ搬送できる仕組みとなっている。
ベース基板用ウエハ４０のガラス面４０ａを研磨する工程では、研磨剤７７が流入口７８ａからベース基板用ウエハ４０上下面に流入する流量は１０Ｌ／ｍｉｎ程に設定されている。
研磨剤７７には、一般的にガラス面の研磨に使用される酸化セリウムなどを使用する。
【００８７】
ベース基板用ウエハ４０のガラス面４０ａの研磨方法では、まず、土台部３６が除去されたベース基板用ウエハ４０をキャリア７６のベース基板用ウエハ保持孔７６ｂに設置する。
そして、ベース基板用ウエハ４０の上下面に研磨剤７７を供給させながら、上定盤７２、下定盤７３およびサンギヤ７４、インターナルギヤ７５をそれぞれ回転させ、ベース基板用ウエハ４０を保持したキャリア７６も自転および公転させる。
【００８８】
そして、キャリア７６に保持されたベース基板用ウエハ４０のガラス面４０ａを上定盤７２および下定盤７３に貼着された研磨パッド７９、８０によって研磨する。
このとき、上定盤７２から下定盤７３の方向に１００〜５００ｇ／ｃｍ2 の圧力をかけて研磨を行う。
【００８９】
続いて、ベース基板用ウエハ４０から突出した芯材部３１を研磨する工程を行う（Ｓ１８）。
この芯材部３１の研磨は、上述した金属ピン３７の土台部３６の研磨方法と同様に片面研磨装置５１で片面ずつ研磨する。
このとき、土台部３６の研磨で使用したダミー基板５７を使用せずに芯材部３１と下定盤５３接触させて研磨を行う。
このように、片面ずつ芯材部３１の研磨を行うことによって、上下の研磨量を均等にすることができる。
【００９０】
また、芯材部３１の研磨は両面行わずに、後にキャビティＣ側となる面のみとしてもよい。
そして、芯材部３１の突出した部分を研磨した後には、図１０（ｅ）から図１０（ｆ）に示すように、ベース基板用ウエハ４０のガラス面４０ａと貫通電極８、９の表面とが、略面一な状態となる。
このようにして、ベース基板用ウエハ４０に貫通電極８、９が形成される。
【００９１】
次に、ベース基板用ウエハ４０の上面に導電性材料をパターニングして、接合膜を形成する接合膜形成工程を行う（Ｓ１９）と共に、引き回し電極形成工程を行う（Ｓ２０）。
このようにして、ベース基板用ウエハ４０の製作工程が終了する。
【００９２】
（リッド基板用ウエハ作成工程）
次に、ベース基板２の製作と同時または前後のタイミングで、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するリッド基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。
リッド基板３を製作する工程では、まず、のちにリッド基板３となる円板状のリッド基板用ウエハを形成する。
【００９３】
具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去する（Ｓ３１）。
次いで、リッド基板用ウエハにエッチングやプレス加工などによりキャビティＣ用の凹部３ａを形成する（Ｓ３２）。
【００９４】
次に、後述するベース基板用ウエハ４０との間の気密性を確保するために、ベース基板用ウエハ４０との接合面となるリッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａ側を少なくとも研磨する研磨工程（Ｓ３３）を行い、第１面５０ａを鏡面加工する。
【００９５】
次に、リッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａ全体（ベース基板用ウエハ４０との接合面及び凹部３ａの内面）に接合材２３を形成する接合材形成工程（Ｓ３４）を行う。
このように、接合材２３をリッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａ全体に形成することで、接合材２３のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。
【００９６】
なお、接合材２３の形成は、スパッタやＣＶＤ等の成膜方法によって行うことができる。
また、接合材形成工程（Ｓ３４）の前に接合面を研磨しているので、接合材２３の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ４０との安定した接合を実現することができる。
以上により、リッド基板用ウエハ作成工程（Ｓ３０）が終了する。
【００９７】
（組立工程）
次に、ベース基板用ウエハ作成工程（Ｓ１０）で作成されたベース基板用ウエハ４０の引き回し電極２７上に、圧電振動片作成工程（Ｓ０１）で作成された圧電振動片５を、金等のバンプＢを介してマウントする（Ｓ５０）。
そして、上述した各ウエハ作成工程で作成されたベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる、重ね合わせ工程を行う（Ｓ６０）。
【００９８】
具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、ベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を正しい位置にアライメントする。
これにより、マウントされた圧電振動片５が、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部３ａとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収納された状態となる。
【００９９】
重ね合わせ工程（Ｓ６０）後、重ね合わせた２枚のベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構によりウエハの外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（Ｓ７０）。
【０１００】
具体的には、接合材２３とリッド基板用ウエハ５０との間に所定の電圧を印加する。
すると、接合材２３とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。
これにより、圧電振動片５をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合されたウエハ接合体６０を得ることができる。
【０１０１】
そして、本実施形態のようにリッド基板用ウエハ５０およびベース基板用ウエハ４０同士を陽極接合することで、接着剤等でリッド基板用ウエハ５０およびベース基板用ウエハ４０を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃等によるずれ、ウエハ接合体６０の反り等を防ぎ、リッド基板用ウエハ５０およびベース基板用ウエハ４０をより強固に接合することができる。
【０１０２】
この後、一対の貫通電極８，９にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極６，７を形成し（Ｓ８０）、圧電振動子１の周波数を微調整する（Ｓ９０）。
そして、接合されたウエハ接合体６０を切断線Ｍに沿って切断し、小片化する切断工程（Ｓ１００）を行う。
【０１０３】
そして、電気特性検査工程（Ｓ１１０）では、圧電振動子１の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等も併せてチェックする。
最後に、圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。
以上により、圧電振動子１が完成する。
【０１０４】
上述した本実施の形態による研磨方法によれば、研磨装置１５０の上定盤１５１は、主に水晶ウエハ１５５を下定盤１５２に向かい押圧するだけであって、上定盤１５１による水晶ウエハ１５５の研磨を抑制しつつ下定盤１５２による水晶ウエハ１５５の研磨を促進し、いわば片面研磨を適切に行なうことができる。
しかも、水晶ウエハ１５５は自転および公転することから、水晶ウエハ１５５の平行度を向上させ、水晶ウエハ１５５の研磨を適切に行なうことができ、水晶ウエハ１５５にクラックや欠けが生じることを防ぎ、水晶ウエハ１５５を平坦にすることができ、水晶ウエハ１５５を所定の厚みに高精度に仕上げることができる。
【０１０５】
さらに、上述した本実施の形態による圧電振動片の製造方法によれば、水晶ウエハ１５５の厚さ精度および平行度を向上させることができ、圧電振動片５の作動信頼性を向上させることができる。
【０１０６】
さらに、上述した本実施の形態による圧電振動子１によれば、作動信頼性を向上させることができる。
【０１０７】
（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１３を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図１３に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。
この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。
基板１０３には、発振器用の上記集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。
これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。
なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【０１０８】
このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、該圧電振動子１内の圧電振動片５が振動する。
この振動は、圧電振動片５が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。
入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
【０１０９】
上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、圧電振動片５は、厚さ精度および平行度が向上されている水晶ウエハ１５５から作成されていることから、圧電振動片５の作動信頼性を向上させることができ、作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。
【０１１０】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１４を参照して説明する。
なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。
外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。
また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。
しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
【０１１１】
次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。
この携帯情報機器１１０は、図１４に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。
電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。
この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。
そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【０１１２】
制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。
また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、該ＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、該ＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【０１１３】
計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。
圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片５が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。
発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。
そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
【０１１４】
通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。
【０１１５】
音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。
増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【０１１６】
また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
【０１１７】
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。
また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【０１１８】
電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。
このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。
【０１１９】
電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。
特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。
更に、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【０１２０】
即ち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。
この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。
【０１２１】
上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、作動の信頼性が向上した高品質な圧電振動子１を備えているため、携帯情報機器自体も同様に導通性が安定して確保され、作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。
【０１２２】
（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１５を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。
４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【０１２３】
以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。
長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。
受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。
【０１２４】
更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。
ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【０１２５】
なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。
例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。
従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【０１２６】
上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、作動の信頼性が向上した高品質な圧電振動子１を備えているため、電波時計自体も同様に導通性が安定して確保され、作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。
【０１２７】
以上、本発明による研磨方法の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
上述した実施の形態では、上定盤１５１の表面を研磨布１５８により覆い、該研磨布１５８を介して上定盤１５１を水晶ウエハ１５５に接触させ、下定盤１５２を砥石により構成される砥石定盤としたが、これに限定されない。
つまり、水晶ウエハ１５５に接触する上定盤１５１の表面状態と、水晶ウエハ１５５に接触する下定盤１５２の表面状態とが異なるように、かつ、下定盤１５２による水晶ウエハ１５５の研磨量が上定盤１５１による水晶ウエハ１５１の研磨量よりも大きくなるように構成されていればよい。
【符号の説明】
【０１２８】
１ 圧電振動子
５ 圧電振動片
１００ 発振器
１１０ 携帯情報機器
１３０ 電波時計
１５０ 研磨装置
１５１ 上定盤
１５２ 下定盤
１５３ サンギヤ
１５４ インターナルギヤ
１５５ 水晶ウエハ
１５７ キャリア
１５８ 研磨布
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上定盤と下定盤とによってウエハを厚さ方向の両側から挟み込んで、前記ウエハを研磨する研磨方法であって、
前記下定盤の中心部に回転可能に設けられるサンギヤと、前記下定盤の外周部に設けられるインターナルギヤと、
前記サンギヤと前記インターナルギヤとの間に噛合され、前記サンギヤと前記インターナルギヤとの協働により自転および公転するとともに前記ウエハを保持可能なキャリアとを用いて、
前記ウエハに接触する前記上定盤の表面状態と前記ウエハに接触する前記下定盤の表面状態とが異なるように、かつ、前記下定盤による前記ウエハの研磨量が前記上定盤による前記ウエハの研磨量よりも大きくなるように前記ウエハを研磨する研磨方法。
【請求項２】
前記上定盤の表面を研磨布により覆い、該研磨布を介して前記上定盤を前記ウエハに接触させ、
前記下定盤を砥石により構成される砥石定盤とすることを特徴とする請求項１に記載の研磨方法。
【請求項３】
前記上定盤および前記下定盤と、前記ウエハとの間に、水のみを供給することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の研磨方法。
【請求項４】
フォトリソグラフィ技術を用いて、圧電振動片の外形が形成された圧電板の表面に電極を形成するための圧電振動片の製造方法であって、
請求項１から請求項３の何れか１つに記載の研磨方法によって前記圧電板を研磨する工程を含むことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の圧電振動片の製造方法により製造された圧電振動片を備えていることを特徴とする圧電振動子。
【請求項６】
請求項５に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
【請求項７】
請求項５に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項５に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
【請求項１】
上定盤と下定盤とによってウエハを厚さ方向の両側から挟み込んで、前記ウエハを研磨する研磨方法であって、
前記下定盤の中心部に回転可能に設けられるサンギヤと、前記下定盤の外周部に設けられるインターナルギヤと、
前記サンギヤと前記インターナルギヤとの間に噛合され、前記サンギヤと前記インターナルギヤとの協働により自転および公転するとともに前記ウエハを保持可能なキャリアとを用いて、
前記ウエハに接触する前記上定盤の表面状態と前記ウエハに接触する前記下定盤の表面状態とが異なるように、かつ、前記下定盤による前記ウエハの研磨量が前記上定盤による前記ウエハの研磨量よりも大きくなるように前記ウエハを研磨する研磨方法。
【請求項２】
前記上定盤の表面を研磨布により覆い、該研磨布を介して前記上定盤を前記ウエハに接触させ、
前記下定盤を砥石により構成される砥石定盤とすることを特徴とする請求項１に記載の研磨方法。
【請求項３】
前記上定盤および前記下定盤と、前記ウエハとの間に、水のみを供給することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の研磨方法。
【請求項４】
フォトリソグラフィ技術を用いて、圧電振動片の外形が形成された圧電板の表面に電極を形成するための圧電振動片の製造方法であって、
請求項１から請求項３の何れか１つに記載の研磨方法によって前記圧電板を研磨する工程を含むことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の圧電振動片の製造方法により製造された圧電振動片を備えていることを特徴とする圧電振動子。
【請求項６】
請求項５に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
【請求項７】
請求項５に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項５に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１２−２００８５３（Ｐ２０１２−２００８５３Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７０５４０（Ｐ２０１１−７０５４０）
【出願日】平成２３年３月２８日（２０１１．３．２８）
【出願人】（０００００２３２５）セイコーインスツル株式会社 (3,629)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２８日（２０１１．３．２８）
【出願人】（０００００２３２５）セイコーインスツル株式会社 (3,629)
【Ｆターム（参考）】
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